ANALISIS PENGARUH ION BORON TERHADAP LISTRIK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO

ISSN 0216 -3128

102

Wirjoadi, dkk.

ANALISIS

PENGARUH ION BORON TERHADAP

LISTRIK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO

SIFA T

Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Tjipto Suyitno

P3TM-BATAN

_-'"

ABSTRAK

ANALISIS PENGARUH ION BORON TERHADAP SIFAT LISTRlK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO. Telah dilakukan analisis sifat-sifat listrik dan optik lapisan tipis 2nD yang di deposisi dengan ion boron. Penelitian ini bertujuan untuk mendapatkan lapisan tipis ZnD yang dido ping Boron dengan resistivitas rendah dan mempunyai transmitansi tinggi. Lapisan Tipis ZnD biasanya menunjukkan resistivitas rendah yang disebabkan oleh kekosongan (vakansi) oksigen dan penyisipan (interstisi) Zn karena komposisinya yang non stoichiometric. Pengukuran sifat-sifat listrik (resistivitas) dilakukan menggunakan probe em pat titik, sedangkan pengamatan sifat-sifat optik (transmitansi) dengan UV-vis dan untuk pengamatan struktur mikro dengan SEM. Hasil pengamatan pengukuran dengan probe empat titik dari lapisan tipis 2nD diperoleh nilai resistivitas sebesar.. (90,7- 0,60) ohm cm untuk variasi waktu (15-30) menit, dengan interval 5 menit dan nilai resistivitas sebesar.. (1 -128) ohm cm untuk variasi tekanan (1,1 x 10-1 -1,7 x 10-1) torr dengan interval 0,2 x 10-1 torr. Transmitansi lapisan tipis diamati dengan UV-vis, hasil yang diperoleh sebesar (50 -64) % untuk variasi waktu dan sebesar (46 -74) % untuk variasi tekanan yang semuanya pada panjang gelombang (600-800)nm. Untuk pengamatan struktur mikro dari lapisan tipis dengan menggunakan peralatan SEM, menunjukkan bahwa ada butiran-butiran kecil yang jumlahnya lebih banyak dari butiran-butiran yang besar. Lapisan tipis ZnD/Boron mempunyai resistivitas

dan transmitansi yang lebih rendah hila dibandingkan dengan lapisan 2nD. sedangkan struktur mikl'.onya menunjukkan mor/ologi yang berbeda apabila dibandingkan dengan struktur mikroskopis lapisan tipis 2nD.

ABSTRACT

ANALYSIS OF THE EFFECT OF ION BORON ON THE ELECTRlC4L AND OPTIC4L PROPERTIES OF ZnO THIN FILMs. Analysis of electrical and optical charachteristic of ZnD thin film deposited by boron ion has been carried out. The aim of this research is to get a 2nD thin layer doped by boron ion with low resistivities but has high transmitance.. Usually the 2nD thin layer has low resistivities due to the existence of oxygen vacancies and Zn interstition which caused by the non stoichiometric conditions. Measurement of the electrical properties (resistivities) has been done usingfour point probe, the optical properties has been measured using UV-vis and the micro st;";;::ture has been observed using SEM. It's found that the resistivities of the ZnD thin layer was 90.7 up to 0,60 il cm for 15 up to 30 minutes deposition time with interval 5 minutes and I up to 128 ilcmfor 1 x 10-1 up to 1,7 x 10-1 torr pressures with interval with interval 0,2 x 10-1 torr. From time variation, it's found that the transmitance of the 2nD thin film was 50-64 %, while from pressure variation, the transmitance was 46 -74 %, all observed at wavelength (600 -800) nm. From micro structure analysis using SEM, it's found that there is differences in morfology between 2nD/boron and 2nD film.

daD CuIn2Se2, karena biayanya relatip murah daD dapat tumbuh pacta temperatur relatip rendah apabila dibandingkan dengan SnO2 atau Indium Tin Oxide (ITO). Selain itu, solar cell juga dikenal dapat memperbaiki efisiensi konversi energinya dengan memakai susunan lapisan tipis ZoO seperti pacta transparan elektrode depan daD anti refleksi coating. Untuk mendapatkan deposisi lapisan tip is ZoO dapat dilakukan dengan menggunakan teknik sputtering! 1.2) Bahan ZoO merupakan bahan

semi-konduktor tipe N yang mempunyai struktur kristal Wurtzite. Lapisan tipis ZoO biasanya menunjukkan resistivitas rendah yang disebabkan oleh kekosong-an (vakkekosong-ansi) oksigen daD penyisipkekosong-an (interstisi) Zn

