PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TiO 2 DENGAN METODE SPUTTERING UNTUK SENSOR GAS

PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TiO

2

DENGAN METODE

SPUTTERING UNTUK SENSOR GAS

Agus Santoso, Tjipto Sujitno, Sayono

P3TM – BATAN

ABSTRAK

PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TiO2 DENGAN METODE SPUTTERING UNTUK SENSOR GAS. Telah

dilakukan pembuatan bahan unggul lapisan tipis Titanium Oksida (TiO2) dengan metoda sputtering.

Pembuatan TiO2 dilakukan pada tegangan elektroda 4 kV, arus sputtering 5 mA, tekanan vakum 5 × 10-4

torr, waktu deposisi 150 menit dan suhu substrat divariasi dari suhu 150 o_{C sampai dengan 350} o_C,

sedangkan gas sputtering adalah gas argon. Dari percobaan diperoleh hasil bahwa respon gas terbaik pada gas ethanol dicapai pada suhu substrat 250 o_{C. Pada kondisi tersebut prosentase kandungan Ti dan O}

adalah masing-masing 36,79% dan 40,06% berat. Di samping i tu juga sensitivitas terhadap gas ditunjukkan dengan adanya perubahan sensivitas untuk berbagai jenis gas. Dengan demikian bahwa lapisan tipis TiO2

yang dibuat dapat digunakan sebagai sensor gas.

ABSRATC

FABRICATION OF TiO2 THIN FILM FOR GAS SENSOR USING SPUTTERING METHOD. Fabrication of

a novel TiO2 thin film using sputtering has been carried out . The fabrication was done at electrode voltage 4

kV, spettering current 5 mA,vacuum pressure 5 x 10-4 _{torr, deposition time 150 minutes, and subtrac}

temperature was varied from 150 o_{C to 350} o_{C while as gas sputtering was argon. It’s found that the best}

respons was for ethanol gas and this has achieved at temperature 250 o_{C. At this condition the contents of Ti}

and O were 36,79 % and 40,06 % weight respectively. Besides that, the sensitivities of the TiO2 thin film was

shown by responces for various gases. In other word the fabrication of TiO2 thin film could be used as a gas

sensors.

PENDAHULUAN

elama beberapa dasawarsa, kajian tentang lapisan tipis telah menjadi salah satu bidang kajian yang menarik sekaligus sangat berfaedah bagi manusia. Lapisan tipis dapat dimanfaatkan sebagai piranti optik, optoelektronik, bahan feromagnetik, super konduktor, dan bahan mikroakustik serta sel surya (1,2). Berbagai usaha sedang dilakukan untuk memperluas pemanfaatan lapisan tipis. Diantaranya adalah sebagai sensor gas yang dipergunakan untuk mendeteksi keberadaan dan konsentrasi suatu gas di suatu tempat.

Seiring dengan meningkatnya kepedulian terhadap lingkungan , kebutuhan akan sensor gas juga semakain meningkat. Dalam hal ini, sensor gas terutama digunakan untuk mendeteksi gas -gas pencemar seperti CO, NOX3, SOX NH3 . Sensor gas

digunakan pula untuk menguji kadar oksigen yang dikeluarkan oleh mesin berbahan bakar hidro karbon(3). Selain itu sensor dimanfaatkan oleh sensor industri untuk mendeteksi gas -gas berbahaya yang terlihat pada proses produksi.Sensor dapat

digunakan secara mandiri untuk mendeteksi suatu gas, atau dapat pula diintegrasikan menjadi hidung ele ktronik untuk mendeteksi berbagai macam aroma seperti yang dilakukan Abe dkk(4). Karena kegunaan yang sangat besar, maka penelitian tentang sensor gas semakin banyak dilakukan. Penelitian tersebut terutama dimaksudkan untuk mencari bahan baru yang dapat dimanfaatkan sebagai sensor gas.

Terdapat beberapa macam bahan yang dapat dipergunakan sebagai sensor gas, diantaranya adalah semi konduktor oksida logam(5), polimer konduktif (6) dan oksida logam(7). Pemakain semi konduktor oksida logam sebagai sensor gas diawali oleh T. Seiyama dkk pada tahun 1962(8). Bahan semi-konduktor yang paling banyak ditiliti adalah SnO2

(oksida timah putih). Bahan semikoduktor oksida logam dapat dipakai dalam bentuk bulk dengan permukaan yang kasar. Tetapi karena berbagi keuntungan kemudian dijadikan lapisan tipis.

