• Tidak ada hasil yang ditemukan

Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi

N/A
N/A
Info
Unduh - Bebas
Protected

Academic year: 2017

Membagikan "Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi"

Copied!
41
0
0

Memuat.... (Lihat teks lengkap sekarang)

Unduh sekarang ( 41 Halaman )

Teks penuh

Loading

Gambar

Gambar 3 Film CZTS hasil pengerasan pada suhu 180 ºC dengan waktu
Gambar 5 Spektrum data XRD hasil analisis program Match 2 pada sampel C45T
Tabel 2 Puncak 2θ dan nilai hkl CZTS JCPDS 26-0575 (Pawar 2010)
Gambar 7 memperlihatkan contoh penentuan ukuran ketebalan film pada sampel
+3

Referensi

Unduh sekarang ( PDF - 41 Halaman - 2.35 MB )

Garis besar

Pembuatan Film Tipis Cu2ZnSnS4 sebagai Lapisan Penyerap Cahaya pada Sel Surya Menggunakan Metode Elektrodeposisi

Dokumen terkait

PENUMBUHAN LAPISAN FILM TEBAL Ag, Pd/Ag, DAN Au DENGAN MENGGUNAKAN METODE SCREEN PRINTING YANG DIAPLIKASIKAN SEBAGAI MIKROSTRIP BANDPASS FILTER.

Penumbuhan Lapisan Film Tebal Ag, Pd/Ag, Dan Au Dengan Menggunakan Metode Screen Printing Yang Diaplikasikan Sebagai Mikrostrip Bandpass Filte r. Universitas Pendidikan Indonesia |

PENGGUNAAN SELULOSA-DIETILENTRIAMINA SEBAGAI LAPISAN PENGIKAT LOGAM Cu(II) DENGAN METODE GRADIEN DIFUSI DALAM FILM TIPIS | Khairuddin | KOVALEN 7540 25077 1 PB

Metode difusi gradien dalam film tipis pada prinsipnya menggunakan peralatan sederhana berupa plastik bulat dengan diameter 2,5 cm yang diisi dengan gel lapisan pengikat,

Lapisan Tipis Cu1/Ni1/Cu2/Ni2 Sebagai Bahan Dasar Pembuatan Sensor Suhu Rendah dengan Metode Electroplating pada Variasi Tegangan Deposisi

Grafik hubungan antara tegangan terhadap suhu untuk lapisan tipis Cu 1 /Ni 1 /Cu 2 /Ni 2 pada pelapisan dengan variasi. tegangan

KARAKTERISTIK FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD MENGGUNAKAN SUMBER METALORGANIK BARU TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)

Tampak bahwa film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan temperatur penumbuhan 560 o C (sampel #1) memiliki struktur amorf sedangkan puncak bidang (400) yang

PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI KEBOCORAN GAS

Dari hasil karakterisasi terhadap sampel sensor gas yang terbuat dari film tipis semi- konduktor GaN dengan menggunakan teknik sol gel spin coating dengan parameter

PENINGKATAN KUALITAS FILM TIPIS CdTe SEBAGAI ABSORBER SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN DOPING TEMBAGA (Cu)

Citra morfologi Scanning Electron Microscopy (SEM) dan hasil analisis struktur dengan X-Ray Diffraction (XRD) menunjukkan bahwa film CdTe:Cu(2%) mempunyai citra permukaan dan