PECVD SISTEM PERMASALAHAN DAN PENYELESAINNYA
Rizky Mayang Dessyntya(1), Eddy Yahya(2)Program Studi Sarjana Fisika, Institut Teknologi Sepuluh Nopember, Surabaya, Indonesia(1) Dosen Fisika, Institut Teknologi Sepuluh Nopember, Surabaya, Indonesia(2)
Abstrak
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) merupakan teknik penumbuhan film lapisan tipis menggunakan reaksi kimiawi pada saat pendeposisian dan merupakan pengembangan dari teknik sebelumnya, yakni CVD. Rangka PECVD terdiri dari komponen-komponen yang saling bertautan. Permasalahan pada PECVD yang terjadi di laboratorium sel surya adalah tidak munculnya plasma karena ruang chamber yang kotor dan nilai daya RF reflected yang besar, tekanan pada chamber 3 yang terlalu tinggi dan putaran turbo pump chamber 4 yang kecil. Penyelesaian untuk masing-masing masalah adalah pembersihan chamber, pengecekan daya yang masuk pada daya RF reflected, pengencangan baut pada chambar 3 dan pemeriksaan kabel untuk masalah yang ada pada chamber 4 serta penggantian kabel daya agar daya yang hilang dapat dikembalikan.
Kata kunci : rangka PECVD, permasalahan pada PECVD, penyelesaian masalah PECVD.
1. Pendahuluan
Teknik deposisi merupakan salah satu cara populer untuk membuat a-Si:H yang bertujuan untuk menghasilkan bahan dengan sifat optolistrik yang baik dan celah pita optik yang lebih tinggi. Teknik deposisi yang
mengalami banyak perkembangan adalah
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
(PECVD). PECVD merupakan pengembangan dari teknik deposisi sebelumnya yakni Chemical
Vapor Deposition (CVD). Klasifikasi PVD lebih
dahulu dikenal oleh para peneliti seperti
sputtering, electron beam dan evaporasi.
Chemical vapor deposition (CVD) adalah proses kimia yang dapat digunakan untuk memproduksi kemurnian bahan yang tinggi. Proses ini biasa digunakan dalam industri semikonduktor untuk memproduksi film lapisan tipis. Pada proses CVD, substrat terkena bahan
yang mudah menguap dan bereaksi di
permukaan substrat untuk menghasilkan lapisan tipis yang diinginkan.
Proses terjadinya film lapisan tipis dengan teknik CVD (Gambar 1.1) dapat dijelaskan secara sederhana sebagai berikut :
1. Gas prekursor masuk melalui
chamber.
2. Gas prekursor melewati lapisan batas.
3. Penyerapan gas prekursor di permukaan substrat.
4. Terjadi reaksi kimia di
permukaan substrat.
5. Gas produk yang tidak dipakai tidak diserap di permukaan substrat.
6. Gas tersebut akan mengalir keluar chamber.
Gambar 1.1 Proses deposisi film lapisan tipis (Hugo O Pierson, 1999).
Plasma enhanced chemical vapor deposition
(PECVD) merupakan pengembangan dari teknik CVD. Teknik ini pertama kali dikembangkan pada tahun 1960 untuk semikonduktor terutama silikon nitrida. Teknik ini menggunakan plasma
untuk proses deposisinya. Jika gas diatomik (hirogen) dipanaskan pada suhu tertentu maka semua molekul akan terurai menjadi atom-atom (H2 2H) dan terionisasi membentuk plasma. PECVD digunakan untuk fabrikasi film lapisan tipis silikon amorf dan film lapisan karbon. Saat
ini PECVD banyak digunakan dalam
pembentukan sel surya silikon amorf, nitrida dan isolator oksida. Gambar 1.2 menunjukkan 5 komponen utama pada PECVD (Jef Poortmans dan Vladimir Arkhipov, 1988), yaitu :
a) Chamber reaksi yang memiliki tingkat kevakuman tinggi dan terbuat dari
stainless steel serta adanya elektroda
paralel, daya rf feedthrough, tempat untuk substrat dan pemanas yang digabungkan.
