111 學年度四技二專統一入學測驗 電機與電子群專業(一) 試題詳解

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(C) 1. ԃყ(Ι)ܚҰȂR1ɶ1k͖ȂR2ɶ3k͖ȂR3ɶ6k͖Ȃdᘈ௥ӴȂήӖդޱғጂȉ (A)VabɵVbc (B)VabɵVac (C)VbcɵVac (D)VcaɵVbaȄ

ყ(Ι) ყ(Π)

(D) 2. ԃყ(Π)ܚҰȂषϐޣR₁ɶ20͖ȂR₁ੑૉђ౥࣏ 180WȂR₂ੑૉђ౥࣏360WȂ R3ɶ60͖ȂR₃ੑૉђ౥࣏60WȂࠌήӖդޱғጂȉ

(A)Eɶ120VȂR4ɶ60͖ (B)Eɶ120VȂR4ɶ30͖

(C)Eɶ240VȂR4ɶ60͖ (D)Eɶ240VȂR4ɶ30͖Ȅ

(C) 3. ԤΙ᚞࣏ۡޢࢺ120VȂ600WޟႫዥጣȂषও୘௬

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2 ߝ࡙ޟႫዥጣੑૉђ౥࣏դȉ

(A)80W (B)100W (C)144W (D)173WȄ

(B) 4. ԃყ(έ)ܚҰႫၯȂႫࢺI࣏դȉ

(A)1mA (B)3mA (C)5mA (D)6mAȄ

ყ(έ) ყ(Ѳ)

(B) 5. ԃყ(Ѳ)ܚҰႫၯȂႫࢺI࣏դȉ

(A)0.5A (B)1A (C)1.5A (D)2AȄ

(C) 6. ԃყ(Ϥ)ܚҰႫၯȂႫࢺIघ࣏դȉ

(A)0.1mA (B)0.9mA (C)1.8mA (D)3.6mAȄ

ყ(Ϥ) ყ(ϲ)

(A) 7. ԃყ(ϲ)ܚҰႫၯȂҥaȃbڍᆒࣼΣϞᒛႳ้ਝႫࢺྛINЅ้ਝႫߢRNϷտ࣏

դȉ

(A)INɶ5AȂRNɶ3͖ (B)INɶ5AȂRNɶ6͖

(C)INɶ2AȂRNɶ3͖ (D)INɶ2AȂRNɶ6͖Ȅ

(D) 8. ष஠ҁݖႫৠᏢྃݖ७ᑖ෵Ѝ࣏নپޟΙјȂٮ஠ྃݖ໢ޟຽᚔ׽ᡐ࣏নپޟ2

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(A)4ॻ (B)2ॻ (C)0.5 ॻ (D)0.25ॻȄ

(D) 9. ყ(Μ)࣏ႫཐᏢҰཎყȂϣཐ໔࣏MȂषо้ਝႫၯߒҰȂࠌήӖդޱғጂȉ

(A) (B)

(C) (D)

ყ(Μ)

(A)10.! ԃყ(Τ)ܚҰ໊෈ܒႫࢺ߬ဴi(t)Ȃ၎߬ဴϞҁ֯঄IavЅԤਝ঄IrmsϷտ࣏դȉ (A)Iavɶ1AȂIrmsɶ 7 A (B)Iavɶ 7 AȂIrmsɶ1A

(C)Iavɶ2AȂIrmsɶ2 7 A (D)Iavɶ2 7 AȂIrmsɶ2AȄ

ყ(Τ) ყ(Ξ)

(B)11.! ԃყ(Ξ)ܚҰႫၯȂtɶ0ऌࠉႫৠᏢႫᔆ࣏ႭȂषtɶ0ऌਢ஠໠ᜰSഖӫȂࠌႫ

ৠᏢڍᆒႫᔆvc(t)࣏դȉ

(A)60(1ɯe^ɯ0.5t)V (B)20(1ɯe^ɯ0.5t)V (C)60(1ɯe^ɯ0.05t)V (D)20(1ɯe^ɯ0.05t)VȄ

(D)12.! ԃყ(Ϊ)ܚҰႫၯȂtɶ0ऌࠉႫཐᏢᓽԆ૖໔࣏ႭȂषtɶ0ऌਢ஠໠ᜰSҥ՝ည

1ϸՍ՝ည2ȂࠌήӖఄक़դޱғጂȉ

(A)ࢺငႫཐᏢޟߑۖႫࢺ঄࣏1AиႫၯਢ໢லኵ࣏80ms

(B)ࢺငႫཐᏢޟߑۖႫࢺ঄࣏0AиႫၯਢ໢லኵ࣏80ms

(C)ࢺငႫཐᏢޟߑۖႫࢺ঄࣏1AиႫၯਢ໢லኵ࣏0.2ms

(D)ࢺငႫཐᏢޟߑۖႫࢺ঄࣏0AиႫၯਢ໢லኵ࣏0.2msȄ

ყ(Ϊ) ყ(ΪΙ)