Dalam makalah ini dilaporkan tentang lapisan TiO2 yang akan dipergunakan sebagai bahan sensor

gas. Hal-hal yang dilaporkan meliputi pembuatan lapisan tipis TiO2 dengan metode sputtering dc,

S

karakterisasi lapisan tipis yang dihasilkan dalam pengujian sifat -sifat tanggap gasnya terhadap gas NH3.

Metode sputtering-dc dipilih untuk membuat lapisan tipis TiO2 karena beberapa alasan. Pertama,

metode sputtering -dc dapat dipakai untuk membuat lapisan tipis dari suatu bahan yang memiliki titik didih tinggi seperti TiO2 (18530C). Kedua metode

sputtering-dc dapat menghasilkan lapisan tipis dengan sifat mekanik yang baik dan sifat elektrik yang sama dengan bahan dasarnya(9). Hal ini tentu saja sangat dipergunakan dalam pembuatan sensor gas yang memerlukan lapisan tipis dengan sifat mekanik yang baik dan sifat elektrik yang sesuai dengan bahan dasarnya (dalam hal ini TiO2). Ketiga,

sifat lapisan tipis yang dihasilkan dapat diatur dengan mengatur kondisi sputtering seperti suhu substrat(9,10). Dalam aplikasi sensor gas yang lebih lanjut, hal tersebut sangat diperlukan karena sifat suatu sensor gas akan sangat ditentukan oleh sifat lapisan tipisnya.

Dengan penelitian yang dilakukan diharap -kan diperoleh bahan baru untuk sensor gas NH3.

Manfaat lebih lanjut penelitian ini mencakup penguasaan teknologi pembuatan lapisan tipis dan kajian lengkap tentang lapisan tipis TiO2 yang dapat

dimanfaatkan untuk berbagai keperluan(11).

Penelitian ini bertujuan untuk membuat lapisan tipis TiO2 dengan metode sputtering dc

melakukan karakterisasi kandungan dan konsentrasi unsur dari lapisan tipis TiO2. Disamping itu juga

melakukan pengujian sifat tanggap gas lapisan tipis TiO2 terhadap NH3.

TATA KERJA

Sistem DC-Dioda Sputtering

Berdasarkan urutan pengerjaan, kegiatan penelitian dibagi menjadi 4 tahap:

• Penyiapan sistem sputtering

• Deposisi lapisan tipis TiO2 dan kontak perak

• Karakterisasi lapisan tipis TiO2

• Pengujian sifat tanggap gas lapisan tipis TiO2

terhadap gas NH3.

Berikut ini adalah penjelasan rinci tentang cara kerja yang dilakukan beserta spesifikasi alat dan bahan yang digunakan.

Penyiapan Sistem Sputtering

Sistem sputtering adalah seluruh alat dan bahan yang dipergunakan untuk membuat lapisan tipis dengan metoda sputtering.

Penyiapan Alat Sputtering-dc

Dalam penelitian ini digunakan alat sput-tering

dc yang skema lengkapnya ditunjukkan pada Gambar

1. bagian-bagian utama alat ini adalah : Tabung plasma berbentuk silinder dengan diameter 15 cm dan tinggi 20 cm.

Diposisi Lapisan Tipis TiO

2

Sebelum proses deposisi dimulai, target TiO2

subtrat dipasang pada tempatnya masing-masing . Pelapisan tipis TiO2 pada subtrat gelas dilakukan

dengan teknik DC sputtering. Pada DC sputtering ini lapisan tipis TiO2 dihasilkan dalam ruang reaktor

plasma.

Pembuatan Target TiO

2

bold dan target Ag

(perak )

Dalam penelitian ini digunakan dulu dua jenis target yaitu target TiO2 untuk deposisi lapisan tipis

TiO2 dan target Ag untuk deposisi kontak perak.

Pembuatan Target TiO2 dilakukan menurut metode

pembuatan keramik TiO2 yang dilakukan Xhi dkk. (12)

Target TiO2 dibuat bahan TiO2 serbuk dengan

kemurnian 99% dengan berat 20 gram.

