Makalah Sem

MAKALAH ANALIS

MAKALAH ANALISA FA

A FARMASI

RMASI

SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM)

SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM)

DISUSUN OLEH : DISUSUN OLEH :

E

Ek

ka

a W

Wiin

nd

diia

assffiia

a

!"

!

"!

!#

#$

$$

$"

"$

$%

%$

$&

&!

!!

!#

#

IIiin

n S

S'

'

ii'

'a

a

!

!"

"!

!#

#$

$$

$"

"$

$%

%$

$&

&!

!!

!&

&

*

*a

a'

'+

+

 M

Ma

a,

,a

ad

dd

da

a'

'

!"

!

"!

!#

#$

$$

$"

"$

$%

%$

$&

&!

!-

-.

.

R

R//00n

n

 W

Wiid

diia

ass00+

+00ii

!

!"

"!

!#

#$

$$

$"

"$

$%

%$

$&

&!

!-

-&

&

D

D//1

1i

i M

Ma

a00ii00a

a K

K

ssa

a

!

!"

"!

!#

#$

$$

$"

"$

$%

%$

$&

&!

!2

2$

$

D

D//i

i A

A3

3+

+ss00iin

na

a

!

!"

"!

!#

#$

$$

$"

"$

$%

%$

$&

&!

!2

22

2

H

H//00iia

a A

Assa

a4

4iia

a

!

!"

"!

!#

#$

$$

$"

"$

$%

%$

$&

&!

!&

&5

5

Ds/n P/46i46in3 :

Ds/n P/46i46in3 :

Laida N/0i M+7ani8 M9si

Laida N/0i M+7ani8 M9si

PROGRAM STUDI FARMASI

PROGRAM STUDI FARMASI

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIERS

UNIERSITA

ITAS

S SRIWI;

SRIWI;AY

AYA

A

INDRALAYA

INDRALAYA

-!$#

-!$#

KATA

KATA PENGPENGANTAR ANTAR

Kami panjatkan puja dan puji syukur kehadirat Tuhan Yang Maha Esa yang telah melimpahkan rahmat dan hidayah-Nya, sehingga penulis dapat menyelesaikan makalah berjudul <S=annin3 E/=0n Mi=s=>7 (SEM)?<S=annin3 E/=0n Mi=s=>7 (SEM)?ini dalam waktu yang telah ditentukan.

Makalah ini disusun untuk memenuhi tugas Mata Kuliah Analisa Farmasi. Makalah ini tidak akan selesai tanpa bantuan dari berbagai pihak baik seara langsung maupun tidak langsung. !ntuk itu perkenankanlah penulis menyampaikan uapan terima kasih kepada" #. Allah $%T. Yang telah meridh&i pembuatan makalah dengan baik

'. (&sen Mata Kuliah Analisa Farmasi

). *rang tua penulis yang telah memberikan d&r&ngan dan m&ti+asi . Teman-teman penulis yang telah memberikan bantuan kepada penulis

. $eluruh pihak yang tidak dapat penulis sebutkan satu persatu yang telah banyak membantu penulis dalam menyelesaikan penulisan makalah ini.

enulis menyadari bahwa penulisan makalah ini masih jauh dari sempurna. !ntuk itu, kritik dan saran yang membangun dalam perbaikan karya tulis ini sangat penulis harapkan.

enulis berharap sem&ga makalah ini dapat memberikan man/aat bagi pembaa, khususnya guna mengetahui tentang $anning Eletr&n Mir&s&py 0$EM1.

@A@ I

@A@ I

PENDAHULUAN PENDAHULUAN

$9$

$9$ La0a @/akan3La0a @/akan3

Mikroskop elektron adalah sebuah mikroskop yang mampu untuk melakukan pembesaran objek sampai 2 juta kali, yang menggunakan elektro statik dan elektro magnetik untuk mengontrol pencahayaan dan tampilan gambar serta memiliki kemampuan pembesaran objek serta resolusi yang jauh lebih bagus daripada mikroskop cahaya. Mikroskop elektron ini menggunakan jauh lebih banyak energi dan radiasi elektromagnetik yang lebih pendek dibandingkan mikroskop cahaya.

