• Tidak ada hasil yang ditemukan

PENGUAT GANDENGAN DC

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Membagikan "PENGUAT GANDENGAN DC"

Copied!
19
0
0

Teks penuh

(1)

Dalam praktek biasanya untuk memperoleh suatu penguatan yang cukup besar, dapat dilakukan dengan menggandeng beberapa penguat atau biasa dikenal dengan penguat bertingkat. Untuk menjaga agar tegangan panjar (bias) pada suatu tahap tidak terganggu oleh tahap sebelum dan berikutnya, maka antara penguat-penguat tersebut dipisahkan dengan kapasitor. Rangkaian semacam ini lebih dikenal dengan penguat gandengan RC. Penguat gandengan RC hanya bekerja untuk isyarat AC.

Bila isyarat berupa arus/tegangan DC atau bolak-balik dengan frekuensi sangat rendah, maka diperlukan rangkaian penguat gandengan DC. Pada penguat ini, antara transistor yang satu dengan yang lainnya dihubungkan secara langsung. Ada beberapa cara untuk memperoleh penguat gandengan DC diantaranya adalah penguat diferensial dan penguat hubungan Darlington.

Penguat yang muthakhir tersusun sebagai rangkaian terpadu (integrated circuit-IC). Dengan IC memungkinkan kita untuk menyusun ribuan transistor ke dalam suatu permukaan silikon (chip) dengan luas hanya beberapa mm2. Satu hal yang menguntungkan dengan IC adalah dengan tanpa kapasitor, kita dapat menghasilkan penguat dengan frekuensi respon sampai mendekati DC.

14.1 Penguat Diferensial

Untuk mengerti bagaimana penguat diferensial bekerja, perlu kita pelajari keadaan panjar DC dari rangkaian dasarnya seperti ditunjukkan pada gambar 14.1. Masukan dapat diumpankan pada ujung-ujung basis B1 dan B2. Perbedaan (difference) isyarat

pada kedua ujung inilah yang akan dikuatkan, sehingga kita menyebutnya sebagai penguat diferensial.

(2)

Cara menghitung keadaan panjar dari penguat tersebut tidak berbeda dengan pada penguat transistor tunggal. Dengan kedua basis ditanahkan seperti pada gambar 14.1, kita mempunyai

VE ≈ -0,6 volt karena VBE ≈ -0,6 volt

dengan salah satu atau kedua transistor yang bekerja.

Gambar 14.1 Rangkaian dasar penguat deferensial

Permasalahannya adalah bagaimana membuat kedua transistor bekerja secara sama. Selama keduanya mempunyai tegangan basis yang sama (0 volt) dan tegangan emitor yang sama (~ -0,6 volt), keduanya mempunyai karakteristik yang identik. Khususnya, karena    î   −     = − exp 1 T BE o E V v I i

kita memerlukan transistor dengan harga Io yang hampir sama. Kenyataannya Io berharga sangat variatif untuk satu transistor ke transistor lainnya dan juga terhadap

Q L1 B 1 R I T E E -V E R R L2 Q V E 1 2 2 B C C V +

(3)

temperatur sehingga untuk mendapatkan pasanngan Io yang serasi terkadang menjadi masalah yang serius.

Namun demikian saat dua transistor dibuat bertetangga pada rangkaian terintegrasi, maka mereka akan memiliki karakteristik dasar dan temperatur yang relatif sama dan secara otomatis akan menjadi serasi. Salah satu ukuran keserasian tersebut adalah dengan melihat harga “tegangan offset masukan”, yaitu selisih antara kedua harga VBE, diperlukan untuk menjamin adanya kesamaan arus yang mengalir. Biasanya selisih ini berharga dari 50 µV – 5 mV.

