PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TIT~IUM NITRIDA DENGAN MENGGUNAKAN METODA DC SPUTTERING

(1)

Prosiding Pertemuan dan Presentasi I/miah

P3TM-BATAN. Yogyakarta 14 -15 Juti 1999 Buku I ₄₇

PEMBUATAN

LAPISAN

TIPIS

TIT~IUM

NITRIDA

DENGAN MENGGUNAKAN METODA DC SPUTTERING

Sigit Hariyanto, Sudjatmoko, Anwar Budianto, Subarkah

P3TM-Batan, Kotak Pos 1008, Yogyakarta 55010

ABSTRAK

PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TITANIUM NITR/DA DENGAN MENGGUNAKAN METODA DC SPUTTERING. Telah dilakukan proses pembuatan ./apisan tipis Titanium Nitrida dengan menggunakan metoda dc sputtering. Target Titanium murni diletakkan pada katoda, sedangkan substrat diletakkan pada anoda.Proses sputtering terjadi pada target setelah timbul lucutan pijar antara katoda-anoda,tegangan 3,5 V Kj;': arus 30 mA Perbandingan campuran gas Ar dan N 2 divariasi antara 140 ..20 sampai dengan 140 ..120, tekanan pada tabung plasma 12 10-2 Torr. Dari hasil pengujian XRD menunjukkan bahwa pada cuplikan stainlesstel terdapat tiga puncak intensitas difraksi yang muncul. Dua puncak merupakan latar dari substratnya, sedangkan satu puncak merupakan difraksi lapisan tipis Titanium Nitrida pada jarak bidang 1,1393 A. Pengujian kekerasan menunjukkan pada kamposisi campuran Ar dan N 2 dengan perbandingan 140 ..60 kekersan baja 410 KHN, sedangkan kekerasan Stain/esstel 335 KHN pada perbandingan Ar/N 2 40 .. 80. Untuk pengujian kekerasan pada berbagai perubahan suhu substrat, kekerasan optimum pada baja adalah 495 KHN dan kekerasan stain/esstel adalah 390 KHN pada suhu substrat sekitar 350"C. Pengamatan mikrqskop elektron dengan perbesaran 2000 kali menunjukkan bahwa pada posisi yang berbeda ketebalan Japisan tipis Titanium Nitrida sekitar 1,6 JJm.

ABSTRACT

TITANIUM NITRIDE THIN FILM DEPOSITION BY DC SPUTTERING METODE. Titanium nitride thin film deposition have been done by dc sputtering metode. The pure titanium target was placed on the cathode, and the substrate was placed on the anode. The sputtering process appeared on the target, when there were glow discharge between cathode-anode, the voltage was 3.5 kV; the current was 30 mA. The ratio

of gas mixture of Ar and N 2 were varied between 140 : 120 until 140 : 120. The pressure of the plasma tube was 12 10-2 torr. The result of XRD testing showed that there were three peaks of diffraction intensity of V stainless steel substrate. Two of three peaks were background of the substrate, while the other was diffraction of titanium nitride at the plane distance of 1.1349 A. The hardness testing showed that the ratio ,~

of Ar/N2 = 140/60 have hardness 410 KHN for steel, then the hardness of stainless steel was 335 KHN at the ratio of Ar/N2 = 140 /80. The hardness testing of the substrate at various temperature showed optimum hardness of steel 495 KHN and stainless steel hardness at 390 KHN at the temperature substrate 350"C. The observation of electron microscope of 2000 magnification showed that the thickness of titanium nitride thin film was 1.6.urn at difference position.

PENDAHULUAN

D ewasa ini pemakaian bahan lapisan tipis telah menjangkau hampir pada semua bidang disiplin ilmu daD semakin banyak dilakukan. Di bidang mekanika dimanfaatkan untuk membuat suatu lapisan tipis yang mempunyai sifat keras dipakai sebagai pelindung serta mempunyai daya tahan keausan daD tahan korosi. Dalam bidang elektronika, lapisan tipis untuk piranti elektronik, dielektrik, bahan pizoelektrik daD gel surya serta banyak pemakaian lainnya.

