別紙4 (課程博士)
Department
電気・電子情報工学専攻
Pplica11t's nalne
氏名 土山和晃
Title ofThesis
博士学位論文名StudennDNumber
学籍番号
气
(Approx.800 、vords)
(要旨 1,200字程度)
Monolithic Fabrication processing ofLarge・scale optoelectronic lntegrated circuits usin
Svsi02/111・Nitride wafer
窒化物半導体・シリコン異種ウェハ接合を用いた高密度光電子集積回路の基盤技術
窒化物半導体(GaN系)を用いた高密度光電子集積回路(OEIC)の実現は、ディスプレイ、
医工学、計算機科学等の様々な分野との異分野融合による高付加価値応用の創出に繋がり、
Siエレクトロニクスと光エレクトロニクスを跨ぐ境界領域に新たな展開を与える。その実現 の鍵を握るのは、ウェハ接合による異種材料積層構造作製、熱収支管理、集積回路および発 光デバイスのモノリシック集積工程の設計に関わる基盤技術の開発である。本研究では、上 記技術に加え、 GaN系発光デバイスの集積化ならびにポリマー導波路の集積化を要素技術と
位置づけ、 GaN系発光デバイスを基軸とした新たな光電子集積回路の実現に門わる基盤技ず
の開発を目的とした。
第 103326 号
論文内容の要旨(博士)
Date of submission
Abstract
Supervisors
指導教員
平成 29 年1月
若原 H召t告
13日
高品質 モノリ
ことを 内で
るモデルの提案
作製出来ることを実証
こと
ー(COP)導波路の集積イ積構造を解析し、単純 ても約3%の光結合効率が得
立し、可視光全域で透明か COP導波路とμLEDのモノリ 観測まで実証を行った。
GaN・μLED用駆動回 シクロオレフィンポリ
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DeP釘tment
電気・電子情報工学専攻
PpliC飢t's name
氏名 士山和晃
Title ofThesis
博士学位論文名S加denuDNumber
学籍番号
(Approx.80o words)
(要旨 1,200字程度)
Monolithic Fabrication processing ofLarge・scale optoelectronic lntegrated circuitsUslng
Svsi02n11・Nitride 、vafer
窒化物半導体・シリコン異種ウェハ接合を用いた高密度光電子集積回路の基盤技術
第 103326 号
論文内容の要旨(博士)
Datc of submission
Abstract
Supervisors
指導教員
平成 29 年1月
若原 H召t告
13日
Fina11y,the integration technique ofcydo‑olean polymer (COP) based 、vave u・d f h h Wavelength region was investigated. From results of electromanet' 1
ComposedofthecopwaveguideandGaN、μLEDbyusin finite̲diff ̲d ,
Opticalcouplingefaciencyofoverl%insimplestructurewasobtained.Afb・' 負lmwasestablished,andthefabricatedcopalmshowed 。。dtrans ..
and good surface roughness as root mean square of o.3 nm. The m。n。1ith.
WaveguideandGaN・μLEDwasdesignedanddemonstrated,asare lt, 1・
Observed from the end face ofcop waveguide.
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