PENGARUH SUHU DEPOSISI TERHADAP SIFAT FISIS FILM TIPIS SENG OKSIDA DOPING GALIUM OKSIDA DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING
Teks penuh
Gambar
Dokumen terkait
Penumbuhan film tipis CdTe dan CdTe:Cu belum menunjukkan hasil yang optimal sehingga perlu dilakukan studi lanjut dengan memvariasi konsentrasi Cu, daya plasma,
Untuk mendapatkan lapisan tipis a-Si yang mempunyai tahanan yang cukup rendah dan lapisan tipis yang mempunyai refleksivitas yang cukup tinggi, maka dilakukan variasi
Untuk mendapatkan lapisan tipis a-Si yang mempunyai tahanan yang cukup rendah dan lapisan tipis yang mempunyai refleksivitas yang cukup tinggi, maka dilakukan variasi
Manfaat penelitian ini adalah untuk mengetahui struktur mikro, struktur kristal dan sifat listrik film tipis CdTe:Cu yang ditumbuhkan di atas substrat ITO dengan metode dc
menunjukkan citra SEM permukaan film tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan pada temperatur 400 o C mempunyai ukuran butir lebih besar. Tampak dari citra SEM, film tipis ZnO:Al
Untuk mendapatkan lapisan tipis a-Si yang mempunyai tahanan yang cukup rendah dan lapisan tipis yang mempunyai refleksivitas yang cukup tinggi, maka dilakukan variasi
menunjukkan citra SEM permukaan film tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan pada temperatur 400 o C mempunyai ukuran butir lebih besar. Tampak dari citra SEM, film tipis ZnO:Al
Hasil karakterisasi dari sifat listrik film tipis ZnO doping Al menggunakan I-V meter menunjukkan bahwa variasi tekanan oksigen yang diberikan pada proses annealing dapat