b) Sistem gas, terdapat pengatur aliran gas dan katup-katup gas untuk mengatur gas yang mengalir pada proses deposisi. c) Sistem pompa, terdapat pompa turbo
dan pompa rotari yang berfungsi untuk kevakuman chamber.
d) Sistem pembuangan gas.
e) Kontrol elektronik yang terdiri dari kontrol daya RF, kontrol tekanan dan pengaturan suhu.
Plasma didefinisikan sebagai gas-gas yang terionisasi yang kuasinetral yaitu adanya peristiwa hilangnya muatan pada plasma secara cepat dari partikel yang bermuatan dan pertikel
yang netral. Adanya keadaan kuasinetral
menyebabkan plasma tidak bermuatan. Plasma diketahui memiliki konduktivitas listrik yang tinggi yang membuat medan listrik pada plasma kecil.
Gambar 1.2 PECVD (Jef Portman, Vladimir Arkhipov, 2006).
Silikon amorf merupakan bentuk non kristal silikon dimana memiliki keteraturan pendek. Berbeda dengan silikon kristal yang keteraturannya panjang. Pada silikon amorf terdapat dangling bond, munculnya dangling
bond akibat dari tidak semua atom silikon amorf
berikatan dengan tetangga terdekatnya. Adanya dangling bond mengakibatkan atom silikon dapat berikatan dengan atom lain, yakni hidrogen, yang dinamakan silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H).
Metode deposisi yang digunakan untuk menghasilkan film lapisan tipis a-Si:H adalah
PECVD. Gas SiH4 dan gas H2 untuk
semikonduktor intrinsik dialirkan melalui
chamber untuk mendeposisi silikon. Gas-gas
tersebut akan terdisosiasi membentuk plasma yang berwarna ungu dan plasma berperan sebagai sumber energi pada proses deposisi. Proses deposisi dapat dijelaskan dengan empat langkah berikut (Gambar 1.3):
1. Reaksi primer yakni gas silan dan
gas hidrogen terdisosiasi
menghasilkan radikal netral, ion positif dan negatif serta elektron, terjadilah plasma.
2. Reaksi sekunder yakni terjadi reaksi radikal netral yang berdifusi dalam subtrat, ion positif menuju katoda dan ion negative menuju anoda.
3. Terjadi reaksi di permukaan
substrat.
4. Penyusunan subpermukaan dan
terjadi relaksasi struktur jaringan silikon.
1.3 Proses deposisi dengan PECVD (Mistuharu Komuna, 1991).
Eddy yahya, 2009 mengatakan bahwa pertumbuhan lapisan tipis a-Si:H dicapai oleh bergabungnya partikel-partikel radikal hasil disosiasi molekul-molekul silan pada permukaan lapisan tipis yang sedang ditumbuhkan, sebagian dari energi yang diberikan pada
molekul-molekul silan oleh tumbukan elektron dilepas sebagi energi tampak (glow discharge
Eddy Yahya, 2009 : Ion
tumbukan gas silan dengan elektron dalam plasma adalah tidak stabil dan ion silan terdisosiasi. Reaksi yang terjadi adalah :
e + SiH4 SiH+4 + e + e SiH3
atau
e + SiH4 SiH2+ H2+ 2
Pada hasil deposisi akan tampak lapisan berwarna coklat. Jika warna coklat merata d seluruh permukaan (Gambar 1.4
tersebut banyak mengandung SiH
lapisan tersebut lapisan yang bermutu tinggi.
SiH3 membentur permukaan kemudian
mengubahnya menjasi permukaan yang pasif
dan menghaluskan permukaan dan
menghasilkan lapisan yang halus dan memiliki mutu tinggi (Eddy Yahya, 2009).
