• Tidak ada hasil yang ditemukan

PENGUAT TRANSISTOR. dimana A V adalah penguatan tegangan (voltage gain). Hal yang sama untuk penguat arus berlaku

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Membagikan "PENGUAT TRANSISTOR. dimana A V adalah penguatan tegangan (voltage gain). Hal yang sama untuk penguat arus berlaku"

Copied!
16
0
0

Teks penuh

(1)

13.1 Model Setara Penguat

Secara umum penguat (amplifier) dapat dikelompokkan menjadi 3 (tiga), yaitu penguat tegangan, penguat arus dan penguat transresistansi. Pada dasarnya kerja sebuah penguat adalah mengambil masukan (input), mengolahnya dan menghasilkan keluaran (output) yang besarnya sebanding dengan masukan. Besarnya tegangan keluaran (vo)

dibandingkan dengan tegangan masukan (vi) dinyatakan sebagai

i V o A v

v = (13.1)

dimana AV adalah penguatan tegangan (voltage gain). Hal yang sama untuk penguat

arus berlaku

i I o A i

i = (13.2)

dimana io adalah arus keluaran, ii adalah arus masukan dan AI adalah penguatan arus

(current gain). Sementara ini pembahasan hanya dibatasi pada penguatan tegangan. Gambar 13.1 menunjukkan rangkaian setara Thevenin dari jaringan bergerbang dua dari suatu penguat. Secara ideal, penguat tidak mengambil arus dari masukan vi dan

tegangan keluaran tidak mengalami perubahan jika arus diambil dari ujung keluaran (lihat gambar 13.1-a). Pada kenyataannya rangkaian yang ideal ini tidak bisa dibuat. Rangkaian seperti terlihat pada gambar 13.1-b adalah lebih realistik dimana kita menambah hambatan masukan Ri dan hambatan keluaran Ro.

(2)

Gambar 13.1 Rangkaian setara Thevenin jaringan bergerbang dua

Pada gambar 13.1-b terlihat bahwa pada bagian masukan mengalir arus masukan sebesar i i i R v i = (13.3)

Semakin besar harga Ri penguat tersebut semakin mendekati kondisi ideal. Hambatan

sumber Rs dan hambatan masukan Ri membentuk pembagi tegangan sehingga

s s i i i v R R R v + = (13.4)

Pada bagian keluaran, dengan adanya Ro, tegangan keluaran ' o v menjadi o o o o v i R v' = − atau o L o L o v R R R v + = ' (13.5)

~

io s R

Sumber Penguat Beban

~

vi' (b) i vi R

~

vi (a) s R i i vi

~

=Av o i v vo' RL o R io =Av vo i vo RL

(3)

Persamaan 13.5 jelas memperlihatkan bahwa semakin kecil harga Ro suatu penguat akan

medekati kondisi ideal.

13.2 Penguat Tegangan

Pada bagian sebelumnya telah dipelajari bagaimana transistor diberi tegangan panjar (bias) agar transistor tersebut dapat bekerja sebagai penguat. Pada gambar 13.2 diperlihatkan penguat BJT emitor-ditanahkan dengan tegangan panjar dari VCC dan VBE.

Gambar 13.2 pemasangan tegangan panjar pada penguat emitor ditanahkan

Antara parameter masukan dan keluaran terdapat hubungan dalam bentuk eksponensial sebagai berikut

    ≈    î   −     = − T BE o T BE o E V v I V v I i exp 1 exp (13.6)

Arus kolektor (iC) besarnya hampir mendekati arus emitor (iE), dengan demikian kita

dapat menuliskan     ≈ T BE o C V v I i exp (13.7) + v B E _ v

~

i L R CC _ V +

(4)

(a)

(b)

(c)

Gambar 13.3 Bentuk isyarat keluaran suatu penguat untuk isyarat masukan (a) 1 dan 1,8 mV, (b) 4 dan 8 mV dan (c) 15 dan 20 mV

(5)

dan tegangan kolektor diberikan oleh     − = − = T BE L o CC C L C CC C V v R I V v R i V v exp (13.8)

Persamaan 13.8 menunjukkan hubungan antara tegangan input vBE dan tegangan output

vC dimana keduanya terdapat komponen DC (untuk panjar) dan komponen AC (isyarat).

