ENEE600301
DISAIN ANALOG CMOS 3 SKS
Tuj uan Pembelaj aran: Mampu mengident if ikasi set iap bagian dal am st rukt ur MOSFETs, Mampu menj abarkan komponen pasif el ekt ronika secara f i si k dan mat emat i k, Mampu mengi dent i f i kasi st r ukt ur dan oper asi ker j a MOSFETs, Mam pu menurunkan secara mat emat is f enomena noise elect ric dalam rangkaian, Mampu mengident if ikasi rangkaian current mirror dalam rangkaian, Mampu mer ancang suat u r angkai an ber basi s cur r ent mirror, Mampu mengident if ikasi sist em rangkaian ampl if ier, Mampu menurunkan secara mat emat is st rukt ur rangkaian dari rangkaian amplif ier, Mampu merancang rangkaian ampl if ier: singl e st age dan dif f erent ial ampl if ier, Mampu mengident if ikasi sist em rangkaian operat ional ampl if ier, Mampu menurunkan secara mat emat is st rukt ur rangkaian dar i r angkai an oper at i onal ampl i f i er, Mampu m er ancang r angkai an oper at i onal am pl i f i er, Mampu menganal isis hasil rancangan rangkaian operat ional ampl if ier, Mampu mengident if ikasi si st e m r an gk ai an d i n am i c an al o g, Mam p u mer ancang r angkai an di nami c anal og, Mampu merancang rangkaian CMOS, Mampu menganalisis rancangan rangkaian CMOS, dan Mampu merancang ampl if ier, dif erensial ampl if ier, OPAMP.
Silabus: pengenalan disain CMOS, Sumur, Lapisan- l api san Met al , Layer akt i f dan pol y, Resi st or,
P
R
O
G
R
A
M
S
A
R
J
A
N
A
Kapasit or, Indukt or, MOSFETs, Operasi MOSFET, Gangguan El ekt r oni k: gambar an umum, ar us
Mi r r or s, Si ngl e St age Ampl i f i er s, Di f f er ent i al Ampl i f i er s, Oper at i onal Ampl i f i er s, Dynami c Anal og Ci r cui t s, Per ancangan CMOS, Fabr i kasi
CMOS oleh Jef f Jessing, Model unt uk Perancangan rangkaian int egrasi anal og berbasis CMOS. Prasyarat: Rangkaian El ekt ronika. Buku Aj ar:
R. Jacob Baker, “ CMOS: Circuit Design, Lay- 1.
out , and Simulat ion, ” John Wiley & Sons, Inc. Second Edit ion. 2005.
Paul R. Gray, Paul J. Hurst , St ephen H. Lewis, 2.
and Robert J. Meyer, “ Anal ysis and Design of Anal og Int egrat ed Circuit s, ” McGraw Hil l , 2001.
ENEE600302
TEKNOLOGI PROSES DAN PRAKTIKUM 3 SKS
Tuj uan Pembelaj aran: Mampu mengident if ikasi t eknik-t eknik f abrikasi IC, dan Mampu merancang IC dengan menggunakan t eknik dif usi, sput t ering, l i t o gr af i , d an p r o se s e t c h i n g. Pr ak t i k u m : memberikan pengalaman dan menambah keahlian pada pembuat an peral at an el ekt ronik khususnya yang berbahan sil ica.
Silabus: IC Lab–Over vi ew, Di f f usi on, Impl ant a- t i on, CVD, Sput t er i ng, Evapor at i on, Li t hogr aphy, Sof t Li t hogr aphy, Et chi ng. Prakt ikum: Sof t ware
yang digunakan t erdiri dari Aut ocad, BICD, dan Supr eme. Tahapan f abr i kasi : pember si han wa- f er, pr oses oksi dasi , et chi ng, deposi t i on, dan met al i sasi .
Prasyarat: Divais El ekt ronika. Buku Aj ar:
Pet er Van Zant , “ Microchip Fabricat ion, ” 5
1. t h
Edit ion, Int ernat ional Edit ion, McGraw-Hil l , 2000.
Pl ummer, James, Michael Deal , and Pet er 2.
Grifin, “Silicon VLSI Technology: Funda-
ment al s, Pr act i ce, and Model i ng, ” Upper Saddl e River, NJ: Prent ice Hal l , 2000, ISBN: 9780130850379.
Modul
3. Prakt ikum Teknol ogi Proses - Labora- t orium El ekt ronika
ENEE600303
e f i si e n si c u r r e n t p h ot on q u an t u m , Mam p u menj el askan di r ect -i ndi r ect bandgap, Mampu m enj el askan st r ukt ur quant um w el l , Mam pu menj abar kan st r ukt ur pasi f f ot oni ka, Mampu menj el askan st rukt ur akt if f ot onika. Prakt ikum Pilihan: memberikan pengalaman dan pemahaman m ahasi sw a pada t eknol ogi kom uni kasi f i ber opt ics met ro dan penguat an SDFA dan peredaman
noi se.
