BLF578
Prajitno, Slamet Santosa
Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN Jl.Babarsari Kotak Pos 6101 Ykbb, Yogyakarta 55281 e-mail: prajit@batan.go.id, santosa@batan.go.id
ABSTRAK
PEMBUATAN PENGUAT PENDORONG GENERATOR RF SIKLOTRON PROTON DECY-13 MENGGUNAKAN LDMOS BLF578. Telah dilakukan pembuatan penguat pendorong generator RF untuk siklotron proton 13MeV. Generator RF akan digunakan sebagai sumber tegangan pemercepat bolak-balik siklotron DECY-13 rancangan PTAPB-BATAN. Berdasarkan dokumen rancangan dasar siklotron Decy-13 yang telah dibuat, sumber tegangan bolak-balik bekerja pada frekuensi 77,667 MHz dengan daya RF ±10 kW. Pada penelitian sebelumnya telah selesai dibuat RF exciter menggunakan teknik Direct Digital Synthesizer (DDS). Agar exciter dapat mendorong penguat daya RF diperlukan penguat pendorong yang keluarannya mampu untuk mengendalikan keluaran daya RF yang diharapkan. Penguat pendorong RF yang saat ini banyak digunakan untuk aplikasi akselerator adalah teknologi transistor LDMOS. Setelah membandingkan beberapa tipe transistor LDMOS prototip yang telah selesai dibuat dipilih menggunakan transistor LDMOS tipe BLF578. Hasil pengujian penguat pendorong dengan tegangan kerja 42 Vdc dan
keluaran daya RF 400 W, diperlukan arus 15,3 A dan daya pendorong 1,4 W. Setelah dilakukan perhitungan data hasil pengujian, diperoleh nilai koefisien korelasi linier antara masukan dan keluaran R2=0,992,
power gain 23,98 – 24,88, power-added efficiency 62 % dan disipasi panas tertinggi 270 W. Dari hasil pengujian dapat disimpulkan bahwa prototip sudah berfungsi dan hasilnya sesuai yang diharapkan, namun pendingin transistor BLF578 masih perlu disempurnakan agar saat dioperasikan, panas yang ditimbulkan masih dalam batas aman.
Kata kunci: LDMOS, Penguat pendorong RF, generator RF, Siklotron
ABSTRACT
DRIVER STAGE RF AMPLIFIER MANUFACTURE FOR DECY-13 PROTON CYCLOTRON USING LDMOS BLF578. Driver stage of the RF generator for 13MeV proton cyclotron has been manufactured. RF generator will be used as a source of alternating voltage accelerating of DECY-13 cyclotron which is has been designing by PTAPB-BATAN. Based on the basic design documents that has been made, the Decy-13 accelerating frequency will work at 77.667 MHz with RF power of ±10 kW. At the previous research it was manufactured an RF exciter using Direct Digital Synthesizer (DDS). In order exciter can drive RF power amplifier, a driver stage amplifier is required, which is output should be able to control the RF power output that is expected. RF driver amplifier that currently widely used for accelerator applications is LDMOS transistor technology. After comparing several types of LDMOS transistor prototypes that have been manufactured, it is selected using type of LDMOS transistors BLF578. Test results with a working voltage of the driving amplifier 42 Vdc and output RF power 400 W, it is required DC current of 15.3 A and driving power 1.4 W. After calculating the data of test results, it is obtained a linear correlation coefficient value between input and output with R2 = 0.992, power gain of 23.98 to 24.88, power-added efficiency 62%
and the highest heat dissipation of 270 W. From the test results it can be concluded that the prototype of driver stage RF amplifier is already functioning and the results are as expected, but the cooling of transistors BLF578 still need to be refined in order the generated heat during it operation still within limits.
