رد یتلشن یلاالب نایرج نیا هگن تلاح رد رتشیب ،یشوماخ تلاح لولس یراد یلم نایامنSRAM - لولس هک ددرگ یلمن دوخ تاعلاطا ظفح هب رداقSRAM دلشاب

(1)

5th Iranian National Conference on Electrical Engineering and Intelligent Systems – Islamic Azad University, Najafabad Branch - 27and 28 February 2019

ناریا دنمشوه یاه متسیس و قرب یسدنهم یلم سنارفنک نیمجنپ فجن دحاو یملاسا دازآ هاگشناد–

دابآ - 8 و 9 دنفسا 1397

دیدج رادم ود هب ینبرک هلولونان یاهروتسیزنارت یروانف رد

مع دوبهب روظنم ل

درک

لولس

SRAM

ینب یردان همطاف

( 1

–)

یناجنز یلع دمحم دیس

* ( 2 )

( 1 ) و ( 2 ) هدکشناد فجن دحاو ،قرب یسدنهم فجن ،یملاسا دازآ هاگشناد ،دابآ

ناریا ،دابآ

FATEMEH.NADERI8@YAHOO.COM¹, ZANJANI.SMA@GMAIL.COM²

هدیکچ - لولس ادتبا ،هلاقم نیا رد یروتسیزنارت شش SRAM

هیاپ ، یروانف رد ینبرک هلولونان

هیبش 32nm یزاس و جیاتن اب لولس هباشم

32nm CMOS هدش هسیاقم

.تسا لولس درکلمع ،بسانم هدودحم رد ینبرک هلولونان روتسیزنارت یاهرتماراپ رییغت اب سپس تلاح ردSRAM

-

یاه

،نتشون ندناوخ و هگن یراد دروم هعلاطم رارق هتفرگ تسا . هیبش جیاتن یم ناشن یزاس

یتشن و یشوماخ نایرج زا یشان یفرصم ناوت هک دهد

SRAM لولس یاهروتسیزنارت اب

زا شیبCNT رادم هب تبسن ربارب30

و نتشون تایلمع رد نانیمطا تیلباق و هتفای شهاکCMOS ندناوخ

رادم رب ینتبم هب تبسنCNT

هنومن .تسا هتفای دوبهبCMOS

سپس لولس یارب دیدج راتخاس ود یاه

هدش داهنشیپSRAM .تسا

،لوا رادم

هفاضا روتسیزنارت هک تسا یروتسیزنارت تفه هظفاح لولس کی یروتسیزنارت شش هظفاح لولس رادم هب هدش

، ات 50

% Clock Feed-through رثا

یم شهاک ار دهد

تلاح رد رادم زیون هیشاح شیازفا هب رجنم بیترت نیدب و یم نتشون و ندناوخ یاه

.دوش هظفاح لولس کی هدشداهنشیپ مود رادم

یرادهگن و نتشون ،ندناوخ درکلمع نآ رد هک تسا یروتسیزنارت تشهSRAM

، تسا هیاپ یروتسیزنارت شش لولس هباشم اما ؛

هیبش جیاتن یزاس

رد رادم HSPICE یم ناشن

ات ندناوخ تایلمع رد زیون هیشاح رادقم هک دهد 45

% دوبهب ا هتفای .تس یروانف رد یداهنشیپ رادم ود ره یاه

32nm CNFET 32nm CMOS و

هیبش هدش یزاس هسیاقم یروانف ود ره رد اهرادم نیا درکلمع ات دنا

جیاتن دوبهب و و راتخاس رییغت رد مه

یروانف رییغت رد مه صخشم

.دوش

هژاو دیلک -

،هظفاح لولس ینبرک هلولونان روتسیزنارت ،زیون هیشاح ،SRAM

.CNFET

(2)

1 - همدقم

شهاک داعبا یارب تسد یبای هب یاهرادم عمتجم رتعیرس رتگرزب و

یرورض .تسا یارب یخرب

،اهدربراک سایقم ندرک هزاجا نیا ار یم دهد

هک تاعطق یرتشیب یور کی هشارت عمتجم دنوش ب. ه ناونع

،لاثم

،اهروتسیزنارت هزادنا شهاک هب

ناحارط هدنزادرپزیر اه

نیا ناکما ار -یم

دهد ات زا هظفاح یاه یرتگرزب ناهن ب

ه روظنم لااب ندرب تعرس تایلمع

هدافتسا .دوش سایقم ندرک نینچمه نیا هزاجا ار یم دهد هک نامه

،رادم رتنازرا ،رتکچوک و

رتعیرس هدوب و ناوت یرتمک فرصم دنک 1-]

8 . [ هنافساتم شهاک داعبا روتسیزنارت ،CMOS

ینونک طیارش زا شیب

نکمم

،تسین تاعطق یلو کینورتکلاونان

نیا ناکما ار مهارف یم دنروآ

هک یاهروتسیزنارت یتقو CMOS

ییاناوت شهاک داعبا

،دنرادن شهاک

هشارت داعبا نانچمه اه

همادا دبای 9-13] .[

لولس یاه یللصا زاSRAM

وللب نیرلت هزولح رد ینامتخالس یاله

یم لاتیجید رد هناتلسآ التلو شهاک مدع لکشم اب هک دنشاب

یروالنف -

رتمونان یاه ی

هبور یم ور دنوش . یاهروتسیزنارت یتشن نایرج ،نینچمه

لوللس رد نالنیمطا تیلباق مدع ببس ،یشوماخ تلاح رد هاتوک لاناک -

یاه یمSRAM ولش د . یلم یتلشن نالیرج نلیا ببلس دلناوت

رلییغت

هرگ هتساوخان یلخاد یاه

ددرگSRAM . رد یتلشن یلاالب نایرج نیا

هگن تلاح رد رتشیب ،یشوماخ تلاح لولس یراد

یلم نایامنSRAM -

لولس هک ددرگ یلمن دوخ تاعلاطا ظفح هب رداقSRAM

دلشاب . -هلب

لاکلشم نیلنچ لابند یت

لوللس رد ندلناوخ و نتلشون تالیلمع ، یاله

دوب دنهاوخن زیمآ تیقفومSRAM

؛ اذل ینبرک هلولونان یاهروتسیزنارت

یاج یاهروتسیزنارت یارب یبسانم نیزگ یلم رامش هبMOS

زا و دلنور

یگژیو زا ،لاتیجید کینورتکلا ملع ناققحم ور نیا روتسیزنارت نیا یاه

-

هدرب دوس ،دوخ هدش یحارط یاهرادم رد اه نا

د 14-20] .[

یفداصت یسرتسد اب هظفاح عون ود Random Access Memory

(RAM) و دیاوف ،کی ره زا هدافتسا هک دراد دوجو

بیاعم دوخ صاخ

دراد ار : هظفاح یفداصت یسرتسد اب اتسیا

(SRAM) و

اب هظفاح

ایوپ یفداصت یسرتسد (DRAM)