(A)13.! ԃყ(ΪΙ)ܚҰRC՛ᖒҺࢺႫၯȂषႫྛႫᔆvs(t)ɶ200 2 sin(500t)VȃႫࢺ i_s(t)ɶ10sin(500tɮ45Ʊ)AȂࠌႫߢRЅႫৠC࣏դȉ

(A)Rɶ20͖ȂCɶ100͢F (B)Rɶ20 2 ͖ȂCɶ100 2 ͢F

(C)Rɶ10 2 ͖ȂCɶ50 2 ͢F (D)Rɶ10͖ȂCɶ50͢FȄ

(A)14.! ԃყ(ΪΠ)ܚҰRLٮᖒҺࢺႫၯȂषႫྛႫᔆV_sɶ240ʆ0ƱVȂࠌႫࢺI_s࣏դȉ (A)(15ɯj20)A (B)(20ɯj15)A (C)(15ɮj20)A (D)(20ɮj15)AȄ

ყ(ΪΠ)

(C)15.! ԃყ(Ϊέ)ܚҰҺࢺႫၯȂڏaȃbڍᆒߢתZab࣏դȉ

(A)4͖ (B)(4ɮj4)͖ (C)(4ɯj4)͖ (D)(4ɯj8)͖Ȅ

ყ(Ϊέ) ყ(ΪѲ)

(D)16.! ࢚൐ࣺ॒ၷᆒႫᔆv_L(t)ɶ400sin(377t)VȂ॒ၷႫࢺi_L(t)ɶ40sin(377tɯ60Ʊ)AȂࠌ ήӖఄक़դޱғጂȉ

(A)॒ၷޟຜӵђ౥࣏16kVA (B)॒ၷޟᄂђ౥(ҁ֯ђ౥)࣏8kW

(C)॒ၷޟຎђ౥࣏8 3 kVAR(Ⴋཐܒ) (D)॒ၷޟശσᕡ໢ђ౥࣏12kWȄ

(D)17.! ԃყ(ΪѲ)ܚҰέࣺҁᒋႫၯȂषጣႫᔆԤਝ঄࣏400Vȃέࣺ॒ၷޟᖂᄂђ౥(ᖂ

ҁ֯ђ౥)࣏4.8kWȃђ౥Ӱኵ࣏0.6ဣࡣȂࠌߢתZL࣏դȉ(രຝȈcos53.1Ʊɶ0.6) (A)(12ɮj12 3 )͖ (B)(12 3 ɮj12)͖ (C)(16ɮj12)͖ (D)(12ɮj16)͖Ȅ (B)18.! ԃყ(ΪϤ)ܚҰҺࢺႫၯȂႫྛႫᔆv_s(t)ɶ200 2 sin(377t)VȂ॒ၷZ࣏Ⴋཐܒ

॒ၷȂڏຜӵђ౥࣏5kVAȃᄂђ౥(ҁ֯ђ౥)࣏3kWȇषႫྛޟђ౥Ӱኵ࣏1.0Ȃ ࠌႫৠתX_c࣏դȉ

(A)5͖ (B)10͖ (C)15͖ (D)20͖Ȅ

ყ(ΪϤ) ყ(Ϊϲ)

(C)19.! ԃყ(Ϊϲ)ܚҰႫၯȂϤՓጆႫߢՓᕗٷו᠞ڥ࣏ȶ෋෋༃ᐖᆦȷȂԊஉॎ ޟ

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(A)1A (B)100mA (C)1mA (D)0.01mAȄ

(A)20.! ԃყ(ΪΜ)ܚҰ࣏ඏ඼ิႫᐝ้ਝႫၯȂRx࣏࡟กႫߢȂषᔮࢺॎ ႫࢺIG࣏ ႭȂࠌήӖդޱғጂȉ

(A)Rxɶ20k͖ (B)Rxɶ200k͖ (C)I1ɶI2 (D)I1ɶI4Ȅ

ყ(ΪΜ)

(A)21.! ࢚ҡӵᄂᡛ፞ਢҢLCRߒ໔กΙ኿Ұ࣏203KϞ࡟กഝ౮ႫৠȂ၎ҡܚ໔กޟႫ

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(A)20.8nF (B)20.8͢F (C)203nF (D)203͢FȄ

