A. KESIMPULAN
1. Resistansi film tipis CuPc dipengaruhi oleh arus saat deposisi, hal ini menunjukkan bahwa kecepatan deposisi menentukan resistansi.
2. Penampang melintang film tipis dideposisikan dengan bervariasi waktu, yaitu: (60 , 90 dan 120) menit mempunyai ketebalan masing-masing, berturut-turut: 2,1 μm, 2,4 μm dan 4,8 μm.
3. Analisis Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS) tampak bahwa unsur yang dominan adalah C, Si dan Cu dan S, sedangkan unsur Na, Mg dan Ca kurang dominan.
4. Karakterisasi FET berbasis film tipis CuPc diperoleh bahwa daerah aktif untuk VD adalah (2,79 V sampai dengan 3,43 V) dan kuat arus ID (1,95. 10-4 A sampai dengan 16,9. 10-4 A).
5. Mobilitas pembawa muatan untuk daerah liner dan saturasi, berturut-turut: 0,10121664 cm2 V-1 S-1 dan 0.05468465 cm2 V-1 S-1.
B. SARAN
1. Kecepatan deposisi dapat ditingkatkan dengan menambah arus yang diaplikasikan pada vakum evaporasi.
2. Mobilitas pembawa muatan dapat ditingkat dengan membuat sekecil mungkin panjang channel pada FET.
34
DAFTAR PUSTAKA
Adamyan, AZ, Adamyan, ZN dan Aroutiounian,V.M, 2009,
Study of sensitivity and response kinetics changes for SnO2 thin-film hydrogen sensors, International journal of hydrogen energy, 34, 8438-8443.
Ali, M. , Wang,Ch.Y, R¨ohlig,C.C, Cimalla,V, Stauden,Th. dan Ambacher,O, 2008,
NOx sensing properties of In2O3 thin films grown by MOCVD, Sensors and Actuators B 129, 467-472
Brunet,J., Paulya,A.,Mazet,L.,Germain,J.P.,Bouvet,M., Malezieux,B. 2005, Improvement in real time detection and selectivity of phthalocyanine gas sensors dedicated to oxidizing pollutants evaluation, Thin Solid Films 490 (2005) 28 – 35
Dickert,F.L.,Greibl,W., Rohrer,A. dan G. Voigt, D., 2001, Sol-gel-coated quartz crystal microbalances for monitoring automotive oil degradation, Advanced Materials, 13,1327-1330.
George F. Fine, Leon M. Cavanagh, Ayo Afonja and Russell Binions, 2010, Metal Oxide Semi-Conductor Gas Sensors in Environmental Monitoring, sensors, ISSN 1424-8220. Henning Rost, Jürgen Ficker, Juan Sanchez Alonso, Luc Leenders, Iain McCulloch, 2004. Air-stable all-polymer field-effect transistors with organic electrodes, Synthetic Metals 145, 83–85.
Ho-Shik, Lee, Min-Woo,Cheon and Yong-Pil Park, 2011, Electrical Properties of a CuPc Field-Effect Transistor Using a UV/Ozone Treated and Untreated Substrate, Transactions on Electrical and Electronic Materials, 40-42.
Kapse, V.,D, Ghosh, S,A, Chaudhar,G.,N, Raghuwanshi,F.,C., dan D.D. Gulwade,D.,D, 2009, H2S sensing properties of La-doped nanocrystalline In2O3, Vacuum 83 (2009), 346-352. Lyly Nyl Ismail, Habibah Zulkefle, Sukreen Hana Herman and Mohamad Rusop Mahmood, 2012,
Influence of Doping Concentration on Dielectric, Optical, and Morphological Properties of PMMA Thin Films, Advances in Materials Science and Engineering, Volume 2012, Article ID 605673, 5 pages.
Maggionia,G.,Quaranta,A.,Carturan,S.,Patelli,A,,Tonezzera,M.,Ceccato,R.,Della Mea,G., 2005, Deposition of copper phthalocyanine films by glow discharge- induced sublimation for gas sensing applications, Surface & Coatings Technology 200 (2005) 476– 480
Maggioni,G.,Carturan,S.,Tonezzer,M.,Quaranta,A.,Della Mea,G., 2008, Plasma- deposited copper phthalocyanine: A single gas-sensing material with multiple responses, Sensors and Actuators B 131 (2008) 496–503
Min, Y., 2003, Properties and Sensor Performance of Zinc Oxide Thin Film, Massachusetts Institute of Technology.
