BAB III
ELEKTRONIKA DAYA
•
Sistem elektronika daya
adalah proses dan
kontrol aliran daya elektrik yang berupa catu
daya, tegangan dan arus dalam bentuk yang
secara optimal sesuai dengan kebutuhan beban.
•
Rangkaian elektronika daya
adalah mengubah
daya elektrik dari bentuk ke bentuk lainnya
dengan menggunakan komponen elektronika.
Rangkaian elektronika daya menggunakan
komponen semikonduktor daya sebagai saklar
dengan cara mengontrol atau memodifikasi
tegangan dan arus.
Blok diagram sistem elektronika
daya secara umum.
• Daya masukan ke prosesor daya biasanya sumber dari PLN (tidak selalu) dengan frekuensi jala-jala 50 Hz, satu fasa atau tiga fasa.
• Sudut fasa antara arus dan tegangan tergantung pada topologi dan kontrol prosesor daya.
• Jika prosesor daya dipandang sebagai sumber tegangan, maka arus keluaran dan
hubungan sudut fasa antara tegangan dan arus keluaran tergantung pada karakteristik beban.
• Pada umumnya umpan-balik kontroler
membandingkan keluaran dari prosesor
daya
dengan
nilai
referensi
yang
diinginkan dan kesalahan
{error)
antara
keduanya diminimasi oleh kontroler.
Sasaran Sistem Konversi
Elektronika Daya
• Mengubah bentuk energi elektrik menjadi
bentuk lain, dari sumber ke beban dengan
efisiensi sangat tinggi, ketersediaan yang
tinggi, ketahanan yang tinggi dengan
biaya yang sangat rendah, berat dan
ukurannya sangat kecil.
•
Aplikasi pada konverter statis
.
– Tidak memerlukan komponen-komponen
yang berputar atau pergerakan mekanik.
– Contoh aplikasi : penyearah, inverter,
chopper dan cycloconverter.
•
Aplikasi pada sistem penggerak
– Yang mengandung komponen-komponen
pergerakan dan perputaran (seperti motor).
– Contoh : DC drives, AC drives, permanent
magnet motor drives.
Contoh : Konsep Konservasi
• Catu daya dari PLN ; 50 Hz, 220 Volt RMS
(puncak 311 Volt)
• PLN memberikan catu daya gelombang sinus,
dimana komponen dc-nya nol.
• Bila konsumen menginginkan tegangan dc
(misalnya untuk pengelasan).
• Kita dapat menggunakan
penyearah setengah
gelombang sederhana,
sehingga diperoleh
tegangan dc yang tetap,
hal tersebut adalah
merupakan sistem
elektronika daya yang
sederhana
• Tegangan keluaran
rata-rata adalah
• Bagaimana bila
konsumen
menginginkan
tegangan dc yano
variabel ?
• Maka diperlukan
rangkaian yang
lebih kompleks,
yaitu menggunakan
SCR.
• Tegangan keluaran
rata-rata adalah
• Dengan mengatur sudut penyalaan
α
,
tegangan keluaran dc dapat diatur.
• Terlihat
jelas
bahwa
hal
tersebut
memerlukan sistem elektronika yang lebih
rumit untuk menentukan pulsa-pulsa arus
penyala SCR.
Aplikasi
• Power generation and transmission (HVDC).
• Uninteruptable power supplies (UPS).
• DC Power supplies
• Energy conservation (ballast, pumps,
compressors, air condition).
• Tranportation (electric car, trains)
• Process control and automation.
• Electroplating, Welding.
• Heating, cooling.
Perkembangan Kemajuan di
Bidang Elektronika Daya
• Perkembangan elektronika daya cukup pesat
akibat dari:
– Kemajuan dibidang power semiconductor switches. – Kemajuan dibidang mikroelektronik (DSP,
VLSI, mikroprosesor/ mikrokontroler).
– Munculnya ide-ide baru dalam bidang aigoritma kontrol.
– Kebutuhan-kebutuhan akan aplikasj-aplikasi baru.
Elektronika daya merupakan bidang
interdisipliner
:
•
Elektronika digital atau analog.
•
Daya dan energi Mikroelektronik.
•
Sistem kontrol.
•
Komputer, simulasi dan software.
•
Solid-state physics dan devices.
Konverter Elektronika Daya
•
Berdasarkan hubungan antara masukan dan
keluaran, konverter diklasifikasikan menjadi:
– AC to DC Converter : Penyearah
Konverter ac ke dc menghasilkan keluaran dc
dari masukan ac, daya rata-rata dipindahkan dari sumber ac kebeban dc.
– DC to DC Converter (Chopper) :
Konverter dc ke dc
manghasilkan keluaran dc yang variabel
– DC to AC Converter (Inverter) :
Pada inverter, daya rata-rata mengalir dari sisi dc ke sisi ac.
