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アルコールを使った単層カーボンナノチューブの合成技術

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Academic year: 2025

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アルコールを使った単層カーボンナノチューブの合成技術

丸山茂夫 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻

http://www.photon.t.u-tokyo.ac.jp/~maruyama/index-j.html 1.はじめに

単層カーボンナノチューブ(SWNT)の合成法としては,従来のレーザーオーブン法やアーク放電法 に加えて,炭化水素,一酸化炭素やアルコールを炭素原料とした触媒CVD法 (Catalytic chemical vapor deposition, CCVD)によって,より大量で安価な合成が可能となりつつある.炭素源としてメタンやア セチレンなどの炭化水素を用いるのが一般的であったが,Smalleyらが開発したHiPco (High Pressure CO) のように一酸化炭素の不均質化反応(Disproportional Reaction)を用いた場合と,アルコールを用いた

ACCVD (Alcohol CCVD)によってアモルファスをほとんど含まないSWNTの生成が可能となった.HiPco

法はすでにパイロットプラントレベルの大量合成ができているが,CO の危険性とともに,直後のサン プルでは重量比で40%程度の鉄微粒子を含むという問題がある.ここでは,金属微粒子,多層ナノチュ ーブ,アモルファスカーボンなどを含まない高純度合成が可能なACCVD法について述べ,大量合成の 可能性と固体基板を用いた垂直配向合成などの最新の方法について述べる.

2.ゼオライト担持金属触媒を用いた大量合成

名大篠原研で開発した触媒担持法に従い,耐熱性の USY ゼオライトにFe/Coを担持したものを触媒 として用いて炭素源としてアルコールを用いると,高純度のSWNTがより低温でしかも簡単な実験装置 で実現できた[1].例えば図1に合成直後の透過型電子顕微鏡像(TEM)を示すように不純物はほとんど含 まない.また,図1のラマン散乱から600℃においてもSWNTが合成できていることがわかる.さらに,

図 2 の SEM 像からゼオライト粒子の周りに蜘蛛の巣のように発達したバンドルの構造と熱重量分析

(TGA)における純度の分析結果がわかる[2].HiPco においては,200~300℃に金属微粒子の酸化による

100 200 300 400

2 1 0.9 0.8 0.7

Intensity (arb.units)

Raman shift (cm–1) Diameter (nm)

(d) 900°C (a) 600°C

(b) 700°C

(c) 800°C

(e) Laser–oven

A

500 1000 1500

Intensity (arb.units)

Raman shift (cm–1) (a) 600°C

(b) 700°C

(c) 800°C

(d) 900°C

(e) Laser–oven RBM

G band D band

BWF

B

(a) ACCVDサンプルのTEM像 (b) ラマン散乱488nm(RBM) (c) ラマン散乱(全体)

図1 アルコールCCVD法で生成した単層カーボンナノチューブの透過型電子顕微鏡像とラマン散乱[1]

(2)

質量増加が見られるが ACCVD サンプルではこれは極めて小さい.また,HiPco サンプルは400℃まで に燃え尽きるがACCVDサンプルは500~600℃で燃える.高い酸化温度は金属微粒子が少ないことと同 時にSWNTが高品質であることを表す.なお,SWNTの収量を増やすためには,触媒の昇温中に3%の 水素を含むアルゴンを流して,触媒金属を還元する方法が有効で,ゼオライトに対して40 wt %, 金属量 に対しては800 wt %のSWNTの合成ができる[2].簡単かつ安全な実験装置で実現が可能であるために,

例えば環境制御型のAFM用チャンバー内でSWNTの合成や合成時のラマン散乱の同時測定なども可能 になった[3].

3.カイラリティ分布と生成機構

最近発表された近赤外蛍光分光法によって,SWNTのカイラリティ分布の測定が可能となった.生成 直後のサンプルをカップ・ホーン型の超音波分散で界面活性剤(SDS 1%)を加えたD2O溶液に分散さ せ,遠心分離の上澄みの孤立したSWNTsが多いサンプルを近赤外蛍光分光の結果を図3に示す(650℃

で合成したもの)[4,5].ACCVD法によるSWNTsのピークは明らかにHiPcoの場合と比べて少なく,(6,5), (7,5)に対応するピークが卓越しており,カイラリティが選択的に生成できている.また,直径が細いナ

900 1000 1100 1200

500 600 700 800

Emission wavelength (nm)

Excitation wavelength (nm)

(7,5)

(6,5)

900 1000 1100 1200

500 600 700 800

Emission wavelength (nm)

Excitation wavelength (nm)

(7,5)

(6,5)

0.7 0.8 0.9 1

0 10 20 30

Tube diameter (nm)

Chiral angle (deg.)