Subtrat

Bahan untuk subtrat adalah kaca preparat yang dipotong hingga sekeping berukuran (10 × 20 × 2) mm. Sebelum digunakan sebagai subtrat, kepingan kaca preparat tersebut dicuci secara bertahap di dalam ultrasonic cleaner. Pencucian bertahap tersebut dimaksudkan untuk melarutkan kotoran dan minyak yang mungkin melekat pada kaca. Pada pencucian tahap pertama digunakan larutan detergen sebagai pelarut, sedangkan pada pencucian tahap kedua digunakan alcohol 99 %. Selanjutnya kepingan kaca preparat dikeringkan dalam oven bersuhu 100 oC selama 1 jam hingga kering dan siap digunakan. Untuk menghindari pengotoran kembali, subtrat disimpan dalam wadah yang kedap debu dan pengambilannya selalu dilakukan dengan pinset.

Deposisi Lapisan Tipis TiO

2

Peralatan sistim sputtering yang digunakan yang terdiri dari tabung reaktor plasma, pompa vakum, vakum meter, sumber tegangan DC, dan gas argon.Target TiO2 dipasang pada tempat target yang

berfungsi sebagai katoda di dalam reactor plasma. Subtrat kaca diletakkan pada anoda. Tabung reaktor plasma divavumkan sampai orde 10-5 torr dengan pompa vakum rotari dan difusi. Pemvakuman ini bertujuan untuk membersihkan partikel-partikel yang tidak dikehendaki. Setelah tingkat kevakuman mencapai 10-5 torr gas argon dialirkan ke dalam tabung reaktor plasma melalui kran yang digunakan untuk mengatur tekanan gas. Tingkat kevakuman

akan turun menjadi 5 × 10-4

torr. Kemudian sumber tegangan DC dihidupkan maka gas argon akan terionisasi, ion argon akan menumbuk target TiO2.

Subtrat kaca akan mendapatkan percikan ion TiO2

dengan tenaga yang cukup besar, sehingga ion TiO2

akan menyisip pada susunan atom subtrat kaca. Untuk mendapatkan lapisan tipisTiO2 yang baik

dilakukan menvariasi suhu subtrat dari 150 oC sampai dengan 350 oC.

Metode KarakterisasiTiO

2

Karakterisasi komposisi kimia dilakukan dengan metode EDX atau EDAX. Peralatan yang digunakan adalah EDAX-ZAF yang dikopel dengan SEM (SEM EDAX) Philips XL-20. Peralatan ini dilengkapi dengan software pengolah data dan printer untuk mencetak hasil analisis. Lapisan tipis TiO2 yang akan analisi dipasang pada suatu holder

dengan lem karbon dan dimasukkan ke dalam ruang vakum untuk ditembak dengan elektron.

Pengujian Sifat Tanggap Gas Lapisan Tipis

TiO

2

Terhadap Gas

Untuk menguji lapisan tipis TiO2 peralatan

voltmeter dan ampermeter (V-I) yang digunakan untuk menguji sifat tanggap gas lapisan tipis TiO2.

Untuk mengukur resitansi lapisan tipis TiO2

digunakan metode V - I, dengan nilai resistansi (R) didefinisikan sebagai nisbah antara tegangan dengan arus yang melewati lapisan tipis. Metode V-I dipilih untuk mencapai ketelitian pengukuran R yang baik.

Pengujian Sensitivitas

Sensitivitas didefinisikan sebagai perubahan resitansi oleh adanya suatu gas. Selektivitas lapisan tipis TiO2 diuji dengan cara menguji sensitifitas

dilakukan dalam lingkungan yang mengandung gas NH3 , C2H5, O2, C2H5OH dan CO.

PEMBAHASAN

Prinsip kerja Energy Despersive X-ray Analysis (EDAX) adalah berdasarkan tenaga sinar X karakteristik yang dipancarkan oleh elemen yang terkandung dalam lapisan tipis. Hasil analisa cuplikan TiO2 dengan EDAX ditunjukkan Gmbar 2

dan 3.

Dari Gmbar 2 dan 3 teridenfikasi puncak Ti dan O dengan demikian bahwa pembuatan lapisan

tipis TiO2 telah behasil. Disamping dua unsur

ter-ebut juga terdapat Si yang merupakan kandungan dari subtrat gelas, dan perak (Ag) yang merupakan

kontak ohmik dari cuplikan. Cacah latar yang terlihat dari spectrum adlah sinar X kontinu.

