PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S0,8Te0,2) DAN Sn(S0,6Te0,4) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL.
Teks penuh
Gambar
Dokumen terkait
Penelitian ini bertujuan untuk membuat lapisan tipis PbSe dengan teknik evaporasi vakum untuk mengetahui adanya pengaruh variasi temperatur
Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi suhu substrat terhadap kualitas kristal, struktur kristal, dan parameter kisi kristal lapisan tipis
Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui struktur kristal dan parameter kisi lapisan tipis Sn(S 0,2 Te 0,8 ), mengetahui pengaruh temperatur substrat terhadap.. kualitas
Penelitian ini bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis PbS menggunakan teknik vakum evaporasi dengan memvariasi temperatur substrat untuk mengetahui
Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur substrat terhadap kualitas lapisan tipis Sn(S 0,6 Te 0,4 ), mengetahui struktur dan parameter kisi.. lapisan
Proses karakterisasi dilakukan menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk menentukan struktur lapisan tipis, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk menentukan
Penelitian ini bertujuan untuk mempelajari dan memahami proses preparasi bahan semikonduktor lapisan tipis Tin Sulfide (SnS) menggunakan metode evaporasi,
Selisih antara tingkat energi konduksi dengan tingkat energi valensi disebut energi celah pita (band gap) yang merupakan energi minimal yang dibutuhkan untuk memutuskan
