• Tidak ada hasil yang ditemukan

TRANSISTOR FILM TIPIS ORGANIK

N/A
N/A
Info
Unduh - Bebas
Protected

Academic year: 2018

Membagikan "TRANSISTOR FILM TIPIS ORGANIK"

Copied!
125
0
0

Memuat.... (Lihat teks lengkap sekarang)

Unduh sekarang ( 125 Halaman )

Teks penuh

Informasi Dokumen

  • Penulis:
    • Sujarwata Fianti
  • Sekolah: Universitas Negeri Semarang
  • Mata Pelajaran: Teknik Elektro
  • Topik: Transistor Film Tipis Organik
  • Tipe: buku
  • Tahun: 2017
  • Kota: Semarang

Ringkasan Dokumen

I. PENDAHULUAN

Bagian pendahuluan menjelaskan pentingnya teknologi semikonduktor dalam peradaban modern, dengan fokus pada transistor efek medan organik (OFET). Penulis menekankan bahwa OFET menggunakan bahan semikonduktor organik yang ramah lingkungan dan memiliki keunggulan dalam efisiensi energi dan kemudahan fabrikasi. Hal ini menjadikan OFET sebagai pilihan yang menarik untuk aplikasi sensor gas, terutama dalam mendeteksi gas beracun, yang sangat relevan dalam konteks kesehatan dan keselamatan lingkungan.

1.1 Latar Belakang

Latar belakang membahas perkembangan teknologi semikonduktor dan peran penting OFET dalam aplikasi sensor gas. Penulis menjelaskan bahwa OFET memiliki keunggulan seperti ramah lingkungan dan kemampuan operasional pada suhu ruang, yang menjadikannya alternatif yang lebih baik dibandingkan dengan transistor berbasis silikon. Fokus pada sensor gas berbasis OFET diharapkan dapat mengatasi masalah mobilitas pembawa muatan dan waktu tanggap yang lambat.

1.2 Permasalahan

Bagian ini merumuskan permasalahan yang akan dipecahkan dalam penelitian, termasuk pengembangan struktur sensor gas berbasis OFET dan peningkatan mobilitas pembawa muatan. Penulis juga menyoroti pentingnya penelitian ini dalam meningkatkan waktu tanggap dan efisiensi sensor gas, sehingga memberikan kontribusi signifikan terhadap teknologi deteksi gas.

1.3 Penelitian Pemanfaatan Bahan Organik

Penelitian ini menyoroti pentingnya pemanfaatan bahan organik dalam pengembangan sensor gas. Penulis mencatat bahwa meskipun banyak penelitian telah dilakukan, masih ada kekurangan dalam hal mobilitas dan waktu tanggap sensor gas. Penelitian ini bertujuan untuk mengisi kekurangan tersebut dengan mengembangkan OFET yang lebih efisien dan responsif.

1.4 Manfaat yang Diharapkan

Penulis mengharapkan bahwa hasil penelitian ini dapat memberikan manfaat di berbagai bidang, seperti kesehatan, industri, fisika, dan akademik. Dengan menciptakan sensor gas yang efisien dan responsif, penelitian ini diharapkan dapat meningkatkan kualitas udara dan keselamatan lingkungan, serta memberikan kontribusi terhadap perkembangan teknologi mikroelektronika.

II. TRANSISTOR EFEK MEDAN (FET)

Bagian ini memberikan pemahaman dasar tentang transistor efek medan (FET), termasuk jenis-jenisnya dan prinsip kerjanya. FET dibagi menjadi dua kategori utama, yaitu Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET), yang masing-masing memiliki karakteristik unik. Penjelasan ini penting untuk memahami bagaimana OFET berfungsi dan aplikasinya dalam sensor gas.

2.1 Dasar-dasar OFET

OFET adalah tipe FET yang menggunakan bahan semikonduktor organik. Prinsip kerjanya melibatkan pengontrolan arus melalui efek medan listrik, yang berbeda dari transistor bipolar. Penjelasan ini memberikan dasar yang kuat untuk memahami mekanisme operasional OFET dan aplikasinya dalam deteksi gas.

2.2 Material Untuk Pembuatan OFET

Bagian ini membahas berbagai material semikonduktor organik yang digunakan dalam pembuatan OFET, termasuk phthalocyanine. Penulis menjelaskan sifat-sifat material ini yang mempengaruhi performa sensor gas, menjadikannya relevan dalam konteks penelitian dan pengembangan teknologi baru.

2.3 Resistansi Kontak OFET

Resistansi kontak menjadi faktor penting dalam performa OFET. Penulis menguraikan bagaimana resistansi ini dapat mempengaruhi arus dan sensitivitas sensor gas, memberikan wawasan berharga bagi pengembangan desain sensor yang lebih baik.