Gambar 2. Spektrum dan data komposisi jenis.unsure. yang terdeposit pada

substrat kaca (SiO2), dengan parameter sample suhu substrat 150

Gambar 3. Spektrum dan data komposisi dan jenis unsur yang terdeposit pada

substrat kaca (SiO2). Sampel adalah hasil pendepo-sisian dengan

parameter : suhu substrat ± 250 oC dan waktu deposisi 3 jam.

Berdasarkan spektrum pada Gambar 2 dan 3 kemudian dilakukan analisa secara kuantitatif untuk menentukan prosentase dan kandungan masing -masing unsure terutama Ti digunakan software EDAX –ZAF, diperoleh 36,79 % dan 48,18% untuk suhu substrat 150 0C, dan 250 0C. Kandungan Ti yang optimum diperoleh pada suhu substrat 250 0C. Sedangkan kandungan O diperoleh 40,06 % dan 28,30%, untuk suhu substrat 250 0Cdan 150 0C kandungan Ti yang optimum diperoleh pada suhu 250 0C cuplikan terdiri dari substrat kaca SiO dengan demikian kandungan yang ada pada O adalah jumlah dari O dari substrat ditambah degan O dari lapisan tipis TiO2. Dari tiga cuplikan yang ada diperoleh TiO2

yang paling baik diperoleh pada suhu substrat 250

0

C dengan prosentase Ti dan O adalah 36,79% dan 40,06% atau prosentase atom 63,65% berbanding 19,52%.

Pengaruh Suhu Operasi Terhadap Sensi-tivitas

dan Konduktivitas Serapan Gas

Dari pengukuran perubahan resistansi serapan bahan lapisan tipis TiO2 terhadap kenaikan

suhu substrat, diperoleh hubungan ketergantungan sensitivitas dan konduktivitas serapan gas bahan lapisan tipis TiO2 terhadap suhu operasi substrat

seperti yang ditunjukkan oleh grafik pada Gambar 4 dan 5. Rentang Suhu operasi (substrat) dipilih dari eksperimen awal dengan cara menyuntikkan gas tertentu (± 10 mL) kedalam tabung percobaan ketika

substrat dipanaskan. Ketika perubahan konduk-tivitas serapan gas memberikan pengaruh yang relatif cukup signifikan yaitu ± 180 0C maka suhu tersebut dipilih sebagai suhu awal dalam rentang suhu yang akan diselidiki (180 – 280) 0C. Suhu 280 0C adalah suhu tertinggi yang dapat dicapai pemanas substrat (elemen setrika) yang digunakan.

Menurut Gas’kov kondisi permukaan (inter-aksi antara gas uji dan permukaan semikonduktor sensor gas) akan memberikan pengaruh yang signifikan jika 2L ≥ D. dimana L adalah panjang (kedalaman) depletion layer dan D adalah ukuran butir. Jadi dari hasil eksperimen dapat disimpulkan bahwa pada suhu ± 180 0C telah dipenuhi kondisi 2L ≥ D. karena ukuran butir adalah relatif tetap untuk peningkatan suhu dalam orde suhu operasi (operasi), maka peningkatan perbandingan panjang depletion

layer terhadap ukuran butir diakibatkan oleh

meningkatnya panjang depletion layer. Pada suhu kamar panjang depletion layer relatif pendek karena atom oksigen yang teradsorbsi hanya menarik elektron dari permukaan bahan. Menurut Mrowec dengan peningkatan suhu maka atom oksigen yang teradsorbsi dapat menarik elektron dari daerah yang lebih dalam dengan ionisasi ganda (O2-), bahkan pada kesetimbangan termodinamik (antara permukaan dan bulk) penarikan dapat mencapai elektron-elektron bulk, ini menyebabkan panjang

Gambar 4. Grafik hubungan antara konduktansi serapan gas bahan lapisan tipis

terhadap gas C2H5OH, CO, C2H5_, NH3, dan O2 dengan suhu

operasi (substrat).

Gambar 5. Grafik hubungan antara sensitivitas serapan gas bahan lapisan tipis

terhadap gas C2H5OH, CO, C2H5_, NH3, dan O2 dengan suhu operasi

(substrat).

