Makalah Komponen Elektronika
“Transistor”
Dosen : Drs.Mufti Ma’sum,M.Pd.
Disusun Oleh : Kelompok 5
Ahmad Zulfikar Fauzi
(5223103054)
Dimas Gading Permana
(5223103052)
Endro Subianto
(5223103068)
Fitriah Apriyani
(5223103056)
Khoerudin
(5223103055)
D3 Teknik Elektronika
Fakultas Teknik
Universitas Negeri Jakarta
2011
KATA PENGANTAR
Assalamualaikum Wr.Wb
Puji syukur, kehadirat Allah SWT yang telah memberikan anugerah, kesempatan dan pemikiran kepada penyusun untuk dapat menyelesaikan makalah ini. Makalah ini berisi tentang ringkasan materi Transistor untuk memenuhi tugas mata kuliah Komponen Elektronika.
Penyusun tidak dapat menyelesaikan makalah ini tanpa bantuan berbagai pihak, oleh karena itu penyusun mengucapkan terimakasih kepada :
1. Allah SWT yang telah memberikan rahmat, sehat dan sempat
2. Bapak Mufti Ma’sum selaku dosen pengajar mata kuliah Komponen Elektronika.
3. Teman-teman yang turut mendukung penyelesaian makalah ini.
Penyusun menyadari makalah ini sangat jauh dari sempurna, oleh karena itu kami mengharapkan kritik dan saran dari pembaca demi penyempurnaan tugas berikutnya.
Penyusun berharap makalah ini dapat bermanfaat bagi pembaca. Wassalamualaikum Wr.Wb
Jakarta, Juli 2011
DAFTAR ISI
KATA PENGANTAR...i DAFTAR ISI...ii BAB II MATERI PEMBAHASAN...1- 15
I. Definisi atau Pengertian Transistor II. Symbol Transistor
III. Struktur Transistor IV. Karakteristik Transistor
V. Prinsip Kerja atau Aplikasi Transistor
DAFTAR PUSTAKA...15
PEMBAHASAN
I. Definisi atau pengertian Transistor
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Transistor through-hole (dibandingkan dengan pita ukur sentimeter)
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.
SEJARAH TRANSISTOR
Kebanyakan ahli sejarah mengira bahwa dunia elektronika dimulai ketika Thomas Alpha Edison menemukan bahwa filamen panas memancarkan elektron (1883). Untuk merealisasi nilai komersial dari penemuan Edision, Fleming mengembangkan dioda hampa (1904). Deforest menambahkan elektroda ketiga untuk mendapatkan trioda hampa (1906). Sampai 1950, tabung hampa mendominasi elektronik; mereka digunakan dalam penyearah, penguat, osilator, modulator, dan lain-lainnya.
Ada beberapa alasan yang menyebabkan berkurangnya penggunaan tabung hampa dimasa sekarang ini. Hal ini dapat dilihat dari perbedaannya yang sangat mencolok
jika dibandingkan dengan transistor begitu pula dengan kelebihan dan kekurangannya.
Jenis-jenis transistor
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori: • Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
• Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain
• Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
• Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
• Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
• Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain
• Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain
Transistor
Transistor
dwikutub BJT ·UJT ·HBT ·IGBT
Penggunaa n transistor
dwikutub Tunggal emitor ·Tunggal kolektor · Tunggal basis
Transistor
ekakutub FET: MOSFET (ISFETMESFET ·DNAFET) · HEMT) ·JFET (FREDFET ·
Penggunaa n transistor
ekakutub
Gabungan
transistor Pasangan Darlingtonekor panjang · ·Pasangan SziklaiPasangan kaskoda ·Pasangan
Perbedaan tabung hampa dengan transistor adalah sebagai berikut:
1. Pada tabung hampa:
• Tabung hampa mempunyai fisik besar dan kurang praktis.
• Tabung hampa mempunyai tiga kaki yang terdiri dari Anoda, Katoda, dan Kasa kemudi.
• Tabung hampa banyak terbuat dari kaca sehingga rangkaian di dalamnya tampak dengan nyata.
• Tabung hampa tidak tahan terhadap goncangan. • Memerlukan Tegangan atau energi yang cukup besar. 2. Pada transistor:
• Bentuk fisik kecil dan praktis.
