S FIS 0807623 Bibliography
Teks penuh
Dokumen terkait
Pada penelitian ini dipelajari formulasi dari pengaruh konsentrasi doping terhadap tahanan basis dan bandgap narrowing pada Si/Si 1-x Ge x /Si Heterojunction Bipolar Transistor
OTOMATISASI TRANSFER DATA PENGAMATAN AUTOMATIC WEATHER STATION (AWS) SERTA PEMANFAATANNYA DALAM SATELLITE DISASTER EARLY WARNING SYSTEM (SADEWA) Universitas Pendidikan Indonesia
RANCANG BANGUN PROTOTIPE MAGNETIZER MULTIPOLE DENGAN SISTEM KONTROL ARUS BERBASIS MIKROKONTROLER.. Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu |
Bentuk potensial transistor dwikutub berbasis Si1-xGex anisotropik jenis n-p-n mode aktif mundur yang dibagi n bagian
Dari program tersebut didapatkan nilai transmitansi elektron dan rapat arus terobosan yang kemudian diolah menjadi bentuk grafik nilai transmitansi terhadap energi datang
PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFERA. Universitas Pendidikan Indonesia| repository.upi.edu
Bagaimana karakteristik arus terobosan untuk transistor dwikutub berbasis AGNR dengan mode operasi aktif-maju dan aktif-mundur yang dihitung menggunakan metode
Transistor bipolar umumnya terbentuk dari sambungan PNP atau NPN dengan bahan silikon (Si) atau germanium (Ge). Sambungan tersebut dihasilkan dari sebuah dari irisan silikon