. هکنآ یارب DRAM

دنناوتب اه

دنراد هگن دوخ رد ار هداد

، هب دیاب روط یمئاد بوانتم و refresh دنوش

26-28]

؛[ SRAM اما هب یزاین اه

دنرادن بوانتم راش

، اریز

لیکشت یاهروتسیزنارت نآ هدنهد

اه هک ینامز ات هیذغت

تسا هدشن عطق

،

یم هگن دوخ رد ار هداد دنراد

28-30] صخشم نیا .[ ه

رجنم اهSRAM

/نتشون یلااب تعرس هداد ندناوخ

رد اه SRAM یم

دشاب

، هکارچ

فلاخرب DRAM دنرادن بوانتم راش هب یزاین

دیچیپ . یگ رادم و

فرص هک یدایز نامز یبایزاب

ادم و نزاخ م هظفاح رد اه DRAM

یم بولطمان و رتدنک ثعاب ،دوش ندوبرت

DRAM هسیاقم رد اه

اب SRAM یم اه

هظفاح نینچمه .دوش DRAM

د هسیاقم ر

اب SRAM ناوت

یم فرصم یرتشیب هاگتسد رد رما نیا هک دنک

ییاه

یم نیمات یرتاب زا ار دوخ ی رنا هک دننک

سا رتراکشآ رادم .ت

SRAM

اب هسیاقم رد DRAM

هداس رایسب رت

و تسا ار هظفاح هب یسرتسد

ناسآ یم رت نک یم لااب ار تعرس و د درب

31-40] .[ لاخرب اما ف

نزاخ زا دوخ راتخاس رد هک DRAM یم هرهب اه

،دیوج SRAM

یم اهروتسیزنارت زا هدافتسا هب رتشیب دزادرپ

، یوحن هب هک SRAM رد

ب هسیاقم DRAM ا

ریداقم هریخذ یارب یرتشیب یاهروتسیزنارت هب

.دراد زاین تاعلاطا زا یصاخ DRAMرادم

هداد تیب ره هریخذ یارب

دراد زاین نزاخ کی و روتسیزنارت کی هب اهنت

، هک یلاح رد SRAM

هب راک نیا یارب )شش ای راهچ( یرتشیب دادعت

دراد زاین روتسیزنارت

41-45] ک اجنآ زا .[ هظفاح رد دوجوم یاهروتسیزنارت دادعت ه

، تیفرظ

نآ یم نییعت ار لو ام ،دنک

DRAM اب هسیاقم رد

لو ام SRAM یم

شاب هتشاد رتشیب ربارب شش ات یتیفرظ دناوت نیا .د

هک تسا یلاحرد هظفاح مک تمیق

یاه DRAM نآ

اه هجوت دروم ار

یم رارق نارادیرخ دهد

12] .[ یلع فرصم و رتمک تعرس مغر ناوت

رتشیب DRAM

، هب رتمک تمیق تلع DRAM

هظفاح عون نیا ،اه اه

هب جیار ناونع هظفاح نیرت

هب یلصا یاه یم هتفرگ راک

دنوش .

هظفاح اما SRAM

مه

، رد اصوصخم و رایسب تاودا رد نانچمه

مهم تعرس هک یطیارش هب تسا تیفرظ زا رت

یم راک هکنآ اصوصخم .دور

فرصم رد ی رنا مک SRAM

هب اه نعم ا هک تسا رتمک یامرگ دیلوت ی

مهم یرما

ًاصوصخم هدنزادرپ رد

یم بوسحم اه وش

] د 13-15 .[

مشچ نیرتریگ دربراک SRAM هظفاح رد اه

Cache هدنزادرپ ( ینعی

دراد رایسب تیمها تعرس هک ییاج )

تسا تخس یاهویارد یتح .

ای هظفاح زا هدافتسا هب زاین هک یلیاسو ریاس و ،یرون یاهویارد ،یرازفا زا دنراد اهرفاب یاهرادم

SRAM یم هدافتسا

ننک ] د 8-10 و 12 - [16 .

–2 هظفاح لولس یروتسیزنارت ششSRAM

( لکش 1 هظفاح لولس رادم ) یم ناشن ار یروتسیزنارت ششSRAM

-

رادم .دهد رترولنیا ود زا یروتلسیزنارت شلشSRAM

ود وCMOS

یسرتسد روتسیزنارت (access)

تسا هدش لیکشت 12-17]

طلخ ود .[

تیب نیلا Bit-Line (BL) تیب و

راب نیلا Bit-Line-Bar (BLB)

نلیلادرو طلخ هارلمه هلب Word-Line (WL)

و ندلناوخ تالیلمع

رد .دلنراد هدهعرب ار هظفاح لولس یور رب نتشون هلمادا

، یارلجا هولحن

،ندناوخ تایلمع نتلشون

هلگن و یراد لوللس یور رلب شلشSRAM

یروتسیزنارت .تسا هدش هدروآ

( لکش 1 :) هظفاح لولس رادم یروتسیزنارت ششSRAM

1 - 2 رد نتشون تایلمع نراقتم یروتسیزنارت ششSRAM

نتشون لحارم رد“1”

وQ نتلشون ،لباقم هطقن رد رد“0”

هلبQB

:تسا ریز تروص

(3)

-1 ادللتبا اللتBL

راللشVDD یللم و دوللش هللبBLB

GND

علطق یلسرتسد یاهروتلسیزنارت نالمز نیا رد .دوش راشد ینعی .دنتسه یمWL=0

.دشاب

-2 یم لصو یسرتسد یاهروتسیزنارت سپس دنوش

.