Arus total yang melewati kedua emitor adalah

(

)

(

EE

)

E

T V R

I = −0,6− − / (14.1)

karenanya untuk dua transistor yang identik kedua arus emitor adalah sebesar

2 / 2 1 E T E I I I = = (14.2)

Besarnya arus kolektor keduanya adalah hampir sama dengan harga arus emitor di atas, sehingga kedua tegangan kolektor adalah sebesar

L E CC C C V V I R V 1 = 2 = − (14.3)

14.2 Pengoperasian Modus Bersama (Common-mode Operation -CM)

Rangkaian pada gambar 14.2 memperlihatkan bahwa isyarat vi diumpankan pada kedua basis. Karena vi dipakai bersama sebagai masukan, maka keadaan ini disebut “masukan modus bersama”

(4)

Gambar 14.2 Pengoperasian mudus bersama

Kita mungkin berharap sistem dapat memberikan keluaran beberapa ratus mV dengan masukan beberapa mV, tetapi kenyataanya tidak demikian. Tegangan emitor akan tetap sekitar 0,6 volt di bawah tegangan basis, sehingga tidak akan berharga terlalu jauh dari -0,6 V. Karenanya besarnya arus total

(

EE

)

E

T V R

I = −0,6 /

hanya akan sedikit berubah. Akibat adanya rangkaian yang simetri, dengan harga vBE yang identik pada kedua transistor, kedua arus emitor akan tetap berharga sekitar

2 / 2 1 E T E I I I = ≈

sehingga tegangan kolektor juga berubah sedikit.

Selanjutnya besarnya penguatan dapat dihitung dengan menggunakan rangkaian setara seperti telah dibicarakan pada bab sebelumnya.

Q i L1 v o1 v R I T E E -V E R R L2 Q 1 o2 2 v C C V +

(5)

Gambar 14.3 Rangkaian setara operasi modus bersama

Pada rangkaian setara operasi modus bersama seperti terlihar pada gambar 14.3, kita melihat

(

)

E i e E i E e t e R v r R v R v i i / / / 2 2 1 ≈ + = = = (14.4)

dan besarnya tegangan keluaran adalah

(

i E

)

L L e o R R v R i v v 2 / 2 01 − ≈ − = = α (14.5)

sehingga penguatan pada masing-masing transistor adalah sebesar

E L i

o v R R

v / ≈− /2 (14.6)

Karena RL dan RE mempunyai harga yang hampir sama maka penguatan tegangan yang dihasilkan sangat rendah (biasanya kurang dari satu). Jika perbedaan keluaran vo1 −vo2 digunakan, maka penguatan akan berharga nol, maka RL1 dan RL2

mestinya terdapat keserasian (identik).

i ie re o1 v L1 αie v R i R it E re ie R L2 e αi v o2 v

(6)

Hambatan masukan dari isyarat-kecil pada masing-masing basis diberikan oleh

(

)

(

)

(

)

E E i i e i b i i R R v v i v i v r β β β 2 2 / / 1 / / / = = + = = (14.7)

suatu harga yang cukup besar.

Rangkaian di atas, karena sifat simetrinya, berperilaku seperti sepasang penguat transistor yang paralel tanpa adanya resistor emitor bypassed 2RE.

14.3 Pengoperasian Modus Diferensial (Differential-Mode Operation-DM) Pada dasarnya pada pengoperasian ini, kedua masukan diberi tegangan yang besarnya berbeda. Gambar 14.4 menunjukkan kedua tegangan masukan besarnya sama tetapi berbeda tanda dan rangkaian setara untuk masukan isyarat- kecil rangkaian ini diberikan pada gambar 14.5. Dari gambar 14.5 terlihat bahwa

(

)

2 2 1 1 2 1 e e e e e e E e e e r i v v r i v v R i i v = − − = − + = (14.8)

Gambar 14.4 Pengoperasian modus diferensial

Q L1 + v R E E -V E R R L2 Q 1 2 -C -C V + v

(7)

Gambar 14.5 Rangkaian setara pengoperasian modus diferensial

sehingga untuk transistor yang identik dimana re1 =re2 =re didapat

(

e e

)

e e i i r v 2 1 2 1 + − = (14.9) karenanya 2 1 0 e e e i i v − = = (14.10)

Pada kondisi di atas, kita berharap bahwa kenaikan tegangan emitor karena masukan bada basis 1 dilawan oleh penurunan tegangan karena masukan pada basis 2. Dengan demikian setiap transistor mempunyai emitor yang ditanahkan (ac) dan bekerja secara terpisah sebagai penguat emitor-ditanahkan. Penguatan tegangan dan hambatan masukan dapat dituliskan sebagai

e L

V R r

A =− / (14.11)

dan rire (14.12)

Utuk masukan yang berharga besar, analisa di atas tidak sesuai lagi.