Sayangnya keluaran dan masukan merupakan hubungan yang tidak selalu linier. Dengan kata lain tidak selalu keluaran merupakan copy dari masukan sehingga terjadi keluaran yang terdestori (cacat). Ini terjadi akibat isyarat masukan yang terlalu besar. Pada gambar 13.3-a isyarat keluaran dari suatu input 1 dan 1.8 mV memperlihatkan bentuk sinusoida yang sempurna (tidak terjadi distorsi). Namun jika isyarat masukan diperbesar menjadi 4 dan 8 mV (gambar 13.3-b) nampak bahwa untuk garis referensi di 7V, isyarat keluaran tidak simetri lagi (bagian bawah lebih tajam). Pada isyarat masukan sebesar 15 mV (gambar 13.3-c), isyarat keluaran mengalami distorsi yang sangat nyata. Saat masukan diperbesar ke harga 20 mV, masukan kolektor menyamai tegangan emiter, akibatnya transistor berada pada daerah jenuh sehingga isyarat keluaran terpotong kurang lebih 2V.

Dengan demikian kita hanya dapat menentukan besarnya tegangan keluaran karena adanya perubahan yang sangat kecil pada masukan, yang lebih dikenal sebagai penguatan isyarat kecil (small-signal gain). Kita memiliki

    − = T BE L o CC C V v R I V v exp

dan besarnya penguatan diberikan oleh

   î           − = T BE o T L BE C V v I V R dv dv exp atau T L C BE C V R i dv dv − = (13.9)

(6)

Pada persamaan 13.9 terlihat bahwa penguatan berharga negatif, artinya jika vBE naik

maka iC juga naik, tetapi sebaliknya vC akan menurun.

Untuk pengoperasian pada isyarat kecil, iC tetap mendekati harga panjar DC

yaitu IC, sehingga penguatan isyarat kecil diberikan oleh

T L C V V R I A =− (13.10)

Penguatan ini bernilai cukup besar, misalnya untuk ICRL= 5 V diperoleh penguatan

sebesar ≈ -200.

13.3 Hambatan Masukan

Pada rangkaian emitor-ditanahkan (common emitor) harga hambatan masukan dapat diperoleh juga dari hubungan eksponensial

    = − T BE o E V v I i exp atau

(

1

)

exp +     = β T BE o B V v I i

Sekali lagi untuk isyarat masukan yang sangat kecil diperoleh

(

1

)

exp +         = β T BE T o BE B V v V I dv di sehingga

(

)

E T T BE o T E BB I V V v I V di dv β β =     + = exp 1 (13.11)

(7)

Ruas kiri tidak lain adalah hambatan masukan untuk rangkaian emitor ditanahkan atau biasa disimbolkan dengan rπ . Untuk isyarat kecil, arus emitor mendekati hara DC (IE)

sehingga E T I V rπ = β (13.12)

Gambar 13.4 Pengambilan harga rπ dari karakteristik input transistor

Perlu dicatat bahwa rπ bukanlah berasal dari resistor yang nyata; namum berasal

dari kemiringan (slope) kurva karakteristik masukan (lihat gambar 13.4) pada titik panjar DC.

Dengan cara yang sama untuk rangkaian penguat basis-ditanahkan, dengan arus masukan −iE =(β +1)iB, hambatan masukan (re) adalah

E T e I V r = (13.13)

Persamaan 13.13 diturunkan langsung dari −IEIo exp(−vEB/VT). Dengan demikian hubungan rπdan re dapat dituliskan sebagai

B E

BE

V

IB

B

i

Slope

v

=1/r

π

(8)

π π β r

r = (13.14)

Sedangkan besarnya penguatan tegangan dimungkinkan untuk dituliskan sebagai

e L V r R A =− (13.15)

Dari keadaan di atas nampak bahwa besarnya penguatan tegangan adalah sama untuk setiap transistor, yaitu hanya tergantung pada IC dan bukan pada β.

13.4 Hambatan Keluaran

Trasistor mengalirkan arus lewat hambatan beban sebesar

B

C i

i =β (13.16)

dimana harganya hampir tidak tergantung pada besarnya RL karena iC hampir tidak

tergantung pada besarnya vCE. Besarnya hambatan keluaran walaupun keluaran

terbebani akan berharga sekitar RL.