9,1 9,1 8,3 8,3 6,5 6,5

7,5 7,5

7,6 7,6

8,6 8,6

8,7 8,7

8,4 8,4 9,49,4

9,5 9,5 7,3

7,3

10,5 10,5

9,2 9,2 10,210,2

10,3 10,3 11,311,3

11,4 11,4

11,1 11,1 10,0

10,0 11,011,0

12,1 12,1

12,2 12,2

13,0 13,0 9,1

9,1 8,3 8,3 6,5 6,5

7,5 7,5

7,6 7,6

8,6 8,6

8,7 8,7

8,4 8,4 9,49,4

9,5 9,5 7,3

7,3

10,5 10,5

9,2 9,2 10,210,2

10,3 10,3 11,311,3

11,4 11,4

11,1 11,1 10,0

10,0 11,011,0

12,1 12,1

12,2 12,2

13,0 13,0

0.7 0.8 0.9 1

0 10 20 30

Tube diameter (nm)

Chiral angle (deg.)

9,1 9,1 8,3 8,3 6,5 6,5

7,5 7,5

7,6 7,6

8,6 8,6

8,7 8,7

8,4 8,4 9,49,4

9,5 9,5 7,3

7,3

10,5 10,5

9,2 9,2 10,210,2

10,3 10,3 11,311,3

11,4 11,4

11,1 11,1 10,0

10,0 11,011,0

12,1 12,1

12,2 12,2

13,0 13,0 9,1

9,1 8,3 8,3 6,5 6,5

7,5 7,5

7,6 7,6

8,6 8,6

8,7 8,7

8,4 8,4 9,49,4

9,5 9,5 7,3

7,3

10,5 10,5

9,2 9,2 10,210,2

10,3 10,3 11,311,3

11,4 11,4

11,1 11,1 10,0

10,0 11,011,0

12,1 12,1

12,2 12,2

13,0 13,0

0.7 0.8 0.9 1

0 10 20 30

Tube diameter (nm)

Chiral angle (deg.)

9,1 9,1 8,3 8,3 6,5 6,5

7,5 7,5

7,6 7,6

8,6 8,6

8,7 8,7

8,4 8,4 9,49,4

9,5 9,5 7,3

7,3

10,5 10,5

9,2 9,2 10,210,2

10,3 10,3 11,311,3

11,4 11,4

11,1 11,1 10,0

10,0 11,011,0

12,1 12,1

12,2 12,2

13,0 13,0 9,1

9,1 8,3 8,3 6,5 6,5

7,5 7,5

7,6 7,6

8,6 8,6

8,7 8,7

8,4 8,4 9,49,4

9,5 9,5 7,3

7,3

10,5 10,5

9,2 9,2 10,210,2

10,3 10,3 11,311,3

11,4 11,4

11,1 11,1 10,0

10,0 11,011,0

12,1 12,1

12,2 12,2

13,0 13,0

Carbon Atoms

Metal Atoms

Carbon Atoms with Dangling Bond

Carbon Atoms

Metal Atoms

Carbon Atoms with Dangling Bond

(a) 近赤外蛍光分光 (b) カイラリティ分布 (c) 分子動力学法シミュレーション 図3 近赤外蛍光分光によるカイラリティ分布計測[4,5]と分子動力学法によるキャップ構造形成[6]

0 200 400 600 800

60 80 100

TG (%)

Temperature (°C) FeCo 2.5 wt, 850 °C, 10 Torr (EtOH), Ar/H2

120 min 60 min 10 min

HiPco

(a) ACCVD サンプルのSEM像 (b) ACCVDサンプルのTGA

図2 ACCVDで合成したサンプルのSEM像とTGA結果[2]

(3)

ノチューブほどアームチェアーに偏ること[5]か ら,ナノチューブのキャップ構造の選択肢が直 径の減少とともに急激に少なくなり,アームチ ェアーとなるキャップ構造がより安定であるた めこのような結果となったと考えている.分子 動力学法シミュレーションで金属微粒子からナ ノチューブのキャップ構造を有する炭素が析出 して,その後で成長するようなイメージか計算 されており,キャップの安定性がナノチューブ の生成量と関係すると考えられる[6].とくに直 径が等しくなる(6,5)と(9,1)については,(6,5)が選 択的に合成されることが,(6,5)のエネルギー的 な安定性とよく対応する.

