Makalah Transistor BJT, UJT, dan FET
Makalah Transistor BJT, UJT, dan FET
Tugas Mata Kuliah
Tugas Mata Kuliah
Komponen Elektronika
Komponen Elektronika
Disusun oleh :
Disusun oleh :
Adhi
Adhi Bayu
Bayu I.
I.
171311002
171311002
Acep
Acep Nurjaman
Nurjaman
171311001
171311001
Adri
Adri Novanda
Novanda
171311003
171311003
Program Studi Teknik Elektronika
Program Studi Teknik Elektronika
Jurusan Teknik Elektro
Jurusan Teknik Elektro
Politeknik Negeri Bandung
Politeknik Negeri Bandung
2017
2017
PRAKATA PRAKATA
Dengan menyebut nama Allah SWT
Dengan menyebut nama Allah SWT yang Maha Pengasih lagi Maha Panyayang,yang Maha Pengasih lagi Maha Panyayang, dengan ini kami panjatkan puji syukur atas kehadirat-Nya, yang telah melimpahkan dengan ini kami panjatkan puji syukur atas kehadirat-Nya, yang telah melimpahkan rahmat-Nya kepada kami, sehingga kami dapat menyelesaikan Makalah Transistor rahmat-Nya kepada kami, sehingga kami dapat menyelesaikan Makalah Transistor BJT,BJT, UJT, Dan FET ini.
UJT, Dan FET ini.
Adapun makalah ini dibuat dengan banyak pertimbangan dan ref
Adapun makalah ini dibuat dengan banyak pertimbangan dan ref erensi yangerensi yang dipertimbangkan baik-baik sehing
dipertimbangkan baik-baik sehingga ga proses pembuatan makalah ini dproses pembuatan makalah ini dapat dibilang cukupapat dibilang cukup lancar. Oleh sebab itu, kami juga ingin menyampaikan rasa terima kasih
lancar. Oleh sebab itu, kami juga ingin menyampaikan rasa terima kasih yang sebesar-yang sebesar- besarnya kepada semua pihak yang telah memban
besarnya kepada semua pihak yang telah membantu kami dalam pembuatan makalah ini.tu kami dalam pembuatan makalah ini. Akhirnya penyusun mengharap
Akhirnya penyusun mengharapkan semoga dari makalah dapat bermanfaat.. kan semoga dari makalah dapat bermanfaat.. SelainSelain itu, kritik dan saran dari Anda kami tunggu untuk makalah yang lebih baik lagi.
itu, kritik dan saran dari Anda kami tunggu untuk makalah yang lebih baik lagi.
Bandung, 7 Desember 2017 Bandung, 7 Desember 2017 Penyusun Penyusun
DAFTAR ISI Prakata ... i Daftar isi ... ii Pendahuluan ... 1 1.1. Latar Belakang ... 1 1.2. Rumusan Masalah ... 1 1.3. Tujuan ... 1 Pembahasan ... 2
2.1. Bipolar Junction Transistor ... 2
2.2. Field Effect Transistor ... 5
2.3. Uni Junction Transistor ... 10
2.4. Perbedaan Masing-masing Transistor ... 14
2.5. Cara Mengukur Transistor ... 15
Penutup ... 16
3.1. Kesimpulan ... 16
BAB I
PENDAHULUAN
1.1 Latar belakang
Dalam perancangan sebuah sistem elektronika, ada beberapa alat yang harus diperlukan agar alat tersebut bisa berjalan sesuai yangn diinginkan. Salah satu bentuk alat tersebut adalah transistor.
Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3 terminal. Secara harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘Transfer resistor’, yaitu suatu komponen yang nilai resistansi antara terminalnya dapat diatur. Alat ini merupakan alat semikonduktor yang dipakai sebagai peguat atau pemilih, dan mempunyai tiga terminal. Dimana tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya.
Dalam pembahasan makalah ini, akan dibahas mengenai penjelasan transistor, macam-macam atau jenis-jenis serta fungsi transistor. Selain itu akan dibahas pula tentang bagaimana cara transistor itu bekerja.