PENDAHULUAN

P

ada saat ini lapisan tipis ZnO banyak diteliti oleh para peneliti terutama di negara-negara maju karena aplikasinya yang begitu luas. Lapisan tipis ZnO dapat diaplikasikan pada berbagai keperluan antara lain untuk peralatan permukaan gelombang akustik, solar cell dan optoelektronika. Untuk aplikasi solar cell, terutama dengan Tran-parent Conductive Oxide (TCO), maka pengem-bangan daTi lapisan tipis ZnO akan mempunyai transparan konduktivitas tinggi sepanjang resis-tivitasnya rendah. ZnO sangat menarik perhatian untuk aplikasi solar cell, disamping solar cell a: SiH

Prosldlng Pertemuan dan Presentasillmiah Penelltian Dasar IImu Pengetahuan dan Teknologl Nukllr P3TM-BATAN Yogyakarta, 7 -8 Agustus 2001

Wirjoadi, dkk. ISSN 0216 -3128

103

nasi senyawa organik maupun non organik yang

terjadi pada proses pemotongan. Pembersihan

substrat gelas ini dengan menggunakan air daD

detergen

yang dimasukkan dalam mesin cuci

u,ltra-sonik. Kemudian subtrat dibersihkan lagi dengan

aquades daD alkohol lalu dikeringkan dengan

pe-manas,

sel~iutnya dimasukkan

dalam pl.astik

klip.

karena komposisinya yang non stochiometric.

Pengukuran sifat-sifat listrik (resistivitas) dengan

menggunakan

probe empat titik, sedangkan

sifat-sifat optik (transmitansi) dengan UV-vis dan

pengamatan

struktur mikro dengan SEMo[I.2)

Penelitian ini bertujuan untuk mendapatkan

lapisan tipis ZnO yang mempunyai resistivitas

rendah dan bertransmitan

tinggi. Sifat-sifat lapisan

tipis ZnO yang terdeposit

pada permukaan substrat

gelas bergantung pada beberapa parameter

sputtering yaitu suhu substrat, tekanan gas dan

waktu deposisi sputtering. Oleh karena itu dalam

penelitian ini telah dilakukan optimasi parameter

sputtering, sehingga proses deposisi lapisan tipis

ZnO dapat dilakukan pada kondisi parameter

sputtering yang optimum. Pada kondisi ini

sifat-sifat listrik dan optik lapisan tipis ZnO yang

terdeposit dapat diketahui dari resistivitas dan

transmitansinya,

sehingga

hasilnya diharapkan

dapat

dimanfaatkan

dalam bidang industri terutama untuk

solar cell.

0

Proses

Deposisi Lapisan Tipis

Peralatan sistem RF sputtering yang digunakan untuk deposisi lapisan tipis ZnO terdiri dari tabung reaktor plasma, pompa vakum rotari, pompa vakum turbo, vakum meter, sumber tegangan RF, pendingin target, pendingin sumber RF dan gas Argon.

Target ZnO diletakkan pada posisi di tempat target yang sekaligus berfungsi sebagai katoda dan substrat gelas diletakkan pada anoda yang berada diatas katoda yang semuanya di dalam tabung reaktor plasma. Tabung reaktor plasma-divakumkan dengan pompa vakum rotari dan turbo sampai tekanannya tercapai 5 x 10-6 torr. Setelah sumber RF dihidupkan, gas Argon yang dialirkan ke dalam tabung reaktor plasma melalui kran yang berfungsi untuk mengafur tekanan gas sehingga tekanan gas naik menjadi 8 x 10-2 torr. Kemudian gas Argon akan terionisasi dan menumbuk target ZnO, sehingga sebagian ion ZnO masuk pa,da susunan atom substrat gelas. Jumlah molekul' ZnO yang terdeposisi pada substrat gelas tergantung pada suhu substrat, tekanan gas dan waktu deposisi. Setelah terbentuk lapi:;an tipis ZnO, lapisan tipis tersebut di deposisi lagi dengan ion Boron sehingga terjadi lapisan ZnO/Boron. Proses deposisi lapisan ini dilakukan dengan variasi tekanan gas :1,1 x 10-1; 1,3 X 10.t ; 1,5 X 10.1 dan 1,7 x 10-1 torr, kemudianjuga dengan variasi waktu deposisi : 15; 20; 25 dan 30 menit, untuk suhu sekitar 150 DC

TATA KERJA

Dalam penelitian ini care kerjanya ada

beberapa tahapan yang dilakukan yaitu persiapan

bahan cuplikan, persiapan peralatan penelitian,

pendeposisian lapisan tipis ZnO, pengukuran

resistansi,

pengukuran

transmitansi

dan pengukuran

struktur mikro dengan Scanning Electron

Micros-copy (SEM).