ie1 re1 o1 + v L1 v R R it E ve re 2 ie 2 v R L2 -o2 v

(8)

14.4 Pengoperasian Ujung-Tunggal (Single-ended Operation)

Jika tegangan isyarat-kecil v dimasukkan ke salah satu basis dengan basis ditanahkan, rangkaian setara rangkaian dimaksud seperti diperlihatkan pada gambar 14.6. Biasanya RE >>re, sehingga v dapat diambil dari ujung re seri dengan tanah

(ground) dan ve =v/2. Karenanya kita mempunyai

(

)

e e e e r v r v v i / / 2 1 1 = − = (14.13)

Gambar 14.6 Pengoperasian ujung-tunggal dan juga e L L e L e o r R v R i R i v / 2 1 1 − = − ≈ − = α (14.14)

dan besarnya penguatan tegangan adalah

( )

e

L

V R r

A 1 =− / 2 (14.15)

Demikian juga untuk keluaran 2 berlaku ie1 re1 o1 v L1 v R R it E ve re 2 ie 2 R L2 o2 v

(9)

( )

e L

V R r

A 2 =+ / 2

Jika keluaran diambil secara diferensial, yaitu jika vo1 −vo2 digunakan sebagai

output, maka besarnya penguatan tegangan adalah

(

vo1 −vo2

)

/v=−RL/re (14.16)

Besarnya hambatan masukan diberikan oleh

(

)

e e e b i r r v v i v i v r β β β 2 / / / ) 1 ( / 2 1 = ≈ + = = (14.17)

Rangkaian di atas menunjukkan bahwa dengan tanpa pemasangan kapasitor kita mendapatkan penguatan tegangan dan hambatan masukan yang sebanding dengan penguat emitor ditanahkan.

Pada penguat emitor-bersama kita memerlukan resistor RE untuk mendapatkan tegangan panjar yang tepat, namun kita harus memasang kapasitor paralel (shunt) dengan emitor ke tanah.

14.5 Pasangan Berekor-Panjang (Long-tailed Pair)

Dalam praktek kita menginginkan penguatan diferensial dari kedua masukan )

(vb1 −vb2 . Jika (vb1 −vb2) mempunyai harga yang kecil dibandingkan dengan vb1

dan v , maka perlu kiranya mengurangi penguatan modus bersama (CM). Sudah kitab2 dapatkan bahwa besarnya penguatan untuk CM adalah

E L

CM R R

A =− /2 (lihat bagian 14.2)

maka pengurangan penguatan dapat dilakukan dengan menaikkan RE, yang tidak secara langsung melibatkan penguatan DM yaitu

(10)

e L

DM R r

A =− / (lihat bagian 14.3)

Namun dengan menaikkan harga RE , secara langsung akan menaikkan harga VEE, untuk menjaga agar arus emitor tetap konstan.

Ada cara lain yang lebih baik agar IE selalu berharga tetap, yaitu dengan menambah satu transistor Q3 seperti terlihat pada gambar 14.7 yang biasa disebut

sebagai pasangan berekor panjang. Jadi rangkaian tambahan ini berfungsi sebagai “sumber arus tetap”.

Gambar 14.7 Rangkaian pasangan berekor panjang

Q -15 2k4 5k1 -15 3k9 b1 v 2k4 Q 3 v 3k9 Q 1 2 +15 b2

i

v

-v

E E

R

E

vo

+ CC

V

(11)

14.6 Rangkaian Pengikut Emitor

Rangkaian pengikut emitor atau penguat kolektor-ditanahkkan seperti terlihat pada gambar 14.8 dapat juga digunakan sebagai penggandeng DC.

Pendekatan pertama dari karakteristik rangkaian di atas adalah dengan melihat keluarannya 6 , 0 − = i o v v

yaitu bahwa keluaran pada emitor “mengikuti” masukan (dimana harganya akan berubah-ubah terhadap tanah).

Kita dapat menggunakan pendekatan rangkaian setara isyarat-kecil untuk menghitung penguatan tegangan dan hambatan masukannya seperti terlihat pada gambar 14.9. Besarnya penguatan tegangan adalah

(

E e

)

E i

o v R R r

v / = / + (14.18)

dimana harganya akan mendekati satu karena biasanya RE >>re.