-3 لصو زا سپ یجورخ ،یسرتسد یاهروتسیزنارت ندش

هلبQ

یم“1”

لباقم هطقن رد و دور رادقم هبQB

یم“0”

.دسر

2 - 2 هگن تایلمع رد یراد

نراقتم یروتسیزنارت ششSRAM

هب هگن روظنم تیب یراد

هریخذ یاه یجورخ رد هدش

یاه وQ QB یاب د

.دنوش عطق یسرتسد یاهروتسیزنارت اهنت داعبا

لیاب اهروتلسیزنارت نیا د

نیلح رد تسا نکمم هک ینایرج( یتشن نایرج هک دوش باختنا یروط شوماخ نآ زا ندولب رولبع اله

)دلنک

، آ رد ن رادلقم رد رلییغت ببلس اله

.دوشن یجورخ 3 - 2 هگن تایلمع رد یراد

نراقتم یروتسیزنارت ششSRAM

-1 طوطخ ادتبا وBL

ات ارBLB یم راشVDD

.مینک

-2 طوطخ وBL

یم روانشBLB دنولش ( لنعی هلب ی وVDD

لصوGND تسین دن ).

-3 یم لاعف یسرتسد یاهروتسیزنارت تیگ (WL=1) دوش

ره .

طوطخ زا مادک وBL

تلسا ینعم نیدب ،دش راشدBLB

روتلسیزنارت رالک نلیا الب .تسا رفص نآ رظانتم یجورخ هک تسار تمس یسرتسد MACR

یم نشور التلو هلکارچ دوش

تللیگ یلللو تللسا رللتگرزب هناتللسآ اللتلو زا نآ سروللس–

پچ تمس یسرتسد روتسیزنارت MACL

ارلچ تسا شوماخ

نآ سروللسو تلیگ اللتلو هلک اللب رلبارب

البVDD فلاتللخا

VGS=0 طلخ تللاح نیا رد .تسا رفص

لیرط زاBLB

تسار تمس یسرتسد یاهروتسیزنارت MACR

نییاپ و شلک

تسار تمس MPDR

یم رفص نیاربانب .دوش .تسا رفصQB

مهم هتکن ، یاهروتلسیزنارت دالعبا تبسن Pull-Down (Q1, Q2)

و

یسرتسد یاهروتسیزنارت داعبا Access (Q5, Q6)

هلک تسا Cell

Ratio مان یم یراذگ ] دوش

[48 : ینعی

( 1 𝐶𝑒𝑙𝑙 𝑅𝑎𝑡𝑖𝑜 (𝐶𝑅) =(𝑊 )

𝐿 )1 (𝑊

𝐿 )5

=(𝑊 𝐿 )2 (𝑊

𝐿 )6

یم شیازفا اب هنوگچ هک داد ناشن ناوت روتلسیزنارت دالعبا تبسن ایCR

Pull-Down روتسیزنارت هب

Access رادلقم

یلم شهالکΔV .دلبای

( لکش 2 یم ناشن ) رادلقم هلچره دهد

رادلقم ،دولش رتلشیبCR ΔV

یم رتمک رادقم شهاک اب .دوش تللاح رلییغت( ندش پلیف لامتحاΔV

یجورخ رادقم یلم رلتمک ندلناوخ نیلح رد لولس )اه

الب یلنعی .دولش

شیازفا روتسیزنارت ندش نشور لامتحاCR

pull-down الی و لباقم

روتسیزنارت ندش شوماخ pull-up

یم رتمک لباقم دوش

15] .[

( لکش 2 رادقم شهاک :) شیازفا ابΔV

ردCR 15] [

( لکش 3 یم ناشن ) رادقم شیازفا اب هنوگچ دهد

هب رجنم هک CR

شهاک یمΔV

رادقم دوش یم شیازفاSNM

دبای 43] رادقم لاومعم .[

نیبCR یلا1 یم باختنا2.5 دوش

؛ رتشیب ریداقم هچرگا ببسCR

شیازفا ندناوخ نایرج و SNM

Iread یم دوش نآ نمض ؛ هک

شیازفا

یم لولس تعرس شیازفا ببس ندناوخ نایرج ببس دوخ نیا اما دوش

.دش دهاوخ هنیزه و لولس تحاسم شیازفا

( لکش 3 :) شیازفا رادقم شیازفا ابSNM

ردCR 48] [

نامه ط یاهروتسیزنارت داعبا تبسن ،دش هتفگ هک رو Pull-Down

هب

یسرتسد یاهروتسیزنارت داعبا Access

لولس تبسن ، Cell Ratio

مان یم یراذگ اب ربارب نآ رادقم و دوش

یم2.5 یاهروتسیزنارت رد .دشاب

رادقم ینبرک هلولونان همه یارب و ینبرک هلولونان لوط اب ربارب L

ی

اب ربارب و ناسکی اهروتسیزنارت تسا هدش هتفرگ رظن رد 32nm

.

یاهروتسیزنارت ضرع تسا مزلا نیاربانب Pull-Down

زا رتگرزب

روتسیزنارت ضرع .دشاب یسرتسد یاهروتسیزنارت ضرع هلولونان یاه

( هطبار زا ینبرک 2

دمآ دهاوخ تسدب ) 38]

،نآ رد هک [ DCNT

رطق

،هلولونان Pitch هلولونان زکرم هب زکرم هلصاف و رواجم یاه

دادعت N

هلولونان ینبرک یاه یم

.دشاب

( 2 ) 1) +DCNT

- Width = Pitch (N

اذل هلولونان دادعت ات تسا مزلا یاهروتسیزنارت ینبرک یاه

Pull-

هلولونان دادعت ربارب هس ای ود Down یسرتسد یاهروتسیزنارت یاه

مه .دشاب نینچ

شکلااب یاهروتسیزنارت تبسن Pull-Up

هب

نیب دیاب یسرتسد یاهروتسیزنارت ات1

دوش باختنا2.5 35]

لودج .[

( 1 هلولونان دادعت ) هظفاح لولس رادم یاهروتسیزنارت یارب ار ینبرک یاه

(4)

یم ناشن نراقتم یروتسیزنارت شش SRAM .دهد

( لودج 2 )