Persia

pan Cuplikan

Bahan yang digunakan sebagai substrat

dalam penelitian ini adalah gelas preparat yang

dipotong dengan

ukuran 10 mm x 20 rom. Sebelum

dideposisi dengan lapisan tipis ZnO substrat

di-bersihkan dahulu untuk mencegah

adanya

kontami-Gambar I. Diagram kotak sistem RF sputtering.

Prosiding Pertemuan dan Presentasi IImiah Penelitlan Dasar IImu Pengetahuan dan Teknologl Nukllr P3TM-BATAN Yogyakarta. 7 -8 Agustus 2001

gunakan peralatan Scanning Electron Microscopy

(SEM).

Pengukuran Resistivitas Lapisan Tipis

Untuk mengetahui besarnya nilai resistivitas

dari lapisan tipis yang terbentuk, dapat dilakukan

pengukuran arus yang mengalir pada substrat

lapisan tipis ZoO.

Pengukuran nilai resistivitas

lapisan tipis dapat digunakan metode probe empat

titik yaitu suatu jajaran empat probe diletakkan

diatas permukaan lapisan tipis, kemudian dua probe

terluar diberi tegangan DC yang divariasi, sehingga

menghasilkan arus (J) daD tegangan (V) tertentu

pada probe bagian dalam. Apabila tebal lapisan

tipis lebih besar dari pada jarak antar probe, maka

besarnya nilai resistivitas lapisan tipis dinyatakan

dengan rumus p = (1Z"

V)/(/I02). Tetapi bila tebal

lapisan tipis lebih kecil dari jarak antar probe, maka

rumus persamaan menjadi p = (1Z"

V 1)/(/ ln2),

dimana T adalah teballapisan tipisl3J.

@

-+ ~-pd::J -..

~

=

&7si

DeceiCor&

-"O+--+ §el~

-".

Rekorder

CMpper

Gambar 3. Skema anal is is transmitansi dengan

teknik spektrofotometer

UV -vis.

HASIL DAN PEMBAHASAN

Dalam peneliian ini bahan cuplikan yang

dideposisi dengan lapisan tipis ZnO adalah gelas

preparat. Untuk mendapatkan lapisan tipis ZnO

pada substrat gelas yang mempunyai resistivitas

rendah daD mempunyai transmitansi yang besar

tergantung pada suhu substrat. tekanan gas daD

waktu deposisi. Percobaan

pembuatan

lapisan tipis

ZnO dilakukan dengan tekni sputtering pada suhu

sekitar 150 °C. Hasil pengukuran sifat-sifat listrik

(resistivitas dengan variasi tekanan ditunjukkan

dalam Gambar 4. .

Laju deposisi sebanding dengan waktu

deposisi, berbanding terbalik dengan tekanan gas

daD jarak elektroda. Dengan naiknya tekanan gas,

maka semakin banyak gas argon yang terionisasi.

Semakin

banyak ion argon yang saling bertumbukan

sendiri (sebelum menumbuki) target ZnO), maka

akan menyebabkan percikan atom ZnO yang

terdeposisi pada substrat gelas semakin sedikit

(lapisan tipis yang dihasilkan semakin tipis).

Resistivitas

suatu bahan berbanding terbalik dengan

ukuran bahan. Dengan naiknya tekanan gas, maka

semakin tiRis lapisan tipisnya nilai resistivitasnya

akan naik: )

Gambar 2. Skema

probe empat titik.

Untuk pengukuran sifat-sifat optik

(trans-mitansi) pada lapisan tipis ZnO dapat dilakukan

dengan menggunakan peralatan Spektrofotometer

UV -vis, sedangkan untuk mengetahui struktur

mi-kro lapisan tipis ZnO dapat diamati dengan

meng-OJ() ~

~

E

(.) E .c .g. 1(1 .-" .~

~

""Hi c: ~ 1 . 0.1 I I 1. _~-1 13x~-1 ',5oc~-1 1.7)(~-1 Tekanan (Torr)

Gambar 4. Grafik hubungan

antra resistivitas lapisan tipis ZnD

dengan tekanan

gas.