35
Mirwa,A., M.Friedrich, A. Hofman, 1995, Sensors and Actuator B24-25,596.
Patil, L.A., Shinde, M., D., Bari, A.R. and Deo, V.V., 2010, Highly sensitive ethanol sensors based on nanocrystalline SnO2 thin films, Current Applied Physics10, 1249-1254. Yuh-Lang Lee, Chuan-Yi Sheu, Rung-Hwa Hsiao,2004, Gas sensing characteristics of copper
phthalocyanine films: effects of film thickness and sensing temperature, Sensors and Actuators B 99 (2004) 281–287
Yuh-Lang Lee and Chi-Hsiu Chang, 2006, NO2 sensing characteristics of copper phthalocyanine films: Effects of low temperature annealing and doping time, Sensors and Actuators B 119, 174-179.
Zhou,R., Josse, F. , Göpel, W., öztürk‡, Z.Z. dan ö.Bekaroglu§, 1996 Phthalocyanine as sensitiv material for chemical sensors, Applied Organometallic Chemistry, Vol.10,557 – 577. www.depkes.go.id
36 LAMPIRAN-LAMPIRAN
Lampiran 1. Instrumen Penelitian
INSTRUMEN PENELITIAN
=====================================================================
Judul
PEMBUATAN SENSOR BERBASIS FILM TIPIS UNTUK DETEKSI
GAS : CO, CO2, NH3, NO, NO2 SEBAGAI UPAYA PEMANTAU
KUALITAS UDARA
--- Peneliti : Dr. Sujarwata,M.T. (Ketua)
Fianti, S.Si., M.Sc., Ph.D. Eng. (Anggota) Dra. Langlang Handayani, M.App.Sc (Anggota)
--- Dalam penumbuhan film tipis CuPc (Copper Phthalocyanine) di atas substrat Si/SiO2 ini menggunakan material semikonduktor organik berwarna biru sebagai lapisan aktif untuk pembuatan sensor gas beracun. Pada eksperimen pendahuluan dengan melakukan penumbuhan film tipis CuPc, kemudian dikarakterisasi menggunakan X-RD, SEM dan SEM-EDX. Pembuatan sensor gas beracun berstruktur FET menggunakan teknik lithography dan penumbuhan film tipis dengan metode vakum evaporasi (VE) pada suhu ruang. Tahapan pembuatan sensor gas beracun sebagai berikut: permulaan dilakukan pencucian substrat Si/SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan penumbuhan elektroda source dan drain di atas substrat. Selanjutnya penumbuhan film tipis diantara source/drain dan diakhiri dengan penumbuhan gate. A. Penumbuhan Film Tipis CuPc
Penumbuhan film tipis CuPc dilakukan dengan prosedur sebagai berikut : 1. Preparasi sampel
Dilakukan pemotongan kaca preparat dengan ukuran ( 1,5x2,5 ) cm2, kemudian kaca preparat dicuci menggunakan alat Ultrasonic Cleaner Model Core-Parmer.
2. Proses evaporasi untuk penumbuhan film tipis CuPc
Pada alat vacuum evaporator (VE), terdapat beberapa parameter yang dapat mempengaruhi karakteristik film tipis, yaitu: tekanan, arus, waktu deposisi, massa CuPc yang akan dideposisi. Dalam penelitian ini, dilakukan variasi arus pada alat vacuum evaporator (untuk memperoleh variasi laju deposisi lapisan CuPc).
37
3. Variasi waktu/ laju penumbuhan adalah (30, 60, 90 dan 120) menit
i) Sampel (material CuPc) dimasukan ke dalam boat dengan massa 200 mg. j) Selanjutnya sampel dimasukan dalam bell-jar (ruang evaporasi).
k)Substrat kaca yang telah dibersihkan dipasang pada holder tepat di atas boat yang telah berisi CuPc.
l) Alat vacuum evaporator divakumkan sehingga tekanannya turun menjadi 8x10-4 Pa. m) Proses evaporasi dilakukan selama 30 menit dengan kuat arus sebesar 35 A.
n)Sampel yang sudah terdeposisi disimpan dalam wadah kaca yang vakum.
o)Proses dari (a) sampai dengan (f), eksperimen yang telah dilakukan diulangi lagi untuk variasi arus yang lain.
p)Variasi waktu yang akan dilakukan, yaitu: 60 menit, 90 menit, dan 120menit.