Dari penjelasan diatas maka dapat di-terangkan grafik hubungan sensitivitas dengan suhu substrat pada Gambar 4 adalah sebagai berikut. kenaikan sensitivitas dengan meningkatnya suhu substrat oleh penyerapan gas reduktor disebabkan oleh peningkatan perubahan jumlah rapat pembawa muatan permukaan dan peningkatan mobilitas pada bulk dan batas butir, sedangkan penurunan sensi-tivitas dengan meningkatnya suhu substrat pada penyerapan gas oksidator disebabkan oleh penurun -an mobilitas pembawa muat-an pada batas butir.

Walaupun demikian sensitivitas tidak dapat dinaikkan terus dengan peningkatan suhu substrat, ini karena menurut Lalauze dan gaskov peningkatan suhu akan mengurangi gas uji yang teradsorbsi pada permukaan semikonduktor oksida. Menurut kami penurunan kenaikan sensitivitas dengan meningkat-nya suhu substrat adalah disebabkan oleh ber-kurangnya gas uji yang teradsorbsi pada permukaan bahan semikonduktor oksida, tetapi kebenaran ini akan lebih valid bila ditunjang dengan eksperimen pada suhu yang lebih tinggi lagi.

Gambar 4.juga menunjukkan bahwa gas ethanol (C2H5OH) memiliki sensitivitas tertinggi

dengan kenaikan suhu substrat, sedangkan sensitivitas terendah terhadap kenaikan suhu substrat ditunjukkan oleh gas ethilin dan oksigen. Perilaku ini ditentukan oleh sifat karakteristik tanggap gas bahan lapisan tipis TiO2 terhadap gas

-gas yan g diuji, yang menunjukkan setiap -gas mempunyai karakteristik kereaktifan tersendiri terhadap semikonduktor oksida logam tertentu.

Gambar 5 menunjukkan konduktivitas serap -an terhadap gas uji deng-an meningkatnya suhu operasi. Grafik hubungan konduktansi serapan terhadap suhu substrat seharusnya sesuai dengan perilaku ketergantungan sensitivitas terhadap kenaikan suhu substrat, dimana gas ethanol yang paling sensitif (perubahan konduktansi terbesar) harus mempunyai grafik kenaikan konduktivitas (konduktans i) yang paling kecil, sedangkan gas ethilin dan oksigen yang mempunyai senstivitas terendah (perubahan konduktansi yang rendah) harus mempunyai kenaikan konduktivitas (konduktansi) serapan yang tinggi. Penyimpangan perilaku konduktansi serapan ini disebabkan oleh tidak stabilnya konduktivitas bahan setelah dipanaskan. Perilaku ini dapat diterangkan sebagai berikut. Yaitu ketika bahan lapisan tipis dipanaskan untuk melakukan percobaan serapan gas tertentu, maka lapisan tipis akan melakukan pembentukan formasi ataupun morfologi permukaan yang lebih teratur untuk mencapai keadaan energi yang lebih stabil. aktivitas ini menyebabkan perubahan sifat konduktivitas bahan secara keseluruhan. hal tersebut akhirnya menyebabkan untuk perubahan nilai resistansi awal (tanpa serapan) untuk setiap eksperimen serapan gas. Untuk mengatasi ini maka lapisan tipis yang diperoleh dari proses sputtering

harus diannealing terlebih dahulu sebelum dipakai dalam mekanisme tanggap gas yang berulang -ulang. Proses annealing dimaksudkan agar formasi butir, morfologi permukaan, dan struktur kristal bahan lapisan tipis TiO2 lebih stabil terhadap pengaruh

eksternal khususnya pemanasan substrat.

Selain perubahan formasi butir oleh pemanasan, penyimpangan konduktansi serapan gas juga disebabkan oleh perubahan struktur fisik dari kaca substrat, ini terlihat dari berubahnya warna dan bentuk substrat kaca. Substrat kaca yang dioperasikan berulang-ulang pada suhu operasi yang relatif tinggi terlihat berwarna buram dan berubah bentuk dari persegi menjadi bentuk yang melengkung. Perubahan ini akan diikuti dengan perubahan fisik dari bahan-bahan yang terdeposit sebagai lapisan tipis pada substrat. Perubahan-perubahan tersebut akhirnya mempengaruhi. sifat elektrik, dimana nilai konduktansi yang diperoleh dari setiap percobaan serapan gas pada suhu yang sama terlihat tidak stabil.

