• Tidak ada hasil yang ditemukan

Karakterisasi Lapisan Film Tipis GaAs Yang Ditumbuhkan Dengan Metode MOCVD Di Atas Substrate Ge

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2017

Membagikan "Karakterisasi Lapisan Film Tipis GaAs Yang Ditumbuhkan Dengan Metode MOCVD Di Atas Substrate Ge"

Copied!
9
0
0

Teks penuh

Loading

Gambar

Tabel 1.1 Key issues for realizing super high-efficiency multi-junction solar cells

Referensi

Dokumen terkait

Variasi nilai parameter digunakan untuk mendapatkan hasil albumin yang optimal dari proses pengendapan yang dilakukan dalam satu tahap pada penelitian [8], berbeda

Lahan yang cocok untuk pertanian bagi para petani pioner sebagaimana dituturkan ditentukan oleh jeluk mempan (kedalaman effective ) dan bau dari tanah lapisan atas yang

 Jangan menyalakan perangkat jika kabel steker atau bagian perangkat lainnya seperti selang bertekanan tinggi, pistol penyemprot, atau peralatan keamanan lainnya dalam

Pluit Jakarta Jl.Pluit Kencana Raya No.59 Jakarta Utara 14450 (021) 6667 5050(hunting) (021)6667 5051 Bandung

pendapatan kotor Indomaret, dengan mengambil keuntungan 7.5% dari Harga.. Pokok Pembelian dan pendapatan kotor mengalami kenaikkan 10%

Metode pendekatan yang ditawarkan untuk menyelesaikan persoalan partisipasi masyarakat dalam membangun desa agar tercipta kader-kader desa yang memiliki pengetahuan,

150 Dari penelitian menggunakan GUI Matlab diatas dapat dilihat dalam mengklasifikasikan status gizi ibu hamil untuk mengidentifikasi status bayi yang dilahirkan menghasilkan akurasi

Hasil analisis mengenai ibu-ibu di wilayah X menunjuk- kan bahwa ibu-ibu yang anaknya memiliki riwayat diare tiga bulan terakhir menunjukkan tingkat self-efficacy tinggi