Gambar 1. Metode evaporasi
Penumbuhan film tipis dengan metode evaporasi dan material berupa serbuk CuPc berwarna biru. Material ditempatkan di ruang (chamber) bersama dengan logam yang akan digunakan sebagai pelapis (Gambar 1.). Ruang tersebut dapat divakumkan dan logam pelapis dipanaskan hingga mendekati titik leleh. Logam sebagai pelapis diletakkan di atas filamen pemanas, dengan cara sebagai berikut: chamber divakumkan yang diikuti dengan pemanas logam pelapis, sehingga atom-atom akan menguap pada permukaan logam.
Ketika sampai pada permukaan material yang memiliki suhu yang rendah, atom-atom logam terkondensasi dan membentuk lapisan film tipis dipermukaan material. Agar proses ini dapat berlangsung efisien maka logam pelapis yang digunakan harus memiliki titik leleh rendah. Power Supply Vacuum System Hot resistance Vacuum chamber Substrates Metal vapour
38 B. Uji karakteristik film tipis CuPc
Karakterisasi film tipis untuk mendapatkan bahan aktif optimum dalam pembuatan sensor gas beracun (FET). Ada 2 macam pengujian karakterisasi film tipis, yakni: pengujian morfologi menggunakan SEM dan struktur kristal dengan XRD.
C. Pembuatan FET berbasis film tipis CuPc
f) FET dibuat dengan struktur bottom-contact dan 2 kontak resistansi, yaitu S dan D. g) Konfigurasi divais FET dengan komponen utama, yaitu: source, drain, gate
elektroda, lapisan dielektrik dan lapisan semikonduktor (CuPc) h) Panjang channel (L) = 100 μm dan lebar channel (W) = 1 mm
i) Tahapan pembuatannya, sebagai berikut: mula-mula dilakukan pencucian substrat Si/SiO2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, selanjutnya dilakukan pendeposisian elektroda S dan D di atas lapisan SiO2 menggunakan bahan Au dengan teknik lithography dan penumbuhan film tipis dengan metode penguapan hampa udara..
j) Penumbuhan film tipis CuPc di atas S dan D
Gambar 2. FET dengan struktur bottom-contact
Gambar.3 Masker dalam proses pembuatan FET
S D 1 mm 1 mm L 1 mm 1 mm 1 , 5 m m 1 m m 0,25 mm 0,25 mm W 1 mm 2 mm G Drain Source Copper Phthalocyanine Isolator-SiO2 Gate-Si
39
Jarak antar elektroda D dan S didefinisikan L dan panjang kontak D/S adalah lebar saluran (W). Desain masker FET ditunjukkan Gambar.3 dengan panjang L 100 μm. Untuk lebar channel adalah 1 mm, panjang elektroda dan kontak adalah 1 mm. Proses lithograpy pembuatan FET merupakan bagian penting, dimana geometri devais ditentukan pada permukaan SiO2. Pembuatan devais terdiri atas berulang kali proses lithograpy sebagai berikut:
No Proses Equipment Parameter
1 Persiapan substrat Silicon Wafer
(Single Side Polishing) Thickness = 600 µm
Diameter 5 inchi
Type P 2 Proses Oksidasi pada
silicon wafer
Si dan O2
Thermal Dry Oxidation
Waktu
Temperatur 3 Proses etching pada
lapisan bawah SiO2 SiO2 Buffer HF Temperatur Konsentrasi 4 Pelapisan Au dengan
metode Evaporasi Au dan SiO2
Alat vakum evaporasi
Tekanan (8.10-4 Pa) Kuat arus (45 A) 5 Pelapisan photoresist positif AZ dengan metode Spinner Photoresist positif AZ
Clean Oven dan Alat vakum
Teknologi spinner
Kecepatan (400 rpm)
Waktu (30 detik)
Temperatur (850 C) 6 Expose dengan sinar
UV ( masker 1 ) Sinar UV
Masker 1 (source dan drain)
Larutan Timah dan DiH2O
Alat Milla Pure (18 m ohm)
