• Tidak ada hasil yang ditemukan

Моделирование магнитного поля в технологической зоне электромагнитной наплавки

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2024

Membagikan "Моделирование магнитного поля в технологической зоне электромагнитной наплавки"

Copied!
5
0
0

Teks penuh

(1)

УД К 6 2 1 ,7 9 2

Л. М. Кожуро, Д. Н. Хилысо, А, Н. Кольцов

М ОДЕЛИРОВАНИЕ М АГН И ТН О ГО П ОЛЯ

в ТЕХН ОЛО ГИ ЧЕСКО Й ЗО Н Е ЭЛЕКТРОМ АГНИ ТН ОЙ Н А П Л А ВК И

Б ел о р усск и й го с у д а р с т в е н н ы й а гр а р н ы й т ехн и чески й у н и вер си т ет М и н ск, Б ел а р усь

Расчет магнитного поля и его градиента в рабочей зоне при электромагнитной наплавке представляет собой довольно сложную задачу, так как зависит от многих факторов: конфигурации полюсного наконечника, коэффициента заполнения по­

рошком рабочего пространства, магнитных свойств порошка и детали. Известно несколько методов расчета магнитных полей: аналитический, графический и экс­

периментальный [1, 2]. В случае электромагнитной наплавки сплошных цилинд­

рических деталей (рис. 1) магнитное поле можно рассчитать аналитически, приме­

нив уравнение Лапласа [2]:

V^(p=0,

где - оператор Лапласа; <р - магнитный скалярный потенциал.

Рис. 1. К расчету магнитного поля в технологической зоне обработки.

Допуская, что длина образца достаточно велика по сравнению с его диаметром, уравнение Лапласа для среднего сечения в цилиндрических координатах можно записать в виде

1 ^ / э /

d ę

Э/

d ^ ę w

= 0 (1)

где / - расстояние от центра детали до точки, в которой определяется магнитный потенциал; а - угол, отсчитываемый от направления вектора магнитной индукции исходного магнитного поля В„.

(2)

Решение уравнения (1) методом Фурье заключается в определении постоянных коэффициентов в выражениях для потенциала в области внешнего магнитного поля (pę и внутри цилиндра ф^:

f , = 1 c , / + f cosa; (

2

)

^ С ^

cosa,

(3)

где (р-, - соответственно скалярные потенциалы магнитного поля в области детали и пространстве рабочей зоны; Cj, С2, С3, С4 - постоянные коэффициенты, определяемые из граничных условий.

Во внутренней области (i) потенциал должен оставаться конечным (при конеч­

ном поэтому €2= 0. Во внешней области (е) вдали от детали, т.е. при 1/г»1, возмущающее влияние детали на внешнее поле отсутствует, и потенциал опреде­

ляется этим внешним полем:

= ~ Я ^ - / c o s a ,

где - напряженность исходного магнитного поля; г - радиус заготовки. Отсюда следует, что С3 = -Н^.

На поверхности раздела двух сред, т.е. при / = г, выполняется как равенство потен­

циалов, так и равенство нормальных составляющих вектора магнитной индукции:

д(р.

(4)

ще w - магнигаая проницаемость детали; - магнитная гфоницаемостъ внешней среды.

Перепишем выражения для потенциалов (2) и (3) с учетом полученных результатов:

= Cj * / • cosa;

ę , = \ +

cosa

(5)

(

6

) Продифференцировав (5) и (6) по / и с учетом условий (4), получаем систему урав­

нений:

й С , = 1- н . - ^ fie

(7)

(3)

Решая систему уравнений (7), получаем 2/^0 .

С , = - Я „

C ^ = H „ . b Z J L . r \

Подставив значения найденных коэффициентов Ср Cj, С3, С4 в уравнения (2) и

W - Н -

(3) и приняв во внимание, что --- г ;- и ^ е а “■ ~75Г" » получим составляю-

о/ IĆCC

щие напряженности магнитного поля вне детали:

- i + ^ z A '

И,+Ие

c o s a .

и

= - ^ = - Я

Ida K h

Sina

Известно [3], что между магнитной индукцией В и напряженностью магнитно­

го поля Н существует следующая связь:

(8) где ц, - магнитаая постоянная Ю'*^ Ш м); - магнитная проницаемость среды.

С учетом (8) запишем выражения для определения составляющих магнитной индукции в пространстве рабочей зоны:

В

, = 5

^е,1

в.„=-в„

y h

cosa;

[l J j sina.

(9 )

(10) Переведем уравнения (9) и (10) из цилиндрической системы координат в декар­

товы координаты при помощи соотношений

В ^ = В ^ -

cosa - • sina;

B ^ = B ^ - s i n a + B^-

cosa;

x = /-cosa;

у = /-sina;

/=V

7

T

7

.