Ada beberapa cara untuk menghasilkan deposisi lapisan tipis, pada prinsipnya dengan proses PVD (physical vapor deposition) dan proses CVD (chemical vapor deposition). Proses PVD dapat dibagi menjadi dua katagori, yaitu pepenguaapan panas daD proses sputtering. Pada proses penguaPan panas, bahan yang akan dibuat lapisan dipanaskan dahulu sampai terjadi penguapan. Proses ini dapat

dilakukan dengan cara dialiri arus listrik, menggunakan berkas laser daya tinggi yang difokuskan pada permukaannya, atau juga menggunakan mesin berkas elektron. Proses sputtering biasanya disebut metoda plasma dingin, dimana plasma dalam keadaan tidak setimbang termal antara suhu elektron clan suhu gas. Plasma dingin tersebut dapat dihasilkan dengan beberapa teknik, antara lain teknik lucutan pijar, lucutan frekuensi tinggi clan teknik lucutan gelombang mikro. Dalam prakteknya plasma dingin banyak digunakan sebagai teknik deposisi lapisan tipis atau pembuatan lapisan tipis.

Preparasi lapisan tipis dengan teknik sputtering, dapat dikategorikan menjadi beberapa jenis : sistem sputtering diode pC, sputtering diode

RF, sistem magnetron sputtering. Dalam perkembangannya dapat juga, dilakukan penggabungan dari beberapa sistem diatas, yaitu sistem sputtering diode DC magnetron clan

(2)

Dimana M1 adalah massa ion datang, M2 masa atom target, E adalah energi ion datang. Jumlah atom yang lepas dari permukaan target setiap terjadi tumbukan didetinisikan dengan S, secara pendekatan nilainya sebanding dengan energi yang dipindahkan pada tumbukan pertama, dinyatakan dengan persamaan :

Atom tersputter

Il1n tM2et

Ion datang

I ,,~""'" target

""'.

sputtering RF magnetron. Sistem sputtering diode rf memerlukan matching impedance antara catu daya rf clan ruang lucutan. Impedansi dari catu daya rf hampir selalu 50 n sedangkan impedansi lucutan pijar berorde I sampai dengan 10 Kn.(I,2). Pada sistem sputtering diode rf, frekuensi operasi yang digunakan adalah 13,56 Mhz. Dalam metoda sputtering untuk proses deposisi lapisan tipis terdapat beberapa parameter yang menentukan sifat lapisan tip is yang terbentuk pada substrat (bahan), Parameter tersebut antara lain adalah laju aliran gas, tekanan, rapat daya, suhu substrat clan lamanya proses deposisi. (1,2,3)

Lapisan tip is TiN (Titanium Nitrida) pemakaiannya antara lain sebagai film pelapis (wear resistant film) yaitu untuk pelapisan peralatan mekanik, maupun peralatan kedkteran sehingga diperoleh kualitas lebih baik antara lain tahan kekerasan maupun korosi. Selain itu dimanfaatkan juga sebagai "diffusion Barrier" untuk kontak

dengan silikon dalam industri.(4) Pemakaian teknik sputtering untuk deposisi lapisan tipis TiN pada permukaan besi clan stainlesstel untuk mendapatkan sifat mekanik yang lebih baik dan tahan terhadap korosi. Salah satu keistimewaan dari proses deposisi lapisan tipis TiN dapat dibuat pada suhu relatifrendah clan proses deposisi berlangsung relatif cepat.

Gambar 1.

0

Ion terpental

Proses sputtering pada permukaan

target.

S=rk MiM2 E

l(E)cosB(MiM2)2

.(2)

Pada penelitian ini akan dibuat lapisan tipis TiN pada pennukaan baja dan stainlesstell dengan metoda DC sputtering. Target yang digunakan adalah Titanium murni serta gas isian Ar sebagai gas sputter dan Nitrogen sebagai gas pencampur agar terbentuk paduan TiN

Dimana k adalah konstata yang nilainya tergantung pada bahan target, A adalah jejak bebas rerata untuk turnbukan elastik dekat permukaan target, daD e adalah sudut antara normal permukaan target daD arab ion datang.