Larutan Microposit MF 319 Developer Waktu expose (30 s ) Temperatur oven (1200C) Selama 15 menit
7 Proses etching emas
(Au) KJ +J2+DiH2O
Emas(Au)
Waktu Temperatur 8 Remove resist positif
AZ dengan aceton Aceton (ZA Acs.150)
CH3COOH3 (58,08 g/mol )
Waktu
Temperatur 9 Proses pelapisan emas
(Au) bagian bawah Si Au dan SiO2
Alat vakum evaporasi
Tekanan (8.10-4 Pa)
Kuat arus (45 A) 10 Pelapisan photoresist
positif AZ dengan metode Spinner pada lapisan Au
Photoresist positifAZ
Clean Oven dan Alat vakum
Teknologi spinner
Alat vakum
Kecepatan (400 rpm)
Waktu (30 detik)
Temperatur(850 C) 11 Expose dengan sinar
UV selama 30 detik menggunakan masker 2 (gate)
Sinar UV
Masker 1 (source dan drain)
Larutan Timah dan DiH2O
Alat Milla Pure (18 m ohm)
Larutan Microposit MF 319 Developer Waktu expose (30 s ) Temperatur oven (1200C) Selama 15 menit
40 12 Proses etching emas
(Au) KJ +J2+DiH2O
Emas(Au)
Waktu
Temperatur 13 Remove resist positif
AZ dengan Aceton Aceton (ZA Acs.150)
CH3COOH3 (58,08 g/mol )
Waktu
Temperatur 14 Pelapisan photoresist
positif AZ dengan Au pada lapisan atas (S/D) menggunakan Spinner Photoresist positif AZ Clean Oven Teknologi spinner Alat vakum Kecepatan (400 rpm) Waktu (30 detik) Temperatur (850 C)
15 Expose dengan sinar UV menggunakan masker CuPc
Sinar UV
Masker 1 (source dan drain)
Larutan Timah dan DiH2O
Alat Milla Pure (18 m ohm)
Larutan Microposit MF 319 Developer Waktu expose (60 s ) Temperatur oven (1200C) , selama 15 menit
16 Proses pelapisan CuPc pada bagian atas silicon
Au dan SiO2
Alat vakum evaporasi
Tekanan (8.10-4 Pa)
Kuat arus (45 A) 17 Remove resist positif
AZ dengan Aceton. sekaligus lapisan CuPc pada resist tersebut, sehingga pola CuPc terbentuk
Aceton (ZA Acs.150)
CH3COOH3 (58,08 g/mol ) Waktu Temperatur Konsentrasi larutan 18 Hasil akhir terbentuknya kontak source, drain dan gate.
Elektrode emas
Terminal dari emas
Tekanan (8.10-4 Pa)
Kuat arus (45 A)
D. Karakteristik FET
Karakterisasi FET dilakukan untuk mengetahui resistansi, konduktivitas dan mobilitas pembawa muatan. Adapun tahapannya, sebagai berikut :
c. Untuk mengkarakterisi FET, elektroda source dihubungkan tanah (grounded), sedangkan elektroda gate dan drain masing-masing dihubungkan dengan panjar mundur (reverse bias). Data yang diperlukan untuk karakterisasi FET dengan panjang channel 100 µm sebagai berikut:
41
No VDS ( V ) VGS ( volt ) IDS ( A ) ROS (Organik Semikonduktor)
1 - 3 2 - 2 3 - 1 4 - 0 5 1 6 2 7 3
d. Untuk mengukur mobilitas pembawa muatan, arus yang mengalir dari source (S) ke drain (D) , yaitu arus (IDS) diukur dengan memvariasi tegangan drain (VD) untuk tiap nilai tegangan gate (VG). Data yang diperlukan untuk menentukan mobilitas pembawa muatan ( µ ) dengan panjang channel 100 µm sebagai berikut:
ID (A) VD (V) VG (V) VT (V) L(m) W(m) C
Sedangkan untuk menentukan VT (tegangan ambang) dapat memanfaatkan grafik (IDS)1/2 versus VGS dengan nilai VDS = VGS
VDS = VGS
E. Alat Uji Kinerja FET
Merencanakan dan membuat alat uji kinerja FET sebagai sensor gas beracun. Adapun tahapannya, sebagai berikut:
g)Merencanakan skema alat uji gas uji untuk menguji kinerja FET sebagai sensor gas. Pada merencanakan skema alat uji gas uji untuk menguji kinerja FET sebagai sensor gas. meliputi : glass chamber, electrometer, tabung gas uji, flow-meter.