2.4 Karakterisasi OFET

Karakterisasi OFET diperlukan untuk memahami performa dan efisiensi transistor. Penulis menjelaskan metode yang digunakan untuk mengukur karakteristik OFET, yang penting untuk pengembangan dan optimasi sensor gas berbasis OFET.

Referensi Dokumen

  • Automated Odor-sensing System Based on Plural Semiconductor Gas Sensors and Computerized Pattern Recognition Techniques ( Abe, H., Yoshimura, T., Kanaya, S., Takahashi, Y., Miyashita, Y., Sasaki, S. )
  • Study of sensitivity and response kinetics changes for SnO2 thin-film hydrogen sensors ( Adamyan, AZ, Adamyan, ZN dan Aroutiounian, V.M )
  • NOx sensing properties of In2O3 thin films grown by MOCVD ( Ali, M., Wang, Ch.Y, Rohlig, C.C, Cimalla, V, Stauden, Th. dan Ambacher, O )
  • A review of gas sensors employed in electronic nose applications ( Arshak, K., Moore, E., Lyons, G.M., Harris, J., and S. Clifford, S. )
  • Molecular Rectifier ( Aviram, A. and Ratner, M.A. )

Gambar

Tabel 1.1: State of the Art beberapa penelitian
Gambar 1.2 merupakan disain tata letak dari sensor untuk deteksi adanya gas CO
Gambar 5.1: Skema sistem reaktor PA-MOCVD (Sugianto dkk, 2004)
Gambar 5.5: Absorbansi Polyvynyl Alcohol (PVA) terjadi pada sekitar panjang gelom-bang 300 nm (Masayuki Shimao dkk, 2000)
+7

Referensi

Unduh sekarang ( PDF - 125 Halaman - 1.58 MB )

Garis besar

Jenis Semikonduktor Ekstrinsik Kandungan unsur dalam CuPc Prinsip kerja XRD ( X-ray diffraction ) SEM dilengkapi dengan ED-X Perbedaan Monitor CRT dan Monitor LCD TFT Hasil Analisis SEM E-DX TRANSISTOR FILM TIPIS ORGANIK

Dokumen terkait

PENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING

Dari hasil eksperimen dapat diketahui bahwa penumbuhan film tipis yang optimal baik ketebalan lapisan penyangga AlN ataupun daya plasma akan mengurangi energi urbach dan

ANALISIS DAN SIMULASI DISTRIBUSI PANAS PADA HEAT SINK PROCESSOR CPU DENGAN COMSOL MULTIPHYSICS

Pengaruh dari masing-masing parameter jumlah sirip, ketebalan sirip, jarak antar sirip, luas permukaan sirip, dan koefisien konveksi dianalisis dengan meninjau suhu bagian atas

Karakterisasi Lapisan Film Tipis GaAs Yang Ditumbuhkan Dengan Metode MOCVD Di Atas Substrate Ge

Lapisan film tipis GaAs dengan variasi ketebalan 350 nm, 500 nm, dan 1 µ m yang ditumbuhkan di atas substrat Ge dengan teknik MOCVD telah dikarakterisasi menggunakan

PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODE PULSED LASER DEPOSITION

Dari hasil analisis pola difraksi sinar-X dan spektrum UV-Vis, diketahui bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga dengan ketebalan 184,6Å cenderung

STRUKTUR MORFOLOGI DAN FOTOLUMINISENSI FILM TIPIS Ga 2 O 3 :Mn

Citra SEM tersebut menunjukkan bahwa film tipis yang ditumbuhkan dengan daya plasma yang tinggi memiliki ukuran butir ( grain size ) yang lebih besar dengan morfologi permukaan

Perancangan dan Pembuatan Rectifier Penguat DC 30 KV untuk Optimasi Polling pada Film Tipis PVDF Design and Development of 30 KV DC Rectifier Amplifier for Polling Optimization on PVDF Thin Film

Namun, dengan tegangan yang agak rendah akan menghasilkan medan listrik yang besar tatkala ketebalan film memiliki orde yang sangat tipis.. Hal ini akan sesuai dengan

SENSOR GAS BERBASIS FILM TIPIS DENGAN KONFIGURASI TRANSISTOR EFEK MEDAN (FET) UNTUK DETEKSI GAS CO

e) Tahapan pembuatan pembuatan FET berbasis film tipis, adalah sebagai berikut: Adapun tahapan dalam pembuatannya, sebagai berikut: mula-mula dilakukan pencucian substrat Si/ SiO 2

Perancangan dan Pembuatan Rectifier Penguat DC 30 KV untuk Optimasi Polling pada Film Tipis PVDF

Namun, dengan tegangan yang agak rendah akan menghasilkan medan listrik yang besar tatkala ketebalan film memiliki orde yang sangat tipis.. Hal ini akan sesuai dengan