(B)22.! ҰݰᏢᐇհ७ݖΰLEVEL໖Ϟђ૖࣏դȉ

(A)፡ᐌ࡙߫ (B)፡ᐌញีྥ՝ (C)፡ᐌЫҁ՝ည (D)፡ᐌ࠭ޢ՝ညȄ

(D)23.! ໢௥ёዥ࠮ด໻ҢႫᗧȂڏ൐ࣺႫྛႫᔆԤਝ঄࣏ 110VȂด໻ҢႫዥጣޟђ౥

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(A)ด໻ҢႫዥጣޟႫߢ঄σܻ߳ྣҢႫዥጣޟႫߢ঄

(B)ด໻ҢႫዥጣޟႫߢ঄้ܻ߳ྣҢႫዥጣޟႫߢ঄

(C)ด໻ਢ໔กႫྛႫࢺԤਝ঄घ࣏3.6A

(D)߳ྣਢ໔กႫྛႫࢺԤਝ঄घ࣏ 0.36AȄ

ɕᎧ᠞ήМȂӱ๎಑24ɯ25ᚠ

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ͮoɶ2000rad/sȂRSɶ4͖ȂႫྛႫᔆvs(t)ɶ50 2 sin(2000t)VȂџٷࠢ፴Ӱኵȃᒙਏُ

ᓜ౥ЅႫྛႫᔆȂ೩ॎႫཐ঄ȃႫৠ঄ЅႫৠޟञᔆȄ

ყ(ΪΤ)

(B)24.! ყϛ՛ᖒᒙਏႫၯϞႫཐLsЅႫৠCs঄ȂήӖդޱғጂȉ

(A)Lsɶ5mHȂCsɶ50͢F (B)Lsɶ10mHȂCsɶ25͢F (C)Lsɶ25mHȂCsɶ10͢F (D)Lsɶ50mHȂCsɶ5͢FȄ

(C)25.! ყϛ՛ᖒᒙਏႫၯᛧᄘਢႫৠ CsᆒႫᔆԤਝ঄࣏դȉ

(A)50V (B)150V (C)250V (D)300VȄ

(A)26.! Ⴋᔆv(t)ɶ6ɮ8 2 sin(10t)VȂࠌڏԤਝ঄Vrmsᇄҁ֯঄VavϞШ঄(Vrms /Vav)घ

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(A)1.67 (B)1.41 (C)1.34 (D)1.11Ȅ

(D)27.! ԃყ(ΪΞ)ܚҰႫၯȂषጋઽΠྃᡝ(Zener Diode)Ϟ஫ዛႫᔆ V_Zɶ6VȂ஫ዛጱᘈ ႫࢺIZKɶ1mAȂശσ஫ዛႫࢺIZMɶ16mAȂ܇౱ጋઽႫߢȂӵғலᛧᔆޑᄘή ᆰࡻVoɶVZɶ6VȂࠌ॒ၷႫߢRLϞശω঄࣏դȉ

(A)4.7k͖ (B)3.5k͖ (C)2.4k͖ (D)1.2k͖Ȅ

ყ(ΪΞ) ყ(ΠΪ)

(D)28.! ԃყ(ΠΪ)ܚҰႫၯȂषBJTώհܻкଢ଼ୢȂи͘ɶ100ȂϸΣႫᔆVBEɶ0.7VȂ

໱ྃႫࢺ࣏2mAȂࠌႫߢREघ࣏դȉ

(A)4.13k͖ (B)3.24k͖ (C)2.47k͖ (D)1.55k͖Ȅ

(A)29.! ԃყ(ΠΪΙ)ܚҰႫၯȂषBJTώհܻкଢ଼ୢȂ͘ɶ99ȂиϐޣஅྃҺࢺႫߢ

r^ͦɶ1k͖Ȃࠌi_o/i_iघ࣏դȉ

(A)25 (B)50 (C)75 (D)100Ȅ

ყ(ΠΪΙ) ყ(ΠΪΠ)