– AC to AC Converter (Cycloconverter) :
Konverter ac ke ac dapat digunakan untuk mengubah
besaran dan atau frekuensi dari masukan ac
Contoh aplikasi : konverter statis
• DC to DC
Converter
• Switch Mode
Power Supply
(SMPS)
15Contoh aplikasi : sistem pengendali
kecepatan motor
Divais Semikonduktor Daya
(Power Switches)
• Power switches adalah merupakan tulang
punggung dari sistem elektronika daya.
• Power electronics switches bekerja hanya
dalam dua kondisi:
– Konduksi penuh (Fully ON - conducting)
– Padam (Fully O0F - blocking)
• Dapat dikategorikan menjadi tiga grup :
–
Diode
: kondisi ON dan OFF dikendalikan
hanya dengan rangkaian daya.
–
Thyristor (SCR)
: kondisi ON dengan
menggunakan sinyal kontrol daya rendah,
akan
tetapi
untuk
memadamkannya
menggunakan rangkaian daya. Tidak dapat
dipadamkan dengan sinyal kontrol.
–
Controllable switches
: dapat dinyalakan
dan dipadamkan melalui sinyal kontrol
dengan daya rendah (BJT, MOSFET, IGBT,
GTO)
Diode Daya (
Power Diode
)
• Ketika diode mendapatkan bias maju (forward biased), maka diode akan konduksi dengan tegangan maju yang kecil (Vf) yang terdapat pada diode (0,2 - 3) Volt.
• Ketika diode mendapatkan bias balik(reverse biased), diode dalam kondisi padam dan dengan mengabaikan arus bocor yang kecil (orde mikroampere hingga mA) yang mengalir hingga reverse breakdown terjadi. Diode seharusnya tidak boleh dioperasikan pada kondisi tegangan balik lebih tinggi dari Vr. 19
• Karakteristik Pemulihan Balik (
Reverse
Rocovery Characteristic
)
– Ketika terjadi perubahan (switched) secara mendadak/cepat dari kondisi bias maju ke kondisi bias balik, maka diode akan kontinyu konduksi karena pembawa minoritas (minority carriers) yang tersimpan pada sambungan p-n dan material semikonduktornya.
– Pembawa minoritas memerlukan waktu yang cukup untuk menyusun ulang pengisiannya. Waktu ini disebut dengan reverse recovery time dari diode (trr biasanya kurang dari 1 mikrodetik).
– Pengaruh dari reverse recovery adalah menaikkan rugi-rugi pensaklaran (switching), menaikkan rating tegangan, terjadinya tegangan lebih (spike) pada beban-beban induktif.
– Gambar diatas menunjukkan karakteriktik pemulihan balik (reverse recovery) dari sambungan p-n sebuah diode. Reverse recovery time diukur dari perpotongan awal titik nol arus diode hingga 25% arus puncak balik IRR.
– trr terdiri dari dua komponen ta dan tb, dimana ta adalah waktu perpotongan titik nol dengan arus balik puncak (karena adanya pengisian komponen penyimpan pada daerah defleksi sambungan) dan tb karena pengisian komponen penyimpan dalam material semikonduktor.
– Perbandingan antara ta dan tb (ta/tb) dikenal sebagai
Softness Factor (SR), untuk SR=1 (pemulihan lunak – soft recovery) dan SR<<1 (pemulihan kasar - abrupt recovery).
– Total waktu pemulihan trr adalah :
– Arus balik puncak dapat dinyatakan :
dt di t IRR a b a rr t t t
Tipe Diode
Ditinjau dari karakteristik pemulihan dan
teknik pembuatannya, diode daya
diklasifikasikan menjadi 3 kategori :
– Diode standar atau general purpose.
– Tegangan konduksinya sangat rendah (dibawah 1 V) – trr tinggi (tipikal 25 mikrodetik)
– Umumnya digunakan pada aplikasi kecepatan rendah (mis. : diode penyearah dan konverter dengan frekuensi masukan rendah hingga 1 kHz dan konverter-konverter komutasi jala-jala).
– Daya hantar arus sangat tinggi (diatas 5 kA) dan rating tegangan (hingga 5 kV).
– Fast recovery Diode
• trr rendah (tipikal 1 mikrodetik)
• Rating tegangan ratusan volt dan rating arus ratusan ampere.
• Umumnya digunakan pada rangkaian dengan frekuensi tinggi.
– Schottky Diode
• Drop tegangan maju sangat rendah (tipikal 0,3 V) • Tegangan blocking terbatas (50 - 100) Volt
• Digunakan pada aplikasi tegangan rendah, aplikasi arus tinggi seperti pada SMPS.