このように考えると,フラーレンを用いた

SWNT合成[7]などのように,SWNTのキャップ構造を変化させることで,一定のカイラリティのSWNT が合成できる可能性が出てくる.

4.固体基板上の触媒金属微粒子からのSWNT直接合成

メゾポーラスシリカ膜[8],石英基板や自然酸化膜つきシリコン基板の表面に直接,高純度 SWNT の 合成が可能となった[9,10].典型的に用いる触媒であるCo/Moを酢酸金属としてエタノールに溶かし,

基板をこの溶液にディップコートし,酸化処理をすることによって図4(a)のように,直径1.5 nmの金属 微粒子を均一に分散させることができる.主にCoがSWNTの成長と関わり,図4(b)のようなイメージ でSWNTが成長すると考えられる.石英基板上に合成したSWNTのSEM像を図4(c)に示す.さらに,

(a)直径1.5nmの金属微粒子TEM像 (b)微粒子からのSWNT成長 (c)石英基板上ランダム配向SWNT膜

図4 基板上への直接合成 [9-11]

図5 垂直配向SWNTのSEM像 [11]

(4)

触媒の活性度を上げることに,高密度で SWNTを合成すると,基板から垂直に配向したSWNT の膜が 生成されることがわかった[11].厚さが1ミクロンから数ミクロンとなるこのSWNT垂直配向膜は,合 成語そのままで,偏光子となっており,様々な応用が考えられる.

参考文献

[1] S. Maruyama, R. Kojima, Y. Miyauchi, S. Chiashi and M. Kohno, "Low-Temperature Synthesis of High-Purity Single-Walled Carbon Nanotubes from Alcohol," Chem. Phys. Lett., (2002), vol. 360, no. 3-4, pp.

229-234.

[2] Y. Murakami, Y. Miyauchi, S. Chiashi and S. Maruyama, "Characterization of Single-Walled Carbon Nanotubes Catalytically Synthesized from Alcohol," Chem. Phys. Lett., (2003), vol. 374, no. 1-2, pp. 53-58.

[3] S. Chiashi, Y. Murakami, Y. Miyauchi and S. Maruyama, "Cold wall CVD generation of single-walled carbon nanotubes and in situ Raman scattering measurements of the growth stage," Chem. Phys. Lett., (2004), vol.

386, no. 1-3, pp. 89-94.

[4] S. Maruyama, Y. Miyauchi, Y. Murakami and S. Chiashi, "Optical Characterization of Single-Walled Carbon Nanotubes Synthesized by Catalytic Decomposition of Alcohol," New Journal of Physics, (2003), vol. 5, pp.

149.1-149.12.

[5] Y. Miyauchi, S. Chiashi, Y. Murakami, Y. Hayashida and S. Maruyama, "Fluorescence spectroscopy of single-walled carbon nanotubes synthesized from alcohol," Chem. Phys. Lett., (2004), vol. 387, no. 1-3, pp.

198-203.

[6] Y. Shibuta and S. Maruyama, "Molecular dynamics simulation of formation process of single-walled carbon nanotubes by CCVD method," Chem. Phys. Lett., (2003), vol. 382, pp. 381-386.

[7] S. Maruyama, Y. Miyauchi, T. Edamura, Y. Igarashi, S. Chiashi, Y. Murakami, "Synthesis of single-walled carbon nanotubes with narrow diameter-distribution from fullerene," Chem. Phys. Lett., (2003), vol. 375, no.

5-6, pp. 553-559.

[8] Y. Murakami, S. Yamakita, T. Okubo and S. Maruyama, "Single-Walled Carbon Nanotubes Catalytically Grown from Mesoporous Silica Thin Film," Chem. Phys. Lett., (2003), vol. 375, no. 3-4, pp. 393-398.

[9] Y. Murakami, Y. Miyauchi, S. Chiashi and S. Maruyama, "Direct synthesis of high-quality single-walled carbon nanotubes on silicon and quartz substrates," Chem. Phys. Lett., (2003), vol. 377, pp. 49-54.

[10] Y. Murakami, S. Chiashi, Y. Miyauchi and S. Maruyama, "Direct Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes on Silicon and Quartz Based Systems," Jpn. J. Appl. Phys., (2004), vol. 43, no. 3, pp. 1221-1226.

[11] Y. Murakami, S. Chiashi, Y. Miyauchi, M. Hu, M. Ogura, T. Okubo, S. Maruyama, "Growth of vertically aligned single-walled carbon nanotube films on quartz substrates and their optical anisotropy," Chem. Phys.

Lett., (2004), vol. 385, no. 3-4, pp. 298-303.

Referensi

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