Pada tahun 1920 ditemukan suatu fenomena di mana elektron yang dipercepat dalam suatu kolom elektromagnet, dalam suasana hampa udara (akum! berkarakter seperti cahaya, dengan panjang gelombang yang 100.000 kali lebih kecil dari cahaya. "elanjutnya ditemukan juga bah#a medan listrik dan medan magnet dapat berperan sebagai lensa dan cermin seperti pada lensa gelas dalam mikroskop cahaya.

"alah satu jenis dari mikroskop electron adalah "$M atau scanning electron microscopes. Mikroskop banyak digunakan oleh para ilmuan untuk melihat struktur kecil pada mahkluk hidup. Pada makalah ini akan dibahas lebih lengkap tentang "$M dan struktur%struktur yang membantu kerja mikroskop ini.

&onsep a#al yang melibatkan teori scanning mikroskop elektron pertama kali diperkenalkan di 'erman (19)! oleh M. &noll.&onsep standar dari "$M modern dibangun oleh on *rde nne pada tahun 19+ yang ditambahkan scan kumparan ke mikroskop elektron transmisi.esain "$M dimodi-kasi oleh #orykinpada tahun 19/2 ketika bekerja untuk * aboratories di *merika "erikat.esain kembali direkayasa oleh 3 pada tahun 19/+ seorang profesor di 4niersitas ambridge."ejak itu,semakin banyak bermunculan kontribusi signi-kan yang mengoptimalkan perkembangan modern mikroskop elektron.

5ungsi mikroskop elektron scanning atau "$M adalah dengan memindai terfokus balok halus elektron ke sampel.$lektron berinteraksi dengan sampel komposisi molekul. $nergi dari elektron menuju ke sampel secara langsung dalam proporsi jenis interaksi elektron yang dihasilkan dari sampel. "erangkaian energi elektron terukur dapat dihasilkan yang dianalisis oleh sebuah mikroprosesor yang canggih yang menciptakan gambar tiga dimensi atau spektrum elemen yang unik yang ada dalam sampel dianalisis.6ni adalah rangkaian elektron yang dibelokkan oleh tumbukan elektron dengan sampel.

"ebuah "$M khas memiliki kemampuan untuk menganalisa suatu sampel tertentu menggunakan salah satu metode yang disebutkan di atas. "ayangnya, setiap jenis analisis dianggap merupakan tambahan perangkat aksesori untuk "$M.7ang paling umum aksesori dilengkapi dengan "$M adalah dispersif energi 8%ray detektor atau $ (kadang% kadang disebut sebagai $"!.'enis detektor memungkinkan pengguna untuk menganalisis sampel komposisi molekul.

$9-$9- R+4+san Masaa'R+4+san Masaa'

1. :agaimanakah cara karja "canning dan proses pembentukan gambar pada Mikroskop

electron scanning ("$M!;

2. *pa saja manfaat Mikroskop elektron scanning ("$M!;

. *pa saja bagian%bagian dari Mikroskop elektron scanning ("$M!;

$92 $92 T++anT++an

1. 4ntuk mengetahui pengertian dari Mikroskop elektron scanning ("$M!.

2. Mampu menjelaskan bagian%bagian dari Mikroskop elektron scanning ("$M!.

. Meneliti pembesaran pada Mikroskop elektron scanning ("$M!. /. Mengetahui contoh dari persiapan pada Mikroskop elektron

scanning ("$M!.

$9%

$9% Manfaa0Manfaa0

Makalah ini dibuat dengan harapan dapat memberikan man/aat bagi berbagai pihak yang membaanya, khususnya "

a1 enulis, penulis mendapatkan banyak pengetahuan selama pr&ses pembuatan makalah ini dan diharapkan penulis dapat membuat makalah yang lebih baik lagi di waktu yang akan datang.

b1 Mahasiswa, mahasiswa diharapkan dapat mendapatkan banyak pengetahuan dari makalah ini sehingga bisa memahami maksud dari materi yang di sampaikan.