KESIMPULAN

Dari hasil percobaan dan setelah melalui perhitungan dapat disimpulkan bahwa dengan telah berhasil dibuat lapisan tipis TiO2 diatas substrat kaca

dicapai pada suhu substrat 250 0C. Dari cuplikan yang ada diperoleh TiO2 yang paling sensitivitas

adalah terhadap respon gas ethanol dan kurang respon terhadap gas ethilin dan oksigen pada suhu substrat 250 0C dengan prosentase Ti dan O adalah 36,79% dan 40,06% berat atau prosentase atom 63,65% berbanding 19,52%. Di samping itu juga tanggap terhadap gas ditunjukkan dengan adanya perubahan sensitivitas terhadap jenis gas yang berbeda. Konduktivitas lapisan TiO akan berkurang bila suhu naik. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa lapisana tipis TiO2 yang dibuat dapat

digunakan sebagai sensor gas.

DAFTAR PUSTAKA

1. ECKERTOVÁ, L., Physics of Thin Films, 2nd ed., Plenum Press, New York, 1992.

2. OHRING, M., The Material Science of Thin Films, Academic Press Inc., New York, 1986.

3. MOSELEY, P.T., Materials Selection for

Semi-conductor Gas Sensors, Sensors and Actuators B,

6, 149-156, 1992.

4. ABE, H., YOSHIMURA, T., KANAYA, S., TAKAHASHI, Y., MIYASHITA, Y., SASAKI,

S., Automated Odor-sensing System Based on Plural

Semiconductor Gas Sensors and Computerized Pattern Recognition Tech-niques , Anal. Chim.

Acta., 194, 1-9, 1987.

5. DI GIULIO, M., MANNO, D., MICOCCI, G., SERRA, A., TEPORE, A., Sputter Deposition of

Tungsten Trioxide for Gas Sensing Appli-cations, J.

Mater. Sci., Material Electronics, 9, 317-322, 1998.

6. HIRATA, M., SUN, L., Characteristics of an

Organic Semiconductor Polyaniline Film as Sensor for NH3 Gas, Sensors and Actuators A, 40,

159-163.

7. GOPAL REDDY, C.V., Manorama, S.V., Rao, V.J., 2000, Preparation and Characterization of

Ferrites as Gas Sensor Materials, J. Mater. Sci.

Lett, 19, 775-778, 1994.

8. XU, C., TAMAKI, J., MIURA, N., YAMA-ZOE, N., Grain Size Effects on Gas Sensitivity of Porous

SnO2-based Elements, Sensors and Actuators B,

3, 147-155, 1991.

9. KONUMA, M., Film Deposition by Plasma

Technique, Springer-Verlag, New York, 1992.

10. CHAPMAN, B.N., Glow Discharge Process, John Wiley & Sons, New York, 1980.

11. WANG, H., WANG, T., XU, P., Effects of Substrate

Temperature on the Microstructure and Photocatalityc Reactivity of TiO2 Films, J. Matter.

Sci., Material in Electronics, 9, 327-330, 1998. 12. ZHI, P.X., XU, D.F., YONG, H., Accelerated

Sintering and Phase Transformation of TiO2 in

Microwave Radiation, J. Matter. Res., Vol 13, No.

12, 3417-3422, 1998.

TANYA JAWAB

Supardjono M

− Berapa ketebalan lapisan tipis yang baik digunakan sebagai sensor gas ?

− Kira-kira berapa umur dari lapisan tipis ?

− Pada suhu dan tekanan berapa alat sensor tersebut bekerja dengan baik.

− Secara teori ketebalan lapisan tipis dalam orde µm. Tetapi dalam penelitian ini belum dilakukan pengukuran.

− Tergantung frekuensi pemakaian.

− Pada suhu sekitar 250o.

Djoko SP

− Gas apa saja yang dapat di sensor dengan TiO2.

− Mengapa spektrum hasil uji dengan EDAX tidak memperlihatkan adanya senyawa TiO2.

− Bagaimana prototip detektor/sensor gas menggunakan TiO2. Apakah kita arahnya akan

membuat prototip tersebut.

Agus Santoso

− Gas-gas yang dapat disensor/dideteksi dengan TiO2

adalah H2, C2H5 OH dan O2.

− EDAX tidak bias untuk menganalisa senyawa tetapi

hanya dapat mengetahui unsur-unsur elemental untuk mengetahui senyawanya digunakan XRD.

− Prototip sensor TiO2 adalah yang portable dan yang