• Transistor mempunyai tiga kaki yan terdirti dari: Basis, Kolektor, dan Emitor. • Rangkaian dalam transistor tak kelihatan dari luar karena terbungkus plat atau
mika.
• Transistor than terhadap goncangan.
• Transistor hanya membutuhkan tegangan atau energi listrik yang minimum, hanya kira-kira beberapa volt saja.
Sejak ditemukannya transistor maka terjadilah revolusi di dalam dunia elektronika, karena transistor memiliki keuntungan yang lebih dibanding tabung hampa. Namun pada dasarnya, antara tabung hampa dengan transistor hampir sama dengan tabung elektroda atau tabung elektron. Persamaan ialah pada kakinya sebagai berikut:
Katoda = Emitor Anoda = Kolektor Kasa kemudi = Basis
Cara kerja Transistor dengan BahanSemikonduktor
Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik.
Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas.
Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk.
Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon.
Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole).
Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya.
Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut.
Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk mengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat diubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.
Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis.
I. Simbol Transistor
Semua komponen didalam bagan rangkaian transistor dinyatakan dengansimbol. Anak panah yang terdapat didalam simbol menunjukkan arah yang melalui transistor.
Gambar Simbol Transistor Catatan :
1. Transistor PNP : anak panah didalam simbol pada hubungan emitor menunjuk kedalam.
2. Transistor NPN : anak panah didalam simbol pada hubungan emitor menunjuk keluar.
NPN N-channel
BJT JFET
Simbol Transistor dari Berbagai Tipe
I. Struktur Transistor
BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material semikonduktor terdoping yang dipisahkan oleh dua sambungan pn. Ketiga material semikonduktor tersebut dikenal dalam BJT sebagai emitter, base dan kolektor (Gambar 1). Daerah base merupakan semikonduktor dengan sedikit doping dan sangat tipis bila dibandingkan dengan emitter (doping paling banyak) maupun kolektor (semikonduktor berdoping sedang). Karena strukturnya fisiknya yang seperti itu, terdapat dua jenis BJT. Tipe pertama terdiri dari dua daerah n yang dipisahkan oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya terdiri dari dua daerah p yang dipisahkan oleh daerah n (pnp). Sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan emitter dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction), sedangkan sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan kolektor dikenal sebagai sambungan base-kolektor (base-collector junction).
Gambar 1. Dua Jenis Bipolar Junction Transistor (BJT) II. Karakteristk Transistor
Transistor merupakan komponen aktif dan dibuat dari bahan semi konduktor, yang menggunakan aliran electron sebagai prinsip kerjanya didalam bahan Transistor merupakan pengembangan dari Tabung Hampa (Vacuum Tube). Fungsi utama dari sebuah transistor adalah penguat sinyal dan sebagai saklar elektronik, mixer (pencampur) yaitu pencampur sinyal yang ditangkap oleh penala dan frekuensi yang dihasilkan oleh oscillator, yang terdapat pada televisi dan radio fm. Sebuah transistor memiliki tiga daerah doped yaitu daerah emitter, daerah basis dan daerah disebut kolektor. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP. Transistor memiliki dua sambungan: satu antara emitter dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis. Karena itu, sebuah transistor seperti dua buah dioda yang saling bertolak belakang yaitu dioda emitter-basis, atau disingkat dengan emitter dioda dan dioda kolektor-basis, atau disingkat dengan dioda kolektor, Bagian emitter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-basis dibias maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan dioda biasa. Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis (Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan naik secara cepat.
Kode – Kode Transistor
Sebuah transistor selalu diberikan kode – kode tertentu sesuai dengan pabrik pembuatnya maupun fungsi transistor . Berikut adalah huruf-huruf pengkodean berdasarkan buatan pabrik dari Eropa :
1. Huruf pertama menyatakan bahan semikonduktor yang digunakan untuk membuat transistor. A = Germanium D = Antimonida Indium B = Silicon R = Sulfida Cadmium C = Arsenida Gali
2. Huruf kedua menyatakan fungsi penerapannya pada rangkaian elektronika. A = dioda detector, dioda pencampur , dioda kecepatan tinggi.