Proslding Pertemuan dan Presentasilimiah Penelltlan Dasar IImu Pengetahuan dan Teknologl Nukllr P3TM-BATAN Yogyakarta, 7 -8 Agustus 2001

Wirjoadi, dkk. ISSN 0216 -3128

₁₀₅

Pada Gambar 5 disajikan graflk hubungan

antara waktu deposisi dengan resistivitas lapisan

tip is ZnO. Dengan meningkatnya waktu deposisi

pada tekanan gas, suhu substrat

dan daya RF yang

tetap, tumbukan ion argon pada target ZnO akan

terns berlangsung. Semakin lama tumbukan ion

argon pada target ZnO maka akan dihasilkan lapisan

tipis yang semakin tebal. Meningkatnya ketebalan

lapisan tipis ini akan memperkecil resistivitas

lapisan tipis.

Pacta Gambar 6 disajikan graflk hubungan

antara transmitansi dengan tekanan gas. Dengan

naiknya tekanan gas, maka laju deposisi akan

berkurang sehingga

menyebabkan

lapisan tipis yang

terbentuk semakin berkurang. Dengan

berkurang-nya tebal lapisan tipis, maka transmitansi dari

lapisan tipis akan semakin tinggi. Semakin tipis

lapisan tipis maka semakin mendekati transmitansi

kaca [5)

E

0

E

.c .Q.. (/)

~

:~

"'iii Ow Q)

a:

Gambar 5. Grafik hubungan antara resistivitas lapisan tipis ZnO

dengan waktu deposisi.

Gambar 6. Hubungan transmitansi vs panjang gelombang untuk

variasi tekanan

gas dengan

peralatan UV-vis.

Prosldlng Pertemuan dan Presentasilimiah Penelltlan Dasar IImu Pengetahuan dan Teknologl Nukllr P3TM-BATAN Yogyakarta, 7 -8 Agustus 2001

106

ISSN 0216 -3128

Wirjoadi, dkk.

sifat tembus cahaya, tetapi memantulkan cahaya.

Dengan demikian lapisan tipis ZnO yang dikotori

dengan lapisan tipis boron akan berkurang

prosentase

transmitannya.

Pada Gambar 9 disajikan struktur mikro

lapisan tipis ZnO dengan SEM pada substrat gelas.

Tumbukan ion argon pada target ZnO menyebabkan

lepasnya atom ZnO menumbuk substrat sehingga

kehilangan kecepatan

daD secara fisis terserap

pada

permukaan substrat kaca. Pada awal serapan tidak

dalam keadaan kesetimbangan termal dengan

substrat daD bergerak terhadap

permukaan substrat.

Dalam proses ini mereka berinteraksi antara mereka

sendiri membentuk kelompok-kelompok berupa

butiran. Butiran ini ukurannya antara lain

ter-gantung pada suhu, daD sifat kimia dari substrat.

Pada Gambar 7 disajikan grafik hubungan

antara waktu deposisi dengan transmitansi lapisan

tipis ZnO. Dengan meningkatnya

waktu deposisi,

maka ketebalan lapisan tipis ZnO akan semakin

meningkat, sehingga transmitansi daTi lapisan tipis

warnanya semakin buram, sehingga akan semakin

menghambat cahaya yan~ melewati lapisan tipis

tersebut.

Pada Gambar 8 disajikan gambar spektrum

daTi lapisan tipis ZnO daD ZnO/boron. Prosentase

transmitansi lapisan tipis ZnO adalah rata-rata 55,4

%, sedangkan

prosentase

transmitansi lapisan tipis

ZnO/boron 49,95 %. Prosentase

transmitan

lapisan

tipis ZnO lebih besar karena lapisan tipis ZnO

mempunyai sifat tern

bus cahaya yang cukup besar.

Sedangkan

lapisan tipis ZnO/boron dikotori dengan

lapisan tipis boron, dimana boron tidak rnernpunyai

Gambar 7. Hubungan transmitansi vs panjang ge/ombang untuk variasi

deposisi

dengan

peralatan UV-vis dengan variasi waktu.

Gambar 8. Hubungan transmitansi vs panjang ge/ombang untuk ZnO

dan boron dengan

pera/atan UV-vis dengan variasi wakt~.

