✈
STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR
Sn( ) LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM
EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
Oleh:
Tri Handayani 10306141019
ABSTRAK
Penelitian ini bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis Sn( ) dengan variasi spacer sebagai bahan semikonduktor untuk aplikasi sel surya dengan menggunakan metode vakum evaporasi. Peneliti dapat mengetahui pengaruh dari spacer terhadap karakterisasi kristal semikonduktor Sn( ) yang meliputi parameter kisi, struktur kristal, morfologi permukaan kristal dan komposisi kimia.
Proses pendeposisian lapisan tipis Sn( ) dilakukan menggunakan teknik vakum evaporasi yang bekerja pada tekanan ~ mbar. Proses preparasi dilakukan dengan memberikan jarak spacer antara substrat dan sumber yaitu berturut-turut 10 cm dan 15 cm. Kristal yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi. Proses karakterisasi dilakukan menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk menentukan struktur lapisan tipis, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk menentukan morfologi permukaan lapisan tipis dan EDAX (Energy Dispersive
Analysis X-Ray) untuk menentukan komposisi kimia.
Hasil karakteristik XRD yang berupa difraktogram menunjukkan bahwa kristal Sn( ) merupakan struktur kristal Orthorombik dengan parameter kisi untuk sampel 1: =4,529 , =4,189 , =11,557 ; untuk sampel 2: =4,461 , =4,182 , =11,564 . Hasil analisis EDAX pada sampel 2 menunjukkan perbandingan presentase komposisi kimia bahan semikonduktor Sn( yaitu Sn = 48,19 %; Se = 42,59 %; S = 9,23 % dan presentase tersebut menunjukkan perbandingan mol Sn: S: Se adalah 1 : 0,9 : 0,2. Hasil karakterisasi SEM pada lapisan Sn( menunjukkan morfologi permukaan sampel yang terdiri atas butiran (grain) yang berbentuk keping lonjong dan terbentuknya homogenitas dari morfologi permukaan sampel kristal.
✁✂✂✂ STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITIONS OF SEMICONDUCTOR MATERIALSSn( )THE RESULT OF THIN FILM PREPARATION BY VACUUM EVAPORATION TECHNIQUE ON
THE SOLAR CELL APPLICATION By: Tri Handayani 10306141019 ABSTRACT This research aimsto appear thin film of Sn( ) with spacer variation as semiconductor materials for solar cell application that using vacuum evaporation method. The researcher should be understood the effects of Spacerto the characterization of crystal semiconductor Sn( ) which are the lattice parameters, crystal structure, the and chemical compositions.
The process of deposition thin fimSn( ) is used vacuum evaporation technique that work on ~ mbar . The process of preparation are used by a distance spacer between the substrate and source that in 10 cm as sample 1 and 15 cm as sample 2. The crystals are resulted then should be characterize. Process characterization are using XRD (X-Ray Diffraction) to determine the structure of thin film, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine the morphology of thin film and EDAX (Energy Dispersive X-Ray Analysis) to determine the chemical composition.