هصلاخ یم ناشن ار اهروتسیزنارت یاهرتماراپ ریاس ریداقم زا یا .دهد

( لودج 1 هیبش جیاتن هسیاقم :) رب ینتبم رترونیا یزاس

وCMOS

رب ینتبم رترونیا CNTFET

هلولونان دادعت ینبرک یاه

روتسیزنارت

5 MpuL

- MpuR

5 MpdL

- MpdR

2 MACL

- MACR

( لودج 2 :) روتسیزنارت کی رد نآ ریداقم و اهرتماراپ فیرعت

CNTFET

رادقم تاحیضوت

اهرتماراپ

32 nm لاناک یکیزیف لوط

Lch

32 nm سروس هدش هتشغآ هیحان لوط

Lss

32 nm نیرد هدش هتشغآ هیحان لوط

Ldd

200 nm لاناک رد دازآ ریسم لوط

Lgeff

6.4 nm تیگ زلف ضرع

Wgate

ید تباث 16 تیگ کیرتکلا Kgate

ید تماخض 4 nm تیگ کیرتکلا

Tox

0.6 eV یمرف ی رنا حطس

Efi

( لکش 3 هناورپ رادومن ، ) یا

ار یم ناشن لولس نیا رد هک دهد

، رادقم

یرادهگن تلاح رد اتسیا زیون هیشاح اب ربارب HSNM

195 mV

.تسا مه هناورپ رادومن ،نینچ ( لکش یا

4 رد اتسیا زیون هیشاح رادقم )

ندناوخ تلاح RSNM

هظفاح لولس یارب ار شش SRAM

یروتسیزنارت CNTFET

یم ناشن هیبش ساسارب هک دهد یزاس

یاه

قم ،هدش هتفگ طیارش اب هدش ماجنا راد

اب ربارب RSNM 126 mV

یم .دشاب ( لکش ،نینچمه 5

نتشون هیشاح رادقم ،) لولس رد ارWM

SRAM

یروتسیزنارت شش CNTFET

یم ناشن ،لکش نیا ساسا رب .دهد

نتشون هیشاح رادقم اتلو تلاح رییغت هطقن نیب هلصاف ،WM

وQ

رادقم اتQB VDD=0.5V اب ربارب و هدش فیرعت

113 mV .تسا

یمن ،یسرتسد یاهروتسیزنارت هک تسا نیا تیمها لباق هتکن دنناوت

هدیا چیئوس کی شقن نامه و دننک ارجا ار لآ

( لکش رد هک روط 5

)

یم هدید یلیم هد دنچ نداد روبع زا دعب ار یقطنم رفص رادقم ،دوش

نیمه و هداد شیازفا تلو رادقم زا ،یقطنم کی لاقتنا رد روط

VDD

هزادنا هب یبیرقت 90 mV .تسا هتساک

( لکش 3 :) هناورپ رادومن یرادهگن تلاح رد اتسیا زیون هیشاح رادقم ،یا

لولس ردHSNM یروتسیزنارت ششSRAM

CNTFET

( لکش 4 :) هناورپ رادومن تلاح رد اتسیا زیون هیشاح رادقم ،یا

ندناوخ RSNM هظفاح لولس رد

یروتسیزنارت ششSRAM

CNTFET

( لکش 5 نتشون هیشاح رادقم :) لولس ردWM

ششSRAM

یروتسیزنارت CNTFET

لولس رد یلصا یاهرتماراپ زا یکی یاه

یتشن نایرج SRAM

هگن تلاح رد یسرتسد یاهروتسیزنارت دوش ضرف رگا .تسا یراد

(5)

و Q=1 یماگنه ،یرادهگن تلاحرد ،دنشاب QB=0

ک یاهروتسیزنارت ه

شوماخ یاهروتسیزنارت زا یفیعض نایرج ،دنتسه شوماخ یسرتسد نییاپ و شکلااب و یسرتسد یم روبع شک

نایرج نیا ریسم .دنک اه

رد

( لکش 6 نایرج نیا .تسا هدش صخشم ) یم یتشن یاه

ناوت ن تیعضو د

یامن نوگرگد ار لولس ن

د 43] .[

( لکش 6 نایرج :) یروتسیزنارت شش هظفاح لولس رد یتشن یاه

یرادهگن تلاح رد نراقتم

یاهروتسیزنارت شوماخ تلاح یتشن نایرج رادقم CNTFET

تبسن

یاهروتسیزنارت هب MOSFET

هیبش جیاتن و هدوب رتمک یلیخ یزاس

هیبش ساسا رب .تسا هدرک تابثا ار اعدا نیمه یزاس

یاه ،هدش ماجنا

نایرج عومجم شوماخ یاهروتسیزنارت یتشن یاه

اب SRAM

یاهروتسیزنارت CNTFET

عومجم رد 385 pA

.تسا

هظفاح لولس کی هچرگا اب نراقتم یروتسیزنارت شش SRAM

یروانف هبCMOS

اتلو شهاک هزاجا ،هناتسآ اتلو شهاک مدع لیلد

یمن ار هیذغت هب ،دهد

جیاتن هسیاقم روظنم هیبش

هظفاح لولس یزاس

CNTFET هظفاح لولس و

رادم ،CMOS اب SRAM

یروانف

32nm CMOS هیبش زین

( لودج .تسا هدش یزاس 3

ود ره جیاتن )

یم ناشن ار رادم دهد

.

( لودج 3 :) اب یروتسیزنارت شش هظفاح لولس جیاتن هسیاقم

یاهروتسیزنارت CNTFET

و CMOS

لولس ابSRAM

یاهروتسیزنارت CMOS لولس

ابSRAM یاهروتسیزنارت

CNTFET رتماراپ

0.5 V 0.5 V

هیذغت اتلو

32nm CMOS- PTM 32nm CNT

یروانف

107 mV 113 mV

نتشون هیشاح WM

97 mV 126 mV

اتسیا زیون هیشاح ندناوخ RSNM

128 mV 195 mV

اتسیا زیون هیشاح ی

هگن یراد HSNM

11.9 nA 385 pA

رد یتشن نایرج هگن تلاح یراد

( لودج ساسارب 3

هظفاح لولس ،) CNTFET

همه رد رتهب دراوم ی

رادم یلصا یرترب .تسا هدرک لمع یاهروتسیزنارت اب SRAM

CNTFET رادم رب

هگن تلاح رد لولس یتشن نایرج هبCMOS -

یمرب یراد لولس رد یتشن نایرج هک ییاج .ددرگ

CNTFET زا شیب

لولس رد یتشن نایرج هب تبسن ربارب30 و تسا هدش رتمکCMOS

یاهروتسیزنارت رتشیب نانیمطا تیلباق ببس رما نیا CNTFET

رد

هگن تلاح شهاک و یراد یم یتشن ناوت یربارب 30

نآ جیاتن هک .دشاب

هب ( لودج رد هصلاخ تروص 4

.تسا هدش هدروآ )