THYRISTOR (SCR)
• Thyristor hanya dapat dinyalakan pada dua
kondisi:
– Divais pada kondisi terbias maju (yaitu Vak positif) – Arus gate (Ig) positif diberikan pada gate
• Pada kondisi ON arus anode harus lebih besar
dari suatu nilai yang disebut dengan
latching
current,
jika tidak maka divais akan kembali
kekondisi
blocking
ketika tegangan
anode-katode berkurang.
•
Latching current (I
L)
adalah arus anode
minimum yang diperlukan agar dapat membuat
thyristor tetap konduksi meskipun sinyal gate
dihilangkan.
•
Holding current (I
H)
adalah arus anode minimum
untuk membuat thyristor ON (
I
L>I
H)
Mekanisme penyalaan dan pemadaman
(Turning ON-OFF mechanism)
• Pada mode terbias-balik, SCR berperilaku seperti diode. Akan mengalirkan arus bocor yang kecil yang tergantung pada tegangan, tetapi akan naik dengan kenaikan temperatur.
• Ketika tegangan balik puncak tercapai, maka akan terjadi avalance breakdown
dan arus yang besar akan mengalir.
• Pada mode terbias-balik, dengan tidak adanya arus gate (yaitu pada kondisi tidak di-trigger) divais akan mengalirkan arus bocor.
• Bila tegangan maju breakdown (Vbo) tercapai,
maka SCR akan ter-
trigger
dengan sendirinya
("selft
triggered”),
dan tegangan jatuh konduksi
sekitar (1,5 - 3 V tipikal). Adanya arus gate akan
mengurangi tegangan maju breakdown
• Thyristor tidak dapat dipadamkan dengan
memberikan arus gate negatif. Thyristor hanya
bisa dipadamkan jika Ia menuju negatif
(reverse).
Hal ini terjadi karena bagian negatif
dari
gelombang
sinus
terjadi
(natural-commutation)
• Metode lain untuk memadamkan yang dikenal
sebagai
"
force-commutation
",
arus
anode
dialihkan kerangkaian yang lain
.
Tipe Thyristor
• Fasa terkontrol (
phase controlled)
– Penyearahan tegangan dan arus pada frekuensi jala-jala yang digunakan untuk penggerak motor dc.
– Kemampuan tegangan tinggi (hingga 7 kV) dan arus tinggi (hingga 4 kA)
– Tegangan jatuh ON-state rendah (1,5 - 3) V.
• Inverter grade
– Digunakan pada pada inverter dan chopper – Sangat cepat, dapat dinyalakan dengan
menggunakan metode "force commutation'''
Tipe Thyristor
• Penyalaan dengan cahaya (light activated
- LASCR)
– Seperti pada fasa terkontrol, divais ini
dinyalakan
dengan
memberikan
radiasi
cahaya langsung ke wafer silicon.
– Pada umumnya rating dayanya sangat tinggi
(contoh : transmisi tegangan tinggi dc - HVDC
dan kompensasi daya reaktif statis atau
reaktif volt ampere - VAR)
TRIAC
TRIAC
• Thyristor
dengan
polaritas
ganda
yaitu
merupakan
divais
yang
mempunyai
sifat
konduksi
dua
arah
(
bi-directional
),
olehkarenanya divais ini digunakan untuk
pengaturan tegangan bolak-balik.
• Adalah merupakan ekivalensi dari dua buah
SCR yang dihubungkan antiparalel.
• TRIAC akan lebih sensitive bila dioperasikan
pada kuadran satu (tegangan MT2 positif, gate
positif) dan kuadran tiga (tegangan MT2 negatif,
gate negatif).
Controllable Switch
(Power Transistors)
• Dapat dinyalakan (ON) dan dipadamkan (OFF) dengan sinyal kontrol yang relatif sangat rendah.
• Dioperasikan pada mode saturasi dan cut-off saja. Tidak dioperasikan pada daerah linier karena rugi-ruginya
besar.
• Secara umum transistor tidak bekerja pada latched mode.
• Divais tradisional : Bipolar Junction Transistor (BJT), Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor (MOSFET), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Gate turn-off Thyristor (GTO).
• Divais modern : Gate Controlled Thyristor (GCT).
Bipolar Junction Transistor
(BJT)
Bipolar Junction Transistor
(BJT)
• Transistor digunakan sebagai elemen saklar, sehingga dioperasikan dalam daerah saturasi. Jatuh tegangan pada kondisi ON rendah (VCE-sat = 2-3 V).
• Kecepatan pensaklaran (switching) lebih tinggi dari pada thyristor (hingga 5 kHz), sering digunakan pada
konverter dc-dc dan konverter dc-ac.
• Dengan memasangkan sebuah diode anti parallel, transistor dapat menghasilkan arus dua arah
(bidirectional).