13.5 Model-model Isyarat Kecil (Small-Signal Models)

Untuk menentukan sifat-sifat sebuah penguat transistor, dapat dilakukan pendekatan yaitu mengganti transistor tersebut dengan rangkaian setara model isyarat kecil. Model ini tersusun dari rangkaian yang lebih sederhana sehingga memudahkan perhitungan.

Gambar 13.5 Model isyarat kecil untuk penguat emitor ditanahkan

C E π r B i b b i β c i

(9)

Gambar 13.5 menunjukkan sebuah model isyarat kecil untuk penguat emitor ditanahkan. Pada bagian masukan (basis) mengalir arus AC (yaitu iB) lewat hambatan

e

r

rπ =β dimana re =VT /IE. Pada bagian keluaran (kolektor), transistor mempunyai arus AC kolektor (iC) yang (hampir) konstan sebesar iCib.

Gambar 13.6 Model isyarat kecil untuk penguat basis ditanahkan

Gambar 13.6-a menunjukkan sebuah model isyarat kecil untuk penguat basis-ditanahkan. Dengan membuat modifikasi model seperti terlihat pada gambar 13.6-b, kadang-kadang dapat memberi kemudahan dan lebih berguna. Pada bagian masukan terdapat hambatan masukan re. Jika pada masukan diberi tegangan masukan sebesar vb

maka arus masukan adalah ib , sedangkan arus sebesar

(

β +1

)

ib mengalir lewat re sehingga

(

)

b e B i r v = β +1 (13.17)

(

)

π β r r i v e b b ≈ + = 1 (13.18)

yang merupakan hambatan masukan seperti yang diharapkan.

C i β B (a) re i E e e i α E (b) re B i b b C

(10)

Gambar 13.7 Contoh pemberian keadaan panjar pada penguat transistor

Gambar 13.7 memperlihatkan contoh rangkaian penguat transistor dengan sumber tegangan masukan vS dengan resistansi sumber RS. Kita menganalisis rangkaian

tersebut dengan membuat pendekatan seperlunya. Misalkan transistor Q1 adalah terbuat

dari silikon dengan tipe n-p-n dengan penguatan arus β = 200. Beberapa permasalahan berikut akan kita selesaikan.

(a) Berapa arus DC kolektor ?

(b) Beri komentar seberapa efektif keadaan panjar rangkaian pada gambar 13.7 (misalnya dengan membuat perkiraan besarnya perubahan arus kolektor jika dilakukan penggantian transistor dengan harga gain arus setengahnya)

(c) Dengan asumsi harga Rs dapat diabaikan, perkirakan efek pada tanggapan

frekuensi isyarat-kecil pada 50 Hz (i) dari CE

(ii) dari CI.

(d) Jika vS berupa gelombang sinus dengan amplitudo 2 mV dan frekuensi 1 kHz,

perkirakan bentuk tegangan keluarannya dengan (i) berasumsi RS = 0, (ii) berasumsi RS = 600 Ω Q VCC +

~

vs 2 R E R s R CI 1 R + C _ CE I = 100 uF C C R R R R C v 1 o RL V 2 = 5 6 0 o h m = 4700 uF = 3 9 0 o h m E L E = 1 0 k o h m = 4,7 kohm 1 = 9 V

(11)

Penyelesaian:

(a) Pertama harus kita hitung besarnya sumber tegangan rangkaian terbuka basis (ingat teorema Thevenin) sebagai

V 2,88 4,7/14,7 9 ) /( 1 2 2 = × = + × =V R R R VBB CC

dan hambatan sumber basis

k 3,20 // 2 1 = =R R RB

Untuk transistor dengan gain arus β berlaku

(

)

A 27,9 mA 0,39 201 3,20 0,6 2,88 1 µ β = + + − = + + − = E B BE BB B R R V V I Demikian juga mA 5,58 27,9 200 = × = = B C I I β

(dalam hal ini kita berasumsi bahwa VBE berharga 0,6 V)