Silabus: Int eraksi f ot on dengan elekt ron dan hole, Phot o current conduct ivit y, Absorbt ion and emis-
sion rate, Photo current quantum eficiency, Cur-
rent photon quantum eficiency, Direct-indirect
bandgap st r uct ur e, Quant um w el l st r uct ur e, St rukt ur pasif f ot onika: dif rakt if opt ik, ref raksi, polarisasi, cermin, st rukt ur resonat or, waveguide, St rukt ur akt if f ot onika: det ekt or dan modul at or, sensor f ot onika. Prakt ikum Pil ihan: Eksperimen
komunikasi iber optik metro dupl ex, dan eksperi-
men EDFA dan peredaman noi se. Prasyarat: Tidak ada.
Buku Aj ar:
B. E. A. Sal eh and M. C. Teich, “ Fundament al s 1.
of Phot onics, ” New York, NY: John Wil ey and Sons, 1991. ISBN: 0471839655.
D. Grifiths, “Introduction to Quantum Me-
2.
chanics, ” Second Edit ion, Upper Saddle River, NJ: Prent ice Hal l , 1995, ISBN: 0131118927. Modul Pr akt i kum Pi l i han - Labor at or i um 3.
El ekt ronika ENEE600304 VLSI 3 SKS
Tuj uan Pembelaj aran: Mampu mengidentiikasi at uran perancangan sesuai dengan karakt erist ik t e k n o l o g i p r o se s p a d a CMOS, Ma m p u m engi d ent i f i k asi si st em asi nk r onous d al am rangkaian CMOS, Mampu merancang rangkaian di gi t al menggunakan ger bang l ogi ka, Inver t er, NAND dan NOR, Mampu mer ancang r angkai an i n t e gr asi d i gi t al d al am d e sai n f u l l - c u st om m a u p u n se m i - c u st o m , Ma m p u m e r a n c a n g r angkai an pr ogr ammabl e l ogi c ar r ay, Mampu m e n gi d e n t i f i k asi su b sy st e m CMOS, Mam p u merancang opt imisasi desain rangkaian int egrasi digit al berdasarkan paramet er: l uas area, power
maupun delay, Mampu mengidentiikasi struktur
P
R
O
G
R
A
M
S
A
R
J
A
N
A
188
kesal ahan dan desain penget esan, Pengkodean unt uk si nt esi s, Per ki r aan kar akt er i st i k dan ki - nerj a rangkaian, Opt imisasi desain l evel t inggi, Pr ogr ammabl e l ogi c ar r ay, Desi gn subsyst em CMOS, Propert ies of Logic: Area, Power, Del ay, Opt imisasi wakt u, Mesin sekuensial , dan St rukt ur VLSI regul ar.
Prasyarat : Pengant ar Sist em Dij it al , Rangkaian El ekt ronika.
Buku Aj ar:
N. Weist e & Kamran Eshraghian, “ Principl es of CMOS VLSI Design: A perspect ive, ” Second Edit ion, Addison Wesl ey 2002.
ENEE600305
DASAR NANOELEKTRONIKA 3 SKS
Tuj uan Pembelaj aran: Mampu mengidentiikasi st rukt ur smal l MOSFETs, Mampu menj abarkan t urunan mat emat is st rukt ur smal l MOSFETs,
Mampu menjabarkan secara matematis dan isik
pengaruh direct source drain t unnel ing dal am
struktur MOSFETs, Mampu mengidentiikasi struktur nano silikon, Mampu mengidentiikasi
divais berst rukt ur nano, Mampu merancang st rukt ur nano sil ikon
Silabus: Smal l MOSFETs, The Scal ing Limit of MOSFETs due t o Direct Source-Drain Tunnel ing, EJ-MOSFETs, Quant um Ef f ect s in Sil icon Nano- devices, Bal l ist ic Transport in sil icon Nanost ruc- t ures, Resonant Tunnel ing in Si Nanodevices, Sil icon Singl e-El ect ron Transist or and Memory, Sil icon Memories Using Quant um and Singl e- El ect ron Ef f ect s, Few El ect ron Devices and Memory Circuit s, Singl e-El ect ron Logic Devices. Prasyarat: Divais El ekt ronika.
Buku Aj ar:
Shunri Oda and David Ferry, “ Sil icon Nano- 1.
el ect ronics, ” Tayl or & Francis Group, LLC, 2006.
Massi mi l i ono Di vent r a, St ephane Evoy & 2.