Keywords: LDMOS, RF driver amplifier, RF generation, Cyclotron
PENDAHULUAN
ECY-13 adalah siklotron proton dengan energi 13 MeV yang akan dibangun di Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan. Salah satu bagian penting yang akan dibuat adalah sumber tegangan bolak-balik yang dibangkitkan oleh sistem
Radio Frequency (RF). Pada penelitian yang
dilakukan sebelumnya telah berhasil dibuat prototip pembangkit sinyal RF menggunakan teknik Direct Digital Synthesizer (DDS). Prototip pembangkit sinyal RF keluaran dayanya dapat diatur dari 0 sampai maksimum 10 watt dan mempunyai jangkauan frekuensi yang dibatasi oleh band pass filter 76,325 - 78,821 MHz.[1]
38 Sum untuk mem Agar siklo sistem R mengeluark DDS RF e daya, seper Pen tabung ele sesuai den EIMAC[3] memerluka antara DD diperlukan menguatka mampu me diperoleh d Pad penguat R populer un Laterally (LDMOS) pilihan dal daya yang liniaritas, LDMOS akselerator penting sep Oleh dibahas pendorong menggunak BLF578 y broadcast Teknologi Stru pada Gam LDMOSFE yaitu gate dari siliko daerah den dengan M source (N+ secara late R 1 mber tegangan mpercepat io tron dapat me RF yang ak kan daya ±10 exciter, pengu rti ditampilkan nguat daya RF ektron jenis tr ngan data she
agar dapat m an masukan d DS RF exciter n penguat pend an sinyal kelu endorong peng daya keluaran da saat ini t RF berkemban ntuk aplikasi Diffused M adalah mer lam aplikasi i sangat bagus keandalan da juga devais r dikarenakan perti ruggedne h karena itu pembuatan generator kan teknolog yang banyak dan industri. i LDMOS uktur dasar mbar 2. Sep ET merupakan , drain, dan on tipe-n. Dr ngan doping OSFET biasa +) berada pa eral. Doping DDS RF exciter 10 Watt Gambar 1. B n bolak-balik on negatip se engeluarkan e kan dibuat kW[2]. Sistem uat pendoron n pada Gamba F direncanakan riode tipe 3CX
eet yang dike menghasilkan d daya RF ±300 r dengan pen dorong yang b uaran DDS R guat daya RF RF sesuai yan teknologi sol ng sangat cep akselerator. Metal–Oxide– rupakan stan industri karen s, penguatan (g an harga mu s pilihan d n persyaratan
ess dan resista u pada mak dan pengu RF siklotr gi transistor digunakan LDMOSFET perti FET pa n devais deng source. Subs
rain dan sou
N+. Akan a, pada LDM ada daerah P P ini dima Pen pend LDM 300 W Blok diagram k ini digunak ecara periodi energi 13 MeV harus dap m RF terdiri da ng dan pengu ar 1. n menggunaka X15000A7 d eluarkan pabr daya RF 10 kW 0 watt, sehingg nguat daya R berfungsi untu RF exciter ag sehingga dap ng diharapkan
lid state untu at dan menja Transistor R –Semiconduct ndar teknolo na: kemampua (gain), efisien urah. Transist dalam aplika tambahan yan ansi termal[4]. kalah ini ak ujian pengu ron DECY-LDMOS tip untuk aplika T diilustrasika ada umumny an tiga termin stratnya terbu rce merupak tetapi, berbed MOSFET daer yang didopin aksudkan untu nguat orong MOS Watt P sistem RF unt an ik. V, pat ari uat an an rik W ga RF uk gar pat n. uk adi RF tor ogi an si, tor asi ng an uat 13 pe asi an ya, nal uat an da ah ng uk meni pada Gamb LDM sourc sourc samb mem meng diber diben terhu drain drain dimo dari d bertin deng tegan dima off. P konst pada Prosiding Perte tuk siklotron D ingkatkan gain tegangan dra Gambar 2. Prinsip ker bar 2. Sepe MOS didasarka ce oleh tegan ce, VGS, nol bungan p-n mbelakangi. H galir dari dr rikan, lapisan ntuk pada dae ubung oleh ka n-source, VDS n ke source odulasikan den Jika VDS ke drain ke sour ndak sebagai an VDS. Ini ngan drain m ana lebar kana Pada titik pin
tan. Arus dra Gambar 3.