(b) Untuk β = 100 kita mendapatkan

mA 35 , 5 53,5 mA 0,39 101 3,20 0,6 2,88 = = × + − = C B I I

ternyata diperoleh hasil yang hampir sama dengan transistor dengan β = 200. Dengan demikian rangkaian ini mempunyai stabilitas panjar yang baik. Sebagai alternatif dari bagian (a) diperoleh

V 2,19 390 mA 5,58 (201/200) = × × = = E E E I R V

(12)

sehingga VB = 2,79 V, nampak hampir sama dengan harga VBB, memberi

indikasi bahwa RB berharga sangat kecil. Juga harga VBB cukup besar untuk

menghapus ketidakpastian pada VBE saat menghitung IB.

Gambar 13.8 Rangkaian ekivalen AC

(c) (i) Kita berasumsi bahwa CI berharga cukup besar untuk dianggap terjadi

hubung singkat pada frekuensi 50 Hz, kemudian kita akan lihat efek dari CE.

Kita akan menggunakan model setara transistor seperti pada gambar 13.6 (b). Kita perlu menggambar rangkaian setara AC, dan untuk keperluan ini untuk sebarang titik pada tegangan DC adalah pada AC ditanahkan (karenanya mempunyai tegangan AC nol). Selengkapnya rangkaian tersebut seperti terlihat pada gambar 13.8. Harga reaktansi dari CE pada frekuensi 50 Hz adalah

0,677 ) 50 2 10 4700 ( / 1 6 1 = × × × = − π − ωCE

Reaktansi ini paralel dengan RE = 390 Ω dimana harganya dapat diabaikan, dan

ini seri dengan

re = 25 mV/5,61 mA

= 4,46 Ω

Arus sebesar ie = β( +1)ib mengalir melalui keduanya sehingga tegangan pada kedua ujungnya adalah sebesar

vb = ib (896 Ω resistif + 136 Ω kapasitif) Rs v s

~

C I C RE E R 2 R 1 E B re i b RL i βb C

(13)

dimana karena kita mengabaikan impedansi RS dan CI, maka harganya sama

dengan vS. Bagian dari vS yang muncul pada re adalah sebesar

989 , 0 677 , 0 46 , 4 / 46 ,

4 2 + 2 = . Dengan demikian CE hanya memberikan efek

yang kecil pada frekuensi 50 Hz (ini akan menghasilkan pergeseran fase sebesar tan-1 (0,677/4,46) = 8,6o)

(ii) Pada kasus ini model seperti terlihat pada gambar 13.5 lebih sesuai sehingga rangkaian ekivalen AC terlihat seperti pada gambar 13.9.

Gambar 13.9 Rangkaian setara

Kita dapat mengabaikan besarnya reaktansi dari CE sehingga emiter ditanahkan

(grounded) dan hambatan masukan merupakan kombinasi paralel R1, R2 dan

896 mA mV/5,61 25 200 / = × = = VT IE rπ β

yaitu Rin = (1/896 +1/4700 + 1/10000)-1 = 700 Ω. Reaktansi CI adalah sebesar

8 , 31 ) 50 2 10 100 ( / 1 ωCI = × −6 × π× −1 =

Bagian dari vS yang muncul padarπ adalah sebesar 700/ 700 31,8 0,999

2

2 + =

.

Dengan demikian pada frekuensi 50 Hz, CI memberikan efek yang dapat

diabaikan pada besarnya penguatan.

Rs vs

~

C I C RE E R 2 R 1 E B rπ i b RL i βb C

(14)

(d) Masukan sebesar 2 mV (>> VT = 25 mV) adalah cukup kecil untuk

menghasilkan distorsi pada keluaran, karenanya kita dapat menggunakan analisis isyarat-kecil. Pada frekuensi 1 kHz, baik CI dan CE dapat dianggap

terjadi hubung singkat.

(i) Disini vbe = vs dan besarnya penguatan adalah sebesar

A = -RL/re = - (560/4,46) = -126

dengan demikian keluaran berbentuk sinusoida dengan amplitudo 252 mV

(ii) Dalam hal ini hambatan masukan sebesar 700 Ω (lihat bagian c-ii) dikenai 2 mV dari sumber dengan hambatan seri sebesar 600Ω. Tegangan keluaran akan turun sebesar (700/(700+600)) × 2 mV × 126 = 136 mV.