Gambar 1.4 Hasil deposisi bermutu t Jika hasil deposisi terdapat binti
atau retak (Gambar 1.5) menandakan bahwa lapisan tersebut banyak mengandung SiH Lapisan tersebut merupakan lapisan yang memiliki mutu yang rendah. Hal ini disebabkan laju hidrogen yang terlalu pada saat
deposisi yakni berkisar 60-70 sccm dan karena substrat yang masih kotor (debu,
sehingga pada saat proses deposisi plasma tidak dapat melapisi substrat.
Gambar 1.5 Hasil deposisi mutu rendah karena adanya bintik-bintik di permukaan
molekul silan oleh tumbukan elektron dilepas
glow discharge).
Eddy Yahya, 2009 : Ion-ion SiH+4 hasil
tumbukan gas silan dengan elektron dalam plasma adalah tidak stabil dan ion silan terdisosiasi. Reaksi yang terjadi adalah :
3+ H + e
Pada hasil deposisi akan tampak lapisan berwarna coklat. Jika warna coklat merata di 4), maka lapisan
tersebut banyak mengandung SiH3 yang berarti
sebut lapisan yang bermutu tinggi.
membentur permukaan kemudian
mengubahnya menjasi permukaan yang pasif
dan menghaluskan permukaan dan
menghasilkan lapisan yang halus dan memiliki mutu tinggi (Eddy Yahya, 2009).
Hasil deposisi bermutu tinggi. Jika hasil deposisi terdapat bintik-bintik
) menandakan bahwa lapisan tersebut banyak mengandung SiH2. Lapisan tersebut merupakan lapisan yang memiliki mutu yang rendah. Hal ini disebabkan laju hidrogen yang terlalu pada saat proses 70 sccm dan karena substrat yang masih kotor (debu, fingerprints) sehingga pada saat proses deposisi plasma tidak
Hasil deposisi mutu rendah karena bintik di permukaan substrat.
2. Komponen-Komponen PECVD
PECVD terdiri dari
komponen yang tergabung dalam satu kerangka. Komponen-komponen tersebut adalah :
1. ITZ (Isolation and Transfer Zone
chamber termasuk lengan robotik
dengan vakum kompatibel beserta wadah khusus untuk substrat yang berfungsi sebagai pembawa substrat
menuju MPZ dan mengambil
substrat dari MPZ.
2. MPZ#1, #2 merupakan pusat
pemrosesan PECVD berupa
chamber-chamber
satu sama lain. Disini terjadi proses deposisi film lapisan tipis. Terdiri
dari 2 ruang
(Modular Process Zone
electrode, substrat rail system
gate valve.
3. Entry port, merupakan pintu masuk dan keluar substrat.
4. Pemisah sistem pemompaan vakum yang meliputi untuk MPZ#1, #2 dan ITZ. Setiap
MPZ memiliki
untuk pengatur tekanan
downstream
5. Manipol gas proses untuk MPZ #1, #2 termasuk total dari 7 pengendali aliran massa gas.
Gaugling, controller elektronic, controller valve
RF-saklar pemili
Gambar 2.1 PECVD tampak samping (Manual book MV system, 2000).
Selain tergabung dalam satu rangka seperti yang tampak pada Gambar komponen-komponen lain selain yang telah
Komponen PECVD
PECVD terdiri dari beberapa macam komponen yang tergabung dalam satu kerangka.
komponen tersebut adalah :
Isolation and Transfer Zone)
termasuk lengan robotik dengan vakum kompatibel beserta wadah khusus untuk substrat yang berfungsi sebagai pembawa substrat
menuju MPZ dan mengambil
substrat dari MPZ.
MPZ#1, #2 merupakan pusat
pemrosesan PECVD berupa
chamber yang terpisah sama lain. Disini terjadi proses deposisi film lapisan tipis. Terdiri
dari 2 ruang chamber MPZ
Modular Process Zone) termasuk rf
, substrat heater, transfer (track) dan dua transfer , merupakan pintu masuk luar substrat.