1 (&sen, d&sen diharapkan dapat lebih sabar, ulet, serta disiplin dalam membimbing mahasiswanya, karena d&sen sangat berperan dalam pr&ses pembelajaran mengenai materi ini sehingga tidak adanya kekeliruan dan penyampaian dan pembuatan makalah ini.

$9.

$9. M/0d/ P/n/i0ianM/0d/ P/n/i0ian

Met&de pengumpulan data yang digunakan dalam pembuatan makalah ini, yaitu " $tudi pustaka, yaitu dengan mengambil data dari internet untuk mendapatkan in/&rmasi dan data

@A@ II @A@ II PEM@AHASAN PEM@AHASAN

-9$

-9$S/aa' SEMS/aa' SEM

$EM pertama kali diperkenalkan di 2erman 0#3)1 &leh M. Kn&ll.K&nsep standar dari $EM m&dern dibangun &leh +&n Ardenne pada tahun #3)4 yang ditambahkan san kumparan

ke mikr&sk&p elektr&n transmisi.(esain $EM dim&di/ikasi &leh 5w&rykinpada tahun #3' ketika bekerja untuk 67A 8ab&rat&ries di Amerika $erikat.(esain kembali direkayasa &leh 7% pada tahun #34 se&rang pr&/es&r di !ni+ersitas 7ambridge.$ejak itu,semakin banyak bermunulan k&ntribusi signi/ikan yang meng&ptimalkan perkembangan m&dern mikr&sk&p

elektr&n.

-9- P/n3/0ian SEM(S=annin3 E/=0n Mi=s=>7) -9- P/n3/0ian SEM(S=annin3 E/=0n Mi=s=>7)

$EM adalah salah satu jenis mikr&sk&p elektr&n yang menggunakan berkas elektr&n untuk menggambar pr&/il permukaan benda. $EM memiliki res&lusi yang lebih tinggi dari pada mikr&sk&p &ptik. 9al ini disebabkan &leh panjang gel&mbang de :r&glie yang dimiliki

elektr&n lebih pendek daripada gel&mbang &ptik. Makin keil panjang gel&mbang yang digunakan maka makin tinggi res&lusi mikr&sk&p. anjang gel&mbang de :r&glie elektr&n adalah ;<h/p, dengan h k&nstanta lank dan p adalah elektr&n. M&mentum elektr&n dapat ditentukan dari energi kinetik melalui hubungan K < p2 _{/2m, dengan K energi kinetik elektr&n} danm adalah massanya.

(alam $EM berkas elektr&n keluar dari /ilamen panas lalu diperepat pada p&tensial tinggiV . Akibat perepatan tersebut, akhirnya elekt&n memiliki energy kinetik K <eV . (engan

demikian kita dapat menulis m&mentum eletr&n sebagai p< √2meV , dan panjang

gel&mbang de :r&gile ;< h= √2meV ,. !mumnya tegangan yang digunakanalah puluhan

kil&+&lt. $ebagai ilutrasi, misalkan $EM di&perasikan pada tegangan '> k? maka panjang gel&mbang de :r&glie elektr&n sekitar 3 @ #>-#' m. $EM 0$anning Eletr&n Mir&s&pe1 adalah salah satu jenis mikr&sk&p eletr&n yang menggunakan berkas eletr&n untuk menggambarkan bentuk permukaan dari material yang dianalisis.