13.6 Pengaturan Tegangan Panjar

Jika kita diminta untuk menentukan besarnya panjar (bias) pada kedua rangkaian pada gambar 13.10, kemungkinan kita akan kebingungan dengan banyaknya alternatif pilihan harga. Namun perlu diperhatikan bahwa kita tidak bisa memilih panjar secara acak. Untuk itu diperlukan aturan agar didapat desain yang tepat, walaupun harga-harga pilihan dimaksud tidak berupa nilai yang eksak tetapi dalam bentuk interval nilai.

Gambar 13.10 Desain pemberian panjar pada penguat transistor

C C v 2 R (a) E R E CE 1 B v R C _ V R + C E _ (b) + E R E E V C R + C C V _

(15)

Untuk memilih desain yang tepat misalnya untuk rangkaian pada gambar 13.10-a, sebaiknya VB tidak terlalu terpengaruh oleh adanya aliran arus basis dari pembagi

potensial (sehingga VBVCC ×R2/(R1 +R2)). Untuk itu diperlukan

(

VB /R2

) (

>> VE /RE

)

×1/β atau mendekati

E

R

R2 <<β (karena VBVE)

Sebagai acuan dapat dibuat

E

R R2 ≈10

jika dipasang R2 yang terlalu rendah dapat mengurangi hambatan masukan isyarat-kecil

(small-signal input resistance).

Pada kedua rangkaian pada gambar 13.10 perbedaan tegangan antara basis dan sumber emitor harus lebih besar dari 0,6 volt; dan juga kelebihan tegangan harus lebih besar dari ketidak pastian harga VBE (∼ 0,1 V). Untuk itu diperlukan

. 1 , 0 6 , 0 atau 1 , 0 6 , 0 >> − >> − EE B V V

Sebagai pedoman dapat dibuat

volt 3 atau volt, 3 ≈ ≈ EE B V V atau mungkin CC EE CC B V V V V ≈ /3, atau ≈

(16)

Biasanya terdapat pembatasan tertentu untuk harga VCC, jika tidak, dapat saja

dipasang harga dari 1 – 1000 volt. Namun biasanya akan lebih realistik dengan mengambil harga pada daerah 5 – 50 volt. Secara praktis biasanya kita memilih

VCC = 9 volt (standar baterai yang banyak dijual)

atau

VCC = VEE = 15 volt (biasanya dipakai pada penguat komersial)

Dari harga R2, VB, dan VCC selanjutnya dapat ditentukan harga R1.

Biasanya juga terdapat pembatasan tertentu untuk harga RE , RC, dan IEIC. Harga RE dan RC dapat berkisar dari 10 Ω - 10 MΩ serta IE dapat berharga dari 1µA

sampai dengan 1 A.

Jika hambatan keluaran ditentukan sama dengan RC dan jika hambatan luar

harus dipasang, maka RC harus berharga beberapa kali lebih kecil. Jika arus beban luar

harus dicatu maka IC harus paling tidak beberapa kali lebih besar.

Jika keterbatasan-keterbatasan di atas tidak berlaku, secara praktis harga-harga berikut dapat dipilih

mA 1 = ≈ C E I I

dan untuk meyakinkan pemilihan panjar yang tepat ambil harga RE dan RC dari

(

)

6 , 0 2 / − = − ≈ EE E E E CC C C V R I V V R I

Kemungkinan penguatan tegangan dapat ditentukan, yaitu dari

T C C e C V R r I R V A =− / =− /

Dengan demikian harga ICRC adalah tertentu sesuai dengan harga VCC yang dipasang,

yaitu

(

CC E

)

/2 C

CR V V

Gambar

Gambar 13.1 Rangkaian setara Thevenin jaringan bergerbang dua
Gambar 13.2 pemasangan tegangan panjar pada penguat emitor ditanahkan
Gambar 13.3  Bentuk isyarat keluaran suatu penguat untuk isyarat masukan (a) 1 dan 1,8 mV, (b) 4 dan 8 mV dan (c) 15 dan 20 mV
Gambar 13.4 Pengambilan harga r π  dari karakteristik input transistor
+7

Referensi

Dokumen terkait