(C)30.! ԃყ(ΠΪΠ)ܚҰႫၯȂषBJTϞ͘ɶ100ȂϸΣႫᔆV_BEɶ0.7VȂዥႫᔆV_Tɶ 26mVȂࠌႫᔆቨઉ v_o/v_iघ࣏դȉ

(A)ɯ135 (B)ɯ115 (C)ɯ95 (D)ɯ75Ȅ

(C)31.! ҥέএܹσႫၯ՛௥Մԙޟ՛઻ܹσᏢȂڏӨ઻ႫᔆቨઉϷտ࣏ɮ20dBȃɮ40dB Ѕɮ20dBȂࠌ՛઻ܹσᏢᖂႫᔆቨઉ࣏դȉ

(A)80 (B)1000 (C)10000 (D)16000Ȅ

ɕᎧ᠞ήМȂӱ๎಑32ɯ34ᚠ

ԃყ(ΠΪέ)ܚҰ՛઻ܹσᏢȂڏϛڍᗻႫවᡝޟϸΣႫᔆVBEࣱ࣏0.7VȂዥႫᔆVT

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ሯޟᒯΣߢתϾ଩ЅႫᔆቨઉȄ

ყ(ΠΪέ) (A)32.! ყϛ՛઻ܹσᏢޟጮӫПԒ࣏դȉ

(A)ႫߢႫৠጮӫ (B)ޢ௥ጮӫ (C)Ⴋߢጮӫ (D)ႫཐጮӫȄ

(C)33.! ყϛҥ v_iᒯΣᆒࣼ໌ўޟᒯΣߢתघ࣏դȉ

(A)15͖ (B)26͖ (C)51͖ (D)2k͖Ȅ

(A)34.! ყϛ಑Π઻Ⴋᔆቨઉvo/vo1घ࣏դȉ

(A)1 (B)10 (C)15 (D)25Ȅ

(B)35.! ΙএP೽ၾቨ஼࠮MOSFET ޟᖝࣨႫᔆVtɶɯ0.5VȂष໔ுӨྃᄇԪႫၯޟ୤

ՃᘈϞႫᔆϷտ࣏ႢྃႫᔆVGɶ0VȂأྃႫᔆVDɶ3.0VЅྛྃႫᔆVSɶ3.3VȂ ࠌџրᘞѺᐇհӵ঺Ιୢȉ

(A)ᄠХୢ (B)ዉۓୢ (C)Ⴙڷୢ (D)஫ዛୢȄ

(B)36.! ԃყ(ΠΪѲ)ܚҰ౩དၼᆗܹσᏢᔖҢႫၯȂӵғலώհήȂषV_oɶV₁ɮV₂Ȃࠌ

ႫߢRSᔖ࣏դȉ

(A)20k͖ (B)10k͖ (C)5k͖ (D)2.5k͖Ȅ

ყ(ΠΪѲ)

(C)37.! ԃყ(ΠΪϤ)ܚҰ౩དၼᆗܹσᏢႫၯȂήӖఄक़դޱғጂȉ (A)Ԫ࣏ᑖϷႫၯ

(B)षvi࣏ПݰȂࠌvo࣏έُݰ

(C)षv_i࣏۾ݰȂࠌv_oޟਏൽᇄR ЅC঄Ԥᜰ (D)षv_i࣏έُݰȂࠌv_o࣏ғ۾ݰȄ

ყ(ΠΪϤ) ყ(ΠΪϲ)

(D)38.! ԃყ(ΠΪϲ)ܚҰкଢ଼Ԓள೽ᘮݰᏢȂڏଽᓜᄠХᓜ౥࣏fHȂճᓜᄠХᓜ౥࣏fLȂ

षC2ɶ5C1ȂR2ɶ4R1ȂࠌfH /fL࣏դȉ

(A)0.05 (B)1.25 (C)10 (D)20Ȅ

(B)39.! ԃყ(ΠΪΜ)ܚҰኵ՝ᡒᒮႫၯȂڏᒯюY ࣏դȉ

(A)YɶAB (B)YɶAB (C)YɶAɮB (D)YɶAɮBȄ

ყ(ΠΪΜ) ყ(ΠΪΤ)

(A)40.! ყ(ΠΪΤ)ܚҰ࣏࢚ᡒᒮႫၯϞᒯΣAȃBᇄᒯюYޟݰלȂषɮV_DD࣏ଽྥ՝(ᡒ

ᒮ1)Ȃ0V࣏ճྥ՝(ᡒᒮ0)ȂࠌԪᡒᒮႫၯ࣏դȉ

(A)ϣҌܖႢ (B)ЅႢ (C)ІЅႢ (D)ܖႢȄ

(A)41.! ԃყ(ΠΪΞ)ܚҰႫၯȂषR2ɶ3R1ȂC2ɶ 3

1 C1ȂࠌήӖఄक़դޱғጂȉ (A)ԪႫၯ࣏९৿ႫᐝਏᕝᏢȂ࿋(R4/R3)ʁ6Ȃࠌ౰ҡਏᕝ

(B)ԪႫၯ࣏९৿ႫᐝਏᕝᏢȂ࿋(R4/R3)ɷ 6

1 Ȃࠌ౰ҡਏᕝ (C)ԪႫၯ࣏ RCࣺಋਏᕝᏢȂ࿋(R4/R3)ʁ6Ȃࠌ౰ҡਏᕝ (D)ԪႫၯ࣏ RCࣺಋਏᕝᏢȂ࿋(R4/R3)ɷ

6

1 Ȃࠌ౰ҡਏᕝȄ

ყ(ΠΪΞ)

