• Tidak ada hasil yang ditemukan

STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM.

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2017

Membagikan "STUDI TENTANG PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM."

Copied!
117
0
0

Teks penuh

Loading

Gambar

Gambar 6. Slip yang ditimbulkan oleh pergerakan dislokasi ulir.(Van Vlack, 2004: 109)
Gambar 7. Struktur pita energi pada (a) konduktor, (b) isolator dan(c) semikonduktor, (Ariswan, 2013: 2)
Gambar 8. Ikatan kovalen pada semikonduktor ekstrinsik tipe-p (Reka Rio, 1982: 13).
Gambar 10 berikut.
+7

Referensi

Dokumen terkait

Dalam penelitian ini telah dilakukan analisa struktur kristal lapisan tipis Aluminium (Al) yang dilapiskan pada substrat kaca untuk berbagai variasi ketebalan.. Deposisi lapisan

Skripsi yang berjudul “ Struktur dan Komposisi Kimia Bahan Semikonduktor Lapisan Tipis Sn(S 0,8 Te 0,2 ) Hasil Preparasi dengan Teknik Evaporasi.. Vakum” yang disusun oleh

Penelitian ini bertujuan untuk membuat lapisan tipis PbSe dengan teknik evaporasi vakum untuk mengetahui adanya pengaruh variasi temperatur

Penelitian ini bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis PbS menggunakan teknik vakum evaporasi dengan memvariasi temperatur substrat untuk mengetahui

Penelitian ini bertujuan untuk mempelajari pengaruh suhu substrat terhadap sifat listrik dan sifat optik lapisan tipis Tin Selenide (SnSe) hasil preparasi menggunakan teknik

Dari hasil karakterisasi yang dilakukan, dapat diketahui pengaruh variasi jarak penyangga ( spacer ) terhadap kualitas lapisan tipis Cd(S 0,6 Te 0,4 ) yang terbentuk meliputi

Penelitian ini bertujuan untuk mempelajari pengaruh suhu substrat terhadap sifat listrik dan sifat optik lapisan tipis Tin Selenide (SnSe) hasil preparasi menggunakan teknik

Dari hasil karakterisasi yang dilakukan, dapat diketahui pengaruh variasi jarak penyangga (spacer) terhadap kualitas lapisan tipis Cd(S 0,6 Te 0,4 ) yang terbentuk meliputi