Ion-ion yang terbentuk dalam plasma lucutan pijar dipercepat dalam daerah cathoda fall menuju ke katoda daD menumbuk permukaan target daD menimbulkan peristiwa sputtering. Atom-atom target yang tersputter bertumbukan dengan molekul-molekul gas daD akhirnya tersebar pada permukaan substrat. Jumlah partikel bahan target yang tersputter kemudian terdeposit pada samail luas permukaan substrat adalah :

W=k Wo

I- (3)

pd

Dimana kt adalah suatu konstanta, W 0 adalah jumlah partikel yang terseputter dari satuan luas , p adalah tekanan gas lucutan, d adalah jarak elektroda dan t adalah waktu sputter. Sedangkan partikel yang tersputter dari satuan luasan target dituliskan dalam bentuk persamaan :

DASAR TEORI

Suatu pennukaan padat atau disebut target dijadikan sasaran penembakan partikel (ion) yang berenergi tinggi, maka atom-atom pennukaan bahan memperoleh energi yang cukup untuk melepaskan diri dari pennukaannya, proses seperti ini disebut sputtering ( Kiyata Wasa) Terjadinya proses sputtering diawali oleh adanya tumbukan ion Argon dan atom-atom pennukaan target yang diikuti tumbukan ke dua, ke tiga dan seterusnya antar atom-atom itu yang berada pada pennukaan target, sehingga akan diperoleh suatu tumbukan yang berhasil melepaskan atom pennukaan target. Pada gambar I. ditunjukkan tumbukan ion pada pennukaan target pada proses sputtering.

Sesuai dengan teori elastis, kemungkinan energi maksimum yang dipindahkan pada tumbukan pertama (Tm) J A Wo = (-:!:..)St(-) A. N (4) 4MI,M2 (M1 + M2)

Tm= E (1) _{Dimana J+ adalah rapat arus ion pada target} (katoda), e adalah muatan elektron, A adalah berat

(3)

atom target yang tersputter, dan N adalah bilangan

avogadro.

molekul sampai kehampaan mencapai 10-6 torr, pemanas substrat dioperasikan. Kemudian dialirkan gas argon dan gas nitrogen ke dalam tabung dengan mengatur perbandingan sesuai dikehendaki yang dapat diatur oleh ketinggiaQ bola ukur clan tekanannya dikontrol oleh kran pengatur secara perlahan antara 9,5 10-2 Torr -12 10-2 Torr. Tegangan tinggi searah dinyalakan sampai terjadi lucutan pijar, dalam hal ini tegangan, arus, clan dayanya dapat divariasi sesuai yang dikehendaki sampai pada batas kemampuan sumber dayanya.

Proses sputtering akan terjadi pada pennukaan target, dimana ion argon arahnya daTi anoda ke katoda dan diperkuat adanya medan listrik akan menumbuk target titanium. Terjadinya perpindahan energi ini mengakibatkan atom titanium terseputter clan bertumbukan dengan molekul gas lnitrogen yang akhirnya tersebar pada pennukaan substrat, sehingga terbentuklah lapisan tipis titanium nitrida. Proses sputtering ini berlangsung selama waktu yang diinginkan, setelah selesai seluruh peralatan dimatikan clan tekana, suhu tabung plasma kembali ke kedaan nonnal, substrat yang sudah terlapisi diambil daTi tempatnya.

TAT A KERJA DAN PERCOBAAN

Dalam pembuatan lapisan tipis TiN acta beberapa tahapan yang hams dijalankan , antara lain persiapan bahan substrat , deposisi lapisan tipis ke permukaan substrat daTi target logam titanium dengan D.C. Sputtering dan karakterisasi bahan basil pembuatan lapisan tipis TiN.

Pacta penelitian ini substrat yang digunakan daTi kaca , lempengan baja, dan stainlesstell. Preparasi substrat kaca dilakukan dengan memotong empat persegi panjang dengan ukuran I cm x 2,5 cm ,tebalnya I mrn. Kemudian kaca dicuci dengan air dan rinso untuk menghilang kan kotoran atau noda minysk ysng menempel pacta permukaan dan diultrasonik , lalu dibersihkan dengan alkohol dan dikeringkan. Bahan baja dan stainlesstell bentuk pejal diameter: 4 mrn <;!ipotong -potong setebal 1,5 mrn. Substrat yang masih kasar permukaannya

tersebut diampelas menggunakan kertas abrasif secara bertingkat mulai dengan nomor 800, 1000 , 1500 , 2000 , digosok dengan autosal dan kain beludru. Substrat yang telah halus dibersihkan dan dikeringkan. Bahan target daTi titanium bentuknya bundar dengan diameter 6 cm , tebal 3 mm dibersihkan lebih dahulu permukaannya sebelum dipasang.