1.2 Rumusan Masalah
Dalam pembahasan makalah ini, penyusun mempunyai beberapa rumusan masalah, antara lain:
1. Apa itu transistor BJT, UJT, dan FET ? 2. Apa fungsi transistor BJT, UJT, dan FET ?
3. Bagaimana cara kerja dari transistor BJT, UJT, dan FET ?
1.3 Tujuan
Sesuai dengan permasalahan yang dikemukakan, maka tujuan penulisan makalah ini adalah sebagai berikut:
1. Mempelajari tentang transistor BJT, UJT, dan FET. 2. Mengetahui fungsi transistor BJT, UJT, dan FET. 3. Memahami cara kerja transistor BJT, UJT, dan FET.
BAB II PEMBAHASAN 2.1 Bipolar Junction Transistor (BJT)
2.1.1 Pengertian
Bipolar junction transistor (BJT) atau yang biasa dikenal dengan transistor bipolar merupakan komponen elektronika yang terdiri dari tiga lapis bahan semikonduktor, baik untuk yang bertipe PNP ataupun NPN. Pada setiap lapisan yang membentuk transistor tersebut memiliki nama-nama tersendiri yaitu Emitor (E), Kolektor (K), dan Basis ( B). Dan pada tiap lapisan tersebut terdapat kontak kawat untuk koneksi ke rangkaian. Simbol skematik transistor tipe PNP dan NPN ditunjukan pada gambar dibawah ini
Transistor bipolar: (a) simbol skematik PNP, (b) phisik PNP, (c) simbol skematik NPN, (d) fisik NPN
Pada transistor NPN, collector mendapat kutub positive sumber tegangan sedangkan emitter mendapat kutub negative sumber tegangan. Pada transistor PNP, collector mendapat kutub negative sumber tegangan sedangkan emitter mendapat kutub positive sumber tegangan.
Untuk dapat membedakan kedua jenis tersebut, dapat kita lihat dari bentuk arah panah yang terdapat pada kaki emitornya. Pada transistor PNP arah panah akan mengarah ke dalam, sedangkan pada transistor NPN arah
panahnya akan mengarah ke luar. Saat ini transistor telah mengalami banyak perkembangan, karena sekarang ini transistor sudah dapat kita gunakan
sebagai memory dan dapat memproses sebuah getaran listrik dalam dunia prosesor komputer.
2.1.2 Fungsi
BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan
dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang diketahui.
BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma.
Sebuah diode sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini, tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar.
BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus, terutama penggunaan
frekuensi sangat tinggi (VHF), seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel.
2.1.3 Kontruksi
Sketsa konstruksi transistor NPN, Terlihat lapisan tipis semikonduktor tipe P yang diapit oleh 2 semikonduktor tipe N. Semikonduktor tipe N yang lebih kecil akan menjadi daerah emitor. Pada semikonduktor tipe N yang menjadi daerah emitor ini disisipkan lebih banyak logam pengotor
dibandingkan dengan semikonduktor tipe N yang menjadi daerah kolektor, sehingga pada daerah emitor lebih banyak terdapat elektron bebas
dibandingkan dengan daerah kolektor, walaupun kedua daerah ini dibuat dari bahan yang sama yaitu semikonduktor tipe N. Semokonduktor tipe P yang menjadi daerah basis dibuat tipis dan banyak mengandung muatan positif (lubang).
2.1.4 Bahan
Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid, terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi.
2.2 Field Effect Transistor (FET) 2.2.1 Pengertian
Field Effect Transistor merupakan komponen Elektronika aktif yang menggunakan Medan Listrik untuk mengendalikan Konduktifitasnya. Field Effect Transistor (FET). Dikatakan Field Effect atau Efek Medan karena pengoperasian Transistor jenis ini tergantung pada tegangan (medan listrik)
yang terdapat pada Input Gerbangnya. FET merupakan Komponen
Elektronika yang tergolong dalam keluarga Transistor yang memilki Tiga Terminal Kaki yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).
Field Effect Transistor atau FET memiliki fungsi yang hampir sama dengan Transistor bipolar pada umumnya. Perbedaannya adalah pada pengendalian arus Outputnya. Arus Output (IC) pada Transistor Bipolar
dikendalikan oleh arus Input (IB) sedangkan Arus Output (ID) pada FET dikendalikan oleh Tegangan Input (VG) FET. Jadi perlu diperhatikan bahwa perbedaan yang paling utama antara Transistor Bipolar (NPN &
PNP) dengan Field Effect Transistor (FET) adalah terletak pada
pengendalinya (Bipolar menggunakan Arus sedangkan FET menggunakan Tegangan).