( لودج 4 اب یروتسیزنارت شش هظفاح لولس جیاتن هسیاقم :) دادعا

فلتخم لاریاک

Leackage Current WM

RSNM لاریاک دادعا HSNM

385 pA 113

mV 126

mV 195

mV m,n = 19,0

342 pA 118

mV 117

mV 184

mV m,n = 17,0

433 pA 129

mV 94 mV

156 mV m,n = 14,7

489 pA 141

mV 81 mV

131 mV m,n = 11,9

–3 هظفاح لولس نیلوا داهنشیپSRAM

هدش

( لکش 8 داهنشیپ یروتسیزنارت تفه هظفاح لولس رادم ) نالشن ار هدش

یم شلش هلظفاح لوللس هلب تبسن ییزج رییغت کی اب لولس نیا .دهد

یم تسدب یروتسیزنارت دیآ

ی هک انعم نیدب ؛ روتسیزنارت ک

البPMOS

مان اب گرزب ًاتبسن داعبا لانگیس اب نآ تیگ هک تسا هدش هدافتساMp

یم کیرحتWL هنایاپ .ددرگ

هلب روتلسیزنارت نلیا سروس و نیرد یاه

یسرتسد یاهروتسیزنارت تیگ (MACR, MACL)

یم لامعا .دوش

ای لاک میقتسم رثا شهاک ،لولس نیا تایلمع دوبهب رد یدیلک لماع Clock Feed through یم

کی ماگنه رد رثا نیا عقاو رد .دشاب ای

طخ ندش رفص یم یور WL

رثا رد و دهد نزاخ ،نآ

یتیزاراپ یاه

تیگ - تیگ و سروس -

رد نزاخ هک ارچ .دش دنهاوخ هاتوک لاصتا نیرد

یم هاتوک لاصتا اتلو یناهگان تارییغت ربارب .دشاب

(6)

( لکش 8 شهاک و هدشداهنشیپ یروتسیزنارت تفه هظفاح لولس رادم :)

clock Feed through

یم داجیا ینامز لکشم :هک دوش

-1 یاهروتسیزنارت هناتسآ اتلو Pull-Down

(Pull-up)

لاک میقتسم رثا اب و دشاب کچوک Clock Feed

through .دنوش نشور

-2 نزاخ هرگ یتیزاراپ یاه و Q

هزادنا هب QB گرزب یدایز

زا دعب و دشاب هدش هریخذ نآ رد یفاک راش هک دشاب Clock Feed through هزادنا هب نآ اتلو

دسرب یا هک

یاهروتسیزنارت Pull-Down

(Pull-up) .دنوش نشور

-3 یشان اتلو Clock Feed throughزا

یجورخ رد Q یاه

و هب QB هزادنا هناتسآ اتلو زا هک دشاب گرزب یا

یاهروتسیزنارت Pull-Down

ات دشاب رتشیب NMOS

نییاپ - ندش رفص رثا رد ای دوش نشور شک اتلو WL

زا یشان یفنم Clock Feed through

هرگ رد ایQ

QB

هناتسآ اتلو زا و دوش داجیا ات دوش رت یفنم PMOS

.دوش نشور شکلاابPMOS

قوف تلاح هس ره رد

، لاک رثا نشور ببس ینز هتساوخان ندش

یم رادم یاهروتسیزنارت یم لکشم نیا عفر یارب .دوش

رادم زا ناوت

داهنشیپSRAM ( لکش رد هدش 9

.درب دوس ) رد نزاخ ود رادم نیا رد

طخ ریسم هرگ اتWL

یجورخ یاه وQ

یم هدیدQB ببس و دوش

یم داجیا اتلو هک دوش هرگ یور هدش

Q یاه QB و زا یشان clock

feed through ش میسقت نزاخ ود رد

و د اذل . ، اتلو تارییغت نیا

یم ببس و هتفای شهاک یروتسیزنارت شش هظفاح لولس هب تبسن دوش

رادقم ندناوخ ماگنه رد ات

،‘0’

رادروخرب یرتشیب یرادیاپ زا لولس

رادقم هکارچ .ددرگ Clock Feed through

میسقت نزاخ ود رد

یم .دوش

VDD

Q QB

MpuR

Mpd^R MpuL

MpdL

MACL MACR

BL VDD BLB

WL

MP

( لکش 9 هدشداهنشیپ یروتسیزنارت تفه لولس :)

رادقم مینک ضرف رگا رفص هرابود میهاوخب نونکا و دشاب رفص یلبقQ

سپ میسیونب ار یمWL=1

نتشون ات دوش دهد خر0

. کی هظحل رد

طخ ندش اتلوWL

زا یشان اتلو یرادقم هکلب دوب دهاوخن رفصQ

Clock Feed through هرگ هب

نیا هچنانچ .دش دهاوخ هفاضاQ

رادقم وتسیزنارت هناتسآ اتلو ای دشاب گرزب ΔV

نییاپ ر رترونیا شک

هرگ ای و دشاب مک لباقم ره رد ،دشاب هتشاد راش یرادقم لبق زا Q

زا کی نیا لااح ت یم رثا نیا ، .دنز مه رب ار لولس تیعضو دناوت

( لکش 10 یم ناشن ار هلاسم نیا ) رادقم نآ رد هک دهد

ΔV یم دناوت

اتلو و اهروتسیزنارت هزادنا هب هتسب .دسرب تلو یلیم هد دنچ هبWL

یروتسیزنارت شش هظفاح لولس رادم لیدبت زا سپ هک یلاح رد دشداهنشیپ یروتسیزنارت تفه رادم هب ،نراقتم ه

رادقم ، یمین هب ΔV

یم دوخ یلبق رادقم زا .دسر

تسدب جیاتن هیلک یارب هدمآ

هدشداهنشیپ یروتسیزنارت تفهSRAM

هباشم اقتم یروتسیزنارت شش SRAM

هدروآ نر یلبق شخب رد هدش

هرگ اتلو تارییغت یاطخ اما تسا وQ

هب ،QB رد راب ارتشا لیلد

.تسا هتفای شهاک ،نتشون نامز

( لکش 10 لولس رد رفص نتشون ماگنه رد نتشون یاطخ :)

رادقم شهاک تسا یهیدب ΔV

یاهرتماراپ دوبهب ببس و WM

یمRSNM هب .دوش

،یترابع هب ندناوخ زیون هیشاح و نتشون هیشاح -

شهاک لیلد ΔV

یم دوبهب دبای .