(C)42.! Ж޲ඈส೚(CPR)ޟ؏᡽࣏ȶѩȃѩȃCȃAȃBȃDȷȂڏϛԅҔȶBȷ࣏໌՗ή Ӗ঺Ιএ؏᡽ȉ

(A)оՌଢ଼ᡝѴЖ᠚ႫᔞўᠬᏢ(AED)ᄂࢊႫᔞ (B)ᄱ೽ڳ֜ၾ

(C)ᄂࢊΡώڳ֜

(D)ᄂࢊ૓ഋࡸᔆȄ

(B)43.! ࢚൐ࣺᐝԒᐌࢺႫৠᘮݰႫၯȂषᒯюޢࢺႫᔆݰלϞശσ঄࣏ 16VȂശω঄࣏

12VȂиڏᅜݰݰלߖխᒽᏏݰȂࠌԪޢࢺႫᔆݰלϞᅜݰԻϷ౥घ࣏դȉ

(A)12% (B)8% (C)5% (D)2%Ȅ

ɕᎧ᠞ήМȂӱ๎಑44ɯ45ᚠ

ԃყ(έΪ)ܚҰႫၯȂष BJTϞ͘ɶ100ȂϸΣႫᔆV_BEɶ0.7VȂႹڷႫᔆV_BE(sat)ɶ

0.8VȂVCE(sat)ɶ0.2VȇBJT໸ӑ࡚ҳΙএᎌ࿋ޟޢࢺώհᘈȂϗ૖հጣܒܹσᏢٺҢȂ

оή೩ॎЅրᘞӫ౩ޟޢࢺώհᘈȄ

ყ(έΪ)

(C)44.! ყϛषႫߢRBɶ372k͖Ȃࠌஅɯ໱ྃ໢ႫᔆVBCघ࣏դȉ

(A)ɯ2V (B)ɯ0.6V (C)0.6V (D)2VȄ

(B)45.! ყϛषႫߢRBɶ1M͖иႫၯڏт୤ኵϚᡐȂࠌ໱ྃႫᔆVCघ࣏դȉ

(A)6.7V (B)5.6V (C)4.5V (D)0.2VȄ

(D)46.! ԤᜰMOSFETӓྛྃCSಢᄘႫၯᇄӓႢྃCGಢᄘႫၯಢԙϞ᠒௥ܹσႫၯȂ

ήӖఄक़դޱғጂȉ (A)ᖂႫᔆቨઉŽA_vtŽωܻ1

(B)ᒯюႫᔆᇄᒯΣႫᔆӣࣺ՝

(C)ӓႢྃಢᄘႫၯҢپඪЀᒯΣߢת (D)Ԥਝ෵ճԽ୚ႫৠਝᔖȄ

(D)47.! ࢚ቨ஼࠮N೽ၾMOSFETӓأྃ(CD)ܹσႫၯώհܻႹڷୢȂ࿋ᒯΣ߬ဴ࣏ᓜ

౥500Hzȃ৫ᄇ৫঄1VϞғ۾ݰȂӵᒯю߬ဴϚѶઍήȂषоҰݰᏢᢎกڏᒯ

ю߬ဴݰלȂࠌήӖఄक़դޱғጂȉ

(A)ᒯю߬ဴ৫ᄇ৫঄घ࣏4V (B)ᒯю߬ဴ৫ᄇ৫঄घ࣏3V

(C)ᒯю߬ဴ৫ᄇ৫঄घ࣏2V (D)ᒯю߬ဴ৫ᄇ৫঄घ࣏1VȄ

(C)48.! ࢚N೽ၾቨ஼࠮ MOSFETώհܻႹڷୢȂᖝࣨႫᔆVtɶ1VȂ୤ኵKɶ2mA/V² иႢɯྛྃ໢ႫᔆVGSɶ3VȂࠌ୤ኵϣᏲgmघ࣏դȉ

(A)4mA/V (B)6mA/V (C)8mA/V (D)10mA/VȄ

(A)49.! ԃყ(έΪΙ)ܚҰ౩དၼᆗܹσᏢႫၯȂᒯΣႫᔆV_iɶ1VਢȂϷտ໔กڗV_x࣏

ɯ5VȂV_o࣏ɯ10VȂࠌႫߢR₁ЅR₂঄Ϸտ࣏դȉ

(A)R₁ɶ1k͖ȂR₂ɶ10k͖ (B)R₁ɶ1k͖ȂR₂ɶ5k͖

(C)R1ɶ5k͖ȂR₂ɶ10k͖ (D)R1ɶ5k͖ȂR₂ɶ5k͖Ȅġ

ყ(έΪΙ) ყ(έΪΠ)