Field Effect Transistor ini sering disebut juga dengan Unipolar Transistor atau Transistor Eka Kutup, hal ini dikarena FET adalah
Transistor yang bekerja bergantung dari satu pembawa muatan saja, apakah itu Elektron maupun Hole. Sedangkan pada Transistor Bipolar (NPN & PNP) pada umumnya, terdapat dua pembawa muatan yaitu Elektron yang membawa muatan Negatif dan Hole sebagai pembawa muatan Positif. Field
Effect Transistor (FET) atau Transistor Efek Medan ini diciptakan dan dipatenkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1926 dan juga oleh Oscar Hell di tahun 1934.
FET dapat dibuat dari beberapa s emikonduktor, silikon menjadi yang paling umum. FET pada umumnya dibuat dengan proses pembuatan
semikonduktor borongan, menggunakan lapik semikonduktor kristal
tunggal sebagai daerah aktif, atau kanal. Di antara bahan badan yang tidak lazim adalah amorphous silicon, polycrystalline silicon dan OFET yang dibuat dari semikonduktor organik dan sering menggunakan isolator gerbang dan elektrode organik.
2.1.2 Jenis-jenis
Pada dasarnya terdapat dua jenis klasifikasi utama pada Field Effect Transistor atau FET ini, kedua jenis tersebut diantaranya adalah JFET (Junction Field Effect Transistor) dan MOSFET (Metal Oxide
Semiconduction Field Effect Transistor). 1. Junction FET (JFET)
Cara Kerja JFET pada prinsipnya seperti kran air yang mengatur aliran air pada pipa. Elektron atau Hole akan mengalir dari Terminal Source (S) ke Terminal Drain (D). Arus pada Outputnya yaitu Arus Drain (ID) akan sama dengan Arus Inputnya yaitu Arus Source (IS). Prinsip kerja tersebut sama dengan prinsip kerja sebuah pipa air di rumah kita dengan asumsi tidak ada kebocoran pada pipa air kita.
Besarnya arus listrik tergantung pada tinggi rendahnya Tegangan yang diberikan pada Terminal Gerbangnya (GATE (G)). Fluktuasi Tegangan pada Terminal Gate (VG) akan menyebabkan perubahan pada arus listrik yang melalui saluran IS atau ID. Fluktuasi yang kecil
dapat menyebabkan variasi yang cukup besar pada arus aliran pembawa muatan yang melalui JFET tersebut. Dengan demikian terjadi penguatan Tegangan pada sebuah rangkaian Elektronika.
Junction FET atau sering disingkat dengan JFET memiliki 2 tipe berdasarkan tipe bahan semikonduktor yang digunakan pada saluran
atau kanalnya. JFET tipe N-Channel (Kanal N) terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N dan P-Channel (Kanal P) yang terbuat dari Semikonduktor tipe P.
a. JFET Kanal – N
Saluran atau Kanal pada jenis ini terbentuk dari bahan
semikonduktor tipe N dengan satu ujungnya adalah Source (S) dan satunya lagi adalah Drain (D). Mayoritas pembawa muatan atau Carriers pada JFET jenis Kanal-N ini adalah Elektron.
Gate atau Gerbang pada JFET jenis Kanal-N ini terdiri dari bahan semikonduktor tipe P. Bagian lain yang terbuat dari Semikonduktor tipe P pada JFET Kanal-N ini adalah bagian yang disebut
dengan Subtrate yaitu bagian yang membentuk batas di sisi saluran berlawanan Gerbang (G).
Tegangan pada Terminal Gerbang (G) menghasilkan medan listrik yang mempengaruhi aliran pada pembawa muatan yang melalui saluran tersebut. Semakin Negatifnya VG, semakin sempit pula salurannya yang akhirnya mengakibatkan semakin kecil arus pada outputnya (ID). b. JFET Kanal – P
Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe P. Mayoritas pembawa muatannya adalah Hole. Bagian Gate atau Gerbang (G) dan Subtrate-nya terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N.
Di JFET Kanal-P, semakin Positifnya VG, semakin sempit pula
salurannya yang akhirnya mengakibatkan semakin kecilnya arus pada Output JFET (ID).