Gambar 14.9 Rangkaian setara pengikut-emitor

v

i

e

i

E

ib

C

B

R

E

re

vo

e

β

i

(12)

Besarnya hambatan masukan adalah

(

)

(

)

(

)

(

)(

E e

)

e i e i b i r R i v i v i v + + = + = + = 1 / 1 1 / / / β β β yaitu rin ≈βRE (14.19)

yang mempunyai harga jauh lebih besar dibandingkan dengan hambatan masukan pada penguat emitor ditanahkan (β re).

Jika arus beban i diambil dari keluaran, maka kita mendapatkano

(

)

(

e o

)

E o E o e e e i R i i v R i i r i v − = − + = dan juga E o o e i v R i = + /

(

)

e o i E e o e E o o o i r i v R r v r R v i v v − =     + + + = 1 /

(

E e

)

o e E

(

E e

)

E i o v R R r i r R R r v = × / + − × / + (14.20)

Suku pertama pada ruas kanan persamaan 14.20 adalah merupakan tegangan keluaran tanpa beban, dan suku kedua adalah penurunan tegangan keluaran pada hambatan r , dengan demikiano

(

e E

)

E e o r R r R r = / + (yaitu r //e RE) atau e o r r

suatu harga hambatan keluaran yang sangat rendah

Jika pengikut emiter diberi masukan v dengan hambatan sumber S R , besarnyaS keluaran memungkinkan untuk dihitung dengan menggunakan hambatan masukan yang

(13)

(

S E

)

E s i v R R R v = ×β / +β dan kemudian

(

E e

)

E i o v R R r v = × / + (14.21)

Untuk menentukan hambatan keluaran kita perlu memperhatikan bahwa RS menyebabkan turunnya tegangan, dari v ke S v , darii

(

1

)

/ + = e S β S bR i R i

sehingga total penurunan tegangan ke v adalaho

(

)

(

+ / +1

)

= + e e e e S β S bR i r i r R i (14.22)

Dibandingkan dengan hambatan keluaran pada gambar 14.9 yang besarnya sama dengan r , maka besarnya hambatan keluaran adalah sebesare

β / S e o r R r ≈ + (14.23)

14.7 Pasangan Darlington (Darlington-Pair)

Karena penguatan tergantung pada harga β , maka memproduksi transistor dengan β yang tinggi banyak memberi keuntungan. Tetapi untuk maksud tersebut diperlukan lapisan yang sangat tipis pada daerah basis yang akan mengakibatkan transistor mempunyai tegangan dadal (breakdown voltage) rendah.

Untuk mencapai maksud tersebut di atas bisa dilakukan dengan menghubungkan dua transistor yang biasa disebut dengan pasangan Darlington seperti terlihat pada gambar 14.10. Pasangan transistor tersebut terdapat di pasaran dalam paket dengan ujung-ujung kaki E’, B’ dan C’.

(14)

Gambar 14.10 Rangkaian pasangan Darlington

Jika kita berasumsi arus masukan i seperti diperlihatkan pada gambar 14.10 dan menghitung arus yang mengalir, akan didapat penguatan efektif β

(

=IC'/IB'

)

adalah

2 1 2 1 2 1 β β β β β β β ≈ + + =

Pasangan Darlington sering juga digunakan dengan arus emitor yang relatif tinggi, sehingga β2 relatif kecil; jika tidak Q1 mempunyai berarus rendah sehingga β1

bisa berharga kecil. Namun demikian dengan mudah kita mendapatkan

5000 100

50× = =

β

Kita mungkin berangan-angan dapat menghitung r dari arus emitor dari Qe 2.

Namun demikian Q2 dikendalikan dari sumber (Q1) yang memiliki arus yang sangat

rendah, karenanya memiliki hambatan keluaran yang tinggi. Oleh sebab itu harga re

efektif pasangan Darlington diberikan oleh

2 1 2 ee e r r r = +

Q

B '

Q

2

1

'

E

β

( + 1)i

1

β

+

(

2 1

β

+

i

) (

)

1

β

1

1

i

β

β

(

β

+

1 +

β

(

C'

)i

1

β

2 +

β

2

)

i

(15)

Namun IE1 =IE22 dan juga re12re2, dengan demikian harga r efektife diberikan oleh 2 2 e e r r =

Transistor pasangan Darlington banyak dimanfaatkan pada rangkaian pengikut emitor tenaga-tinggi, utamanya pada penguat daya audio.