(B)50.! ԃყ(έΪΠ)ܚҰࢊ஝੫(Schmitt)ញีᏢႫၯȂڏၼᆗܹσᏢޟᒯюႹڷႫᔆ࣏

ɲ12VȂषញีᏢϞήᖝ३Ⴋᔆ࣏0VȂࠌV_ref࣏դȉ

(A)12V (B)6V (C)0V (D)ɯ12VȄ

111 學年度四技二專統一入學測驗 電機與電子群專業(一) 試題詳解

1.(C) 2.(D) 3.(C) 4.(B) 5.(B) 6.(C) 7.(A) 8.(D) 9.(D) 10.(A) 11.(B) 12.(D) 13.(A) 14.(A) 15.(C) 16.(D) 17.(D) 18.(B) 19.(C) 20.(A) 21.(A) 22.(B) 23.(D) 24.(B) 25.(C) 26.(A) 27.(D) 28.(D) 29.(A) 30.(C) 31.(C) 32.(A) 33.(C) 34.(A) 35.(B) 36.(B) 37.(C) 38.(D) 39.(B) 40.(A) 41.(A) 42.(C) 43.(B) 44.(C) 45.(B) 46.(D) 47.(D) 48.(C) 49.(A) 50.(B) 1. Va＝－3V，Vb＝0V，Vc＝－6V，Vd＝0

Vab＝Va－Vb＝－3－0＝－3V Vbc＝Vb－Vc＝0－(－6)＝6V Vac＝Va－Vc＝－3－(－6)＝＋3V Vba＝－Vab＝－(－3)＝＋3V Vca＝－Vac＝－3V

2. PR1＝I²_R1R1 180＝I²_R1×20 IR1＝3A PR2＝I²_R1R2 360＝3²×R2 R2＝40Ω PR3＝

3 23 R

R

V 60＝

60 V_R²₃

VR3＝60V E＝3(20＋40)＋60＝240

240×3＝3²(20＋40)＋60＋PR4

PR4＝120W＝

4 2

R 60 R4＝30Ω 3. R＝

P V²

＝ 600 120²

＝24Ω R'＝24×

3

2 ＝16Ω(R) P'＝ 16

48² ＝144W

4. 節點V法

－5＋ 10 V₁ ＋

10 10

10 V₁

＋

＋ ＝0

V1＝30V I＝ 10K

30 ＝3mA

5. △Y

3

12 ＝4Ω

3

6 ＝2Ω

IT＝

4 8 //

8 2

20

＋

＋ ＝2A I＝2× 8 8

8

＋ ＝1A

6. I＝

K 1 K 30 K 20

90 200

＋

＋

－ ＝1.833mA

7.

RN＝6//6＝3Ω IN＝

6 18 12＋

＝5A

8. C'＝ d 2 2 A 1

＝ 4

1 C＝0.25C 9. 串互消 ^1 ^2 10. Iav＝

3

1 ) 2 ( 1 1 1

4 ＋ ＋－ 

＝1A Irms＝

3

1 ) 2 ( 1 1 1

4² ＋²＋－ ²

＝ 3

21 ＝ 7 A 11. RTh＝20＋60//30＝40kΩ

VTh＝60×

30 60

30

＋ ＝20V

C充τ＝RThC＝40K×50μ＝2秒 vc(t)＝20(1－ ²

t

e^－ )＝20(1－e^－0.5t)V 12. S1 iL(0^－)＝0A

S2 L充電τ＝

R L ＝

20 m

4 ＝0.2ms

13. 串



Z

＝

S S

I V





＝ 





 2 45 10

0

200 ＝20 2 ∠－45＝20－j20＝R－jXC

R＝20Ω XC＝20Ω＝

C

1 ω C＝ 20 500

10

1 ⁶



 μF＝100μF

14. RL並 IS



＝ 16 240 ＋

12 j

240 ＝15－j20A 15.