-92

-92 Pinsi> K/a SEMPinsi> K/a SEM

rinsip kerja $EM adalah menembakkan permukaan benda dengan berkas elektr&n bernergi tinggi.ermukaan benda yang dikenai berkas akan memantulkan kembali berkas

tersebut atau menghasilkan elektr&n sekunder ke segala arah. Tetapi ada satu arah di mana berkas dipantulkan dengan intensitas tertinggi. (etekt&r di dalam $EM mendeteksi elektr&n

yang dipantulkan dan menentukan l&kasi berkas yang dipantulkan dengan intensitas tertinggi. Arah tersebut memberi in/&rmasi pr&/il permukaan benda seperti seberapa landai dan ke mana arah kemiringan.

ada saat dilakukan pengamatan, l&kasi permukaan benda yang ditembak dengan

berkas elektr&n di-san ke seluruh area daerah pengamatan. Kita dapat membatasi l&kasi pengamatan dengan melakukan &&n-in atau &&m-&ut. :erdasarkan arah pantulan berkas pada berbagai titik pengamatan maka pr&/il permukan benda dapat dibangun menggunakan pr&gram peng&lahan gambar yang ada dalam k&mputer.

Ga46a $

Ga46a $ (alam $EM berkas elektr&n bernergi tinggi EM memiliki res&lusi yang lebih tinggi mengenai permukaan material. Elektr&n pantulan dan elektr&n sekunder dipanarkan kembali dengan sudut yang bergantung pada pr&/il permukaan material.

$yarat agar $EM dapat menghasilkan itra yang tajam adalah permukaan benda harus bersi/at sebagai pemantul elektr&n atau dapat melepaskan elektr&n sekunder ketika ditembak

dengan berkas elektr&n. Material yang memiliki si/at demikian adalah l&gam. 2ika permukaan l&gam diamati di bawah $EM maka pr&/il permukaan akan tampak dengan jelas.

Agar pr&/il permukaan bukan l&gam jelas dengan $EM maka permuka an material tersebut harus dilapisi dengan l&gam.Film tipis l&gam dibuat pada permukaan material tersebut sehingga dapat memantulkan berkas elektr&n. Met&de pelapisan yang umumnya dilakukan adalah e+ap&rasi dan sputtering .

Ga46a

-Ga46a - permukaan is&lat&r perlu dilapisi l&gam agar dapat diamati dengan jelas dibawah $EM

ada met&de e+ap&rasi, material yang akan diamati permukaanya ditempatkan dalam satu ruang 0hamber1 dengan l&gam pelapis. 6uang tersebut dapat di+akumkan dan l&gam pelapis dapat dipanaskan hingga mendekati titik leleh. 8&gam pelapis diletakkan di atas

/ilamen pemanas. Mula-mula hamber di+akumkan yang dikuti dengan pemanasan l&gam

pelapis. At&m-at&m menguap pada permukaan l&gam. Ketika sampai pada permukaan material yang memiliki suhu lebih renda, at&m-at&m l&gam terk&ndensasi dan membetuk lapisan /ilm tipis di permukaan material. Ketebalan lapisan dapat dik&ntr&l dengan mengatur lama waktu e+ap&rasi. Agar pr&ses ini dapat berlangsung e/esien maka l&gam pelapis yang digunakan harus yang memiliki titik lebur rendah. 8&gam pelapis yang umumnya digunakan adalah emas.

Bambar ).# artikel0 22C4 )4 )

Bambar ).' Nan&tube0 $$C4)4)

rinsip kerja sputtering mirip dengan e+ap&rasi. Namun sputtering dapat berlangsung pada suhu rendah 0suhu kamar1ermukaan l&gam ditembak dengan i&n gas berenergi tinggi sehingga terpental keluar dari permukaan l&gam dan mengisi ruang di dalam hamber. Ketika mengenai permukaan sample, at&m-at&m l&gam tersebut memmebtuk /ase padat dalam bentuk /ilm tipis. Ketebalan lapisan dik&ntr&l dengan mengatur lama waktu sputtering. ada

saat pengukuran dengan $EM, l&kasi di permukaan sample tidak b&leh terlalu lama dikenai

berkas.elektr&n yang berenergi tinggi pada berkas dapat menabut at&m-at&m di permukaan sample sehingga permukaan tersebut akan rusak dengan epat. Film tipis di permukaan sample akan menguap dan kembali menjadi is&lat&r. Akhirnya bayangan yang terekam tiba-tiba menjadi hitam.