( )
42
h)Membuat alat uji kinerja FET sebagai sensor gas beracun. Kegiatan ini adalah tersedianya alat uji kinerja sensor gas yang siap untuk menguji adanya gas beracun.
i) Pengujian FET dengan alat uji gas yang telah dibuat. Pengujian sensor gas beracun, meliputi: waktu respon dan waktu pulih.
43
Lampiran 2. Biodata Ketua dan Anggota Tim Pengusul Biodata Ketua Peneliti
A. Identitas Diri
1 Nama Lengkap Dr. Sujarwata, M.T. L 2 Jabatan Fungsional Lektor Kepala
3 Jabatan Struktural -
4 NIP 19610104 198903 1 001
5 NIDN 0004016113
6 Tempat dan Tanggal Lahir Yogyakarta, 04 Januari 1961
7 Alamat Rumah Jl. Candi Tembaga Raya 659 Rt.3 Rw.5 Semarang
8 Nomor Telepon/Faks/ HP 081326363687
9 Alamat Kantor Gedung D7 Lt 2 Kampus Unnes Sekaran Gunungpati Semarang 50229
10 Nomor Telepon/Faks 024 -8508112/ 024 -8508112
11 Alamat e-mail [email protected]
12 Lulusan yang Telah Dihasilkan S-1 = 35 Mahasiswa dan S-2 = 1 Mahasiswa 13 Mata Kuliah yg Diampu Elektronika Dasar I
Elektronika Dasar II Elektronika Lanjut
Sistem Fuzzy dan aplikasinya B. Riwayat Pendidikan
S1 S2 S3
Nama Perguruan Tinggi
IKIP Yogyakarta UGM UGM
Bidang Ilmu Pendidikan Fisika Teknik Elektro Fisika Tahun Masuk-Lulus 1982 - 1988 2000 - 2004 2008 - 2015 Judul Skripsi/Thesis /Disertasi Pengaruh Praktikum Alat-alat Ukur Terhadap Pemahaman Konsep Besaran dan Satuan Pada Siswa Kelas II Semester I SMP III Depok Sleman Yogyakarta Tahun 1987
Teknik Pemasangan Sensor Gelombang Ultrasonik Pada Robot Beroda Untuk
Menghindari Benturan
Pembuatan Transistor Efek Medan Organik (OFET) Berbasis Film Tipis CuPc Untuk Deteksi Gas CO2
44 Nama Pembimbing/ Promotor Drs. Sumaji Drs Kartoyo
Dr.Ir. Thomas Sri Widodo,DEA Ir.Samiaji Herdjunanto,M.Sc Prof. Dr. Kusminarto Dr. Eng. Kuwat Triyana, M.Si.
C. Pengalaman Penelitian Dalam 5 Tahun Terakhir
No. Tahun Judul Penelitian Pendanaan
Sumber Jml (Juta Rp)
1 2008 Studi Penumbuhan Film Tipis CuPc Dengan Metode Penguapan Hampa Udara Pada Suhu Ruang Untuk Aplikasi Sensor Gas (tahun pertama )
HIBAH BERSAING
45
2 2009 Studi Penumbuhan Film Tipis CuPc Dengan Metode Penguapan Hampa Udara Pada Suhu Ruang Untuk Aplikasi Sensor Gas (tahun kedua )
HIBAH BERSAING
45
3 2013 Pengembangan Transistor Efek Medan Organik (OFET) Berbasis Film Tipis Dengan Material CuPc Untuk Mendeteksi Gas Beracun (tahun pertama )
HIBAH BERSAING
42,23
4 2014 Pengembangan Transistor Efek Medan Organik (OFET) Berbasis Film Tipis Dengan Material CuPc Untuk Mendeteksi Gas Beracun (tahun kedua )
HIBAH BERSAING
50,00
5 2015 Deteksi Gas Beracun CO, NH3 Dan Emisi Gas Buang Kendaraan Bermotor Dengan Sensor Gas Berbasis Film Tipis
PENELITIAN DISERTASI DOKTOR
41.00 6 2015 Sensor Field Effect Transistor Berbasis Film
Tipis Copper Phthalocyanine Untuk Deteksi Gas CO2
DIPA PNBP UNNES
27,5 7 2016 Perancangan KIT Robot Mobil Untuk
Membantu Mahasiswa Menyelesaikan Tugas Akhir Bidang Mikrokontroler