Penguat Daya RF 10 kW
muan dan Pres Akse Vol. 13, DECY-13. n RF dan men ain-source, VD Struktur dasar rja transistor erti FET pad
an pada peng ngan gate. P l, source da n yang Hanya arus rain ke sourc n inversi per erah p sehing anal n kondu diberikan, aru e. Konduktan ngan menguba ecil diberikan rce melalui ka resistor dan merupakan meningkat, aka al menjadi no nch- off, arus ain sebagai fu sentasi Ilmiah T elerator dan Ap Januari 2012 ncegah punch-DS, tinggi. r LDMOSFET dapat dipaha da umumnya gaturan arus d Pada teganga an drain me terhubung bocor yang ce. Jika VGS rmukaan atau gga source da uksi. Ketika te us akan meng nsi kanal in ah-ubah VGS. n, arus akan m anal konduksi arus drain se daerah linie an dicapai su l, disebut titik s drain-source ungsi VDS ditu RF Out Teknologi likasinya : 37 - 44 -through T. ami dari a, kerja drain ke an gate-rupakan saling g dapat S positif u kanal an drain egangan galir dari i dapat mengalir i. Kanal banding er. Jika atu titik k pinch-e relatif unjukkan
Gamba Transi B paling untuk a dengan teganga operasi untuk o diatur efisiens dibatas sangat yang ba transfer maksim digunak 340 ser suhu tra B seperti keteran Gamba
TATA
Bahan B peneliti adalah ar 3. Kurva umum istor BLF578 BLF578 ada modern jenis aplikasi indust n mode pulsa an 50 V. Kare i kontinyu, m operasi pada d untuk opera si tinggi dan d i pada 800 w mendukung s aik. Ukuran h r dari badan t mal dan untukkan compoun rta pengguna ansistor terjag Bentuk fisik ditampilkan ngan sebagai b ar 4. Bentuk LDMO
A KERJA
dan Alat Pen Bahan dan ian pembuata sebagai beriku a karakteristik m. alah transistor LDMOS yan tri. Transistor a sampai 12 ena aplikasi un maka penguat h daya lebih ren asi 43 volt direkomendas watt saja, ke seperti suhu ru heatsink harus transistor ke s k membantu d yang baik s aan fan blowe
ga. k transitor L n pada Ga berikut[5]: Ke 1. 2. 3. 4. 5.
k fisik dan sim OS BLF578. nelitian alat yang an penguat R ut: k I-V FET s r RF daya ng dapat digun dapat diopera 200 W pada ntuk industri a harus dioptim ndah. Rangkai yang membe sikan keluaran ecuali kondis uangan dan V sesuai supaya sirip pendingin perambatan seperti dowco er air flow su LDMOS BL mbar 4, d eterangan : Drain 1 Drain 2 Gate 1 Gate 2 Source mbol transistor digunakan d RF pendoron secara tinggi nakan asikan a catu adalah malkan ian ini erikan n daya i lain VSWR a heat n bisa panas orning upaya LF578 engan r dalam ng ini A S d b L b d S in k Ja im d o m d S d im d S S R se m at m L te d induk 2. Modu 3. Modu 4. Trafo 5. Trafo 6. Magn Alat penelitian 1. DDS 2. Oscill 3. Bird Mode 4. Dumm 5. Digita 6. Solder 7. SMD Skema Pengua Skema itampilkan pa agian yaitu : i LDMOS, outpu erfungsi sebag ibagi keluar ebelum pend nput matching eluaran balu aringan outp mpedansi kelu