• Tidak ada hasil yang ditemukan

Pengaruh Tekanan Gas Argon pada Penumbuhan Film Tipis Ga2O3:Mn dengan Menggunakan Metode dc Magnetron Sputtering.

N/A
N/A
Info
Unduh - Bebas
Protected

Academic year: 2017

Membagikan "Pengaruh Tekanan Gas Argon pada Penumbuhan Film Tipis Ga2O3:Mn dengan Menggunakan Metode dc Magnetron Sputtering."

Copied!
71
0
0

Memuat.... (Lihat teks lengkap sekarang)

Unduh sekarang ( 71 Halaman )

Teks penuh

Gambar

Gambar 2.1 Struktur kisi Ga2O3 (Gollakota, P., 2006)
Gambar 2.2 diagram Tanabe-Sugano untuk tingkat energi konfigurasi d5 sebagai fungsi medan kristal oktahedral
Gambar 2.3 Diagram pita energi elektron untuk semikonduktor dengan impuritas
Gambar 2.4 perubahan energi selama luminesensi (1) pasangan elektron atau ke pita konduksi, (3) elektron dapat turun ke tingkat donor aktivator elektron dapat dieksitasikan secara termal dari trap satu ke trap yang lain yang lebih rendah dan kemudian ke tingkat aseptor yang lebih rendah, hole diciptakan oleh eksitasi elektron ke pita konduksi atau ke trap, (2) mengemisikan cahaya tampak
+7

Referensi

Unduh sekarang ( PDF - 71 Halaman - 844.28 KB )

Garis besar

Pengaruh Tekanan Gas Argon pada Penumbuhan Film Tipis Ga2O3:Mn dengan Menggunakan Metode dc Magnetron Sputtering.

Dokumen terkait