Dari Simbolnya, kita dapat mengetahui mana yang JFET Kanal-N dan JFET Kanal-P. Anak Panah pada simbol JFET Kanal-N adalah menghadap ke dalam sedangkan anak panah pada simbol JFET Kanal-P menghadap keluar.
2. Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor (MOSFET) Seperti halnya JFET, Saluran pada MOSFET juga dapat berupa semikonduktor tipe-N ataupun tipe-P. Terminal atau Elektroda Gerbangnya adalah sepotong logam yang permukaannya dioksidasi. Lapisan Oksidasi ini berfungsi untuk menghambat hubungan listrik antara Terminal Gerbang dengan Salurannya. Oleh karena itu, MOSFET sering juga disebut dengan nama Insulated-Gate FET (IGFET). Karena lapisan Oksidasi ini bertindak sebagai dielektrik, maka pada dasarnya tidak akan terjadi aliran arus antara Gerbang dan Saluran. Dengan demikian, Impedansi Input pada MOSFET menjadi sangat tinggi dan jauh melebihi Impedansi Input pada JFET. Pada beberapa jenis MOSFET Impedansi dapat mencapai Triliunan Ohm
(1012 Ohm). Dalam bahasa Indonesia, MOSFET disebut juga dengan Transistor Efek Medan Semikonduktor Logam-Oksida.
Salah kelemahan pada MOSFET adalah tipisnya lapisan Oksidasi sehingga sangat rentan rusak karena adanya pembuangan elektrostatik (Electrostatic Discharge).
Seperti yang disebut sebelumnya, bahwa MOSFET pada dasarn ya terdiri dari 2 tipe yaitu MOSFET tipe N dan MOSFET tipe P.
a. MOSFET Tipe – N
MOSFET tipe N biasanya disebut dengan NMOSFET atau nMOS. Berikut dibawah ini adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe N.
b. MOSFET Tipe – P
MOSFET tipe P biasanya disebut dengan PMOSFET atau pMOS. Dibawah ini adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe P.
3. MESFET (Metal – Semiconductor FET, FET Semikonduktor – Logam)
menggantikan sambungan p-n pada JFET dengan sawar Schottky, digunakan pada GaAs dan bahan semikonduktor lainnya.
4. HEMT (High Electron Mobility Transistor, Transistor
Pergerakan Elektron Tinggi), juga disebut HFET (heterostructure FET, FET Struktur Campur). Material celah-jalur-lebar yang dikurangi penuh
membentuk isolasi antara gerbang dan badan.
5. IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Transistor Dwikutub Gerbang-Terisolasi) adalah peranti untuk pengendali daya tinggi. Ini mempunyai struktur mirip sebuah MOSFETyang digandengkan dengan kanal konduksi utama yang mirip transistor dwikutub. Ini sering digunakan pada tegangan
operasi cerat-ke-sumber antara 200-3000 V. MOSFET daya masih merupakan peranti pilihan utama untuk tegangan cerat-ke-sumber antara 1-200 V.
6. FREDFET (Fast Reverse/Recovery Epitaxial Diode FET, FET Dioda
Epitaksial Cepat Balik/Pulih) adalah sebuah FET yang didesain khusus untuk memberikan kecepatan pemulihan (pematian) yang sangat cepat dari dioda badan.
7. ISFET (Ion-Sensitive FET, FET Sensitif-Ion) digunakan untuk mengukur konsentrasi ion pada larutan, ketika konsentrasi ion (seperti pH) berubah, arus yang mengalir melalui transistor juga berubah.
8. DNAFET adalah FET khusus yang berfungsi sebagai sebuah biosensor, dengan menggunakan gerbang yang dibuat dari molekul salah satu helai DNA untuk mendeteksi helaian DNA yang cocok.
2.1.3 Kelebihan dan Kelemahan
Jika dibandingkan dengan Transistor Bipolar, FET uu beberapa kelebihan dan kelemahan. Salah satu kelebihan FET adalah dapat bekerja dengan baik di rangkaian elektronika yang bersinyal rendah seperti pada perangkat
komunikasi dan alat-alat penerima (receiver). FET juga sering digunakan pada rangkaian-rangkaian elektronika yang memerlukan Impedansi yang tinggi. Namun pada umumnya, FET tidak dapat digunakan pada perangkat atau
rangkaian Elektronika yang bekerja untuk penguatan daya tinggi seperti pada perangkat Komunikasi berdaya tinggi dan alat-alat Pemancar (Transmitter).