C = transistor frekuensi renadah D = transistor daya frekuensi rendah E = dioda terobosan
F = transistor frekuensi radio, bukan daya G = macam ragam keperluan ( multiperpose ) L = transistor daya frekuensi rendah
N = kopling foto
P = dioda radiasi seperti dioda foto, transistor foto Q = generator radiasi seperti LED
R = piranti kemudi dan saklar seperti TRIAC S = transistor sakalr daya rendah
T = piranti kemudi dan switching seperti TRIAC U = transistor saklar daya tinggi
X = dioda pengganda
Y = penyearah,dioda efisiensi atau penyondol (booster) Z = dioda Zener, pengatur ( regulator )
3. Huruf atau angka yang lain menyatakan nomor seri.
Untuk transistor buatan Amerika kode yang biasa digunakan adalah :
1N , 2N , dlsb. Sedang buatan Jepang menggunakan kode : 2SA , 2SB, 2SC. I. Cara Kerja Transistor
Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.
Selain itu Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau hFE. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
Gambar di bawah ini menunjukkan rangkaian kedua jenis transistor npn dan pnp dalam mode operasi aktif transistor sebagai amplifier. Pada kedua rangkaian, sambungan base-emiter (BE) dibias maju (forward-biased) sedangkan sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur (reverse-biased).
Forward-Reverse Bias pada BJT
Sebagai gambaran dan ilustrasi kerja transistor BJT, misalkan pada transistor npn (gambar 4). Ketika base dihubungkan dengan catu tegangan positif dan emiter dicatu dengan tegangan negatif maka daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan ini akan mengurangi tegangan barrier internal sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu untuk melewati daerah sambungan pn yang ada. Beberapa hole dan elektron akan mengalami rekombinasi di daerah sambungan sehingga arus mengalir melalui device dibawa oleh hole pada base(daerah tipe-p) dan elektron pada emiter (daerah tipe-n ). Karena derajat doping pada emiter (daerah tipe n) lebih besar daripada base (daerah tipe p), arus maju akan dibawa
lebih banyak oleh elektron. Aliran dari muatan minoritas akan mampu melewati sambungan pn sebagai kondisi reverse bias tetapi pada skala yang kecil sehingga arus yang timbul pun sangat kecil dan dapat diabaikan.
Elektron banyak mengalir dari emiter ke daerah base yang tipis. Karena daerah base berdoping sedikit, elektron pada hole tidak dapat berekombinasi seluruhnya tetapi berdifusi ke dalam daerah depletion BC. Karena base dicatu negatif dan kolektor dicatu positif (reverse bias), maka depletion BC akan melebar. Pada daerah depletion BC, elektron yang mengalir dari emiter ke base akan terpampat pada daerah depletion BC. Karena pada daerah kolektor terdapat muatan minoritas (ion positif) maka pada daerah sambungan BC akan terbentuk medan listrik oleh gaya tarik menarik antara ion positif dan ion negatif sehingga elektron tertarik kedaerah kolektor. Arus listrik kemudian akan mengalir melalui device.
Prinsip Kerja npn BJT
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan
perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut. Selain itu terminal gate dalam JFET membentuk sebuah dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.
FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.
Cara Kerja Transistor NPN di Tinjau Dari Aliran Elektron
Agar dapat aktif basis transistor harus diberi arus positif , adanya arus basis mengakibatkan aliran elektron dari emitor ke basis, tetapi karna sumber dari kolektor lebih besar, maka elektron yang mencapai daerah basis justru tertarik ke daerah kolektor sehingga adanya arus basis yang kecil mengakibatkan arus kolektor yang besar.
Cara Menentukan Kaki Transistor
Untuk menentukan kaki – kaki nya perlu melihat data sheet book transistor karena tipenya ribuan dengan bentuk kemasan ratusan jumlahnya, menentukan kaki Basis Emitor Kolektor dari sebuah transistor biasanya digunakan multimeter.