Prosldlng Pertemuan dan Presentasilimiah Penelitian Dasar limu Pengetahuan dan Teknologl Nuklir P3TM-BATAN Yogyakarta, 7 -8 Agustus 2001

Wirjoadi, dkk. ISSN 0216 -3128

107

boron adalah 5,54 A tidak sarna dengan struktur kristal boron standar yaitu 5,04 A, hal ini disebabkan adanya perbedaan koefisien muai dari lapisan tipis boron dengan lapisan tipis ZnO yang ditempelinya. Selain itu kemungkinan terjadi kebocoran udara yang masuk pacta tabung reaktor plasma. Struktur kristal dengan jarak antar bidang 5,54 A adalah mendekati struktur kristal boron oxide. Puncak pacta sudut 34,340; 42,360 dan 63,170 adalah puncak untuk sudut ZnO}6,7j

Gambar 9. Struktur mikro lapisan tipis ZnO de.

ngan SEM (perbesaran

6.000 kali).

z.u

Struktur mikro lapisan tip is ZnO menunjuk-kan adanya butiran-butiran yang kecil. Sedangmenunjuk-kan pada Gambar 10 disajikan lapisan tipis ZnO yang di

deposisi lagi dengan lapisan tipis boron. Dari hasil foto SEM ini terlihat butiran lapisan tipis ZnO masih terlihat jelas tanpa adanya perubahan. ~Japisan tipi~ boron ini kemungkinan mempunyai transmitan yang tinggi. Dengan demikian lapisan tipis ZnO dan boron cocok untuk pembuatan solar cell karena lapisan boron tidak tidak mengurangi intensitas cahaya yang mengenai sambungan P-N. Hal ini dapat menyebabkan efisiensi dari solar cell dapat meningkat.

..1

It-..

f'

j

-

I

~

,

~

J' '" !

~ ZS~~

~1~ ~~~fJi\~~i

,. \

I" '.1. t.1 -..""I 7~ ,... .." , , 'Ii' ,I I ,. tl 1.1.1 ii

..Sudut

~e)

Gambar 11. Spektrum struktur kristallapisan tipis ZnO dan boron dengan .Y.P£. --c-Puncak untuk sudut lapisan tip is ..znO masih bisa muncul, walaupun terletak di bawah lapisan tipis boron. Hal ini disebabkan lapisan tipis boron yang terbentuk masih sangat tipis. Puncak bidang (002) mempunyai intensitas yang paling besar dibandingkan dengan intensitas dua puncak bidang lainnya, yaitu bidang-bidang (102) dan (103). Hal ini menunjukkan bahwa lapisan tipis ZnO yang terdeposisi mempunyai orientasi sumbu kristal (sumbu c) yang tegak lurus pacta permukaan substrat, sehingga lapisan tip is ZnO mempunyai sifat piezoelektrik yang kuat.

Gambar 10. Struk/ur mikro /apisan tipis ZnO/

Boron dengan SEM (perbesaran

6.000 kG/i).

_KESIMPULAN

Pacta Gambar 11 disajikan spektrum struktur kristal lapisan tipis ZnO dan boron pacta substrat kaca menggunakan XRD. Substrat kaca dideposisi terlebih dahulu dengan lapisan tip is ZnO, setelah itu dideposisi lagi dengan lapisan tipis boron. Dengan demikian lapisan tipis ZnO bt:lada di bawah lapisan tipis boron. Dari hasil pengamatan diperoleh beberapa puncak pacta sudut 15,98°; 34,34°; 42;36° dan 63,17° dengan jarak antar bidang masing-masing 5,54 A; 2,61 A; 2,13 A clan 1,47 A. Puncak pada sudut 15,98° dengan jarak antar bidang 5,54 A adalah sudut struktur kristal untuk boron. Jarak antar bidang untuk struktur kristal lapisan tipis

Dari hasil percobaan dan pengolahan data yang telah dilakukan dapat diambil beberapa kesimpulan antara lain:

1. Nilai resistivitas lapisan tip is ZnO yang di-peroleh cenderung meningkat dengan bertam-bahnya tekanan gas yaitu 1 .0. cm sampai dengan

128 .0. cm dan nilai resistivitasnya menurun untuk waktu deposisi semakin lama yaitu 90,7 .0. cm sampai dengan 0,60 .0. cm.

2. Nilai transmitansi lapisan tipis ZnO yang diperoleh senderung semakin besar dengan bertambahnya tekanan gas yaitu 46 % sampai

Prosiding Pertemuan dan Presentasi IImiah Penelitian Dasar IImu Pengetahuan dan Teknologi Nuklir P3TM-BATAN Yogyakarta, 7 -8 Agustus 2001

ISSN 0216 -3128 Wirjoadi, dkk.