Contoh 1.

Hitung parameter kinerja penguat diferensial seperti terlihat pada gambar 14.7 untuk berbagai isyarat masukan. Transistor penyusun diasumsikan identik dengan

250 =

β dan toleransi 1 %. Jawab:

Pertama kita harus menghitung besarnya tegangan panjar DC

(

2,4 5,1

)

4,8 volt / 4 , 2 15 3 =− × + =− B V Jadi VE3 =−5,4 volt

(

−5,4− −15

)

/2,4 k =4mA = T I

Jadi IE1 =IE2 =2 mA (transistor identik) volt 7,2 9 , 3 2 15 2 1 = C = − × = + C V V volt 6 , 0 2 1 = E =− E V

V (jika basis ditanahkan)

Semua angka-angka di atas mempunyai toleransi 0,1 V atau 1 %, namun nilai ini tidak penting untuk dikoreksi. Untuk masing-masing transistor kita mempunyai

re = 25 mV/2mA = 12,5 Ω

Untuk pengoperasian diferensial, masukan isyarat-kecil (misalnya ± 1 mV), emitor dalam kondisi ditanahkan (ac) dan Q1 dan Q2 masing-masing mempunyai

(16)

312 5 , 12 / 3900 / e = = L r R

sehingga tipe isyarat akan seperti

t vb1 =+0,001sinω t vb2 =−0,001sinω t vC1 =−0,312 sinω t vC1 =+0,312 sinω

Besarnya keluaran diferensial vC1vC2 adalah 2×2×0,312=1,25 volt p-p. Untuk masukan diferensial, hambatan masukan adalah

3,125k 12,5 250× = = = e i r r β

sedangkan untuk masukan ujung-tunggal besarnya hambatan masukan adalah

k 25 , 6 2 = = e i r r β

dan untuk masukan modus bersama besarnya hambatan masukan adalah

k 600 2,4k 250× = = = E i R r β

Dengan menggunakan pendekataan seperti pada gambar 14.3, besarnya fraksi masukan modus bersama yang ada pada sambungan B-E adalah

(

)

6,25/2400 0,0026 / 21 2 1 + ≈ = e E e R r r

jadi walaupun dengan masukan sebesar 2 volt p-p akan hanya mengubah vbe sebesar

±2,6 mV, dengan demikian masih pada pengoperasian isyarat-kecil.

(17)

(

)

(

)

(peak) volt 0195 , 0 0 3900/20000 volt 1 2 / ± = × ± = − = L E i o R R v v

Karena adanya toleransi sebesar 1% untuk RL1, RL2, harga di atas dapat berubah-ubah pada kisaran ±0,0002 volts. Keluaran diferensial

(

vo1vo2

)

akan berharga paling besar ±0,4 mV (peak).

Jika masukan berupa isyarat modus bersama yang tergabung (superimpossed) dengan isyarat diferensial sebesar 2 mV(p-p), maka keluaran sebesar 312 mV(p) dari isyarat DM akan menenggelamkan isyarat keluaran 20 mV(p) dari CM. dengan menggunakan keluaran diferensial, perbedaanya akan naik sebesar 624 mV(p) sampai 0,4 mV(p).

Contoh 2.

Sebuah rangkaian pengikut emitor memiliki nilai volt 15 = = EE CC V V ohm 100 = E R

Rangkaian memiliki masukan v dengan hambatan masukan S R ; S v berupa gelombangS sinus yang berosilasi di sekitar 0 volt. Tentukan kinerja rangkaian untuk

i) RS =0dan ii) =1k

S

R

dengan pertama-tama menggunakan transistor tunggal dengan β = 50, kemudian dengan menggunakan pasangan Darlington dengan β = 5000.

