• Tidak ada hasil yang ditemukan

Analisis Sitat Listrik Persambungan M-S-M Pada Film Tipis Alxga1-Xn Yang Ditumbuhkan Di Atas Substrat Silikon (111) Dengan Metode Dc Magnetron Sputtering ”.

N/A
N/A
Info
Unduh - Bebas
Protected

Academic year: 2017

Membagikan "Analisis Sitat Listrik Persambungan M-S-M Pada Film Tipis Alxga1-Xn Yang Ditumbuhkan Di Atas Substrat Silikon (111) Dengan Metode Dc Magnetron Sputtering ”."

Copied!
67
0
0

Memuat.... (Lihat teks lengkap sekarang)

Unduh sekarang ( 67 Halaman )

Teks penuh

Loading

Gambar

Gambar 2.1 Struktur kristal wurtzite dari GaN (Green, 2001:19)
Gambar 2.2. Hubungan band gap dan konstanta kisi dari campuran binary semikonduktor
Gambar 2.3 Model jalur energi dari logam dan semikonduktor terpisah dalam ruang (R. Rio, S.1999)
Gambar 2.4 Model jalur energi dari persambungan logam dan semikonduktor
+7

Referensi

Unduh sekarang ( PDF - 67 Halaman - 1.05 MB )

Garis besar

Analisis Sitat Listrik Persambungan M-S-M Pada Film Tipis Alxga1-Xn Yang Ditumbuhkan Di Atas Substrat Silikon (111) Dengan Metode Dc Magnetron Sputtering ”.

Dokumen terkait

STUDI PENGARUH RASIO LAJU ALIR GAS ARGON DAN NITROGEN TERHADAP SIFAT OPTIK FILM TIPIS GALLIUM NITRIDA YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING

Pengukuran dengan EDAX dari ketiga sampel film tipis GaN hasil penumbuhan di atas substrat safir (0001) dengan perbedaan rasio laju alir gas argon dan nitrogen terlihat adanya

STUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING

Jumlah konsentrasi silikon pada lapisan tipis masih berada dalam kondisi silikon dominan (x<0.5) dan peningkatan konsentrasi karbon yang mengurangi dangling bond pada atom