Pemisah sistem pemompaan vakum yang meliputi untuk MPZ#1, #2 dan ITZ. Setiap chamber pemrosesan MPZ memiliki throtting gate valve
untuk pengatur tekanan
downstream.
Manipol gas proses untuk MPZ #1, #2 termasuk total dari 7 pengendali
massa gas.
Gaugling, controller elektronic,
dan satu rf-suplai daya, ih.
PECVD tampak samping (Manual book MV system, 2000).
Selain tergabung dalam satu rangka eperti yang tampak pada Gambar 2.1, komponen lain selain yang telah
disebutkan di atas ada pompa turbo molukelar pendingin air dan pompa rotary vane yang berada pada bagian ventilasi di dalam kerangka.
Manifold gas berada pada bagian belakang
rangka. Kontrol elektronik diletakkan pada
bagian muka dari kerangka. Sistem ini
membutuhkan pasokan gas-gas yang dibuthkan
untuk proses deposisi
serta sistem penanganan limbah yang benar
untuk membuang gas sisa hasil deposisi.
ITZ chamber terdiri dari penahan dengan 8 metal sealed CF dan port OD flens yang semuanya dihubungkan ke MPZ dan port entry. ITZ merupakan pusat komponen dari PECVD. Lengan robotik terletak di pusat papan bawah ITZ. Gerakan pada lengan robotik berupa gerakan linear dan rotasional yang kesemuanya dikendalikan oleh komputer. Lengan robotik berfungsi untuk membawa substrat dari pintu masuk ke dalam MPZ dan untuk mengambil substrat dari MPZ. Pada layar monitor komputer dapat terlihat posisi lengan robotik serta substrat. Bentuk lengan robotik sama seperti lengan manusia yang terdiri atas bahu, siku dan pergelangan tangan yang membuat lengan robotik dapat berputar 360°.
Pada saat substrat sudah berada dalam MPZ lengan akan kembali ke posisi semula yaitu berada di tengah ITZ. Pada ujung lengan robotik (pergelangan tangan) terdapat wadah berbentuk kotak berukuran 10cm x 10cm berbahan aluminium untuk meletakkan substrat dapat dilihat pada Gambar 2.2.
(a)
(b)
Gambar 2.2 (a) Lengan robotik (Manual book MV system, 2000), (b) Lengan robotik dengan substrat (Manual book MV system, 2000).
Program komputer yang sudah diinstal membuat lengan robotik dapat dikontrol melalui komputer secara langsung tampak pada Gambar 2.3. Pada layar komputer dapat dilihat posisi lengan robotik serta posisi substrat dalam sistem
Gambar 2.3 Tampilan kontrol lengan robotik dari layar komputer (Manual book MV system, 2000).
Pada chamber MPZ terdapat tujuh ruangan chamber dan yang digunakan saat ini di laboratorium sel surya ada 2 ruang chamber
(Gambar 2.4). Masing-masing chamber
memiliki fungsi yang sama yakni tempat terjadinya proses deposisi film lapisan tipis dengan cara menumbuhkan plasma. MPZ #1 (PL 4) digunakan untuk proses deposisi film lapisan tipis tipe i (intrinsik) sedangkan MPZ #2 (PL 3) digunakan untuk proses deposisi film lapisan tipis tipe n dan tipe p (ekstrinsik).
Gambar 2.4 MPZ#1, MPZ#2.
Elektroda adalah konduktor yang
digunakan untuk bersentuhan dengan media non-logam (dalam PECVD merupakan sebuah
kaca) dari sebuah sirkuit, misalnya
semikonduktor, elektrolit, vakum. Elektroda berada dalam MPZ yang terlihat pada Gambar 2.5, berfungsi sebagai tempat terbentuknya plasma.