Z ＝(4＋j4)//(－j4)＝

4 j 4 j 4

) 4 j )(

4 j 4 (

－

＋

－

＋ ＝－j4－j²4＝4－j4Ω

16. S＝

2 400 ×

2

40 ＝8000VA＝8kVA P＝ 2

400 × 2

40 cos60°＝4000W＝4kW QL＝

2 400 ×

2

40 sin60°＝4000 3 VAR＝4 3 kVAR Pmax＝P＋S＝4＋8＝12kW

17. Y接V_＝ 3 VP＝400V VP＝ 3 400 V P＝3VPIPcosθ

4.8×10³＝3×

3

400 ×IP×0.6 IP＝

3 20 A

ZP＝

P P

I

V ＝

3 20 3 400

＝20Ω

ZP



_＝Z

Pcosθ＋jZPsinθ＝20×0.6＋j20 1－0.6² ＝12＋j16Ω 18. 負載QL＝ 5²－3² ＝4kVAR

P.F＝1 QC＝QL＝4kVAR＝

C 2

X V

XC＝

3 2

10 4

200

 ＝10Ω

19. R＝110×10³Ω±0.5%＝110kΩ±0.5%

＝ 110K

110 ＝1mA 20. 電橋平衡

(10k)(Rx)＝(100k)(2k) Rx＝20kΩ

I1＝I3，I2＝I4

21. C＝20×10³PF±10%＝20nF±10%

22. LEVEL 調整觸發準位 23. 煮飯I＝

110

800 ＝7.3A 保溫I＝

110

40 ＝0.36A 24. 串Q＝

s Ls

R

X 5＝

4 X_Ls

XLs＝XCs＝20Ω＝ωoLs＝

s oC

1 ω Ls＝

ω XLs

＝ 2000 10 20 ³

mH＝10mH Cs＝

Cs oX

1 ω ＝

20 2000

10

1 ⁶



 μF＝25μF 25. VCs＝VLs＝Q Vs＝5×50＝250V

26. Vav＝6V

Vrms＝ ² )² 2

2 (8

6 ＋ ＝10V

∴

av rms

V

V ＝

6

10 ＝1.67 27. IR＝

K 1

6 12－

＝6mA

IL(max)＝IR－IZ(min)＝6mA－1mA＝5mA RL(min)＝

(max) L

Z

I

V ＝

mA 5

V

6 ＝1.2kΩ 28. 令βRE 10kΩ ∴令IB＝0

VB＝20×

K 10 K 40

K 10

＋ ＝4V IC＝IE＝2mA

∴RE＝ m 2

7 . 0 4－

＝1.65KΩ 或

VBB＝20×

K 10 K 40

K 10

＋ ＝4V RB＝40K//10K＝8KΩ IB＝

β IC

＝ 100 mA

2 ＝0.02mA

VE＝VBB－IBRB－VBE＝4－0.02m×8K－0.7＝3.14V RE＝

E E

I

V ＝

C B

E

I I

V

＋ ＝

m 2 m 02 . 0

14 . 3

＋ ＝1.55KΩ

29. Rib＝rπ＋(1＋β)(4K//4K)＝1K＋100×2K＝201KΩ≒200KΩ

i o

i i ≒

K 200 K 200

K 200

＋ ×(1＋99)×

K 4 K 4

K 4

＋ ＝25

30. ∵βRE 5.7kΩ ∴令IB＝0

∴VB＝12×

K 7 . 5 K 3 . 6

K 7 . 5

＋ ＝5.7V IE＝

K 4

7 . 0 7 . 5 －

＝1.25mA re＝

E T

I

V ＝

mA 25 . 1

mV

26 ＝20.8Ω

i o

V

V ≒－

e C

r

R ＝－

8 . 20

K

2 ＝－96.2 或

VBB＝12×

K 7 . 5 K 3 . 6

K 7 . 5

＋ ＝5.7V RB＝6.3K//5.7K＝2.9925KΩ IB≒

K 4 101 K 9925 . 2

7 . 0 7 . 5





＋ ＝0.0123mA r^π＝

B T

I

V ＝

mA 0123 . 0

mV

26 ＝2.114KΩ

i o

V

V ＝－β×

rπ

R_C

＝－100×

K 114 . 2

K

2 ≒－95 31. ∵AVT(dB)＝20dB＋40dB＋20dB＝80dB

∴80dB＝20logAVT

∴AVT＝10⁴

32. 兩級R－C耦合串級放大器。

33. VB1≒12×

K 10 K 62

K 10

＋ ＝1.67V，IE1＝

1 E

1 BE 1 B

R V V －

＝ 2K 7 . 0 67 .