Jawab :

(i) Dengan menggunakan transistor sederhana dengan RS =0 kita mempunyai

E V = -0,6 V dan juga mA 144 V/100 14,4 = = E I

(18)

 0,174 mV /144 mV 25 = = e r

Besarnya penguatan adalah

(

)

100/100,174 0,9983

/ E + e = =

E R r

R

Besarnya hambatan masukan adalah k 5 0 10 50× = = E R β

Besarnya hambatan keluaran adalah

 174 , 0 = e r (ii) Dengan k 1 = S

R dan untuk transistor tunggal; jika I sebesar 144 mA, E I akanB

berharga ~ 3 mA, memberikan penurunan tegangan pada R sebesar 3 V. Kita dapatS

menghitung lebih rinci sebagai berikut. Kita mempunyai

EE E E S BR I R V I − − =− − 0,6 0 memberikan       + = 50 1000 100 4 , 14 IE mA 120 = E I V 3 100 12 , 0 15+ × =− − = E V 0,208 mA mV/120 25 = = e r

Besarnya hambatan masukan pada basis adalah

 5000 = E R β dan juga 832 , 0 6 5 208 , 100 100 Penguatan = × = + × + = S E E e E E R R R r R R β β  0 2 20 208 , 0 / keluaran Hambatan = + = + =re RS β

(19)

= E V -1,2 V (kurang lebih) dan juga mA 138  V/100 ,8 13 = = E I

(

)

 0,362 2 mA/I 25 E × = = e r

Besarnya penguatan adalah

(

)

100/100,362 0,9964

/ E + e = =

E R r

R

Besarnya hambatan masukan adalah

k 500  100 5000× = = E R β

Besarnya hambatan keluaran adalah

 362 , 0 = e r

Terlihat dengan rangkaian transistor tunggal, hanya hambatan masukan yang mengalami peningkatan.

(iv) Dengan k 1 = S

R dan pasangan Darlington; kita dapat mengabaikan penurunan pada IBRS sehingga mA 138 ≈ E I  362 , 0 = e r

Besarnya hambatan masukan pada basis adalah k 0 500 = E R β dengan demikian 9944 , 0 501 500 9964 , 0 Penguatan = = + × + = S E E e E E R R R r R R β β

masih berharga sangat dekat dengan satu

 562 , 0 5000 / 1000 362 , 0 / keluaran Hambatan = + = + =re RS β

Terlihat bahwa dengan menggunakan pasangan Darlington dapat memberikan hambatan masukan yang lebih tinggi, dapat menurunkan efek dari hambatan sumber pada penguatan dan hambatan keluaran.

Gambar

Gambar 14.1  Rangkaian dasar penguat deferensial
Gambar 14.2 Pengoperasian mudus bersama
Gambar 14.3 Rangkaian setara operasi modus bersama
Gambar 14.4 Pengoperasian modus diferensialQL1+ vR-VE ERERL21Q2-VC C+v
+6

Referensi

Dokumen terkait

Pada Gambar 9 terlihat bahwa tingkat kecocokan PBAS LCG I pada ketiga tipe gugus data mulai dari orde dua mencapai l. Hal ini berarti PBAS LCG I dapat dimodelkan dengan rantai

Pada Gambar 2 terlihat bahwa fluks neutron cepat pada posisi B-3 dan G-10 dalam orde 10 12 n/cm 2 s, hal ini karena berilium terletak diapit oleh dua bahan bakar,

Pada kelompok ketiga, nilai tahanan jenisnya relatif membesar dari 10 Ohm-m menjadi 100 Ohm-m seperti terlihat pada pengukuran di titik PRB-14 pada Gambar 5 A dimana dari semua

Dari gambar tersebut terlihat ruas garis BG yang terletak di sisi depan kanan (sisi tegak) ditarik dari dua titik sudut yang saling berhadapan sehingga ruas garis BG disebut

Distribusi tekanan kontak ST-on-ST Berdasarkan gambar 8 dan 9 terlihat bahwa pada pasangan ST-on-ST mengalami von Mises stress maksimum sebesar 1,027 x 10 2 terjadi di daerah

Dari gambar tersebut terlihat ruas garis BG yang terletak di sisi depan kanan (sisi tegak) ditarik dari dua titik sudut yang saling berhadapan sehingga ruas garis BG disebut

Pada Gambar 10 terlihat bahwa produk turunan castor oil memiliki ketahanan oksidasi lebih rendah dari mineral oil dengan lamanya waktu oksidasi, namun setelah waktu oksidasi mencapai

Diawali dengan pembuatan DFD level 0 atau yang umum disebut dengan context flow diagram CFD terlihat pada Gambar 6 terdapat dua external entity yaitu Bagian PIC dan Pimpinan yang hanya