Gambar 2.5 Bagian elektroda RF
Pada setiap MPZ terdapat lintasan yang berfungsi sebagai jalur untuk substrat melewati elektroda rf. Lintasan harus dalam keadaan lurus pada saat pemasangan, karena hal ini akan membuat lengan robotik akan bergerak secara simetri pada saat peletakkan substrat saat melewati elektroda rf.
Di depan ITZ terdapat pintu masuk untuk tempat substrat keluar masuk yang dapat dilihat pada Gambar 2.6. Untuk membuka pintu ini keadaan dalam ITZ harus dalam tekanan udara
bebas sekitar 300 Torr dengan cara
mengaktifkan gas N2untuk membuang gas.
Gambar 2.6 Entry port pada PECVD (Manual book MV system, 2000).
MPZ Chambers: Setiap pemrosesan pada chamber MPZ #1 dan #2 mempunyai saluran
pompa masing-masing yang terdiri dari pompa turbo molukelar tahan korosi (dengan kapasitas 250 liter/detik) dan pompa rotari vane (Leybold D-16B).
ITZ : Terdapat pompa rotari vane (Leybold
D-16B) dan melewati saringan molekular.
Throttle vane : 3 buah MKS throttle vane yang
dipasang pada exhaust MPZ yang berguna untuk menghasilkan aliran kontrol tekanan gas.
The exhaust connections : Dihubungkan dari
pompa rotari vane di MPZ dengan an effluent
handling system. Sedangkan pompa rotari vane
di ITZ tidak dihubungkan dengan an effluent
handling system karena akan mengandung gas
oksidasi lain yang tidak diinginkan.
Pada manifold gas digunakan komponen standar pelapis VCR agar tidak terjadi kebocoran gas. Setelah pemasangan manifold gas, maka yang perlu dilakukan selanjutnya adalah tes kebocoran terhadap manifold gas tersebut.
Kontrol elektronik pada PECVD dapat dilihat dari Gambar 2.7 di bawah ini. Valve gate antara ITZ dengan MPZ dioperasikan secara
pneumatik dengan perbedaan tekanan
maksimum untuk membuka valve gate adalah 30 mbar. Jika tekanan dalam chamber MPZ terlalu tinggi maka gas proses tidak dapat mengalir dan
tombol stop emergency akan diaktifkan
mengakibatkan gas proses tidak diperbolehkan mengalir ke dalam MPZ. Saklar pembatas pada lengan robotik pengangkut substrat akan mengiterupsi gerakan jika perpanjangan lengan robotik atau putaran pada lengan robotik melebihi batasan yang diijinkan.
Gambar 2.7 Instrumentasi elektronik(Manual book MV system, 2000).
3. Analisa dan Pembahasan
Waktu terjadinya deposisi dapat dimulai jika terbentuk plasma dalam chamber. Tanda munculnya plasma dapat dilihat dari adanya wana ungu yang timbul dalam chamber saat kita memulai deposisi seperti tampak pada Gambar 3.1. Perubahan warna tersebut dapat dilihat melalui lubang khusus yang terletak di samping tiap chamber seperti pada Gambar 3.2. Faktor-faktor yang mempengaruhi munculnya plasma adalah daya radio frekuensi (RF power), temperatur dalam chamber, tekanan gas, laju aliran gas, kevakuman chamber, dan kebersihan dalam chamber.
Gambar 4.1 Warna ungu tanda munculnya plasma.