(7)

–4 هظفاح لولس نیمود هدشداهنشیپSRAM

شش لولس هیاپرب هدشداهنشیپ یروتسیزنارت تشه هظفاح لولس یم لوادتم یروتسیزنارت نیا رد .دشاب

یاهروتسیزنارت تسا مزلا اج

دنراد ار دیلک کی شقن هک یسرتسد

، دوبهب تسا یهیدب .دنوش یسررب

،ندناوخ تایلمع رد دوبهب ببس یسرتسد یاهروتسیزنارت درکلمع هگن و نتشون یم لولس یراد

وش ( لکش .د 11 وس کی ) ئ ار یسرتسد چی

یم ناشن .دهد

MN

EN

Input Output

( لکش 11 یسرتسد دیلک :) NMOS

نیا هب هجوت اب یاهروتسیزنارت رد هک

یجورخ و یدورو هاگردMOS

یم هب دیلک نیا رس کی ،دشاب سکعرب دناوت رگید رس و یدورو ناونع

هب هچنانچ .دش هتفرگ رظن رد یجورخ ناونع EN=VDD

،دشاب

روتسیزنارت یم لمع هتسب دیلک کی شقن رد و نشورNCNT

و دنک

هچنانچ EN=0V روتسیزنارت ،دشاب

یم شوماخNMOS دشاب

؛ رد اما

هیبش اب هک دراد یتلاکشم دیلک نیا لمع یم نایامن نآ یزاس

.ددرگ

رب هب قوف بلاطم ساسا ،هدشداهنشیپ رادم ناونع

دیلک NMOS

هظفاح لولس رد یسرتسد هب یروتسیزنارت شش SRAM

دیلک

یسرتسد لماش رادم و هتفای رییغت PN

8 یم روتسیزنارت لکش .دوش

( 12 تشه هظفاح لولس ) وس اب هدشداهنشیپ یروتسیزنارت

ئ چی یاه

یسرتسد یم ناشن ار PN

رادم رد .دهد تشه هظفاح لولس

یروتسیزنارت یداهنشیپ

یاهروتسیزنارت ، وMNR

رد هراومهMNL

هگن و ندناوخ ،نتشون یاهدم چیه نیاربانب و دنتسه شوماخ یراد

یمن رادم هب یکیمانید ای کیتاتسا یفرصم ناوت یازفا

نیعرد .دن رد ،لاح

هگن تلاح نآ زا یشوماخ تلاح رد هک یتشن فیعض نایرج ،یراد

اه

یم روبع نک یم ببس ،د هرگ ات دوش

ای Q هگن ار رفص رادقم هک QB

یم هب تشپ یاهرترونیا کمک اب لباقم هرگ و هدنام یقاب رفص ،دنراد

طیارش نیا رد .دنامب کی حطس رد تشپ وMNL

هبMNR هنوگ یا

دوبهب ببس یمHSNM

یاهرادم رگید فلاخ رب هک ددرگ SRAM

رگید لرتنک طخ هب یزاین یروتسیزنارت تشه ی

.درادن

( لکش 12 هدشداهنشیپ یروتسیزنارت تشه هظفاح لولس رادم :)

هیبش یزاس یارب هدش ماجنا یاه ناشن یروتسیزنارت تشه SRAM

یم نتشون هیشاح رادقم هک دهد لولس رد WM

تشه SRAM

هدشداهنشیپ یروتسیزنارت 104 mV

یم ( لکش .دشاب 13

)

رادقم لولس رد WM

رادقم و نراقتم یروتسیزنارت شش SRAM

یم ناشن ار هدشداهنشیپ یروتسیزنارت تشه لولس رد WM .دهد

( لکش بط 13

رادقم ) لولس ردWM

یروتسیزنارت تشهSRAM

یوس اما تسا هتفای شهاک یروتسیزنارت شش هب تبسن یسرتسد چی

یم شیامن هب دوخ زا یرتهب درکلمعPN نودب ار یقطنم رفص و دراذگ

ببس رما نیا .تسا هداد روبع شهاک نودب ار یقطنم کی و شیازفا دوبهب رادم رد RSNM

هدشداهنشیپ یروتسیزنارت تشه SRAM

یم .ددرگ

( لکش 13 رادقم :) لولس رد WM

یروتسیزنارت ششSRAM

هدش داهنشیپ یروتسیزنارت تشه و نراقتم

( لکش 14 رادقم ) لولس یارب ار RSNM

تشه SRAM

یم ناشن هدشداهنشیپ یروتسیزنارت لولس هب تبسن هک دهد

SRAM

هزادنا هب یروتسیزنارت شش 57 mV

.تسا هتفای دوبهب

(8)

( لکش 14 رادقم :) لولس یاربRSNM

یروتسیزنارت تشهSRAM

هدشداهنشیپ

رادم رد یتشن نایرج هک تسا یلاح رد نیا SRAM

تشه

هب تبسن هدشداهنشیپ یروتسیزنارت یروتسیزنارت شش SRAM

،

( لودج .تسا هتفای شیازفا 5

ریداقم ) ،RSNM

،HSNM وWM

لولس رد ار یتشن نایرج یاه

،نراقتم یروتسیزنارت شش SRAM

یداهنشیپ یروتسیزنارت تشه و هدش داهنشیپ یروتسیزنارت تفه یم ناشن .دهد

( لودج 5 یاهرتماراپ هسیاقم :) و نراقتم یروتسیزنارت ششSRAM

هدشداهنشیپ یروتسیزنارت تشه و تفهSRAM

Leackag e Current ΔV

W M RSN

M HSN

M SRAM

385 pA 78

m V 113 mV 126 mV 195

mV 6-

Transisto r

385 pA 32

m V 124 mV 151 mV 195

mV 7-

Transisto r

442 pA 78

m V 104 mV 183 mV 195

mV 8-

Transisto r

1.2 nA -

121 mV 105 mV 211

mV 22]

[

890 pA -

113 mV 124 mV 168

mV 19]

[

758 pA -

118 mV 137 mV 243

mV 17]

[

2.2 nA -

109 mV 157 mV 180

mV 15]

[

تنوم لیلحت هجیتن نینچمه -

لولس یارب ولراک یداهنشیپ SRAM

( لکش بط هک تسا هدش ماجنا ندناوخ زیون هیشاح رادقم یارب 14

)

