• Tidak ada hasil yang ditemukan

STRUKTUR KRISTAL, SIFAT LISTRIK (RESISTIVITAS), DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS ZnO DENGAN DOPING Al YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING.

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2017

Membagikan "STRUKTUR KRISTAL, SIFAT LISTRIK (RESISTIVITAS), DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS ZnO DENGAN DOPING Al YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING."

Copied!
86
0
0

Teks penuh

Gambar

Tabel 4.2 Hasil karekteristik sifat listrik lapisan tipis ZnO:Al........................
Tabel 2.1 Sifat fisis kristal ZnO dengan tipe kristal wurtzite ( Fan et al, 2005)
grafik absropsi ini dapat ditentukan lebar celah pita energi.
Gambar 2.3 menjelaskan 4 proses perilaku dinamis dalam deep state yang
+7

Referensi

Dokumen terkait

Bentuk morfologi film tipis dianggap baik jika mempunyai struktur film yang homogen, dengan kata lain terdapat banyak atom pada permukaan substrat sehingga film

Dari hasil eksperimen dapat diketahui bahwa penumbuhan film tipis yang optimal baik ketebalan lapisan penyangga AlN ataupun daya plasma akan mengurangi energi urbach dan

Adapun yang menjadi judul skripsi ini adalah “ Pengaruh Temperatur Preheating Terhadap Sifat Optik Film Tipis ZnO yang Ditumbuhkan dengan Metode Sol-gel ”.. Dalam

Penumbuhan film tipis CdTe dan CdTe:Cu belum menunjukkan hasil yang optimal sehingga perlu dilakukan studi lanjut dengan memvariasi konsentrasi Cu, daya plasma,

Telah dilakukan karakterisasi sifat optik, struktur kristal dan struktur mikro lapisan tipis ZnO:Al hasil deposisi pada substrat kaca sebagai bahan Transparent Conducting Oxide

Telah dilakukan karakterisasi sifat optik, struktur kristal dan struktur mikro lapisan tipis ZnO:Al hasil deposisi pada substrat kaca sebagai bahan Transparent

Ini artinya film tipis CdTe yang ditumbuhkan dengan daya plasma 25 W hanya mampu mengabsopsi cahaya pada panjang gelombang lebih kecil 350 nm sehingga kurang sesuai untuk

Hasil karakterisasi sifat listrik yang ditunjukkan pada Gambar 4, terlihat bahwa doping Al 2 O 3 yang optimum dalam lapisan tipis ZnO:Al yang dibuat pada tekanan 6 × 10 −2 torr,