ikonvrsi ke utput balun masukan/kelua aya akan ber ebuah jalur m an chip dap mpedansi yan an nilai kapas Susunan Peng Siklotron DEC Pembua RF untuk siklo eperti terlihat modul pengu tenuasi RF mikrokontroler LCD, catu d egangan catu iatur dari 22 – ktor ul catu daya sw ul mikrokontro dan modul ca dan modul ca netic contactor n exciter 10 wat loscope RF Direction el 43 my Load Resis al Multimeter ring Iron rework station at RF Pendor penguat R ada Gambar input balun, i ut matching d gai pembagi d dari fase un dorong daya R g mengubah un ke impe put-matching uaran dari tr keluaran tu n. Pada aran dari trans
rada di kisar microstrip cuk pat memban ng tepat pada sitor selama op guat RF Pen CY-13 atan penguat R otron DECY-1 t pada Gamb at RF LDM F, direction r Atmega16 aya switchin daya transit – 45 Vdc. witching 45Vd oller Atmega1 atu daya 12Vd atu daya 24Vd r tt nal Thruline stor 50 Ω Sanwa PC-10 n rong RF pendoron 5 dibagi me nput matching an output bal
daya dan mem ntuk pasangan RF masuk ke impedansi 2 edansi input kemudian ransistor ke 2 unggal berakh umumnya sistor pada su ran yang rend kup panjang a ntu untuk m posisi penala ptimasi daya. ndorong Gen RF pendoron 13 dibuat deng bar 6 yang t MOS BLF57 nal coupler lengkap den ng 48Vdc dan tor BLF578 dc 16 dc dc Wattmeter 00 ng seperti enjadi lima g, transistor lun[6]. Balun mbuat sinyal n transistor. e transistor, 25 Ω pada transistor. mengubah 25 Ω untuk hir dengan impedansi uatu tingkat dah 1-3 Ω. antara balun mewujudkan aan (tuning) nerator RF g generator gan susunan terdiri dari: 78, resistor r, modul ngan panel n pengatur yang dapat
40 Pengujian Siklotron Pen dengan me DDS excite dari 0 – 10 Penguat R menggunak Wattmeter digantikan dengan k dummy res Switchin Sup Eaton 48 n Penguat RF DECY-13 ngujian pengu emberi masuk er yang daya 0 watt, seperti RF pendorong kan Bird Model 43 d dengan resist eluaran peng sistor 50 Ω. RF input ng Power pply n apr48 Vdc G Gambar F Pendorong uat RF pendo kan sinyal RF RF keluarann ditampilkan p g daya kelua RF Directio dan sebagai b tor yang impe guat RF pe Pengatur Day 22 - 45 Atenu RF ambar 5. Ske r 6. Blok diagr Generator R orong dilakuka berasal dari R nya dapat diat
pada Gambar arannya diuk onal Thrulin beban keluar dansinya sesu endorong yai Drv. pw Teganga Aru r Catu a Vdc uasi F P ema penguat R ram penguat p RF an RF tur 7. kur ne an uai itu
HAS
untuk deng pada lain y 1. M L 2. R 3. B 4. C wr an us Pengua Klas A Transistor L BLF5 Atme Penam Sistem LCD LMB1 Prosiding Perte RF kelas AB. pendorong 300SIL DAN P
Prototip k siklotron an tata letak m Gambar 8. Modul-m yang telah diin Modul pengu LDMOS BLF Resistor atenuBlower pendin Catu daya swi
Suhu at RF AB LDMOS-578 ega16 mpil & m Trip Panel 162AD
muan dan Pres Akse Vol. 13, 0 watt.