-9% Ga46a Ins0+4/n SEM -9% Ga46a Ins0+4/n SEM

-9. K/+n

-9. K/+n33+an dan 33+an dan K/k+an3an K/k+an3an SEMSEM Keunggulan

• (aya pisah tinggi

(apat ditinjau dari jalannya berkas media, $EM dapat dig&l&ngkan dengan &ptik metalurgi prinsip re/leksi, yang diarti sebagai permukaan spesimen yang memantulkan berkas media.

Teknik $EM pada hakekatnya merupakan pemeriksaan dan analisis permukaan. (ata atau tampilan yang diper&leh adalah data dari permukaan atau

lapisan yang tebalnya sekitar '> mikr& meter dari permukaan. $inyal lain yang penting adalah bak sattered elektr&n yang intensitasnya bergantung pada n&m&r

at&m, yang unsurnya menyatakn permukaan spesimen. (engan ara ini diper&leh gambar yang menyatakan perbedaan unsur kimia yang lebih tinggi pada n&m&r

at&mnya. Kemampuannya yang beragam membuat $EM p&pular dan luas penggunaannya, tidak hanya dibidang material melainkn juga dibidang bi&l&gi, pertanian, ked&kteran, elektr&nika, mikr&elektr&nika dan lain-lain.

• Kemudahan penyiapan sampel

$pesimen untuk $EM dapat berupa material yang ukup tebal, &leh karena itu penyiapannya sangat mudah. !ntuk pemeriksaan permukaan patahan 0/rakt&gra/i1, permukaan diusahakan tetap seperti apa adanya, namun bersih dari k&t&ran, misalnya debu dan minyak. ermukaan spesimen harus bersi/at k&ndukti/. *leh karena itu permukaan spesimen harus bersih dari k&t&ran dan tidak terk&ntaminasi &leh keringat.

•

!kuran sample yang relati/ besar

• 6entang perbesaran yang luas" )D -#>,>>>D

Kekurangan

• (ibanding TEM res&lusinya lebih rendah • (igunakan +akum

• 9anya permukaan yang teramati • (iperlukan &ating dg Au

2.6 Komponen Penyusun SEM 2.6 Komponen Penyusun SEM

Pada sebuah mikroskop elektron (SEM) terdapat beberapa peralatan utama antara lain:

1. Pistol elektron, biasanya berupa filamen yang terbuat dari unsur yang mudah melepas electron misal tungsten.

2. Lensa untuk elektron, berupa lensa magnetis karena elektron yang bermuatan negative dapat dibelokkanoleh medan magnet.

3. Sistem vakum, karena elektron sangat kecil dan ringan maka jika ada molekul udara yang lain elektron yang berjalan menuju sasaran akan terpencar oleh tumbukan sebelum mengenai sasaran sehingga menghilangkan molekul udara menjadi sangat penting. SEM tersusun dari beberapa bagian seperti berikut :

a. Penembak Elektron (Elektron Gun) a. Penembak Elektron (Elektron Gun)

Ada dua tipe dari elektron Gun, yaitu: 1.Termal

Pada emisi jenis ini, energi luar yang masuk ke bahan ialah dalam bentuk energi panas. Oleh elektron energi panas ini diubah menjadi energi kinetik. Semakin

besar panas yang diterima oleh bahan maka akan semakin besar pula kenaikan energy kinetik yang terjadi pada elektron, dengan semakin besarnya kenaikan energi kinetic dari elektron maka gerakan elektron menjadi semakin cepat dan semakin tidak menentu. Pada situasi inilah akan terdapat elektron yang pada ahirnya terlepas keluar melalui permukaan bahan. Pada proses emisi thermionic dan juga pada proses emisi lainnya, bahan yang digunakan sebagai asal ataupun sumber elektron disebut sebagai"emiter" atau lebih sering disebut "katoda" (cathode), sedangkan bahan yangmenerima elektron disebut sebagai anoda. Dalam konteks tabung hampa (vacuum tube) anoda lebih sering disebut sebagai "plate". Dalam proses emisi thermionic dikenal dua macam jenis katoda yaitu : a) Katoda panas langsung (Direct Heated Cathode, disingkat DHC)

b) Katoda panas tak langsung (Indirect Heated Cathode, disingkat IHC) 2. Field emission

