Investigasi ikatan Si-H dalam silikon Amorf terhidrogenasi dengan metode spektroskopi inframerah - Diponegoro University | Institutional Repository (UNDIP-IR)
Bebas
1
0
0
Teks penuh
Dokumen terkait
Hasil nilai resistansi yang diperoleh dalam proses deposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) pada substrat gelas untuk variasi suhu ditampilkan pada Gambar
Dalam penelitian ini deposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) dilakukan dengan metode sputtering pada beberapa variasi parameter, yaitu suhu substrat, tekanan
[r]
[r]
[r]
[r]
[r]
keadaan lokal yang dihitung pada cluster SiSiH) memperlihatkan empat mode terlokalisasi (Gambar 5)- Mode-mode vibrasi itu terlihat disekit ar frekuensi' 648 cm-',665 cm-l,