108

Wirjoadi

-Untuk waktu deposisi 25 menit sampai 30 menit

nilai resistivitas konstan hal ini disebabkan

karena dengan bertambahnya

ketebalan lapisan

tipis maka timbul pori-pori. Dengan demikian

walaupun semakin tebal tetapi tidak menurunkan

resistivitas.

-lnformasi yang didapat dari pengamatan

struktur

mikro adalah dapat diketahui ukuran butir dan

bertambah buram lapisan tipis lnO akibat

diatasnya ada lapisan tipis boron.

dengan 74 % daD nilai transrnitansinya rnenurun untuk waktu deposisi sernakin lama yaitu 64 % sampai dengan 50 % yang sernuanya pada panjang gelornbang 600 -800 nrn.

3. Hasil analisis struktur rnikro dengan SEM diperoleh bahwa lapisan tipis ZnO/Boron rnenunjukkan rnorfologi yang berbeda apabila dibandingkan dengan struktur rnikroskopis lapisan tipis ZnO.

4. Struktur kristal lapisan tip is ZnO rnenunjukkan struktur kristal kristal ZnO yang sarna dengan struktur kristal standar dengan puncak pada sudut 34,34°, sedangkan struktur kristal boron dengan puncak pada sudut 15,98° agak sedikit berbeda dengan struktur kristal boron standar.

DAFTAR PUSTAKA

Djoko S.

-Mengapa dipakai lapisan tipis ZnO I Boron? -Mengapa dipilih metoda Sputtering?

-Apa perangkat lunak yang dipakai, sehingga dihasilkan gambar seperti pada poster?

Wirjoadi

-Digunakan

lapisan tipis ZnO/boron karena

penelitian ini akan digunakan untuk membuat

solar cell. Dimana prinsip dari solar cell adalah

membuat sambungan P-N, sedangkan untuk

membuat semikonduktor tipe P pengaturnya

adalah boron.

-Digunakan metode sputtering karena metode ini

tidak melibatkan suhu tinggi, lapisan tipisnya

lebih homogen dan dapat merekat dengan luas

pada substrat.

-Perangkat lunak yang menghasilkan gambar

struktur mikro menggunakan SEM, struktur

kristal menggunakan

XRD, proses transmitansi

menggunakan

UVVIS.

1. MILLMAN, HALKIAS, Integrated

Electro-nics, Mc Graw Hill Inc, New York, 1971.

2. K. TAKAHASHI, M. KONAGAI, Amorphous

Silicon Solar Cells, North Oxford Academic,

Tokyo, 1986.

3. REKA RIO, MASAMORI, Fisika dan

Tekno-logi Semikonduktor, PT Pradnya Paramita,

Jakarta,

(1982).

4. WASA KIYOTAKA, HAYAKAWA S,

Hand-book of Sputtering Deposition Technology,

Noyes Publications, Park Ridge, New Jersey,

USA, 1992.

5. KONUMA M, Film Deposition by Plasma

Techniques,

Springer Verlag, Berlin, 1992.

6. WILSON W. WENAS, AKIRA YAMADA,

AND KIYOSHI TAKAHASHI, Electrical and

optical Properties of Boron-doped ZnO Thin

films for Solar cells Grown by Metallorganic

Chemical Vapor Deposition, J. Appl. Phys.70

(11),1 December

1991.

7. BD CULLITY, Element of X Ray Diffraction,

Addison Wesley Publishing Company, INC,

1959.

S. Simbolon

-Apakah molekul ZnO dapat menguap setelah

diadakan

sputtering,

apakah bukan Zn.

-Apakah yang dimaksud dengan ion Boron (ion

negatif atau positif).

TANYAJAWAB

Wirjoadi

-Molekul 2nO akan terhambur meninggalkan target 2nO setelah ditumbuki ion argon, jadi molekul 2nO bukan menguap. Molekul 2no memang telah terdeposisi pada substrat kaca dibuktikan dengan pengamatan struktur kristal 2nO dengan XRD.

-Ion boron yang terhambur meninggalkan target pin hole boron adalah ion netral don iiegatif

Husna

-Oari gambar 3 terlihat bahwa pengaruh waktu deposisi terhadap resistivitas dari waktu 15 menit -25 men it, resistivitasnya menurun dan diatas 25 menit terlihat konstan.

-Infonnasi apa saja yang diperoleh dari gambar struktur mikro ( Gambar 7 dan Gambar 8 )

--Proslding Pertemuan dan Presentasilimiah Penelitian Dasar IImu Pengetahuan dan Teknologi Nukllr P3TM-BA T AN Yogyakarta, 7 -8 Agustus 2001