PEMBAHA
penguat pend DECY-13 t modul elektro modul elektro nstal adalah : uat RF men F578 uasi ngin itching 48 Vdc Trip/Alarm Reflect Forward Dire Co sentasi Ilmiah T elerator dan Ap Januari 2012ASAN
dorong genera telah selesai onik sebagai te onik dan ko nggunakan tr c m ectional oupler Teknologi likasinya : 37 - 44 ator RF dibuat ertampil mponen ransistor RF out7. Catu daya 12 Vdc
8. Modul mikrokontroler Atmega16 9. Panel LCD LMB162AD
10. Kipas penghisap udara
Panel depan prototip penguat pendorong generator RF seperti terlihat pada Gambar 9, terdapat tombol, knop, konektor, tampilan LCD dan LED dengan penjelasan fungsi sebagai berikut: 1. Switch ON/OFF
menampilkan frekuensi 5. Indikator trip:
- CURR (arus penguat RF) - VDD (tegangan penguat RF) - REFL (Refected power)
- TEMP (suhu pendingin penguat RF) dan - Tombol reset.
6. Konektor DB-9 untuk komunikasi data serial komputer.
Gambar 7. Blok diagram pengujian penguat RF pendorong.
Gambar 8. Tata letak penguat pendorong.
Gambar 9. Tampilan panel depan prototip penguat RF pendorong.
Penguat RF
Pendorong
LDMOS-BLF578 Bird RF Directional Thruline Wattmeter Model 4350
Ω
Dummy Resistor RF DDS Exciter42 Prosiding Pertemuan dan Presentasi Ilmiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya Vol. 13, Januari 2012 : 37 - 44 Pengujian Masukan dan Keluaran Daya RF
Pada Gambar 10 ditampilkan keluaran daya RF pada frekuensi 77,667 MHz sebagai fungsi masukan daya RF (watt). Meskipun penguat pendorong yang telah dibuat secara teoritis mampu mengeluarkan daya RF sampai dengan 800 watt, tetapi untuk keamanan pada pengujian ini dibatasi pada daya keluaran RF 400 watt. Dari data grafik Gambar 5 telah dilakukan perhitungan dan diperoleh persaman regresi linier y = 310,6x - 22,73 dengan R2 = 0,992 sehingga dapat disimpulkankan bahwa
antara masukan dan keluaran daya RF mempunyai korelasi yang sangat kuat.
Gambar 10. Masukan vs keluaran daya RF. Pengujian Penguatan Daya (power gain) Sebagai Fungsi Keluaran Daya RF
Power gain dihitung dengan persamaan[6] :
10 LOG ), [1]
Keterangan :
POUT : daya keluaran RF
PIN : daya masukan RF
grafik power gain sebagai fungsi keluaran daya RF ditampilkan pada Gambar 11. Dari hasil pengukuran dan perhitungan diperoleh power gain penguat pendorong dengan rentang gain 23,98 – 24,88. Hasil ini sesuai dengan “Product data sheet Power
LDMOS transistor BLF578 Rev.02 4 Feb. 2010”, yang mana dinyatakan bahwa power gain BLF578 minimum 24 dan tipikal-nya adalah 25.
Gambar 11. Penguatan daya vs keluaran daya RF. Pengujian Power Added Efficiency (PAE) Sebagai Fungsi Keluaran Daya RF
Power-added efficiency (PAE) dapat diartikan sebagai efisiensi dari jaringan untuk mengubah daya masukan DC ke sejumlah daya keluaran RF yang tersisa setelah kontribusi langsung dari masukan daya RF dihilangkan[7].
η 100 % [2]
Keterangan :
POUT : daya keluaran RF
PIN : daya masukan RF
PDC : daya masukan DC = VDC × IDC
Dari hasil pengujian diperoleh PAE lebih besar dari 60 %, seperti ditampilkan pada Gambar 12 pada keluaran daya RF 400 watt diperoleh PAE 62 %. Hasil ini cukup memuaskan, meskipun masih harus ditingkatkan karena “Product data sheet Power LDMOS transistor BLF578” dinyatakan bahwa PAE 70 %.