PENELITIAN PENINGKAT AN PROSES PERKULIAH-AN FMIPA UNNES 5
D. Pengalaman Pengabdian Kepada Masyarakat Dalam 5 Tahun Terakhir
No. Tahun Judul Pengabdian Kepada Masyarakat Pendanaan
Sumber Jml (Juta Rp)
45
E. Pengalaman Penulisan Artikel Ilmiah Dalam Jurnal Dalam 5 Tahun Terakhir
No. Judul Artikel Ilmiah Volume/ Nomor/Tahun Nama Jurnal 1 Studi Penumbuhan Film Tipis CuPc
dengan Metode Penguapan Hampa Udara pada Suhu Ruang untuk Aplikasi Sensor Gas
Oktober 2009 Vol.32/ No.2 /ISSN: 0215-9945 hlm. 118-125
JURNAL MIPA
2 Pembuatan dan Karakteristik OFET Berbasis Film Tipis CuPc Dengan Panjang Untuk Aplikasi Sensor Gas, 0853 – 0823) Tanggal 10 April 2010, halaman 87-93, ISSN 0853 – 0823) Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng
dan DIY 3 Pengendali Motor Servo Berbasis
Mikrokontroler Basic Stamp 2SX Untuk Mengembangkan Sistem Robotika
Mei 2013, Vol.V/ No.1 No. ISSN: 2085 –
9503; hlm. 47 - 54.
JURNAL ANGKASA 4 Mobilitas Pembawa Muatan Pada
OFET (Organic Field Effect Transistor) Berbasis Film Tipis.
Oktober 2013, vol. 36/ No. 2/ ISSN: 0215-9945; hlm. 151 – 156.
JURNAL MIPA 5 Sensor Gas Berbasis Film Tipis Dengan
Konfigurasi Transistor Efek Medan (FET) Untuk Deteksi Gas CO
Desmber 2013. Vol. 11 No. 2/ ISSN: 0216-4566; hlm. 197 – 202.
JURNAL Sainteknol 6 Fabrication and Characterization of
CuPc Thin Film-Based Organic Field-Effect Transistor (OFET) for CO2 Gas Detection ISSN:2224- 3224 (Print), ISSN : 2225- 0956 (Online), Vol.7 No.5, 2015 Journals Chemistry and Materials Research 7 Alat Deteksi Gas Buang Kendaraan
Bermotor Berstruktur Transistor Efek Medan ISSN : 2088-1509 V Vol 5, No 1 (2015), hlm. 7 - 11 Jurusan Fisika, FMIPA UNNES 8 Critical Condition in CuInAlSe2
Growth of Solar Cell Absorber
ISSN: 1693-6930, Vol. 14, N0. 3, hlm. 867-872
TELKOMNIKA (Scopus, Q3) 9 Thin Film Based Sensor For Motor
Vehicle Exhaust Gas, NH3, And CO Detection p-ISSN: 1693-1246 e-, Vol 12, No. 2, hlm. 142-147 Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia (Jurnal Nasional Terakreditasi) F. Pengalaman Penyampaian Makalah Secara Oral Pada Pertemuan/ Seminar Ilmiah
Dalam 5 Tahun Terakhir
No. Nama Pertemuan Ilmiah/ Seminar
Judul Artikel Ilmiah Waktu dan Tempat 1 Seminar Nasional Hasil
Penelitian Multi Tahun 2010
Studi Penumbuhan Film Tipis CuPc Dengan Metode Penguapan Hampa Udara Pada Suhu Ruang Untuk Aplikasi Sensor Gas
30 -07- 2010 DP2M-Ditjen
Dikti, Kemendiknas
46 2 Seminar Hasil Penelitian
MIPA 2012
Karakteristik Keluaran I/V dari OFET Berbasis Film Tipis CuPc
28-29 September 2012 FMIPA UGM 3 Seminar Hasil Penelitian
MIPA 2013
Mobilitas Pembawa Muatan Pada OFET (Organic Field Effect Transistor) Berbasis Film Tipis
20-21 September 2013 FMIPA UGM 4 Seminar Nasional Hasil
Penelitian Desentralisasi Tahun 2013
Pengembangan Transistor Efek Medan Organik (OFET) Berbasis Film Tipis Dengan Material CuPc Untuk Mendeteksi Gas Beracun
