• Tidak ada hasil yang ditemukan

EEE 132 - PERANTI SEMIKONDUKTOR OKT-NOV 1992.

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2024

Membagikan "EEE 132 - PERANTI SEMIKONDUKTOR OKT-NOV 1992."

Copied!
5
0
0

Teks penuh

(1)

t'

UNTVERSM SAINS MAIAYSIA Pepertksaan Semester Pertama

Stdang L992193

oktober/Norrember 1992 EEE 132

-

Perantl Semlkondrrktor

Masa

:

tg Janl

ARAHAN KEPADA CAI,ON:

Stla pasukan bahawa kertas peperlksaan

lnt

mengandung{ 5 muka surat bercetak

dan

ENAIVI (6) soalan sebelum anda memutakan pepertksaan tnt' Jawab UMA{$ soalan.

Aglhan markah bagt setlap soalan dlberlkan

dl

sut sebelah kanan sebagat peratusan dartpada markah keseluruhan yang dtperuntukkan bagt soalan berkenaan.

Jawab kesernua soalan dt dalam Bahasa Malaysia.

F.

Jfl

...21-
(2)

(a)

Terangkan bagalmana Jalur tenaga terbentuk

dt

dalam sesuatu

hablur

semlkonduktor apablla dtbandtngkan dengan aras-aras tenaga atom tersebut bersendlrlan.

(6%)

Namakan dua contoh unsur-unsur yang boleh dlgunaltan sebagal

bendastng penderma

dan

penerlma. Terangkan bagalmana pembawa terbanyak elektron/lubang terhastl

dt

dalam hablur semlkonduktor ekstrlnslk.

(6%)

Nyatakan

takrfan

kebolehgerakan dan kekondukttfan. Kralah kekonduktlfan stltkon

tntrlnstk

pada satu

bf[k

(27oC). Dlbertkan

kepekatan tntrtnstk nt = 1.5

x t0lo cm-3,

pr, = l'3oo cm2/v-S,

lrp = SOOcxn2/V-S dancas q = 1.6x1O-19C.

(8%)

ta)

RaJah

I

menunJu}kan suatu semlkonduktor yang dldopkan secara

tak

seragam. Gunakan persamaan keterusan (contlnutty) dan perkattan Etnstten terbttkan perkattan dt antara '

pl,p2,Vl,V2

dan V1 dapat ditultskan sebagat:

h

= PZ ,vzrllh

Dtbertkan

DP = PP

vf

PerkaltanElnsuen

Jp=9pppE-qDp

V21=V2 -V1

dp

dx p€rcarnaan ketemsan l.

(b)

(c)

2.

8,"

,,,3/.

(3)

IEEE 1321

Nyatakan semua anggapan yang dgunakan

xt

,r2

R{ah

I

(l096)

suatu dtod dlsambungkan sestrt dengan pertntang RL sepertl yang dltunJukkan dalam raJah

2.

setelah keadaan setmbang dtcapat voltan Vy.dttukar ke -

V3.

Iaftarkan arus yang melalut dtod dan voltan meltntangtnya. Bertlcan peqfelasan rtngkas mengenat masa pe4rtrrpanan pembawa mtnorttl ts dan rnasa perallhan t1.

R4lah 2

(10e6)

Jelaskan dengan bantuan $ambaraJah proses pembuatan translstor Jents - alot dan resapan.

(6%)

Jelaskan clrt-clrt keluaran translstor pnp yang dtsambung menurut tata-tanda CE (pernancar sepurryra).

8;

-3-

?tt ,;u'

Pr I ri lPz

tl ll

3.

(a)
(4)

(c)

MeruJuk kepada rqlah 3,'terbltkan perkaltan

h' tco'

F dan Is yang

dlbertkan sebagat

Ic =

(1+

0

lco + F IB

Dlbertkan F

- f;

cr = PecdanJumlah arus pemancar yang sampar ke pernungut melalul taPah

Ico talah arus tepu songsang darl pemurgut ke tapak

R4lah 3

(8%)

4. (a)

Btncangkan perallhan

tttlk

operasl suatu translstor dtsebabkan oleh perubahan ntlal p atau hpp danJuga perubahan suhu'

(6%)

b)

Cadangkan

lltar

yang boleh dtgunakan

untuk

mengawal

tttlk

operasl sesuatu tranststor dan tunJutdsn bagatmanakah kestabllan ttuk operasr boleh dlperbalki apablla lltar tersebut dlgunakan.

rc%t

{c)

Lakarkan model lsyarat kectl htbrld frekuensl rendah sesuatu tranststor dwlkutub petnancar

sepunya.

Terangkan apakah dta lnrantttl hgs, hrs, h1g dan hoe. Jlka clri-clrl keluaran boleh dldapatt.

tunJukkan bagatmatra kuantr$-h1s dan heg boleh dlanggarkan.

10

(8%!

(5)

IEEE 1321

(a)

Senaralkan keleblhan yang dtsedlakan oleh lttar sepadu' (6%)

(b)

Dengan menggunakan raJah-raJah

keratan

rentas yang sesual, Jelaskan dengan rlngkas teknlk-tekntk dan proses-proses yang dtgunakan untukmembtna lltar sepadu yan$ dftur{ukkan dt ralah 4.

R4lah 4

(r4%l

Lakarkan dan namakan dengan lengkap keratan rentas MOSFEI.

salur P

(pentngkatan). Terangkan

ctrl-ctrl ialtr dan

geraf

plndahnya.

0096)

Bagalmanakah dlod 7.ener telah dlgunakan untuk meruuran8ll€n kerosakhan perantl MOS.

(4%l

(c)

Apakah keleblhan peranu cMos Jtka dlbandtregkan de4gan MOS.

Iakarkanget songsang CMOS danJelaskan operasl asasnya'

llr

- oooOooo - -5-

(a)

(b)

t6%)

Referensi

Dokumen terkait

Rajah l5.l menunjukkan sebuah pepejal berbentuk prisma tegak dengan tapak segi empat tepat ABLM terletak pada satah mengffik. Satah ABCDEF ialah keratan rentas

Terangkan dengan ringkas apakah yang terlibat dalam proses peralihan elektron dari jalur valens ke jalur konduksi di dalam semikonduktor berjurang jalur seperti ini.. Apakah penggunaan

[a] Kebolehan simpang pn untukrnenghalang a/iran arus dalam keadaan pincang songsang, tidaklah temad, Dengan bantuan rajah-rajah yang berkaltan, bincangkan tign 3 mekanisme utama, i]

a Apakah yang dimaksudkan dengan struktur tidak boleh tentu serta sebutkan dua kaedah utama bagaimana struktur tersebut boleh dianalisis?. b Jelaskan bagaimana anda dapat menganaliSls

30% [c Luktskan Jangan terangkanl gambaralah-gambaraJah lttar untuk berlkut: tl Penyongsang nMos dengan pertntang tartk-nark sebagat beban, t0 Penyongsang nMos deng'an

0 Luklskan gambaraJah lttar it Tentukan titik pengendaltan iii Dapatkan faktor kestabilan arus 5Oolo a Dengan menggunakan RJT n-p-n, lukiskan gambaraJah litar bagi guatu penguat

b -3- IEEE 228] Terangkan bagaimana sesuatu isyarat sebarangan boleh diwakilkan dengan fungsi-fungsi dedenyut 8% Diberi sambutan dedenyut bagi sistem elurus tak berubah masa sebagai

3Oo/o c Dengan menggunakan raJah yang boleh memberikan gambaran Jelas terangkan Yang berikut: i Get penghantaran Transmlsslon Gate dan il Transistor kuning yellow Transistor