Peralatan D.C. sputtering terdiri daTi tabung reaktor plasma terbuat daTi bahan stainlesstell , dilengkapi dengan kedua elektrodanya dengan jarak yang dapat diatur, pacta penelitian ini jaraknya 3,65 cm. Pompa turbo molekul untuk menghampakan udara, alat ukur kevakuman, sumber tegangan tinggi yang dilengkapi dengan pengukur tegangan dan ams. Selain itu dilengkapi juga dengan sistem pemanas untuk memanasi substrat, serta pengontrol suhu untuk menjaga suhu konstan dan pendingin target. Gambar 1 ditunjukkan bagan peralatan sistem DC sputtering dilengkapi sistem masukan gas sputter.

I:IASIL DAN PEMBAHASAN

Pembuatan lapisan tipis TiN dilakukan dengan metoda DC sputtering pada permukaan substrat kaca, baja dan stainlesstel. Target titanium menempel pada katoda sedangkan substrat diletakkan pada anoda, jarak antara katoda dan anoda 2,75 cm. Tekana.l gas padatabung plasma 12 x 10-2 Torr, merupakan gas campuran antara gas Ar dan N2. Tegangan searah antara kedua elektroda adalah 3,5 KY, arus listrik 30 mA, dimana pada tabung plasma sudah terjadi lucutan pijar. Pada penelitian pembuatan lapisan tipis ini dilakukan variasi perbandingan gas Ar dan N2, dan variasi suhu substrat.

Untuk menguji terbentuknya lapisan tipis TIN basil sputtering dilakukan beberapa pengujian antara lain dengan XRD, mikroskop elektron,dan uji kekerasan. Pengujian 'difraksi sinar X dimaksudkan untuk mengetahui struktur kristalnya serta apakah lapisan yang terbentuk sudah sesuai dengan yang dimaksudkan, Pada gambar 3 ditunjukkan basil pengujian XRD dari bahan substrat stainlesstel, spektrum ini dimaksudkan untuk mengetahui puncak yang muncul sebelum dilapisi oleh TIN dan merupakan sinyallatar. Selanjutnya pada gambar 4 dan gambar 5 ditunjukkan basil XRD dari lapisan TIN pada permukaan stainlesstell. Lapisan ini dibuat pada perbandingan gasAr dan N2 adalah 7 : 3, masing-masing dengan waktu deposisi Ijam dan 1,5 jam.

Sebelum melakukan deposisi pada pennukaan substrat, target Titanium dibersihkan kemudian dipasang pada katoda yang pada bagian bawahnya dilengkapi sistem sirkulasi air untuk mendinginkan target. Substrat dipasang dan dijepit agar tidak terlepas kemudian dipasang pada anoda yang dilengkapi dengan sistem pemanas. Suhu substrat dapat diatur oleh pemanas dan dapat dikontrol secara otomatis sesuai yang dikehendaki. Pada penelitian inisuhu substrat diatur mulai 100°C,

150°C, 200°C, 250°C, daD 300°C.

Setelah susunan tabling plasma, substrat, target, pompa vakum, tersus~ seperti pada gambar I, tabling plasma dihampakan oleh pompa turbo

(4)

(5)

paduan TiN pacta permukaan baja, stainlesstell terhadap pengaruh komposisi campuran gas Ar dan N2 serta pengaruh suhu substrat. Pacta gambar 6 dan gambar 7 ditunjukkan hasil pengukuran kekerasan terhadap komposisi gas dan suhu substrat.

~ss 1'0..111' III" '+-".;J ill rn Q) '- 311 TiN U) rn

-"i/) ZII-c: Q) EI 111

ss

~

"

w~

.~\ItII~J/'H-.~~~ ~

In 2/7 3/7 4/7 5/7 6/7 PERBANDINGAN NzlAr

Garnbar 6 : Pengaruh konposisi gas N2 clan Ar terhadap kekerasan lapisan TiN. Dari basil percobaan komposisi campuran gas terlihat bahwa kekerasan optimum pada perbandingan Ar : N2 adalah 140 : 60. Hal ini dimungkinkan karena pada kondisi tersebut atom N2

ikut bereaksi dengan titanium clan membentuk paduan yang tepat dengan struktur bidang tertentu mempunyai sifat keras. Tetapi jika terlalu sedikit atau terlalu banyak nitrogen, paduan yang dihasilkan akan mengurangi kekerasannya. Untuk itu perlu diketahui kondisi carnpuran gas yang ideal agar mendapatkan lapisan yang cukup keras.