Gambar 12.Power added efficiency (PAE) sebagai fungsi keluaran daya RF y = 310.6x ‐22.73 R² = 0.992 0 100 200 300 400 500 0 0.5 1 1.5 Keluaran Daya RF [W] Masukan Daya RF [W] 23.50 24.00 24.50 25.00 0 50 100 150 200 250 300 350 Gain [dB] Keluaran daya RF [W] 0 10 20 30 40 50 60 70 0 50 100 150 200 250 300 350 400 PAE [%] Keluaran daya RF [W]
Penguj Keluar D menggu Keteran VDC IDC PIN-RF POUT-RF P versus 13, dis watt a diperha dapat pending Modul Atmega VMLA protypi Assemb serta d elektron digunak pengua reflecte daya R mengir operasi dibandi Apabila nilai ba teganga jian Disipasi ran Daya RF Disipasi da unakan persam ngan : : masukan t : arus yang : daya masu F : daya kelua
Plot data hasi keluaran day sipasi tertingg adalah 270 atikan apakah memenuhi gin BLF578 a l Mikrokontr Perangkat a16 dikemba AB (Visual M ing IDE bler, Compile dapat mensim nik). Modul kan untuk ak at RF pendo ed power, teg RF dan suh rim data aku
i tersebut d ingkan dengan a salah satu d atas aman ak an DC akan m 1 1 1 1 2 2 2 Disipasi Daya RF [W] Gambar 13 i Daya Pana aya panas maan : tegangan trans ditarik oleh tr ukan RF aran RF l pengujian da ya RF ditampi gi untuk kelu watt. Oleh pendingin ya syarat kare adalah 4,25 cm oler ATmega lunak un ngkan mengg
Micro Lab) ada yang me er, Debugger, mulasikan har mikrokontrol kuisisi data orong yaitu: gangan DC, a hu pendingi uisisi secara ditampilkan n suatu nilai s dari paramete kan menyebab mati (off). Con
0 25 50 75 00 25 50 75 00 25 50 0 3. Disipasi da as Sebagai F (Pdiss) dih sistor LDMOS ransistor LDM an perhitungan ilkan pada Ga aran daya RF karena itu ang sudah terp
ena luasan m2. a16 ntuk mendu gunakan VM alah sebuah v enggabungkan dan simu rdware (komp ler ATme parameter op forward p arus DC, ma n LDMOS serial. Para pada LCD sebagai batas a er operasi me
bkan trip dan ntoh tampilan
50 100
aya panas seba Fungsi hitung [3] S MOS n Pdiss ambar F 400 perlu pasang flens ukung MLAB. virtual n IDE, ulator ponen ega16 perasi power, asukan serta ameter dan aman. elebihi n catu n suhu p p d te m d
K
g m P k d k m d m – p p d m ≥ h tr 0 150 Keluaranagai fungsi kel endingin pada endingin teruk iperbolehkan erukur ≥55 mengeluarkan aya mati. Gambar 14
KESIMPUL
Telah enerator R menggunakan Penguat pendo erja 42 volt, m an diperoleh eluaran daya menarik arus 1 Data h iperoleh: nil masukan dan k 24,88, Powe anas tertinggi Untuk m endingin tran etektor suhu masukan sistem ≥ 55 0C akan te Meskipu asilnya sesua ransistor BLF 200 250 Daya RF [W] luaran daya R a LCD sepert kur 30,8 0C d 55,0 0C, ole 0C maka sinyal trip y 4. Contoh tamLAN
selesai dibu RF untuk teknologi tran orong RF tela masukan daya keluaran day a 400 watt 5,3 A. hasil pengu lai koefisien keluaran R2 = er-added effic i 270 W. menghindari p nsistor LDM u LM-35 ya m pengaman d erjadi trip. un prototip su ai yang dihar F578 masih pe 0 300 RF. ti pada Gamba an maksimum eh karena itu mikrokontr ang mengakib mpilan suhu pe uat penguat siklotron nsistor LDMO ah diuji denga a RF mulai 0 a RF 25–400 penguat RF ujian setelah korelasi lin 0,992, power ciency 62 % d panas yang be MOS BLF578 ang digunaka dan telah terujudah berhasil rapkan, tetapi erlu disempur 350 ar 14. Suhu m suhu yang u jika suhu roler akan batkan catu endingin. pendorong DECY-13 OS BLF578. an tegangan 0,1–1,3 watt watt. Pada pendorong h dihitung nier antara r gain 23,98 dan disipasi erlebih pada 8 dipasang an sebagai ji pada suhu dibuat dan i pendingin rnakan agar
44 Prosiding Pertemuan dan Presentasi Ilmiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya Vol. 13, Januari 2012 : 37 - 44 pada saat dioperasikan secara kontinyu panas yang
ditimbulkan masih dalam batas aman.