Dibawah ini adalah beberapa tips untuk menentukan kaki transistor tanpa menggunakan multimeter, caranya adalah :
• Kaki kolektor biasanya terhubung dengan badan transistor apabila transistor tersebut dipacking menggunakan metal. Apabila transistor dipacking dengan plastik maka kaki kolektor biasanya terhubung dengan badan transistor yang akan dihubungkan dengan pendingin.
• Apabila transistor tersebut tidak dihubungkan dengan pendingin, maka sebaiknya dicari dulu kaki basisnya. Kalau sudah ketemu, sekarang kaki basisnya ditengah apa dipinggir? Kalau kaki basisnya ditengah, biasanya kaki kolektor berada pada sebelah kanan. Kalau basisnya dipinggir maka kaki kolektor berada pada sebelah tengah.
Pengujian Transistor
Pada dasarnya transistor merupakan dua dioda yang dipertemukan, sehingga cara pengujian transistor hampir sama dengan pengujian dioda. Pengujian transistor dibedakan menjadi dua,yakni jenis NPN danjenis PNP.
Berikut ini diberikan table tentang hasil pengujian transistor yang dinyatakan baik Adapun langkah – langkah pengujian transistror NPN adalah :
1. Menyiapkan alat dan bahan yang dibutuhkan .
2. Mengarahkan saklar jangkah pada posisi ohm, misal pada posisi X1.
3. Tempelkan colok hitam pada kaki Basis (B) dan colok merah pada kaki Emiter (E) . Apabila jarum penunjuk bergerak maka transistor dinyatakan baik. Selanjutnya memindahkan colok merah pada kaki Kolektor (C), apabila jarum penunjuk bergerak maka transistor juga dinyatakan baik. Sedang apabila dalam pengujian transistor jarum penunjuk tidak bergerak maka transistor dinyatakan rusak
4. Selanjutnya apabila pengujian dibalik, yakni colok merah pada kaki Basis (B), sedang kaki Emiter (E) dan kaki Kolektor (C) dihubungkan dengan colok hitam secara bergantian, maka jika jarum penunjuk bergerak, transistor dinyatakan rusak, kemungkinan
5. Bocor Kembalikan perlengkapan pengujian pada tempat semula Langkah – langkah pengujian transistor PNP
1. Menyiapkan alat dan bahan yang dibutuhkan .
3. Menempelkan colok merah pada kaki Basis (B) dan colok hitam pada kaki Emiter (E). Bila jarum penunjuk bergerak maka transistor dinyatakan baik.
4. Setelah itu memindahkan colok hitam pada kaki Kolektor (C). Jika jarum bergerak maka transistor dinyatakan baik. Jika dalam pengujian meter tidak bergerak sama sekali, maka transistor dinya takan rusak / putus.
5. Kemudian jika pengujian dibalik yakni coclk hitam pada kaki Basis (B) sedang kaki Emiter (E) dan Kolektor (C) dihubungkan dengan colok merah secara bergantian, maka jika jarum bergerak ,transistor dinyatakan rusak.
Apabila jarum bergerak menunjukkan nilai ohm yang rendah, maka dapat dipastikan bahwa transistor dalam kondisi bocor.
Kerusakan – kerusakan yang sering terjadi pada transistor :
1. Adanya pemutusan hubungan dari rangkaian elektronik.
2. Terjadinya konseleting/ hubung singkat antar elektroda transistor. 3. Terjadi kebocoran diantara electrode – electrode transistor.
Adapun penyebab terjadinya kerusakan pada sebuah transistor adalah :
1. Penangannan yang tidak tepat saat pemasangan pada rangkaian.
2. Transistor terlalu panas karena suhunya melebihi batas maksi - Mal kemampuannya. Bagi transistor dari bahan Germanium suhu maksimal ± 750C sedang transistor Silicon suhu maksimal mencapai ± 1500C.
3. Kesalahan pengukuran.
4. Pemasangan yang salah pada rangkaian.
Daftar Pustaka http://zulfikarartha.blogspot.com/2010/04/sejarah-transistor.html, 16 Juli 2011. http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor, 16 Juli 2011. http://www.scribd.com/doc/57620066/8/Gambar-4-Simbol-Transistor, 16 Juli 2011. http://tanotocentre.wordpress.com/2010/10/26/bipolar-junction-transistor-bjt/, 16 Juli 2011