(4)

с учетом преобразований получаем

где

в

= 5

"ес о

При соблюдении условий дифференцируемосга выражений ф = fl^x, у) и В = у) составляющие градиента вектора магшггаой индукции по осям координат огфеделяются как частные производные второго и перюго порядка по соответствующим направлениям:

.2 3V _ дв -

g r a d B , = ^ x , = — x,-,

где х ^ , ў „ - единичные векторы.

Тогда, применяя правило дифференцирования сложных функций, получаем дВ.

X I ^ /

= 2 B ^ Ą - x -О ^4к, 1 - 2

К ■в =

где ' ^ е х ’^ ~ частные производные соответствующей функции по переменной,

X I ^

выраженной в явном виде. Аналогично

дВ. К /

. = - 2 5

ду 01* ^

1+2

2 2 4 X - у

дВ^е у к. (

= 2 5 ^ - v - 1 - 4 + г ;

дх O l * - '

1 п

к. (

V

е у = 2 В , ^ - у

1 - 4 V •

ду О } 4 7

1 п

(11)

(12)

(13)

(5)

Таким образом, получены аналитические выражения (9)...(13), позволяющие рассчитать величину магнитной индукции и ее градиент в любой точке простран­

ства рабочей зоны.

Работа выполнялась при финансовой поддержке Белорусского республикан­

ского фонда фундаментальных исследований, проект №Т99М-007.

ЛИТЕРАТУРА

1. Ефимов Н.В. Квадратичные формы и матрицы. - М.: Наука, 1972. - 159 с.

2. Поливанов К.М. Теоретические основы электротехники. 43. Теория электромаг­

нитного поля. - М.: Энергия, 1969. - 352 с. 3. Нейман Л.Р., Демирчян К.С. Теорети­

ческие основы электротехники. Т.2. - М.: Энергия, 1966. - 407с.

УДК 6 2 1 ,7 9 2

Ж. А. Мрочек, А. П. Ракомсин, Л. М. Кожуро, Д. Н. Хилько

ТЕП ЛО Ф И ЗИ Ч ЕСК АЯ М ОДЕЛЬ П РОЦ ЕССА

Ф ОРМ И РО ВАН И Я П О К РЫ ТИ Я ПРИ ЭЛЕКТРОМ АГНИ ТН ОЙ Н АП ЛАВКЕ

Б ел о р усск а я го с у д а р с т в е н н а я полит ехническая а к адем и я Г о с у д а р с т в е н н о е п р ед п р и я т и е «М А З»

Б ел о р усск и й го с у д а р с т в е н н ы й а гр а р н ы й т ехнический у н и вер си т ет М инск, Б ел а р усь

Процесс формирования покрытия при электромагнитной наплавке (ЭМН) объе­

диняет явления различной физической природы. К числу важнейших следует отне­

сти структурные и фазовые превращения, условия протекания которых определяет структуру и физико-механические свойства покрытий. Формирование покрытия іфежде всего связано с процессами кристаллизации и охлаждения капель расплава частиц ферропорошка при их взаимодействии с основой.

Решение задачи кристаллизации жидкой частицы при ЭМН точными аналити­

ческими методами не предоставляется возможным [1]. Это обусловлено нелиней­

ностью граничных условий, конечными размерами тел, изменением теплофизи­

ческих свойств покрытия и основы. Поэтому для изучения теплообмена в контакте основы с жидкой каплей расплава порошка воспользуемся приближенным мето­

дом А.И. Вейника [2].

Рассмотрим задачу кристаллизации и охлаждения жидкой частицы порошка на основе. Математическая модель процесса кристаллизации и охлаждения жидкой

Referensi

Dokumen terkait

Так в систему формальных источников горного права Республики Казахстан, кроме таких видов нормативных актов, как законы, подзаконные акты, включаются международные договоры.4 природных

Михаэль Попп отметил, что 30 лет назад назначение фитопрепаратрв не было по- пулярным, так как не имело под собой на- учной базы и основывалось на традицион- ном эмпирическом опыте..

Показатели крови при этом свидетельствовали о наличии тяжелой анемии с показателями Hb 79 г/л и эритроцитов 2,82, состояние больной по окончании курса оценивалось как относи- тельно

Под средней квадратической ошибкой «взгляда» при выполнении нивелирования цифровым нивелиром будем понимать так же как и для оптического нивелира с микрометром, суммарную величину

Только в этом году женщины получили равные права, как и у мужчин на участие во всех видах спорта.. Это все еще не полное равенство полов, так как они не участвовали в соревнованиях

При разработке и создании продуктов питания нового поколения используется наноструктурированное сырье растительного происхождения, в частности зерновых культур овес, ячмень, просо и

При равных достоинствах знания и природных дарованиях из двух биев выбирается старший годами, так как говорится: «Жас биден билік сұрама - у молодого судьи не ищи правосудия».10 Итак,

Новизна такого комплекса предопределяется использованием таких составляющих, как: 1 функциональная: комплекс полифункционален и при использовании его для любой из выделенных целей