Pada emisi jenis ini yang menjadi penyebab lepasnya elektron dari bahan ialah adanya gaya tarik medan listrik luar yang diberikan pada bahan. Pada katoda yang digunakan pada proses emisi ini dikenakan medan listrik yang cukup besar sehingga tarikan yang terjadi dari medan listrik pada elektron menyebabkan elektron memiliki energi yang cukup untuk lompat keluar dari permukaan katoda. Emisi medan listrik adalah salah satu emisi utama yang terjadi pada vacuum tube selain emisi thermionic.

Jenis katoda yang digunakan adalah : a) Cold Field Emission

b) Schottky Field Emission Gun

b. Lensa Magnet

b. Lensa Magnet_{ensa magnetik yang digunakan yaitu dua buah condenser lens.}

ondenser lens kedua (atau biasa disebut dengan lensa objektif! memfokuskan electron dengan diameter yang sangat kecil, yaitu sekitar 10%20 nm.

c. Detektor c. Detektor

"$M memiliki beberapa detektor yang berfungsi untuk menangkap hamburan elektron dan memberikan informasi yang berbeda%beda. etektor%detektor tersebut antara lain<

o Backscatter detector , yang berfungsi untuk menangkap informasi mengenai nomor atom dan topogra-.

o Secondary detector , yang berfungsi untuk menangkap informasi mengenai topogra-.

d. Sample Holder

d. Sample Holder_{4ntuk meletakkan sampel yang akan dianalisis dengan "$M.} e. Monitor CRT (Cathode Ray Tube)

e. Monitor CRT (Cathode Ray Tube)

i layar = inilah gambar struktur obyek yang sudah diperbesar dapat dilihat.

2.7

5ungsi utama dari "$M antara lain dapat digunakan untuk mengetahui informasi%informasi mengenai<

o Topograf, yaitu ciri%ciri permukaan dan teksturnya (kekerasan, sifat memantulkan cahaya, dan sebagainya!.

o Morologi, yaitu bentuk dan ukuran dari partikel penyusun objek (kekuatan, cacat pada 6ntegrated ircuit (6! dan chip, dan sebagainya!. o Komposisi, yaitu data kuantitatif unsur dan senya#a yang terkandung di dalam objek (titik lebur, kereaktifan, kekerasan, dan sebagainya!.

o Inormasi kristalograf, yaitu informasi mengenai bagaimana susunan dari butir%butir di dalam objek yang diamati (kondukti-tas, sifat elektrik, kekuatan, dan sebagainya!.

-9" A>ikasi SEM -9" A>ikasi SEM

"$M secara rutin digunakan untuk menghasilkan gambar resolusi tinggi dari bentuk benda ("$6! dan menunjukkan ariasi spasial dalam komposisi kimia<

1! memperolehpeta unsur atau bahan kimia tempat analisis menggunakan$",

2! diskriminasi fase berdasarkan nomor atom rata%rata ( umumnya terkait dengan

kepadatan relatif! menggunakan :"$

! peta komposisi berdasarkan perbedaan unsur jejak >actiitors> (biasanya transisi

logam dan elemen :umi angka! menggunakan.

