SIFAT LISTRIK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sₙ(S₀,₅Te₀,₅), Sₙ(S₀,₄Te₀,₆), DAN Sₙ(S₀,₂Te₀,₈) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL UNTUK APLIKASI SEL SURYA
Teks penuh
Gambar
Garis besar
Dokumen terkait
Berdasarkan data tersebut dapat dilakukan ekstrapolasi karena pada fungsi persamaan 4, apabila ( . hf) 2 = 0, maka memang Eg = hf.Teknik ekstrapolasi telah memberikan hasil
Alhamdulillahirobil‘aalamin puji syukur penulis panjatkan kehadirat Allah SWT, yang senantiasa melimpahkan rahmat, taufik, serta hidayah-Nya sehingga penulis dapat
Puji dan puja syukur tak lupa penulis panjatkan kehadirat ALLAH SWT yang senantiasa melimpahkan rahmat, taufiq dan hidayah-NYA, sehingga laporan Tugas Akhir dengan judul,
Proses karakterisasi dilakukan menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk menentukan struktur lapisan tipis, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk menentukan
Puji syukur kehadirat Alloh Subhanahu Wata’ala (SWT), yang senantiasa melimpahkan rahmat dan hidayah-Nya kepada penulis sehingga penulis dapat menyelesaikan Laporan
Puji dan syukur penulis panjatkan kehadirat Allah SWT yang telah melimpahkan rahmat, hidayah serta karunia-Nya, sehingga penulis dapat menyelesaikan skripsi ini
Alhamdulillah, Puji syukur penulis panjatkan kepada Alloh SWT yang telah melimpahkan rahmat, berkah, dan hidayah-Nya sehingga penulis dapat menyelesaikan tugas
Puji syukur kehadirat Allah SWT, yang telah senantiasa melimpahkan Rahmat dan Hidayah- Nya serta hanya dengan kerido’an -Nya penulis dapat menyelesaikan tugas akhir