Indra Irawan, 2015
PERHITUNGAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB BERBASIS Si1-Xgex ANISOTROPIK
PADA MODE OPERASI AKTIF-MAJU DAN AKTIF-MUNDUR MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu | perpustakaan.upi.edu DAFTAR PUSTAKA
Agustino, R. dan Rosyid, M.F. (2013). Bentuk Fungsional Energi Elektron Bloch
Pada Potensial Periodik Semikonduktor. Jurnal Fisika Indonesia, 17(51),
hlm. 31-34.
Beiser, A. (1999). Konsep Fisika Modern (edisi keempat alih bahasa The Houw
Liong). Jakarta: Erlangga.
Fousse,L.(2007). Acurate Multiple-Precission Gauss-Legendre Quadrature.
Computer Arithmetic, hlm. 150-160.
Hasanah, L., Abdullah, M., Sukirno., Winata, T., dan Khairurrijall. (2008). Model
of a tunneling current in an anisotropic Si/Si1-xGex/Si heterostructure with
a nanometer thick barrier including the effect of parallel-perpendicular
kinetic energy coupling. Semiconductor Science Technology, 23,
page.1-6.
Hasanah, L. dan Khairurrijal. (2008). Perhitungan Arus Terobosan Pada Transistor Dwikutub Sambungan Hetero Si/Si1-xGex/Si Anisotropik Dengan
Menggunakan Metode Matriks Transfer. Jurnal Sains Material Indonesia,
hlm. 287-291.
Hasanah, L., Khairurrijall. (2010). Arus Terobosan Pada Transistor Dwikutub Struktur Hetero Si/Si1-xGex/Si Anisotropik Melewati Basis Tergradasi
Indra Irawan, 2015
PERHITUNGAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB BERBASIS Si1-Xgex ANISOTROPIK
PADA MODE OPERASI AKTIF-MAJU DAN AKTIF-MUNDUR MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu | perpustakaan.upi.edu
Ibach, Harald and Luth, Hans. (2009). Solid-State Physics (Fourth eds).Berlin: Springer.
Kittel, C. (2005). Introduction to Solid State Physics (8th edition). New York : Wiley.
Kwok, K.Ng.(1994). Complete Guide to Semiconductor Devices (Second Edition). New Jersey: McGraw-Hill,Inc.
Lovelady, K. (t.t). Anisotropic Materials.[Online]. Diakses dari http://sivirt.utsa.edu/Documents/Kayla%20Lovelady.pdf.
Monsoriu, J.A., Villatoro, F. R., Mar´ın, M. J. Urchuegu´ıa, J. F., and deC´ ordoba, P. F. (2005). A Transfer Matrix Method for The Analysis of Fractal Quantum Potensials. Europan Journal of Physics, 26, page. 603-610.
Paul, D. J. (2004). Si/Sige heterostructures:From material and physics to devices and circuits.Semiconductor Science Technology, 19.
Rahman A., Lundstrom, M. S., and Ghosh, A. W. (2005). Generalized Effective-mass Approach For n-type Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect Transistor on Arbitrarily Oriented Wafers. Journal of Applied Physics, 97.
Rieh, J.S., Cai, J., Ning, T., Stricker, A., and Freeman, G. (2005). Reverse Active Mode Current Characteristics of SiGe HBTs. IEEE Transactions On Electron Devices, 52(6), page. 1219-1222.
Rio, IR. S.R., dan Iida, Dr. M. (1999). Fisika dan teknologi semikonduktor. Jakarta: PT Pradnya Paramita.
Indra Irawan, 2015
PERHITUNGAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB BERBASIS Si1-Xgex ANISOTROPIK
PADA MODE OPERASI AKTIF-MAJU DAN AKTIF-MUNDUR MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu | perpustakaan.upi.edu 0
Armchair Graphene Nanoribbon. Seminar Nasional Material, hlm. 101-104.
Sutrisno. (1986). Elektronika Teori dan Penerapannya (Jilid 1). Bandung: Institut Teknologi Bandung.
Sze, S.M. and Kwok, K.Ng. (2007). Semiconductor Devices Physics and
Technology (Third Edition.). New York:Wiley.
Zeghbroeck, B.V. (2011). Principles of Semiconductor Devices. [Online]. Diakses
dari http://ecee.colorado.edu/~bart/book/.
Zuhal dan Zhanggischan. (2004). Prinsip Dasar Elektronika. Jakarta: PT. Gramedia
Pustaka Umum.
