Penyusunan Pedoman Praktikum Dasar untuk Matakuliah. Elektronika Daya

(1)

Penyusunan Pedoman Praktikum Dasar untuk Matakuliah

Elektronika Daya

oleh

Boby Gunarso Wiminto NIM : 612005018

Tugas Akhir

untuk melengkapi syarat-syarat memperoleh Ijazah Sarjana Teknik Elektro

FAKULTAS TEKNIK ELEKTRONIKA DAN KOMPUTER UNIVERSITAS KRISTEN SATYA WACANA

SALATIGA 2012

(2)

(3)

(4)

INTISARI

Berdasarkan evaluasi bersama pengajar, pedoman praktikum mata kuliah Elektronika Daya yang sudah ada dan dipakai selama ini perlu diperbaiki dalam hal sistematika dan langkah-langkah praktikum.

Tugas akhir ini berisi langkah-langkah praktikum disertai dengan analisis hasil praktikum yang nantinya dapat dipakai sebagai pedoman bagi asisten dalam mengevaluasi laporan praktikum mahasiswa. Terdapat enam topik praktikum, yaitu karakteristik dioda, karakteristik transistor, karakteristik SCR, karakteristik TRIAC, karakteristik MOSFET, dan karakteristik IGBT, serta sebuah topik untuk tugas rancang, yaitu step-up chopper.

Langkah-langkah praktikum diberikan dengan jelas sehingga para praktikan, dibantu oleh asisten mata kuliah Elektronika Daya, dapat semakin memahami karakteristik tiap komponen yang dibahas pada setiap topik praktikum.

(5)

ii ABSTRACT

Based on evaluation with teachers, the existing Power Electronics courses practicums guidance that used for these should be improved in terms of systematic and practical measures.

The final task contains steps and lab results that can later be used as a guide for assistants in evaluating student lab reports. There are six topics, which is diode characteristics, transistor characteristics, SCR characteristics, TRIAC characteristics, MOSFET characteristic, and IGBT characteristics, as well as a topic for the design task, the step-up chopper.

Practical steps given clearly so that the practitioner, assisted by assistant of Power Electronics course, could understand the characteristics of each component that discussed in each topic.

(6)

KATA PENGANTAR

Terima kasih kepada Tuhan Yang Maha Esa karena dengan Rahmat dan Karunia-Nya penulis dapat menyelesaikan tugas akhir ini sebagai syarat kelulusan dari Fakultas Teknik Program Studi Teknik Elektro UKSW.

Semua usaha yang penulis lakukan tentu tidak akan berarti tanpa doa, bantuan, dorongan serta bimbingan dari berbagai pihak. Untuk itu dalam kesempatan ini penulis ingin mengucapkan terima kasih yang sebesar-besarnya kepada:

Ayah, Ibu, dan seluruh anggota keluarga yang telah memenuhi semua kebutuhan penulis selama kuliah maupun selama skripsi, selalu setia mendoakan penulis. Robby Wijaya Wiminto (612006005), adik penulis, yang telah banyak membantu

penulis baik dalam kuliah, pengerjaan tugas akhir saat penulis di konsentrasi telekomunikasi, maupun pengerjaan tugas akhir ini.

Bapak Dalu Setiadji dan Bapak Budihardja Murtianta yang dengan penuh kesabaran telah meluangkan waktu dalam membimbing dan memberikan arahan pada penulis dalam mengerjakan tugas akhir ini.

Seluruh tenaga pengajar FTEK UKSW yang telah memberikan bekal ilmu dan bimbingan kepada penulis selama mengikuti perkuliahan di UKSW.

Mas Wicak, Mbak Tin, Mbak Rista, Mbak Dita, Pak Bambang, Pak Harto, Mas Harry, dan Pak Budi yang telah membantu penulis selama kuliah dan pengerjaan tugas akhir.

Seluruh teman kuliah dan teman kos penulis yang tidak dapat disebutkan satu persatu.

(7)

iv

Penulis menyadari bahwa masih terdapat banyak kekurangan dalam tugas akhir ini, oleh sebab itu kritik dan saran yang membangun dari para pembaca sangat diharapkan. Semoga tugas akhir inidapat bermanfaat bagi kita semua.