UCAPAN TERIMA KASIH
Dengan selesainya pembuatan prototip penguat pendorong generator RF ini, disampaikan ucapan terima kasih yang sebesar-besarnya kepada rekan-rekan komunitas IQED khususnya Sdr. Wardhana N., Iwan dan Agus atas masukan dan ide-ide dalam merealisasikan prototip penguat pendorong.
DAFTAR PUSTAKA
1. PRAJITNO, “Pembuatan dan Analisis Exciter Generator RF Untuk Siklotron Proton DECY-13”, Jurnal Iptek Nuklir GANENDRA, Volume 14 Nomor 2 (2011) 111 – 121
2. J.S.CHAI, “New Design And Development Of 13 MeV PET Cyclotron In KOREA”, Proceedings of Particle Accelerator Conference, New York, (1999) 3137 – 3139 3. 3CX15000A7 EIMAC Data Sheet, CPI MPP
Division, Eimac Operations, 607 Hansen Way, Palo Alto, CA 94303 www.cpii.com diunduh tanggal 05 Januari 2011
4. S.J.C.H. THEEUWEN, W.J.A.M. SNEIJERS, J.G.E. KLAPPE, J.A.M. DE BOET, “High Voltage RF LDMOS Technology for Broadcast Applications”,
European Microwave Week Conference 2008, EuMIC02-2, 46, (2008) 1279 – 1284
5. NXP SEMICONDUCTORS, “Power LDMOS Transistor BLF578”, Product Data Sheet Rev.02, 4 Feb. 2010
6. TSUNG-CHI YU, DKK, “The Development of High Power Solid-State Amplifier In
NSRRC”, Proceedings of IPAC’10, Kyoto, Japan, (2010) 3993 – 3995
7. IULIAN ROSU, RF Power Amplifiers, , YO3DAC / VA3IUL, http://www.qsl.net/va3iul Diunduh tanggal 15 Agustus 2011.
TANYA JAWAB
Frida Iswinning Diah¾ Kontribusi disipasi panas terbesar di bagian mana? Dan untuk kedepannya bagian atau komponen mana yang akan dioptimasi?
Prajitno
9 Disipasi panas yang paling besar pada flen dari transistor LDMOS yang luasannya hanya 4,5 cm2 meskipun sudah disalurkan pada pendingin
alumunium dan dihembus blower. Ke depan sedang didesain pendingin dengan menambah luasan plat alumunium dan memperbesar aliran udara untuk menghembuskan udara.
Edi Trijono
¾ Bagaimana mengatasi panas yang timbul pada Transistor LDMOS padahal pengujian bahan tahap simulasi walaupun bebannya sudah disamakan dengan bahan sesungguhnya tetapi pada kenyataannya antara simulasi dengan prakteknya berbeda. Dan apa sudah dipikirkan desain pendingin yang sesuai dengan desain yang sudah dilakukan sekarang ini?
Prajitno
9 Beban sudah disesuaikan dengan impedansi kabel coaxial yaitu 50 Ω. Desain pendingin yang baru sedang dilakukan agar mampu untuk mendinginkan transistor LDMOS yang harus menanggung disipasi panas ∞ 270 watt.