Gambar 3.2 Tempat melihat munculnya plasma. Masalah awal yang terjadi pada reaktor PECVD adalah tidak adanya plasma. Dari hipotesis awal diketahui bahwa reaktor dalam
chamber yang kotor sehingga plasma tidak dapat
muncul. Reaktor pada chamber yang kotor
dikarenakan terdapat endapan hasil dari
deposisi. Jadi, pada saat kita akan membuat lapisan tipis dinding-dinding pada reaktor dalam
chamber akan tertempel endapan. Film tipis
yang dibuat merupakan silikon amorf
terhidrogenasi (a-Si:H), sehingga pada saat akan pembentukan lapisan tipis substrat dipanaskan dengan cara mengatur suhu yang sesuai agar lebih panas dibanding dinding-dinding reaktor. Cara demikian juga berfungsi untuk membuat lapisan tipis dapat tumbuh di atas substrat. Panas pada substrat yang konstan membuat dinding-dinding reaktor akan ikut menyesuaikan panas tersebut pada akhirnya membuat lapisan tipis yang berupa endapan ikut menempel di dinding-dinding reaktor.
Cara yang paling sering dilakukan
adalah membongkar reaktor untuk
membersihkan endapan yang terbentuk di
dinding reaktor. Langkah-langkah
pembongkaran reaktor dalam chamber adalah sebagai berikut :
1. Gate valve antara reaktor MPZ dengan ITZ dibuka dan dialiri gas nitrogen untuk mencapai tekanan
atmosfer, agar chamber dapat
dibongkar.
2. Membersihkan anoda, katoda,
dinding reaktor dan filamen ion
gauge-nya.
3. Proses pembersihan menggunakan alkohol, aseton dan kertas amplas.
4. Alkohol yang dipakai adalah
alkohol dengan kadar 90%. Kertas amplas digunakan dari mesh 200
hingga 800, digunakan untuk
menggosok endapan pada chamber dan komponennya. Dapat dilihat pada Gambar 4.4. Selain alkohol, aseton dan kertas amplas dibutuhkan sarung tangan dan masker yang berfungsi untuk melindungi tubuh dari serpihan debu endapan dan menjaga kebersihan chamber dan
komponennya dari sidik jadi.
Penggunaan alkohol serta aseton karena cairan ini merupakan cairan pelarut organik sehingga lemak tangan (finger print) dapat terhapus. Lagipula alkohol dan aseton mudah menguap dan memercepat proses pembersihan.
5. Setelah bersih susun kembali
komponen-komponen yang telah dibongkar.
6. Aliri gas nitrogen untuk membilas dan membersihkan komponen dari debu dan sidik jadi yang mungkin melekat.
Setelah pembersihan dilakukan maka seharusnya muncul plasma, akan tetapi plasma masih juga tidak muncul.
Penyebab lain plasma tidak terbentuk karena besarnya daya RF reflected pada tiap reaktor MPZ. Gambar 3.3 dapat dilihat bahwa daya RF terbagi menjadi beberapa bagian, yakni RF incident, reflected, output set, load dan tune yang masing-masing memiliki fungsi. RF
incident berfungsi untuk membaca daya yang
diberikan di chamber, sedangkanRF reflected berfungsi untuk membaca daya yang terpantul karena besarnya daya yang diberikan tidak semuanya masuk ke dalam chamber tetapi ada yang terpantul, output set untuk mengatur daya keluaran, load merupakan perintah bagi daya RF untuk mengirim daya ke chamber dan tune untuk mengatur secara manual besarnya daya yang dibangkitkan oleh RF dengan besarnya daya sesuai keinginan.
Gambar 3.3 Kontrol daya RF
Nilai daya RF reflected yang terlalu besar, menyebabkan daya yang terpantul besar sehingga daya yang benar-benar ada dalam
chamber menjadi kecil. Sebaiknya besarnya
daya yang terpantul hanya 10% dari daya yang diberikan, maka penyelesaiannya dari besarnya daya RF reflected adalah kabel daya RF
dibersihkan sampai jalur masuk daya
(feedthrough pada pipa bengkok di bawah chamber). Cara terakhir adalah memberikan daya tinggi di atas 50 watt dan tekanan gas yang tinggi yakni ~2 Torr.
Putaran pompa turbo pada tiap MPZ adalah 56 KPRM akan tetapi pada chamber 3 putaran pompa turbo hanya 3 KRPM seperti yang terlihat pada Gambar 3.4.