1 －

＝0.485mA re1＝

E T

I

V ＝

mA 485 . 0

mV

25 ＝51.55Ω Ri＝2K//51.55≒50.3Ω

34. VBB2＝12×

2

1 ＝6V 〈另解〉

RB2＝22K//22K＝11KΩ 由CC放大器之AV略小於(接 IE2＝

2 E 2 2 B

2 BE 2 BB

1 R R

V V

＋β ＋

－ ＝

K 101 2

K 11

7 . 0 12

＋

－ ＝5.36mA 近1)，可直接判定答案。

re2＝

2 E

2 T

I

V ＝

mA 36 . 5

mV

25 ＝4.66Ω

1 o

o

V

V ＝

2 E 2 e

2 E

R r

R

＋ ＝

K 2 66 . 4

K 2

＋ ≒1 35. VGS＝VG－VS＝0－3.3＝－3.3V

VGD＝VG－VD＝0－3＝－3V

∵VGS＜Vt且VGD＜Vt ∴歐姆區

36. Vo＝(

K 10

V₁

＋ 10K V₂

)×(10K//10K//RS)×(1＋

K 5

K

10 )＝V1＋V2

 10K V V₁＋ ₂

×(10K//10K//RS)×3＝V1＋V2

10K//10K//RS＝ 3

K

10 ∴RS＝10KΩ

37. (A)微分電路；(B)Vi為方波，Vo為尖脈波；(C)Vo＝－RC dt

) t ( dV_i

；(D)Vi為三角波，Vo為方波。

38. ∵fH＝

1 1C R 2

1 π fL＝

2 2C R 2

1 π

∴

L H

f

f ＝

2 2

1 1

C R 2

1 C R 2

1

π

π ＝

1 1

2 2

C R

C

R ＝

1 1

1 1

C R

C 5 R 4



 ＝20

39. Y＝A‧B＝A‧B

40. Y＝A‧B＋A‧B＝A⊕B(互斥或閘) A B Y

1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 1 0 1 41. β_＋＝

2 1 1 2

C C R 1 R

1

＋

＋

＝

1 1 1

1

3C 1

C R

R 1 3

1

＋

＋

＝ 7 1

∴A≧

β＋

1 1＋

3 4

R

R ≧7 ∴

3 4

R R ≧6 42. CPR的步驟：

叫(確認意識) 叫(呼叫救護車)

C(按壓胸口，Compressions) A(暢通呼吸道，Airway) B(人工呼吸，Breathing) D(去顫，Defibrillation)

43. r%＝

dc ) rms ( r

V

V ＝

dc ) P P ( r

V 3 2 V _

×100%＝

2 ) 12 (16

732 ) . 1 2

12 ( 16

＋

－

 ×100%＝

14 1547 .

1 ×100%

＝8.25%

44. IB＝

B ) act ( BE CC

R V

V －

＝ 372K 7 . 0 10－

＝0.025mA IC＝βIB＝100×0.025mA＝2.5mA

VCE＝VCC－ICRC＝10－2.5m×4.7K＝－1.75V

∵VCE＜VCE(sat) ∴BJT飽和

∴VCE＝VCE(sat)＝0.2V而VBC＝VBE(sat)－VCE(sat)＝0.8－0.2＝0.6V 45. IB＝

B ) act ( BE CC

R V

V －

＝ 1M 7 . 0 10－

＝9.3μA IC＝βIB＝100×9.3μA＝0.93mA

VC＝VCC－ICRC＝10－0.93m×4.7K＝5.629V

46. (A)∵|AVT|＝gm1×RD2 ∴|AVT|＞1；(B)∵CS串接CG ∴Vo與Vi相位相反；

(C)Q1為CS放大器用來提升輸入阻抗；(D)減低米勒電容效應，改善高頻響應。

47. CD放大器 ∵AV＝

) P P ( i

) P P ( o

V V

－

－ ≒1 ∴不失真之Vo(P^－P)≒Vi(P^－P)＝1V 48. gm＝2K(VGS－Vt)＝2×2m×(3－1)＝8mA/V

49. ∵Vx＝－

R1

K

5 ×1V＝－5V ∴R1＝1KΩ

Vo＝(1＋

R2

K

10 )×VX －10＝(1＋

R2

K

10 )×(－5) ∴R2＝10KΩ 50. VH

－＝－Vsat×

K 1 K 2

K 1

＋ ＋Vref×

K 2 K 1

K 2

＋ 0＝－12×

3

1＋Vref× 3 2

∴Vref＝6V