تسا صخشم یازا هب

220 تارییغت اب و رادم یارجا راب 3

یدصرد

.تسا بسانم ندناوخ زاف رد رادم درکلمع هناتسآ اتلو

( لکش 14 رادقم یارب مارگوتسیه رادومن و ولراک تنوم لیلحت :)

RSNM

5 - یریگ هجیتن

نیا رد هلاقم هظفاح لولس کی ادتبا ، یروتسیزنارت شش SRAM

رد نراقتم یروانف

32nm CNT زاس هیبش رازفا مرن طسوت

HSPICE هیذغت اتلو اب و

0.5 V هیبش تسا یلاح رد نیا .دش یزاس

طیارش نیا رد هک

، یم راک هناتسآریز هیحان رد رادم رادقم سپس .دنک

Pitch نتشون هیشاح ریداقم هک دش باختنا یروط لاریاک دادعا و

ندناوخ زیون هیشاح ،WM یرادهگن زیون هیشاح و RSNM

.دشاب هتشاد یرتشیب نانیمطا تیلباق رادم و هدوب ممیزکام HSNM

یتشن نایرج و هناتسآ اتلو شهاک مدع لیلد هب تلاح رد لااب

،یشوماخ هک دش تیور

هظفاح لولس رد رب ینتبم SRAM

یاهروتسیزنارت MOSFET

یروانف اب یاه ،32nm نانیمطا تیلباق

رادم هب تبسن یرتمک یلیخ اب SRAM

یروانف CNTFET دوجو

.دراد هظفاح لولس رادم رد ییزج تارییغت اب ،همادا رد شش SRAM

هظفاح لولس رادم کی ،یروتسیزنارت و یروتسیزنارت تفه SRAM

دش داهنشیپ دیدج یروتسیزنارت تشه هظفاح لولس رادم کی .

کی ره

یم اهرادم نیا زا رادم درکلمع دوبهب ببس دنناوت

نیا .ددرگSRAM

هظفاح یاهرادم هک تسا یلاح رد لولس دننام ،هدشداهنشیپSRAM

هظفاح سیزنارت ششSRAM

یلرتنک لانگیس چیه و هدرک لمع یروت

یمن لیمحت رادم هب یم یروتسیزنارت تفه لولس .دنک

یشان اتلو دناوت

ای لاک زا Clock Feed through

ات ار 50

% لولس و دهد شهاک

رادقم یروتسیزنارت تشه ات ارRSNM

45

% .تسا هداد دوبهب References

[1] Abhishek Agal, Pardeep, Bal Krishnan, “6T SRAM Cell: Design and Analysis”, International Journal of Engineering Research and Applications, Volume 4, Issue 3, March 2014, Page(s): 574-577 [2] Nagendra Sah, Nitish Goyal, “Analysis of Leakage Power Reduction in 6T SRAM Cell”, International Journal of Advance Engineering Research and Technology, Volume 3, Issue 6, June 2015, Page(s): 196-201.

[3] Bo Wang, Jun Zhou, Tony T Kim,

“Maximization of SRAM Energy Efficiency Utilizing MTCMOS Technology”, 4th Asia Symposium on Quality Electronic Design, 2012, Page(s): 35-40.

[4] Ajoy C A, Arun Kumar, Anjo C A, Vignesh Raja, “Design and Analysis of Low Power Static RAM Using Cadence Tool in 180nm Technology”, International Journal of Computer Science and Technology, Volume 5, March 2014, Page(s): 69- 72.

[5] Vijay Singh Baghel, Shyam Akashe, “Low power Memristor Based 7T SRAM Using MTCMOS Technique”, 2015 Fifth International Conference on Advanced Computing &

(9)

Communication Technologies, 2015, Page(s): 222- 226.

[6] P. Shiny Grace, N.M. Sivamangai, “Design of 10T SRAM Cell for High SNM and Low Power”, Third International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS), 2016, Page(s): 281-285.

[7] Rohit, Gaurav Saini, “A Stable and Power Efficient SRAM Cell”, IEEE international Conference on Computer, Communication and Control, 2015.

[8] G. Razavipour, A. Afzali-Kusha, M. Pedram,

“Design and Analysis of Two Low-Power SRAM Cell Structures”, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Volume 17, Issue 10, October 2009, Page(s): 1551-1555.

[9] M. Geetha Priya, Dr. K Baskaran, D.

Krishnaveni, “Leakage Power Reduction Techniques in Deep Submicron Technologies for VLSI Applications”, International Conference on Communication Technology and System Design, 2011, Page(s): 1163-1170.

[10] Hemantha S, Amit Dhawan, Haranath Kar,

“Multi-Threshold CMOS Design for Low Power Digital Circuits”, TENCON IEEE Conference, November 2008.

[11] Phani Kumar M, N. Shanmukha Rao, “A Low Power and High Speed Design for VLSI Logic Circuits Using Multi-Threshold Voltage CMOS Technology”, International Journal of Computer Science and Information Technologies, Volume 3, 2012, Page(s): 4131-4133.

[12] Smita Singhal, Nidhi Gaur, Anu Mehra, Pradeep Kumar, “Analysis and Comparision of Leakage Power Reduction Techniques in CMOS Circuits”, 2nd International Conference on Signal Processing and Integrated Networks (SPIN), 2015, Page(s): 936-944.

[13] Shunsuke Okumura et al., “A 0.56-V 128kb 10T SRAM Using Column Line Assist (CLA) Scheme”, 10th International Symposium on Quality Electronic Design, 2009, Page(s): 659-663.

[14] Praveen Kumar Sahu, Sunny, Yogesh Kumar, V.N. Mishra, “Design and Simulation of Low Leakage SRAM Cell”, Third International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS), 2016, Page(s): 73-77.

[15] Sun Y, Jiao H, Kursun V. A novel robust and low‐leakage SRAM cell with nine carbon nanotube transistors. IEEE Trans Very Large Scale Integr VLSI Syst. 2015;23(9):1729‐1739.

[16] Rutherglen C, Jain D, Burke P. Nanotube electronics for radiofrequency applications. Nat Nanotechnol. Dec. 2009;4(12):811‐819. 16.

Stanford University CNFET Model Web site.

(2014).

[17] Lin A, Patil N, Wei H, Mitra S, Wong H‐SP. A metallic‐CNT‐tolerant carbon nanotube technology using asymmetrically‐correlated CNTs (ACCNT), in Proc. Symp. VLSI Technol., 2009; 182–183.