Gambar 3.4 Putaran pompa turbo pada chamber 3 yang hanya 3 KRPM.
Besarnya daya yang dibutuhkan
normalya adalah 28 watt sedangkan pada
chamber 3 hanya sebesar 9 watt (Gambar 3.5).
Gambar 3.5 Menunjukkan besaran daya yang
normal dan daya pada chamber 3 yang
bermasalah.
Sistem fasa listrik untuk PECVD adalah tiga fasa. Penyebab rendahnya putaran pada pompa turbo adalah kurangnya daya (10 watt) untuk menggerakkan motor. Analisanya adalah ada satu fase yang hilang sehingga daya akan berkurang Penyebab hilangnya fase ini adalah salah satu fase ada yang terbuka untuk motor, pemasangan beban pada masing-masing fase tidak seimbang dan adanya arus pendek pada
fase yang sama. Pada sistem distribusi untuk menghindari beban fase yang tidak seimbang adalah pengecekan kabel daya, jika kabel daya ada yang rusak sehingga menyebabkan daya berkurang maka penggantian kabel sebaiknya
dilakukan. Selain itu mendatangkan ahli
instrumentasi serta ahli power akan sangat
dianjurkan untuk pengecekan lebih jauh
mengenai sistem 3 fasa.
Setelah proses pembersihan dan
pemasangan chamber maka hal yang dilakukan selanjutnya adalah membilas ruang chamber
dengan mengalirkan gas nitrogen. Saat
mengalirkan gas nitrogen keadaan chamber dalam keadaan vakum. Jika kevakuman sudah didapat maka pompa turbo dimatikan dan
throttle valve otomatis akan menutup. Saat
pompa turbo dimatikan seharusnya penunjukkan
pada display akan menunjukkan tekanan
chamber konstan. Akan tetapi, yang terjadi
adalah penunjukkan pada display tidak
menunjukkan angka yang konstan (Gambar 3.7). Hal ini dapat terjadi jika masih ada kebocoran di reaktor chamber.
Gambar 3.7 Tekanan pada chamber 4. Cara yang dapat dilakukan adalah pengencangan kembali baut-baut pada chamber,
penggantian gasket tembaga yang ada di
penutup chamber (lihat Gambar 3.8).
Gambar 3.9 Gasket tembaga.
4. Kesimpulan
Kesimpulan yang didapat dari analisa permasalahan pada PECVD adalah :
1. Plasma tidak terbentuk akibat reaktor
chamber yang kotor dan besarnya daya
RF reflected.
2. Besarnya daya RF reflected
terbentuk, pengecekan sumber daya disarankan.
3. Hilangnya daya pada chamber 3 akibat adanya satu fase yang hilang maka
pengecekan kabel daya serta
penggantian kabel daya dianjurkan. 4. Tingginya tekanan pada chamber 4
karena pemasangan baut yang kurang kencang dan tidak adanya penggantian
gasket tembaga pada saat
pembongkaran, pengencangan kembali baut di chamber 4 serta penggantian gasket tembaga setiap pembongkaran sangat diperlukan.
Daftar Pustaka
Manual book MV System. 2000. MV System,
inc: USA.
Manual book MV System Hazardous gas supply cabinets. 2000. MV System, inc:
USA.
Pierson, Hugo O. 1999. Handbook of chemical
vapor deposition (CVD) principles, technology, and applications second edition. USA : William Andrew publishing, LLC.
Portman, Jef., Arkhipov, Vladimir. 2006. Thin
Film Solar Cells, Fabrication, Characterization and Application.
England : John Wiley % Sons Ltd.
Yahya, Eddy. 2009. “Plasma pada PECVD untuk deposisi silikon amorf, a-Si:H”.
Prosiding Seminar Fisika Dan Aplikasinya, Surabaya, 3 Nopember
