378
Fe2O3 (кривые 1 и 3), TiO2 ( кривые 1 и 4), WO3 (кривые 1 и 5), UO2 (NO3) 2-5 мас.% LiOH (кривые 1 и 6) и UO2 (NO3) 2 (кривые 1 и 7). Спектры нормированы (Eex = 4,66 эВ).
Как видно из представленных результатов, для легирующих примесей Li, Ti, Fe, W и U положение пика полосы излучения в кристалле LiF составляет от 3,1 до 2,35 эВ, в то время как длительность затухания ФЛ колеблется от 380 до 25 мкс при 300 К (кр.4). Долгоживущий излучательный переход в диапазоне 3−2,6 эВ относится к комплексу примесей, включающему ионы О2-, поливалентный катион активации и либо катионные, либо анионные вакансии в зависимости от числа ионов О2-, координированных с Меjn+
.
Список использованных источников
1.Nikl M.,. Laguta V, and. Vedda A, Phys. Stat. Sol. B., 245, 1701-1722 (2008).
2.Mikhailik V. and Kraus H., J. Phys. D: Appl. Phys., 39, 1181-1191 (2006).
3.Nowotny R., Phys. Med. Biol., 49, 2599-2611 (2004).
4.Aleshkevich N.,. Titkov E, and Komjak A., J. Appl. Spectrosc., 33, 1060-1064 (1980).
5.Egranov A. V. and. Radzhabov E. A, Spectroscopy of Oxygen and Hydrogen Centers in Alkali-6.Halide Crystals [in Russian], Nauka, Novosibirsk (1992).
7.Meistrich M. L., J. Phys. Chem. Solids., 29, 1111-1118 (1968).
8.Wedding E. and Klein M., Phys. Rev., 177, 1274-1288 (1969).
9.Fowler W.,. Capelletti R, and Colombi E., Phys. Rev. B., 44, 2961-2968 (1991).
10. Gucrelsberger K and Zelsman H. R., Sol. State Commun., 32, 551-552 (1979).
11.Gummer G., Z. Phys., 215, 256–278 (1968).
12.Fush H. J, Karthe W., and Borner S., Phys. Stat. Sol. (b), 118, 211–215 (1983).
УДК 539.534.9
СТРУКТУРА СИНТЕЗИРОВАННЫХ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ РАЗНЫХ РАСТВОРОВ В ТРЕКОВЫЕ ТЕМПЛЭЙТЫ SiO2/Si
НАНОКРИСТАЛЛОВ CdTe
Балахаева Р.К.1, Кәрім Қ.Б.2 [email protected]
1 Докторант ЕНУ им. Л.Н. Гумилева, Нур-Султан, Казахстан
2Магистрант ЕНУ им.Л.Н. Гумилева, Нур-Султан, Казахстан
Научный руководитель – Акылбеков А.Т., Даулетбекова А.К., Баймуханов З.К.
Целью настоящего исследования является получение нанокристаллов CdTe методом электрохимического осаждения в трековый темплэйт a-SiO2/Si -n.
CdTe - прямозонный полупроводник группы AIIBVI с Eg = 1,49 эВ при 300 K[1]. Как известно, теллурид кадмия относится к материалам, наиболее подходящим для создания солнечных элементов [2]. Это обусловлено шириной запрещенной зоны, близкой к оптимальному значению, а также большим коэффициентом поглощения света во всем спектральном диапазоне фоточувствительности [3].
Развитие полупроводниковой техники требует создания оптоэлектронных приборов, работающих в широком спектральном диапазоне от инфракрасной до ультрафиолетовой области. Соединения A2B6 и твердые растворы на их основе как материалы с собственным поглощением, высокой фоточувствительностью, относительно высокой подвижностью, возможностью управления их характеристиками являются перспективными в этом плане [4].
В настоящее время значительные усилия направлены на синтез и исследование нанокластеров в трековых темплэйтах SiO2/Si [5,6]. В нашей работе мы в качестве нанопористых шаблонов использовали данный трековые темплейты. Трековый темплэйт а- SiO2/Si-n был получен облучением ионами ксенона с энергией 200 МэВ, с флюенсами 107– 108 ионов/см2[7-9]. Химическое травление образцов SiO2/Si проводилось при комнотной
1
379
4 % HF, m(Pd)=0,025 .
JSM 7500F. ,
200 350 . Cd e
n-
–1,5 10 .
( ) CdT :
1) 1 CdSO4 + 1mM TeO2. CdSO4 , TeO2 –
. pH = 2;
2) 1 CdCl2 + 1mM TeO2. CdCl2 , TeO2 –
. pH = 2.
. 1
) )
1–. n- Cd e.
) U= 1,5 , t= 10 ., ) U= 1,5 t= 5
.
CdTe ,
CdTe P63mc(186).
D8 ADVANCE
ECO Cu- 2 30°-110°
0.01.
2 3
.
Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
2
380
2 –
CdTe
3 –
CdTe
: =4.51185 ,
=7.40234 ; =4.53445 , =7.43525 ,
.
1000 =4.51015 ,
=7.40214 , =4.52033 ,
=7.42212 . 11,19 10,15
11.24 18,24 .
45,1% 51,2%
54,5% 72,6%.
.
. AP05134367«C
SiO2/Si , - ».
Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
3
381
1. . . ., AIIBVI/ . . . , . .
. — .: , 1998, 319 .
2.Bonnet D., Meyers P.V., J. Mater. Res., Vol. 13, 1998, P. 2740.
3. Kosyachenko L.A., Maslyanchuk O.L., Sklyarchuk V.M. et al. J. Appl. Phys. Vol. 101, 2007, P. 013704.
4. . . .. , 113 (1), 1977, 129 .
5.Beard MC, Turner GM, Schmuttenmaer CA (2002) Nanoletters 9:983-387.
6.http://dx.doi.org
7.Asomoza R, Malodonado H, Olvera MD (2000) J Mater Sci-Mater El 11:383-387.
8. . ., . ., . ., . ., . .
SiO2/Si Si3N4/Si
//
: - . . 2013. .3.
9.Vlasukova L., Komarov F., Yuvchenko V., Dauletbekova A., Akilbekov A. Simulation of latent track parameters for SiO2 and Si3N4 irradiated with swift ions// Radiation interaction with materials: fundamentals and applications: program and materials of 5th International conference.
Kaunas. 2014. P.230-234.
10.Al’zhanova A., Dauletbekova A., Komarov F., Vlasukova L., Yuvchenko V., Akilbekov A., Zdorovets M. Peculiarities of latent track etching in SiO2/Si structures irradiated with Ar, Kr and Xe ions// Nucl. Instr. and Meth. B. 2016. Vol.374. P. 121 - 124.
544.182.3 AB INITIO
Si(bzimpy)2
. . . , - ,
– . .
Si(ligand)2
, .
[1].
N O, , [2].
,
, .
Si(ligand)2,
, , .
- [3].
Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
4