[18] Pregaldiny F, Kammerer J, Lallement C.

Compact modeling and applications of CNTFETs for analog and digital circuit design, in Proc ICECS, 2006; 1030–1033.

[19] Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T, Okazaki T, Shinohara H. Chirality assignment of individual single‐walled carbon nanotubes in carbon nanotube field‐effect transistors by micro‐photocurrent spectroscopy. Appl Phys Lett. Feb.

2004;84(8):1368‐1370.

[20] Jiao H, Qiu Y, Kursun V. Variations‐tolerant 9T SRAM circuit with robust and low leakage SLEEP mode. Proc IEEE Int Symp On‐Line Test Robust Syst Des (IOLTS). 2016;39‐42.

[21] Lin S, Kim Y‐B, Lombardi F. Design of a CNTFET‐based SRAM cell by dual‐chirality selection. IEEE Trans Nanotech. 2010;9:30‐37.

[22] Sun Y, Jiao H, Kursun V. A novel robust and low‐leakage SRAM cell with nine carbon nanotube transistors. IEEE Trans Very Large Scale Integr VLSI Syst. 2015;23(9):1729‐1739.

[23] Rutherglen C, Jain D, Burke P. Nanotube electronics for radiofrequency pplications. Nat Nanotechnol. Dec. 2009;4(12):811‐819.

[24] Stanford University CNFET Model Web site.

(2014). [Online].Available:

http://nano.stanford.edu/model.php?

[25] Lin A, Patil N, Wei H, Mitra S, Wong H‐SP. A metallic‐CNT‐tolerant carbon nanotube technology using asymmetrically‐correlated CNTs (ACCNT), in Proc. Symp. VLSI Technol., 2009; 182–183.

[26] Pregaldiny F, Kammerer J, Lallement C.

Compact modeling and applications of CNTFETs for analog and digital circuit design, in Proc ICECS, 2006; 1030–1033.

[27] Ohno Y, Kishimoto S, Mizutani T, Okazaki T, Shinohara H. Chirality assignment of individual single‐walled carbon nanotubes in carbon nanotube field‐effect transistors by micro‐photocurrent spectroscopy. Appl Phys Lett. Feb.

2004;84(8):1368‐1370.

[28] Chang MF, Chang SW, Chou PW, Wu WC. A 130 mV SRAM with expanded write and read margins for subthreshold applications. IEEE J Solid‐ State Circuits. Feb.2011;46(2):520‐529.

[29] Chang L, Fried DM, Hergenrother J, et al.

Stable SRAM cell design for the 32 nm node and beyond, in Symp. VLSI Technology Dig., Jun 14–16, 2005; 128–129.

[30] Joshi R, Houle R, Batson K, et al. 6.6+ GHz low Vmin, read and half select disturb‐free 1.2 Mb

(10)

SRAM, in IEEE Symp. VLSI Circuits Dig., Jun. 14–

16, 2007, 250–251.

[31] Suzuki T, Moriwaki S, Kawasumi A, Miyano S, Shinohara H. 0.5‐V, 150‐MHz, bulk‐CMOS SRAM with suspended bit‐line read scheme, in Proc. ESSCIRC, Sep. 14–16, 2010; 354–357.

[32] Kulkarni JP, Goel A, Ndai P, Roy K. A read‐

disturb‐free, differential sensing 1R/1W port, 8T bitcell array. IEEE Trans Very Large Scale Integr (VLSI) Syst. Sep. 2011;19(9):1727‐1730.

[33] Tu MH, Lin JY, Tsai MC, Jou SJ, Chuang CT.

Single ended subthreshold SRAM with asymmetrical write/read‐assist. IEEE Trans Circuits Syst I: Reg Papers. Dec. 2010;57(12):3039‐3047.

[34] Chang MH, Chiu YT, Lai SL, Hwang W. A 1 kb 9T subthreshold SRAM with bit‐interleaving scheme in 65 nm CMOS, in Proc Int Symp Low Power Electronics and Design (ISLPED), Aug. 1–3, 2011; 291–296.

[35] Wang A, Calhoun B, Chandrakasan AP. Sub‐ threshold Design for Ultra Low‐Power Systems.

Series on Integrated Circuits and Systems.

Secaucus, NJ: Springer‐Verlag New York; 2006.

[36] Moore GE. Cramming more components onto integrated circuits. Electronics. 1965;38:114‐117.

[37] Liu Z, Kursun V. Characterization of a novel nine‐transistor SRAM cell. IEEE Trans Very Large Scale Integr (VLSI) System. 2008;16:488‐492.

[38] Paul BC, Fujita S, Okajima M, Lee TH, Wong PH‐S, Nishi Y. Impact of a process variation on

nanowire and nanotube device performance. IEEE Trans Electron Devices. 2007;54(9):2369‐2376.

[39] Li Y, Kim W, Zhang Y, Rolandi M, Wang D.

Growth of singlewalled carbon nanotubes from discrete catalytic nanoparticles of various sizes. J Phys Chem. 2001;105(46):11424‐11431.

[40] Lin S, Kim YB, Lombardi F, Lee YJ. A new SRAM cell design using CNTFETs. in Proc. IEEE Int. Soc. Conf., Nov. 2008: 168–171.

[41] Patel PK, Malik MM, Gupta T. Optimization techniques for high performance 9T SRAM cell. In:

Proc. Int. Conf. Smart Innovation, System and Technology ICTIS. Ahmedabad, Gujrat, India:

Springer; Nov. 2015:269‐279.

[42] Takeda K, Hagihara Y, Aimoto Y, et al. A read‐static‐noise‐margin‐free SRAM cell for low‐

VDD and high‐speed applications. IEEE J Solid‐ State Circuits. 2006;41(1):113‐121.

[43] Hanson S, Zhai B, Seok M, et al. Exploring variability and performance in a sub‐200‐mV processor. IEEE J Solid‐State Circuits.2008;43(4):881‐891.

[44] Grossar E, Stucchi M, Maex K, Dehaene W.

Read stability and write‐ability analysis of SRAM cells for nanometer technologies. IEEE J Solid‐State Circuits. Nov. 2006;41(11):2577‐2588.

[45] Choi W, Park J. A charge‐recycling assist technique for reliable and low power SRAM design.

IEEE Trans Circuits Syst I, Reg Papers.

2016;63(8):1164‐1175.