• Tidak ada hasil yang ditemukan

Growth of AlGaSb Compound Semiconductors on GaAs Substrate byMetalorganic Chemical Vapour Deposition

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2017

Membagikan "Growth of AlGaSb Compound Semiconductors on GaAs Substrate byMetalorganic Chemical Vapour Deposition"

Copied!
9
0
0

Teks penuh

Loading

Gambar

Figure 1: Temperature dependence of the Alrates and the growth rate of Al0.05Ga0.95Sb growth0.05Ga0.95Sb epilayers grown at 580◦Cas a function of V/III ratio.
Figure 2: Surface morphology of AlxGa1−xSb epilayers grown on GaAs with a different Alcontent grown at 580◦C and 600◦C with a V/IIIratio of 3.
Figure 3: Dependence mobility and carrier concentration at 300 Kon the growth temperature for Al0.1Ga0.9Sb layers grown on GaAssubstrates with a V/III ratio of 3.
Figure 8: XPS narrow scan of Al(2p) region (a) premilled and (b)90 second milling surface of Al0.05Ga0.95Sb grown at 600◦C with aV/III ratio of 3.

Referensi

Dokumen terkait

Determination of Cohesive Devices and Theme Progression Pattern Consistency

Untuk memperoleh gambaran tentang ada tidaknya hubungan yang positif dan signifikan antara dukungan sosial orang tua dengan efikasi diri dalam pemilihan jurusan

Berdasarkan Surat Penetapan Penyedia Nomor : 14/Paket-01/PP-Ekbang/XII/2012, Tanggal 27 Desember 2012, maka dengan ini diumumkan bahwa Pemenang Pengadaan

[r]

Alhamdulillahirabbil’alamin peneliti panjatkan kehadirat Allah SWT, karena atas berkat hidayah dan inayah-Nya akhirnya peneliti dapat menyelesaikan penyusunan skripsi ini

hijauan sehingga mempunyai nilai nutrisi yang lebih baik dari pada hijauan.. (Tillman et

Metode Iterative Deepening A* (Star) Search Algorithms yang dipakai dalam pencarian rute terpendek pada aplikasi indoor positioning system ini, dapat menghitung

PEMERINTAH KOTA BATU UNIT LAYANAN