8.3 Unijunction Transistor (UJT) 8.3.1 Pengertian
UJT (Uni Junction Transistor) merupakan piranti semikonduktor yang dikenal sebagai dioda berbasis ganda (double base diode). Sama halnya dengan dioda, UJT bekerja dengan prinsip junction atau sambungan yang terbentuk dari interaksi (konduksi) hole dengan elektron antara bahan
semikonduktor tipe P dan N. Pembeda UJT dari dioda ialah komposisi bahan semikonduktor penyusunnya, dimana penyusun pada UJT terdiri dari sebuah batang semikonduktor tipe N berdoping rendah (resistansi tinggi, disebut
dengan N channel) dan bahan tipe P berdoping tinggi dalam bagian yang kecil, ditumbukkan di salah satu sisinya (disebut dengan P+).
Gambar 1.(a) Tampilan Fisik Piranti UJT, (b) Konstruksi UJT
Bagian P mempunyai satu terminal yang disebut emitor dan pada semikonduktor tipe P (channel) terdapat dua terminal yaitu B1 dan B2. B1 dan B2 disebut basis.
Terdapatnya dua terminal basis pada UJT menyebabkan UJT dikenal sebagai double base diode (diode berbasis ganda).
9. Gambar 2. Simbol UJT
Simbol pada UJT hampir mirip dengan FET (Field Effect Transistor), pembedanya ada pada gate yangtidak berupa panah lurus tetapi berupa panah miring pada UJT dan tidak disebut gate tetapi emitor,kedua terminal lainnya pada UJT
disebut basis (B1 dan B2) tetapi pada FET disebut dengan source dan drain 2.3.2 Rangkaian Ekuivalen UJT
Pada konstruksi UJT telah diketahui bahwa konstruksi UJT seperti dioda dengan dua buah basis, yakni terdiri dari sebuah batang tipe N terdoping ringan dengan
sebuah bagian kecil tipe P terdoping berat yang tergabung didalamnya. Rangkaian ekuivalen sederhana dari piranti UJT ditunjukkan pada Gambar 3.
Gambar 3. Rangkaian Ekuivalen Sederhana UJT
Rangkaian setara pada Gambar 3 menunjukkan bahwa channel tipe N pada dasarnya terdiri dari dua resistor terhubung seri RB2 dan RB1 dengan dioda (ideal) D
di dekat terminal emitor (mewakili P-N junction) yang terhubung ke titik pusat kedua resistor. Emitor P-N junction mempunyai posisi yang telah ditentukan dalam channel selama proses pembuatan device dan tidak dapat diubah-ubah keberadaannya.
Resisntansi RB1 terletak di antara E (emitor) dan terminal B1 dan RB2 terletak di antara E dan terminal B2. Seperti pada posisi fisiknya, persimpangan P-N lebih dekat dengan terminal B2 daripada terminal B1 sehingga nilai resistansi RB2 akan lebih kecil dibandingkan dengan RB1. Pada bagian bawah (RB1) dinyatakan dengan resistor variabel dikarenakan nilai resistansi akan berubah ketika beroperasinya device, bergantung dari bias antara emitor dengan basis.
2.3.2 Fungsi UJT
Pada umumnya Uni Junction Transistor atau UJT ini digunakan pada beberapa aplikasi rangkaian elektronika seperti berikut ini :
Osilator Relaksasi (Relaxation Oscillator).
Rangkaian Saklar Elektronik.
Sensor Magnetik flux.
Rangkaian Pembatas Tegangan dan Arus listrik.
Osilator Bistabil (Bistable oscillators).
Rangkaian Regulator Tegangan dan Arus Listrik.
Rangkaian Pengendali Fase (Phase control circuits)
Dari contoh rangkaian oscilator relaksasi diatas rangkaian RC terdiri atas R1 dan C1 . Titik sambungan rangkaian RC dihubungkan dengan emitor dari UJT. UJT tidak akan berkonduksi sampai pada harga tegangan tertentu yang dicapai pada pengisian kapasitor. Saat terjadi konduksi sambungan E-B1 menjadi beresistansi rendah. Ini memberikan proses pengosongan C dengan resistansi rendah. Arus hanya mengalir lewat R3 saat UJT berkonduksi. Pada rangkaian ini sebagai R3 adalah speaker.