05 -12 - 2013 LP2M UNNES 5 Seminar Nasional Hasil
Penelitian MIPA Tahun 2014
Transistor Efek Medan Organik (OFET) Untuk Deteksi Gas CO
26 September 2014 FMIPA UGM 6 Seminar Nasional MIPA
Untuk Pengembangan Ilmu Pengetahuan dan Peningkatan Mutu Pendidikan Tahun 2015
Sensor Gas Berstruktur FET Untuk Deteksi Gas Buang Kendaraan Bermotor
47 Biodata Anggota Peneliti (1)
A. Identitas Diri
1. Nama Lengkap Dr. Fianti, S.Si., M.Sc.
2. Jenis Kelamin Perempuan
3. Jabatan Fungsional Asisten Ahli
4. NIP 197901212005012002
5. NIDN 0021017905
6. Tempat dan Tanggal Lahir Yogyakarta, 21 Januari 1979
7. E-mail [email protected]
8. HP 062-81391-334433
9. Alamat Kantor Jurusan Fisika Gedung D7 Universitas Negeri Semarang, Jalan Raya Sekaran, Semarang, Jawa Tengah.
10. Nomor Telepon/Fax. 062-24-8508034
11. Lulusan ygna Telah Dihasilkan S-1= - orang; S-2= - orang; S-3 = - orang 12. Mata Kuliah yg Diampu Kecerdasan Buatan
B. Riwayat pendidikan S-1 S-2 S-3 Nama Perguruan Tinggi Universitas Gadjah Mada Universitas Gadjah Mada Yeungnam University
Bidang Ilmu Fisika Fiasika Material
Tahun Masuk - Lulus 1997 - 2003 2007 - 2009 2010 – 2015 Judul Skripsi/Thesis/ Disertasi Pembangunan Perangkat Lunak Sistem Kendali Berlogika
Samar untuk Proses Pemanasan pada Ruang Telaah Teoritis Elektromagnetika metamaterial The effect of Al addition on the properties of Cu(In,Al)Se2 solar cell absorber prepared by pulsed laser deposition and selenization
Nama
Pembimbing/Promotor
48
C. Pengalaman Penelitian Dalam 5 Tahun Terakhir
No. Tahun Judul Penelitian Pendanaan
Sumber* Jml (Juta Rp) 1. 2010 Pembangunan Perangkat Lunak
Sistem Kendali Berlogika Samar untuk Proses Pemanasan pada Ruang Penetasan Telur
DIPA PNBP
6
D. Pengalaman Pengabdian Kepada Masyarakat dalam 5 Tahun Terakhir No. Tahun Judul Pengabdian Kapada
Masyarakat
Pendanaan
Sumber* Jml (Juta Rp)
- - - - -
E. Publikasi Artikel Ilmiah Dalam Jurnal Ilmiah 5 Tahun Terakhir
No. Judul Artikel Ilmiah Nama Jurnal Volume/Nomor
/Tahun 1 Growth of Single-phase CuInAlSe2
Thin Films by Using Pulsed Laser Deposition and Selenization
Journal of the Korean Physical Society
60/12/2012
2 Influence Of The [Cu]/[In] Ratio on
The Properties of CuInSe2 Thin Films Chalcogenide Letters 11/11/2014 3 Investigation on structural
modification of CuInSe2 solar cell absorber by Al addition
Journal of Ceramic and Process
Reaseach
16/3/2015
4 Investigation of Deposition Parameters Dependence on Sputtered Cu2ZnSnSe4 Thin Films Properties
Advanced Materials Research
50 Biodata Anggota Peneliti (2)
A. Identitas Diri
1 Nama Lengkap Dra. Langlang Handayani, M.App.Sc 2 Jabatan Fungsional Lektor Kepala
3 Jabatan Struktural -
4 NIP 196807221992032001
5 NIDN 0022076807
6 Tempat dan Tanggal Lahir Semarang, 22 Juli 1968
7 Alamat Rumah Jl. Banteng Raya No. 20 RT 05/04 Semarang 8 Nomor Telepon/Faks/ HP 081390095494
9 Alamat Kantor Gedung D7 Lt 2 Kampus UNNES Sekaran Gunungpati Semarang 50229
10 Nomor Telepon/Faks 024 -8508034/ 024 -8508034
11 Alamat e-mail [email protected]
12 Lulusan yang Telah Dihasilkan S-1= +/- 43 mahasiswa 13 Mata Kuliah yg Diampu Fisika Dasar