"$M juga banyak digunakan untuk mengidenti-kasi fase berdasarkan analisis kimia kualitatif dan ? atau struktur kristal. Pengukuran yang tepat dari -tur yang sangat kecil dan objek ke )0 nm dalam ukuran juga dilakukan dengan menggunakan "$M. :ackescattered gambar elektron(:"$! dapat digunakan untuk diskriminasi cepat fase dalam sampel multifase. "$M dilengkapi dengan difraksi detektor elektron backscattered($:"! dapat digunakan untuk memeriksa microfabric dan orientasi kristalogra- dalam banyak bahan.

6nstrumen ini sangat cocok untuk berbagai jenis inestigasi. @al ini mungkin untuk menyelidiki misalnya struktur serat kayu dan kertas, logam.permukaan fraktur, produksi cacat di karet dan plastic. etail terkecil yang dapat dilihat pada gambar "$M adalah /%) nm (/%) sepersejuta milimeter!. etail terkecil yang dapat dianalisis adalah pM 2% (2% seperseribu milimeter!.

-9& T/knik P/46+a0an P/>aa0 7an3 Di3+nakan Pada SEM -9& T/knik P/46+a0an P/>aa0 7an3 Di3+nakan Pada SEM

Materi yang akan dijadikan &bjek pemantauan dengan menggunakan mikr&sk&p elektr&n ini harus dipr&ses sedemikian rupa sehingga menghasilkan suatu sampel yang memenuhi syarat untuk dapat digunakan sebagai preparat pada mikr&sk&p elektr&n. Teknik yang digunakan dalam pembuatan preparat ada berbagai maam tergantung pada spesimen dan penelitian yang dibutuhkan, antara lain "

o Kriofiksasi, yaitu suatu met&de persiapan dengan menggunakan teknik pembekuan spesimen dengan epat yang menggunakan nitr&gen air ataupun helium air, dimana air yang ada akan membentuk kristal-kristal yang menyerupai kaa. $uatu bidang ilmu yang disebut mikr&sk&pi ry&-elektr&n 0ry&-eletr&n mir&s&py1 telah dikembangkan

berdasarkan tehnik ini. (engan pengembangan dari Mikr&sk&pi ry&-elektr&n dari p&t&ngan menyerupai kaa 0+itre&us1 atau disebut ry&-eletr&n mir&s&py &/ +itre&us

seti&ns 07EM*?$1, maka sekarang telah dimungkinkan untuk melakukan penelitian seara +irtual terhadap speimen bi&l&gi dalam keadaan aslinya.

o Fiksasi , yaitu suatu met&de persiapan untuk menyiapkan suatu sampel agar tampak realistik 0seperti kenyataannya 1 dengan menggunakan glutaraldehid dan &smium

tetr&ksida.

o Dehidrasi, yaitu suatu met&de persiapan dengan ara menggantikan air dengan bahan pelarut &rganik seperti misalnya ethan&l atau aet&n.

o Penanaman (Embedding), yaitu suatu met&de persiapan dengan ara mengin/iltrasi jaringan dengan resin seperti misalnya araldit atau ep&ksi untuk pemisahan bagian.

o Pembelahan (Secioning), yaitu suatu met&de persiapan untuk mendapatkan p&t&ngan tipis dari spesimen sehingga menjadikannya semi transparan terhadap elektr&n. em&t&ngan ini bisa dilakukan dengan ultramir&t&me dengan menggunakan pisau berlian untuk

menghasilkan p&t&ngan yang tipis sekali. isau kaa juga biasa digunakan &leh karena harganya lebih murah.

o Pe!arnaan (Saining), yaitu suatu met&de persiapan dengan menggunakan metal berat seperti timah, uranium, atau tungsten untuk menguraikan elektr&n gambar sehingga menghasilkan k&ntras antara struktur yang berlainan di mana khususnya materi bi&l&gikal banyak yang warnanya nyaris transparan terhadap elektr&n 0&bjek /ase lemah1.