Pada saat pertama kali diberi catu daya, osilator UJT dalam kondisi tidak berkonduksi sehingga titik sambungan RC E- B1 mendapat bias mundur. Dalam waktu singkat muatan pada C1 akan terpenuhi (dalam hal ini ukuran waktu adalah R*C ). Dengan termuatinya C1 akan menyebabkan sambungan E- B1 menjadi konduktif atau memiliki resistansi rendah. Selanjutnya terjadi pengosoangan C1 lewat sambungan E-B1 yang memiliki resistansi rendah. Ini akan menghilangkan bias maju pada emitor. UJT selanjutnya menjadi tidak berkonduksi dan C1 mulai terisi kembali melalui R1 dan proses ini secara kontinu akan berulang.
Osilator UJT dipakai untuk aplikasi yang memerlukan tegangan dengan waktu kenaikan (rise time) lambat dan waktu jatuh (fall time) cepat. Sambungan E- B1 dari UJT memiliki keluaran tipe ini. Antara B1 dan “ground” pada UJT menghasilkan pulsa yang tajam (spike pulse). Keluaran tipe ini biasanya digunakan untuk rangkaian pengatur waktu dan rangkaian penghitung. Sebagai kesimpulan osilator UJT sangat
2.4. Perbedaan Masing-masing Transistor
Transistor jenis BJT (NPN dan PNP) dan UJT (FET dan MOSFET) memiliki cara kerja yang sama, namun dengan karakteristik yang berbeda. Berikut ini beberapa perbedaan antara Transistor BJT dan UJT (FET)
1. Konversi: Transistor BJT mengkonversi arus menjadi arus, FET mengkonversi tegangan menjadi arus
2. Arus input: BJT membutuhkan arus input, FET tidak membutuhkan arus input
3. Input/output: Hubungan input/output BJT adalah linear direpresentasikan oleh sebuah garis lurus, namun hubungan input/output sebuah FET tidak linear untuk sinyal-sinyal besar (bertegangan tinggi). Hal ini dapat
mengakibatkan terjadinya distorsi pada sinyal-sinyal besar yang diumpankan ke sebuah FET
4. Kecepatan: FET dapat melaksanakan proses pensaklaran secara lebih cepat dibandingkan BJT, namun demikian kedua jenis transistor ini dirasa cukup cepat untuk memenuhi kebutuhan sebagian besar aplikasi elektronik
5. Tegangan input: sebuah FET menjadi aktif ketika tegangan gate-sourcenya melampaui suatu tegangan ambang. Tegangan gate dapat memiliki nilai yang berada dalam kisaran antara tegangan ambang dan tegangan sumber, ketika FET dalam keadaan aktif. Tegangan basis-emitor BJT akan selalu mendekati nilai 0,7 V, ketika BJT dalam keadaan aktif, terlepas dari berapa besar arus inputnya
6. Resistor input: sebuah FET tidak membutuhkan sebuah resistor di depan terminal gatenya. Hal ini dapat menjadikan rangkaian yang bersangkutan jauh lebih sederhana
7. Tahanan output: kebanyakan FET memiliki tahanan yang sangat r endah ketika berada dalam keadaan aktif, biasanya kurang dari 1 Ohm. Hal ini membuat komponen-komponen ini sangat cocok untuk digunakan dalam rangkaian saklar transistor.
2.5. Cara Mengukur Transistor
Dengan menggunakan Multimeter Analog maupun Multimeter Digital untuk mengukur ataupun menguji apakah sebuah Transistor masih dalam kondisi yang baik. Yang perlu diperhatikan, adanya terdapat perbedaan tata letak Polaritas (Merah dan Hitam) Probe Multimeter Analog dan Multimeter Digital dalam mengukur/menguji sebuah Transistor.
