1 科目名・英文科目名 半導体薄膜電子デバイス特論
Bebas
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가스압이 높은 조건에서 제작한 막일수록 이러한 결과가 나타나는 이유는 가스압이 높아 아르곤의 인히비션 작용이 많이 일어남으로써 결정립의 미세화와 더불어 표면에너지가 높은 002면이 많이 배향되었기 때문으로 생각된다이는 앞의 4.2,4.3절에서 나온 결과이다.결정립계는 결정립내에 비해 비한 전위를 가지는 일종의 결함의 역할을 하게
