DAFTAR ISI 2.1 Trasnsistor Sambungan Dwikutub ... 5
2.1.1 Struktur Transistor Sambungan Dwikutub ... 5
2.1.2 Karakteristik ... 6
2.2 Transistor Dwikutub Sambungan Hetero Si/Si1-xGex/Si Anisotropik ... 9
2.3 Perhitungan Transmitansi dan Rapat Arus Terobosan Dengan MMT ... 11
BAB III METODE PENELITIAN
3.1 Perhitungan Transmitansi Elektron ... 19
3.2 Perhitungan Rapat Arus Terobosan ... 22
3.3 Alur Penelitian ... 23
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN
4.1 Mode Operasi Aktif Maju ... 29
4.1.1 Hasil Perhitungan Transmitansi Elektron Terhadap Energi
Datang ... 29
4.1.2 Hasil Perhitungan Rapat Arus Terobosan ... 35
4.2 Mode Operasi Aktif Mundur ... 40
4.2.1 Hasil Perhitungan Transmitansi Elektron Terhadap Energi
Datang ... 40
4.2.2 Hasil Perhitungan Rapat Arus Terobosan ... 42
BAB V KESIMPULAN DAN SARAN
5.1 Kesimpulan ... 46 5.2 Saran ... 46
DAFTAR PUSTAKA ... 48
DAFTAR GAMBAR
Gambar 2.1. Struktur transistor dwikutub (a) n-p-n (b) p-n-p (c) Simbol skematis n-p-n (d) Simbol skematis p-n-p (Sze. et al, 2007) ... 6
Gambar 2.2. Pemberian panjar mode operasi transistor sambungan dwikutub (Zeghbroeck,2011) ... 7
Gambar 2.3. Transistor dwikutub n-p-n pada mode aktif-maju (Sze. et al, 2007)
... 8
Gambar 2.4. Transistor dwikutub n-p-n pada mode aktif mundur ... 8
Gambar 2.5. Model diagram pita konduksi Si/Si1-xGex/Si struktur hetero jenis n-p-n untuk perhitungan numerik. (a) tanpa bias (b) bias mode aktif maju. (Hasanah. et al, 2008) ... 10
Gambar 3.1. Bentuk potensial transistor dwikutub berbasis Si1-xGex anisotropik jenis n-p-n mode aktif mundur yang dibagi n bagian ... 20
Gambar 3.2 Bagan Alur Penelitian ... 25
Gambar 3.3a Flowchart perhitungan rapat arus terobosan mode aktif maju ... 26
Gambar 3.3b Flowchart perhitungan rapat arus terobosan mode aktif mundur 27
Gambar 4.1 Bentuk potensial ideal transistor dwikutub berbasis Si0.5Ge0.5 anisotropik npn mode aktif maju yang dibagi menajdi 1226 bagian ... 30
Gambar 4.2a Transmitansi elektron sebagai fungsi energi datang pada struktur transistor dwikutub berbasis Si0.5Ge0.5 anisotropik npn dengan ketebalan penghalang potensial 25 nm, VBE 0.1 V, VBC 0.1 V , tinggi penghalang 216 mV. Massa efektif M1 ... 31
Gambar 4.2b Transmitansi elektron sebagai fungsi energi datang pada struktur transistor dwikutub berbasis Si0.5Ge0.5 anisotropik npn dengan ketebalan penghalang potensial 25 nm, VBE 0.1 V, VBC 0.1 V , tinggi penghalang 216 mV. Massa efektif M2 ... 31
Gambar 4.3 Transmitansi elektron sebagai fungsi energi datang menggunakan MMT pada kecepatan elektron 8.25 x 105 m/s untuk kedua massa efektif elektron M1 dan M2 ... 33
Gambar 4.4a.Transmitansi elektron sebagai fungsi energi datang menggunakan MMT dan analitik untuk massa efektif M1 ... 34
Gambar 4.5a Rapat Arus terobosan terhadap VBE untuk massa efektif elektron M1 menggunakan MMT ... 36
Gambar 4.5b Rapat Arus terobosan terhadap VBE untuk massa efektif elektron M2 menggunakan MMT ... 37
Gambar 4.6 Rapat Arus terobosan terhadap VBE pada kecepatan elektron 8.25 x
105 m/s untuk massa efektif M1 dan M2 menggunakan MMT .... 38
Gambar 4.7a Rapat Arus terobosan terhadap VBE menggunakan MMT dan
analitik untuk massa efektif M1 ... 39
Gambar 4.7b Rapat Arus terobosan terhadap VBE dengan metode analitik dan MMT massa efektif M2 ... 40
Gambar 4.8 Bentuk potensial ideal transistor dwikutub berbasis Si0.5Ge0.5 anisotropik npn mode aktif mundur yang dibagi menajdi 1226 bagian ... 41
Gambar 4.9. Transmitansi elektron terhadap energi datang pada mode aktif-mundur untuk kecepatan elektron 8.25 x 105 m/s massa efektif M1 dan M2 ... 42
Gambar 4.10a Rapat arus terobosan terhadap VBC pada mode aktif mundur untuk
kecepatan elektron 0 m/s dan 8.25 x 105 m/s massa efektif elektron M1 ... 43
Gambar 4.10b Rapat arus terobosan terhadap VBC pada mode aktif mundur untuk
DAFTAR TABEL
Tabel 2.1. Mode operasi transistor sambungan dwikutub ... 6