Salatiga, 17 Agustus 2012

(8)

DAFTAR ISI

INTISARI ... ...i

ABSTRACT ... ....ii

KATA PENGANTAR ... ...iii

DAFTAR ISI ... ....v

DAFTAR GAMBAR ... .viii

DAFTAR TABEL ... ...xi

BAB I. PENDAHULUAN ... ....1

1.1. Tujuan ... ....1

1.2. Latar Belakang ... ....1

1.3. Spesifikasi Alat ... ....5

1.4. Sistematika Penulisan ... ....5

BAB II. DASAR TEORI ... ....7

2.1. Dioda ... ....7 2.2. Transistor ... ..11 2.3. SCR ... ..16 2.4. TRIAC... ..20 2.5. MOSFET ... ..22 2.6. IGBT ... ..25

BAB III. LANGKAH PERCOBAAN... ..28

3.1. Karakteristik Dioda ... ..28

3.1.1. Tujuan ... ..28

3.1.2. Alat dan Bahan ... ..28

3.1.3. Gambar Untai dan Langkah Percobaan ... ..29

3.2. Karakteristik Transistor ... ..31

3.2.1. Tujuan ... ..31

3.3. Karakteristik SCR ... ..35

(9)

vi

3.4. Karakteristik TRIAC ... ..38

3.4.1. Tujuan ... ..38

3.5. Karakteristik MOSFET ... ..41

3.5.1. Tujuan ... ..41

3.6. Karakteristik IGBT ... ..44

3.6.1. Tujuan ... ..44

3.7. Tugas Rancang ... ..47

BAB IV. HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS ... ..48

4.1. Hasil Percobaan ... ..48 4.1.1. Karakteristik Dioda ... ..48 4.1.2. Karakteristik Transistor ... ..52 4.1.3. Karakteristik SCR ... ..59 4.1.4. Karakteristik TRIAC ... ..62 4.1.5. Karakteristik MOSFET ... ..66 4.1.6. Karakteristik IGBT ... ..71 4.2. Analisis ... ..75 4.2.1. Karakteristik Dioda ... ..75 4.2.2. Karakteristik Transistor ... ..81 4.2.3. Karakteristik SCR ... ..92 4.2.4. Karakteristik TRIAC ... ..96 4.2.5. Karakteristik MOSFET ... 100 4.2.6. Karakteristik IGBT ... 107 4.2.7. Tugas Rancang ... 111

(10)

BAB V. PENUTUP... 117 DAFTAR PUSTAKA ... 119 LAMPIRAN ... 120

(11)

viii

DAFTAR GAMBAR

Gambar 2.1. Simbol Dioda ... ....7

Gambar 2.2. Grafik Karakteristik V – I Dioda Ideal ... ....8

Gambar 2.3. Grafik Karakteristik V – I Dioda Tak Ideal ... ....9

Gambar 2.4. Grafik Soft Reverse Recovery Time ... ..10

Gambar 2.5. Grafik Abrupt Reverse Recovery Time... ..10

Gambar 2.6. Struktur Transistor npn ... ..12

Gambar 2.7. Struktur Transistor pnp ... ..12

Gambar 2.8. Simbol Transistor npn ... ..13

Gambar 2.9. Simbol Transistor pnp ... ..13

Gambar 2.10. Karakteristik IC - IB Transistor ... ..15

Gambar 2.11. Simbol SCR... ..16

Gambar 2.12. Struktur pnpn SCR ... ..17

Gambar 2.13. SCR dari Dua Buah Transistor... ..18

Gambar 2.14. Grafik Karakteristik V – I SCR ... ..19

Gambar 2.15. Simbol TRIAC ... ..20

Gambar 2.16. Grafik Karakteristik V – I TRIAC ... ..21

Gambar 2.17. Rangkaian Ekivalen TRIAC ... ..22

Gambar 2.18. Simbol MOSFET Enhancement Tipe n ... ..23

Gambar 2.19. Simbol MOSFET Enhancement Tipe p ... ..23

Gambar 2.20. Karakteristik VDS – ID MOSFET ... ..24

Gambar 2.21. Simbol IGBT Tipe n ... ..25

Gambar 2.22. Simbol IGBT Tipe p ... ..25

Gambar 2.23. Rangkaian Ekivalen IGBT Tipe n ... ..26

Gambar 2.24. Karakteristik VCE – IC IGBT ... ..27

Gambar 3.1. Untai untuk Percobaan Karakteristik Dioda dengan Masukan DC... ..29

Gambar 3.2. Untai untuk Percobaan Dioda dengan Masukan Gelombang Kotak ... ..30

Gambar 3.3. Grafik Waktu Pemulihan Balik ... ..30

Gambar 3.4. Untai untuk Percobaan Karakteristik Transistor ... ..32

(12)