Dari basil pengamatan pengaruh suhu substrat terhadap kekerasan pada garnbar 7, terlihat bahwa dengan bertarnbahnya suhu substrat ternyata kekerasan paduan TiN basil sputtering juga meningkat clan mencapai kekerasan optimal sebesar sebesar 495 KHN untuk baja sedangkan untuk stinlesstel 400 KHN. Kekerasan optimum tersebut dicapai pada suhu 350 °C. Dengan bertarnbahnya suhu substrat maka akan menarnbah energi vibrasi atom-atomnya serta jarak antar atom semakin lebar, atom-atom TiN menyisip clan larut ke dalam substrat sampai batas tertentu sehingga kekerasanya akan meningkat.

""".'-""'"-..,..,..., , , , ,..,, tl 51 U 71 II I'Ztl

Sudut difraksi

Gambar 5. Spektrum XRD lapisan TiN pada substrat stainless tell selama 1,5 Jam.

Dari hasil pengamatan spektrum XRD lapisan TiN muncul intensitas yang agak tinggi sebanyak tiga puncak, sedangkan pada latar yang merupakan substratnya ada 2 puncak. Setelah ditelitijarak antar bidang (d) kedua puncak yang ada di substat sarna dengan dua puncak yang terdapat pada lapisan TiN yaitu puncak dari stainlesstel, sehingga terdapat satu puncak dari lapisan hasil sputtering.

Puncak yang muncul dari bahan substrat stainles steel pada sudut difraksi 43,42° dan 50,5°, sedangkan dari hasil sputtering lapisan tip is TiN dengan sudut difraksi 44,47°. Munculnya puncak stainles steel pada bahan yang sudah dilapisi oleh lapisan tip is TiN dimungkinkan karena tidak semua permukaan terlapisi (terutama pada bagian tepi) atau lapisan tipis yang dihasilkan terlalu tipis. Selain itu puncak difraksi hasil sputtering dilakukan indentifikasi terhadap bahan penelitian lainnya selama melakukan eksperimen (Ar, Fe, SS, N2. AI) yang dimungkinkan muncul puncaknya, temyata hasil perekaman XRD (ganbar 4 dan 5) pada sudut difraksi 44,47° mempunyai jarak bidang 1,1393 A bersesuaian dengan jarak bidang TiN yang ada pada data power diffraction (5)

Terlihat dari gambar 4 dan gambar 5 penambahan waktu deposisi akan menambah intensitas puncak difraksi. Hal ini menunjukkan bahwa lapisan yang terbentuk oleh proses sputtering pada permukaan substrat merupakan lapisan titanium nitrat.

Salah satu penggunaan laisan tipis TiN di bidang mekanik adalah sebagai pelindung untuk memperoleh sifat yang lebih keras. Pengujian kekerasan dilakukan dengan menggunakan nicro hardness tester dengan beban minimum, yaitu 10 gr. menggunakan identor dan skala knoop. Pada penelitian ini akan dilakukan pengujian kekerasan

(6)

terlihat bahwa ketebalan lapisan TiN pacta permukaan $tainlesstel adalah 1,6 I.1m sedangkan pacta permuJcaan baja adalah 1,4 I.1m. Hal ini disebabkan ! saat pengamatan pacta permukaan stainlesstel ~osisinya lebih dekat dengan pusatnya dibandingk~ saat mengamati permukaan baja. 550

-

_Z :I: ~

-c rn CI) rn ... Qj ~ Qj ~ 300 150 200 250 300 350 400 450 Suhu Substrat (der. C)

Garnbar 7. Pengaruh suhu substrat terhadap

kekerasan lapisan

Gambar 9. 1 Pengamatan lapisan TiN pada

stainlesstel dengan mikrokoppada perbesaran 2000 kali.

Namun posisi substrat pada anoda masih cukup sesuai tidak terlalu jauh daTi pusatnya, karena ketebalan kedua permukaan tersebut tidak terlalu jauh bedanya, sehingga agihan lapisan yang terjadi

belum terjadi penurunan secara°drastis.

KESIMPULAN

Dari basil pembuatan lapisan tipis TiN

dengan menggunakan metoda dc sputtering dapat disimpulkan sebagai berikut :

e Telah berhasil dibuat lapisan tipis TiN pada pemukaan substrat baja, stainlesstel, clan kaca dengan menggunakan target Titanium, sebagai bahan penseputter gas Ar clan gas N2 menyisip pada lapisan tersebut.

e Hasil pengujian XRD pada substrat stainlestel yang sudah terlapisi menunjukkanbahwa telahdiperoleh satu spektrum puncak lapisan TiN dengan jarak bidang 1,1395A clan dua puncak basil difraksi substratnya.

e Kekerasan optimum terjadi pada perbandingan komposisi Ar : N2 = 140 : 60 dengan derajat kekerasan 410 KHN untuk substrat baja, sedangkan untuk substrat stainlestel derajat kekerasan 335 KJ;iN dengan perbandingan Ar : N2 = 140 : 80. .

e Pada perubahan suhu substrat 350°C diperoleh kerasan optimum baja 495 KHN clan kekerasan

stanileste1390 KHN.

e. Diperoleh ketebalan basil sputering hampir merata yaitu 1 ,6 ~m.