o Pembekuan frakur (Free"e#fracure), yaitu suatu met&de persiapan yang biasanya digunakan untuk menguji membran lipid. 2aringan atau sel segar didinginkan dengan epat 0ry&/ied1 kemudian dipatah-patahkan atau dengan menggunakan mir&t&me sewaktu masih berada dalam keadaan suhu nitr&gen 0 hingga menapai -#>>G 7elsius1. atahan beku tersebut lalu diuapi dengan uap platinum atau emas dengan sudut  derajat pada

sebuah alat e+ap&rat&r tekanan tinggi.

o $on %eam &illing, yaitu suatu met&de mempersiapkan sebuah sampel hingga menjadi transparan terhadap elektr&n dengan menggunakan ara pembakaran i&n 0biasanya digunakan arg&n1 pada permukaan dari suatu sudut hingga memerikkan material dari permukaannya. Kateg&ri yang lebih rendah dari met&de &n :eam Milling ini adalah

met&de berikutnya adalah met&de F&used i&n beam milling, dimana galium i&n digunakan untuk menghasilkan selaput elektr&n transparan pada suatu bagian spesi/ik pada sampel.

o Pelapisan kondukif ('onducie 'oaing), yaitu suatu met&de mempersiapkan lapisan ultra tipis dari suatu material eletrially-&nduting . ni dilakukan untuk menegah terjadinya akumulasi dari medan elektrik statis pada spesimen sehubungan dengan elektr&n irradiasi sewaktu pr&ses penggambaran sampel.

@A@ III @A@ III PENUTUP PENUTUP 29$ K/si4>+an 29$ K/si4>+an

Mikr&sk&p elektr&n menggunakan sinar elektr&n yang panjanggel&mbangnya lebih pendek dari ahaya.Karena itu, mikr&sk&p elektr&n mempunyaikemampuan pembesaran

&byek 0res&lusi1 yang lebih tinggi dibanding mikr&sk&p &ptik. Mikr&sk&p ini menggunakan elektr&statik dan elektr&magnetik untuk meng&ntr&l penahayaan dan tampilan gambar serta memiliki kemampuan pembesaran &bjek serta res&lusi yang jauh lebih bagus daripada mikr&sk&p ahaya. Mikr&sk&p elektr&n menggunakan jauh lebih banyak energi dan radiasi elektr&magnetik yang lebih pendek dibandingkan mikr&sk&p ahaya. $anning Eletr&n Mir&s&pe 0$EM1 adalah sebuah mikr&sk&p elektr&n yang didesain untuk menyelidiki permukaan dari &bjek s&lid seara langsung. $EM memiliki perbesaran #> H )>>>>>>, depth

&/ /ield  H >. mm dan res&lusi sebesar # H #> nm. K&mbinasi dari perbesaran yang tinggi, depth &/ /ield yang besar, res&lusi yang baik, kemampuan untuk mengetahui k&mp&sisi dan in/&rmasi kristal&gra/i membuat $EM banyak digunakan untuk keperluan penelitian dan industri.

!.2 Saran !.2 Saran

idalam makalah ini tentunya terdapat banyak sekali kekurangan dan masih jauh dari kata kesempurnaan. Penulis mengharapkan bagi para pembaca dan pembaca makalah ini untuk dapat memberikan saran, kritik maupun mengembangkan makalah ini agar kedepannya makalah ini dapat lebih sempurna lagi sehingga mampu memberikan pengetahuan yang maksimal tentang "canning $lectron Microscopy ("$M! kepada seluruh pembacanya.

D"#T"R $%ST"&"

D"#T"R $%ST"&"

*lan ". Morris, 2001, Measurement and Instrumentation Principles, :utter#orth%@einemann, A8ford

ooper 3.., 19+), Instrumentasi Elektronik dan Teknik Pengukuran, 'akarta < $rlangga.

Aktaiana, *., 2009, Teknologi Penginderaan Mikroskopi, 4niersitas "ebelas Maret, "urakarta.

"amadikun, ", dkk. 19++. Sistem Instrumentasi Elektronika. 6nstitut =eknologi :andung.

3illiam . unn, 200) , Fundamentals o Industrial Instrumentation and