James R. Helinds, “Introduction to Nano-
scal e Science and Technol ogy.
ENEE600306 SEL SURYA 3 SKS
Tuj uan Pembelaj aran: Mampu mengidentiikasi karakt erist ik gelombang cahaya mat ahari, Mampu
menghitung parameter batas eisiensi, rugi-rugi
daya dal am sebuah rancangan divais sel surya, Mam pu m engi dent i f i kasi daer ah ker j a suat u divais sel surya, Mampu merancang desain sol ar sel sil ikon, dan Mampu merancang f abrikasi sol ar sel sil ikon.
Silabus: Properties of Sunlight, Eficiency Limits, Losses, and Measurement , Sol ar cel l Operat ion, Design of Sil icon Sol ar Cel l s, dan Fabrikasi Sil ikon Sol ar Sel .
Prasyarat: Rangkaian El ekt ronika. Buku Aj ar:
Mar t en A. Gr een, “ Sol ar Cel l s oper at i ng pr i n- ci pl es, t echnol ogy and syst em appl i cat i ons, ” UNSW, 1998.
ENEE600307
MEMS DAN MIKROSENSOR 3 SKS
Tuj uan Pembelaj aran: Mampu memahami per- kembangan t eknol ogi mikroel ekt ronika hingga MEMS, Mampu memahami proses f abrikasi MEMS dan Mikrosensor, Mampu memahami unj uk kerj a mikrosensor dan devais cerdas.
Silabus: Lat ar bel akang perkembangan MEMS, bahan-bahan el ekt ronika dan pemrosesannya, bahan-bahan MEMS dan persiapannya, t eknol ogi mikroel ekt ronika st andar, buk sil icon microma- chining, surf ace sil icon micromachining, mikros-
tereolithograi MEMS, mikrosensor, devais SAW,
SAW pada benda padat , pengukuran paramet er mikrosensor IDT, Fabrikasi mikrosensor IDT, Mikrosensor IDT, smart sensor dan MEMS. Prasyarat: Rangkaian El ekt ronika. Buku Aj ar:
Nadim Mal uf & Kirt Wil l iam, “ An Int roduc- 1.
t i on t o Mi cr oel ect r om echani cal Syst em s Engineering, Second Edit ion, Art ech House Inc, 685 Cant on St reet Norwrod, MA02062, USA, 2004
Mohamed Gad El Hak, MEMS Handbook, CRC 2.
Press LLC, 222 Rosewood Drive - Denvers, MA01423, USA, 2004
ENEE601308
REKAYASA OPTIK DAN PRAKTIKUM 3 SKS
Tuj uan Pe mbe l aj aran: m em b er i k an d asar anal isis dan disain baik unt uk peral at an maupun pengukur an opt oel ekt r ot ekni ka. Pr akt i kum : memberikan pengenalan f enomena opt ikan dasar dan karakt erist ik serat opt ik.
Silabus: Prinsip umum opt ik, f enomena opt ik, laser, serat opt ik dan cont oh-cont oh apl ikasinya pada pengukur an. Pr akt i kum: di f r aksi , i nt er f er ensi ,
sifat-sifat laser dan iber optik.
Prasyarat: Tidak ada. Buku Aj ar:
Wa r r e n J . Sm i t h , “ Mo d e r n Op t i c a l 1.
Engi neer i ng, ” McGr aw - Hi l l Pr of essi onal ; 4 edi t i on ( Decem ber 4, 2007) , ISBN- 10: 0071476873, ISBN-13: 978-0071476874.
P
R
O
G
R
A
M
S
A
R
J
A
N
A
Eugene Hecht , “ Opt i cs, ” Addi son Wesl ey; 2. 4 e d i t i on ( Au gu st 12, 2001) , ISBN- 10: 0805385665, ISBN-13: 978-0805385663. Mo d u l Pr a k t i k u m Re k a y a sa Op t i k - 3.
Laborat orium El ekt ronika. ENEE601309
PERANCANGAN RFIC 3 SKS
Tuj uan Pembelaj aran: Mampu merancang sist em t ransceiver sederhana dengan t eknol ogi f abrikasi st andar MOSFET.
Silabus: Modul at ion and Det ect ion, Mul t ipl e Access Techniques and Wirel ess St andards,
Transceiver Architectures, Low-Noise Ampliiers and Mixers, Oscillators, Frequency Synthezisers, Power Ampliiers.
Prasyarat: Rangkaian El ekt ronika, Al gorit ma dan Pemrograman, Teknik Tel ekomunikasi.
Buku Aj ar:
Behzad Razavi, “ RF Microel ect ronics, ” Prent ice Hal l ; 2 edi t i on ( Oct ober 2, 2011) , ISBN- 10: 0137134738, ISBN-13: 978-0137134731.