A. Mengukur Transistor dengan Multimeter Analog
a) Cara Mengukur Transistor PNP dengan Multimeter Analog :
Atur Posisi Saklar pada Posisi OHM (Ω) x1k atau x10k
Hubungkan Probe Merah pada Terminal Basis (B) dan Probe Hitam
pada Terminal Emitor (E), Jika jarum bergerak ke kanan menunjukan nilai tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik
Pindahkan Probe Hitam pada Terminal Kolektor (C), jika jarum
bergerak ke kanan menunjukan nilai tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik.
b) Cara Mengukur Transistor NPN dengan Multimeter Analog
Atur Posisi Saklar pada Posisi OHM (Ω) x1k atau x10k
Hubungkan Probe Hitam pada Terminal Basis (B) dan Probe Merah
pada Terminal Emitor (E), Jika jarum bergerak ke kanan menunjukan nilai tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik
Pindahkan Probe Merah pada Terminal Kolektor (C), jika jarum
bergerak ke kanan menunjukan nilai tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik.
B. Mengukur Transistor dengan Multimeter Digital
Pada umumnya, Multimeter Digital memiliki fungsi mengukur Dioda dan
Resistansi (Ohm) dalam Saklar yang sama. Maka untuk Multimeter Digital jenis ini, Pengujian Multimeter adalah terbalik dengan Cara Menguji Transistor dengan
Menggunakan Multimeter Analog.
c) Cara Mengukur Transistor PNP dengan Multimeter Digital
Hubungkan Probe Hitam pada Terminal Basis (B) dan Probe Merah
pada Terminal Emitor (E), Jika Display Multimeter menunjukan nilai Voltage tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik
Pindahkan Probe Merah pada Terminal Kolektor (C), jika Display
Multimeter nilai Voltage tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik.
d) Cara Mengukur Transistor NPN dengan Multimeter Digital
Atur Posisi Saklar pada Posisi Dioda
Hubungkan Probe Merah pada Terminal Basis (B) dan Probe Hitam
pada Terminal Emitor (E), Jika Display Multimeter menunjukan nilai Voltage tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik
Pindahkan Probe Hitam pada Terminal Kolektor (C), jika Display
Multimeter menunjukan nilai Voltage tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik.
e) Cara Mengukur resistansi termasuk mengecek kondisi baik/rusak pada UJT
Atur Posisi Sakelar Multimeter ke R atau Ohm (Ω).
Hubungkan Probe Merah (+) Multimeter ke Terminal Basis1 (B1) UJT.
Hubungkan Probe Hitam (-) Multimeter ke Terminal Basis2 (B2) UJT.
Layar Multimeter akan menunjukkan nilai Resistansi (nilai Hambatan) yang
tinggi, yaitu sekitar 4kΩ hingga 10kΩ. Kondisi tersebut menandakan UJT dalam keadaan baik.
Hubungkan lagi Probe Merah (+) Multimeter pada Terminal Basis2 (B2) UJT.
Hubungkan lagi Probe Hitam (-) Multimeter pada Terminal Basis1 (B1) UJT. Layar Multimeter akan menunjukan nilai Resistansi yang tinggi, yaitu sekitar
4kΩ hingga 10kΩ. Kondisi tersebut menandakan UJT dalam keadaan baik.
Catatan : Dengan cara pengukuran/pengujian diatas, apabila layar Multimeter
menunjukan Nilai Resistansi yang sangat rendah ataupun Nol (0), maka UJT tersebut dinyatakan Rusak atau Short (Hubung Singkat)
BAB III PENUTUP 3.1. Kesimpulan
Transistor merupakan komponen yang dipakai sebagai penguat arus, saklar, penstab il tegangan, modulasi sinyal, dll. yang termasuk kepada komponen aktif yang
menggunakan aliran elektron sebagai prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerah doped yaitu daerah emitter , daerah basis dan daerah disebut kolektor dengan cara kerja dari resistorpun berbeda-beda, tergantung dari tipe atau jenisnya.Cara kerja Bipolar Junction Transistor adalah menggunakan dua
polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Sedangkan Field-Effect Transistor adalah hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET).
Daftar Pustaka
Go, Caang. 2016. beberapa perbedaan antara Transistor BJT dan UJT (FET). (Online). http://www.elektronikabersama.web.id/2012/04/beberapa- perbadaan-transistor-bjt-dan. (Diunduh 20 Desember 2017).
Kho, Dickson. 2017. Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya. (Online). http://teknikelektronika.com/fungsi-transistor-cara-mengukur-transistor . (Diunduh 20 Desember 2017).
