TRANSISTOR FILM TIPIS ORGANIK
Teks penuh
Gambar
Dokumen terkait
Bentuk morfologi film tipis dianggap baik jika mempunyai struktur film yang homogen, dengan kata lain terdapat banyak atom pada permukaan substrat sehingga film
Lapisan film tipis GaAs dengan variasi ketebalan 350 nm, 500 nm, dan 1 µ m yang ditumbuhkan di atas substrat Ge dengan teknik MOCVD telah dikarakterisasi menggunakan
Citra SEM tersebut menunjukkan bahwa film tipis yang ditumbuhkan dengan daya plasma yang tinggi memiliki ukuran butir ( grain size ) yang lebih besar dengan morfologi permukaan
menunjukkan citra SEM permukaan film tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan pada temperatur 400 o C mempunyai ukuran butir lebih besar. Tampak dari citra SEM, film tipis ZnO:Al
Penambahan paladium dapat menghasilkan berbagai jenis ionik oksigen pada permukaan film tipis dalam proses adsorpsi dan desorpsi saat film tipis diberikan respon gas
menunjukkan citra SEM permukaan film tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan pada temperatur 400 o C mempunyai ukuran butir lebih besar. Tampak dari citra SEM, film tipis ZnO:Al
e) Tahapan pembuatan pembuatan FET berbasis film tipis, adalah sebagai berikut: Adapun tahapan dalam pembuatannya, sebagai berikut: mula-mula dilakukan pencucian substrat Si/ SiO 2
Namun, dengan tegangan yang agak rendah akan menghasilkan medan listrik yang besar tatkala ketebalan film memiliki orde yang sangat tipis.. Hal ini akan sesuai dengan