Bahasa Inggris untuk Fisika
Dasar Proses Pembelajaran Fisika 1 Dasar Proses Pembelajaran Fisika 2 B. Riwayat Pendidikan
S1 S2 S3
Nama Perguruan Tinggi IKIP Semarang UNSW Sydney Australia
-
Bidang Ilmu Pendidikan Fisika Sistem Informasi
Geografis
-
Tahun Masuk-Lulus 1986 – 1991 1995 – 1996 -
Judul
Skripsi/Thesis/Disertasi
Studi Komparasi Prestasi Belajar Siswa Masuk Pagi dan Masuk Siang
The Applications of Geographical Information Systems in School Planning Problems: Selected Examples - Nama Pembimbing/Promotor Drs. Sanyoto K Drs. Sri Hendratto
51 C. Pengalaman Penelitian Dalam 5 Tahun Terakhir
No Tahun Judul Penelitian Pendanaan
Sumber Jml (Juta Rp)
1 2010 Improvement of students hypothetical-deductive thinking skill in constructivism learning model by using concept mapping
PTK PGSBI
20 2 2011 Application of Problem Based Instruction Learning
Model on Science Class: An Effort to Increase RSBI Students Creativity in Designing Science Work
PTK PGSBI
20
3 2013 Developing students application thinking skill in reading through the use of content and language integrated learning (CLIL) Approach
PTK PGMIPA BI
20 4 2014 Pengembangan Metacognitif Self-Assessment
untuk Mengukur Keterampilan Berpikir Tingkat Tinggi Mahasiswa dalam Membaca Teks Sains Berbahasa Inggris
DIPA FMIPA
8
D. Pengalaman Pengabdian Kepada Masyarakat Dalam 5 Tahun Terakhir
No. Tahun Judul Pengabdian Kepada Masyarakat Pendanaan
Sumber Jml (Juta Rp)
1 2015 Meningkatkan kompetesi guru TK ABA melalui pelatihan ensembel angklung di kecamatan gayamsari kota semarang.
DP2M Dikti 5
2 2015 Pendampingan Praktikum Bagi Guru SMP di Kabupaten Wonosobo
DIPA Fakultas
- 3 2013 Pelatihan Pengembangan Profesi Pendidikan
Melalui Ptk Dan Implementasi Pembelajaran Inovatif Bagi Guru Sma 1 Pati
Mandiri 1,9
E. Pengalaman Penulisan Artikel Ilmiah Dalam Jurnal Dalam 5 Tahun Terakhir
No. Judul Artikel Ilmiah Volume/ Nomor/Tahun Nama Jurnal
- - - -
F. Pengalaman Penyampaian Makalah Secara Oral Pada Pertemuan/ Seminar Ilmiah Dalam 5 Tahun Terakhir
No. Nama Pertemuan Ilmiah/ Seminar
Judul Artikel Ilmiah Waktu dan Tempat 1 3rd International Seminar
of Nusantara Heritage 2014. (FSRD – ITB)
Arts-Based Scientific Communication For Science Teacher
08 -12- 2014 FSRD-ITB
53 Lampiran 3. Justifikasi penggunaan anggaran 100%
57 Lampiran 4.
Artikel Ilmiah yang akan dipublikasikan ke Jurnal Internasional bereputasi TELKOMNIKA (Q3), baru dalam proses revisi.
OFET FABRICATION WITH LITHOGRAPHY AND THIN FILM DEPOSITIONS PROCESS
Sujarwata*1, Fianti2, Langlang Handayani3, Susilo4, Mosik5, Aji Purwinarko6 1, 2, 3, 4, 5
Department of Physics, Universitas Negeri Semarang 6
Department of Computer Science, Universitas Negeri Semarang Kampus Sekaran Gunungpati Semarang 50229, Indonesia, fax: +62248508034
*
E-mail of the corresponding author: [email protected]
Abstrak
Panjang channel OFET (Organic field effect transistor) berbasis film tipis ditentukan pada saat fabrikasi berlangsung menggunakan teknik lithography dan masker selama proses deposisi logam. Teknik lithography merupakan tahapan proses dasar dalam pembuatan devais