Gambar 8. Pengamatan. lapisan TiN pacta stainlesstel dengan mikroskop pacta perbesaran 2000 kali.

Tetapi hila dicapai keadaan jenuh yaitu suhu diatas 350°C atom-atom nitrogen akan cenderung terdifusi lebih dalam daD makin melebar atau atom nitrogen sudah menguap, sehingga kekerasannya cenderung menurun.

Untuk mengetahui k~tebalan atau agihan lapisan tipis TiN pacta permukaannya, substrat yang sudah terlapisi dilihat secara melintang dengan menggunakan mikroskop elektron. Pacta gambar 8 daD gambar 9 ditunjukkan basil pemotretan dengan perbesaran 2000 kali pacta substrat stainlesstel daD baaja waktu sputtering selama 1 jam.

Untuk melihat secara melintang, sampel yang sudah terlapisi dibungkus dengan resin, dan digosok permukaannya secara .melintang. Hasil perekamanmikroskop terdiri daTi daTi resin, lapisan TiN daD substrat. Ketebalan lapisan TiN diukur dengan cara membandingkan skala yang tertera pacta basil rekaman sebesar 10 Ilm.

Dari basil pengamatan pacta gambar diatas

e

Sigit Hariyanto, dkk. ISSN 0216-3.128

500

450

400

(7)

Prosiding Pertemuan dan Presentasi Itmiah

P3TM-BATAN; Yogyakarta 14 -15 Juti 1999 Buku I ₅₃

UCAP AN TERIMAKASIH

Pada kesempatan ini penulis mengucapkan terimakasih kepda semua teknisi Fisika Atom yang telah membantu dalam menyelesaikan penelitian ini.

DAFT AR PUST AKA

1. W ASA, K, HAY AKA WAS., Handbook of Sputter Deposition Technology, Technology and Application, Noyes Publications, New Jersey, 1992.

2. KONUMA, M., Film Deposition by Plasma Techniques, Springer-verlag, Berlin,

3. OHRING, M., The Materials Science of Thin Films, Academic Press Inc., New York, 1982. 4. J P ZHAO, X WANG, Z Y CHEN, S Q YANG,

T S SHI, X H Lill, Overall Energy Model For Preferred Growth Of TIN Films During Filtered Arc Deposition, J. .Phys. D , Appl. Phys. 30 (1997).

J. Karmadi

* Mengapa :pembuatan lapisan tipis titanium nitrida dehgan target titanium murni harns menggunakan gas argon dan nitrogen. Bagaimana pengaruhnya untuk gas dengan masa ion yang lebih berat.

* Apa peng~ jirak elektroda terhadap has ill sputtering.

Sigit HaryantJ

* Tidak harus menggunakan gas argon yang penting menggunakan gas yang tidak reakti

misalnya Kr, Xe, He, Ar.

* Pengaruh jarak elektroda terhadap hasil sputtering antara lain;

.distribusi lapisan yang menempel padasubstrat

.Jumlah atom target yang terdeposisi ke substrat

Yunanto

* Setelah terbentuk lapisan tipis titanium nitrida keuntungan apa yang diperoleh pada bahan yang dilapisi

* Apakah pada semua kondisi terjadi senyawa titanium nitrida.

Sigit Haryanto

* Setelah ~apisan tip is. TiN terbentuk, keuntungan11}la sifat me./caniknya akan berubah antara lain;kekerasannya menjadi baik; tahan korosi sehingga amat bermanfaat untuk perbaikan mutu peralatan mekanik don peralatan kedokteran.

* Tidak semua kondisi terjadi senyawa TiN sebagai contoh, apabila tekanan terlalu tinggi, substrat akan terbentuk lapisan tetapi setelah dicek dengan XRD bukan lapisan TiN

TANYAJAWAB

Supandi

* Berapa tebal lapisan tipis titanium nitrida daD dengan cara apa mengukumya (dari percobaan ini)