TRANSISTOR FILM TIPIS ORGANIK
Teks penuh
Gambar
Dokumen terkait
Dari hasil eksperimen dapat diketahui bahwa penumbuhan film tipis yang optimal baik ketebalan lapisan penyangga AlN ataupun daya plasma akan mengurangi energi urbach dan
Pengaruh dari masing-masing parameter jumlah sirip, ketebalan sirip, jarak antar sirip, luas permukaan sirip, dan koefisien konveksi dianalisis dengan meninjau suhu bagian atas
Lapisan film tipis GaAs dengan variasi ketebalan 350 nm, 500 nm, dan 1 µ m yang ditumbuhkan di atas substrat Ge dengan teknik MOCVD telah dikarakterisasi menggunakan
Dari hasil analisis pola difraksi sinar-X dan spektrum UV-Vis, diketahui bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga dengan ketebalan 184,6Å cenderung
Citra SEM tersebut menunjukkan bahwa film tipis yang ditumbuhkan dengan daya plasma yang tinggi memiliki ukuran butir ( grain size ) yang lebih besar dengan morfologi permukaan
Namun, dengan tegangan yang agak rendah akan menghasilkan medan listrik yang besar tatkala ketebalan film memiliki orde yang sangat tipis.. Hal ini akan sesuai dengan
e) Tahapan pembuatan pembuatan FET berbasis film tipis, adalah sebagai berikut: Adapun tahapan dalam pembuatannya, sebagai berikut: mula-mula dilakukan pencucian substrat Si/ SiO 2
Namun, dengan tegangan yang agak rendah akan menghasilkan medan listrik yang besar tatkala ketebalan film memiliki orde yang sangat tipis.. Hal ini akan sesuai dengan