Gambar 3.6. Untai untuk Percobaan Karakteristik TRIAC ... ..38

Gambar 3.7. Untai untuk Percobaan Karakteristik MOSFET ... ..42

Gambar 3.8. Untai untuk Percobaan Karakteristik IGBT ... ..45

Gambar 4.1. Grafik Keluaran Dioda 1N4007 dengan Masukan Gelombang Kotak Frekuensi 1 KHz ... ..50

Gambar 4.5. Grafik Karakteristik V – I Dioda 1N4007 ... ..76

Gambar 4.6. Grafik Karakteristik V – I Dioda 1N4148 ... ..77

Gambar 4.7. Grafik Karakteristik V – I Dioda 1N4007 Bias Balik ... ..78

Gambar 4.8. Grafik Karakteristik V – I Dioda 1N4148 Bias Balik ... ..78

Gambar 4.9. Grafik IC – IB untuk VCC 10 Volt ... ..82

Gambar 4.12. Grafik hFE terhadap IC dengan VCC 10 V ... ..85

Gambar 4.15. Grafik VBE – IB untuk VCE 7 Volt ... ..87

Gambar 4.18. Grafik VCE – IC dengan IB sebagai Parameter... ..90

Gambar 4.19. Karakteristik V – I SCR untuk Ig 10 mA ... ..93

Gambar 4.22. Karakteristik V – I TRIAC Mode 1 ... ..96

(13)

x

Gambar 4.26. Karakteristik VDS – ID dengan VGS sebagai Parameter ... 101

Gambar 4.27. Karakteristik VGS – ID untuk VDS Awal 0,6 Volt ... 103

Gambar 4.28. Karakteristik VGS – ID untuk VDS Awal 1 Volt ... 104

Gambar 4.29. Karakteristik VGS – ID untuk VDS Awal 2 Volt ... 105

Gambar 4.30. Karakteristik VCE – IC dengan VGE sebagai Parameter ... 108

Gambar 4.31. Karakteristik VGE – IC untuk VCE Awal 0,7 Volt ... 109

(14)

DAFTAR TABEL

Tabel 2.1. Tiga Mode Operasi Transistor dan Bias Persambungannya ... ..14

Tabel 4.1. Karakteristik Dioda 1N4007 Bias Maju ... ..48

Tabel 4.2. Karakteristik Dioda 1N4148 Bias Maju ... ..49

Tabel 4.3. Karakteristik Dioda 1N4007 Bias Balik ... ..49

Tabel 4.4. Karakteristik Dioda 1N4148 Bias Balik ... ..49

Tabel 4.5. Karakteristik IC – IB Transistor untuk Vcc 10 Volt ... ..52

Tabel 4.8. Karakteristik VBE – IB Transistor untuk VCE 7 V ... ..54

Tabel 4.11. Karakteristik VCE – IC Transistor untuk IB 0,3 mA ... ..56

Tabel 4.14. Karakteristik SCR untuk IG 10 mA ... ..59

Tabel 4.17. Karakteristik TRIAC Mode 1 ... ..62

Tabel 4.21. Karakteristik VDS - ID untuk VGS 3 V... ..66

Tabel 4.22. Karakteristik VDS - ID untuk VGS 3,1 V... ..66

Tabel 4.26. Karakteristik VGS - ID untuk VDS 0,6 V... ..68

Tabel 4.27. Karakteristik VGS - ID untuk VDS 1 V... ..69

(15)

xii

Tabel 4.29. Karakteristik VCE – IC untuk VGE 4,5 V ... ..71

Tabel 4.34. Karakteristik VCE – IC untuk VGE 5 V ... ..72

Tabel 4.38. Karakteristik VGE – IC untuk VCE 0,8 V ... ..74

Tabel 4.39. Karakteristik VGE – IC untuk VCE 1,5 V ... ..74