• Level tegangan dan arusnya lebih rendah dibandingkan dengan thyristor (VCE<1000V), Ic<400A), sehingga
banyak diaplikasikan pada aplikasi daya rendah dan menengah.
Karakteristik BJT
• Untuk menyalakan dan memadamkan divais yaitu dengan menghubungkan terminal basis dan emitor dengan rangkaian driver.
• Untuk menyalakannya dengan mengijeksikan arus pada terminal basis sehingga arus mengalir dari kolektor ke emitor.
• Untuk memadamkan dengan menghilangkan arus basis. • Penguatan arus (β) rendah jika dioperasikan pada
daerah saturasi (umumnya <10)
• Untuk memperoleh penguatan arus (β) yang tinggi, maka digunakan hubungan Darlington.
Metal Oxide Silicon Field Effect
Transistor (MOSFET)
• Bipolar Jucntion Transistor
adalah merupakan komponen yang dikendalikan oleh arus basis dan penguatan arusnya sangat bergantung pada
temperatur junction.
• MOSFET merupakan komponen yang dikendalikan oleh tegangan dan memerlukan arus masukan yang kecil. Rating tegangan Vdc < 500 V dan arus IDC < 300 A. • MOSFET mempunyai frekuensi
switching sangat tinggi (> 100 kHZ) bahkan untuk divais daya rendah (ratusan watt) dapat mencapai orde MHz dan orde waktu switching sekitar
Karakteristik MOSFET
• Penyalaan dan pemadamannya sangat sederhana.
Hanya memerlukan VGs = +15 V untuk penyalaan dan VGs = +0 V untuk pemadaman. Rangkaian diver gate-nya sederhana.
• Pada dasarnya adalah merupakan divais tegangan rendah. Tersedia juga divais tegangan tinggi (hingga 600V), tetapi dengan arus terbatas. Untuk memperoleh kemampuan arus tinggi dapat diparalel dengan mudah. • Resistansi internal antara Drain dan Source pada kondisi
ON (Rds(on)) akan membatasi kemampuan daya
MOSFET. Rugi-rugi tinggi pada divais tegangan tinggi karena Rds(on>.
• MOSFET lebih dominan dalam aplikasi frekuensi tinggi (>100 kHZ). Banyak digunakan pada Swicthed-Mode Power Supplies.
Insulated Gate Bipolar Transistor
(IGBT)
• Adalah merupakan kombinasi keuntungan-keuntungan pada BJT dan MOSFET, yaitu :
• Karakteristik gate-nya sama
dengan MOSFET, mudah dalam pemadaman dan penyalaan.
• IGBT memiliki impedansi masukan yang tinggi seperti
MOSFET dan rugi-rugi konduksi yang rendah seperti BJT (2 - 3 V).
• Rating tegangan dan arus yang tersedia hingga kini (VCE < 3,3 kV, Ic < l,2kA). Bahkan dalam perkembangannya sudah
Insulated Gate Bipolar Transistor
(IGBT)
• Rating tegangan dan arus yang tersedia hingga
kini (V
CE< 3,3kV, Ic < l,2kA). Bahkan dalam
perkembangannya sudah mencapai 4,2/1,2 kA.
• Kemampuan
switching-nya
bagus (hingga 100
kHZ) pada divais yang baru. Aplikasi tipikal
IGBT digunakan pada range 20 - 50 kHz.
• Pada aplikasi divais daya tinggi, frekuensi
switching terbatas hingga beberapa kHz.
• Operasi tanpa rangkaian snubber dimungkinkan,
bahkan pada IGBT yang baru sudah tidak
memerlukan lagi snubber.
Gate Turn-Off Thyristor (GTO)
• Seperti normalnya
sebuah thyristor, dapat dinyalakan dengan
memberikan sinyal gate positif, tetapi GTO
dapat dipadamkan dengan memberikan
sinyal gate negatif. GTO mempunyai lacthing
current yang lebih tinggi dari thyristor, sehingga pulsa gate GTO akan lebih panjang.
Gate Turn-Off Thyristor (GTO)
• Akan tetapi untuk pemadamannya memerlukan arus gate balik yang lebar pulsanya lebih pendek tetapi
magnitute pulsa umumnya seperlima dari arus anoda. • Tegangan jatuh pada saat konduksi relatif lebih besar
dibandingkan dengan SCR (untuk GTO 550A, 1200V besarnya sekitar 3,4V).
• Dalam perkembangannya rating tegangan Vak<5kV dan arus Ia<5kA serta frekuensi <5kHz.
• Pada umumnya GTO memerlukan rangkaian snubber, dan rangkaian snubber daya tinggi cukup mahal.
• Untuk GTO dengan daya yang sangat tinggi (>5kV, >5kA) diperlukan pengembangan rangkaian gate-controlled thyristor (GCT) yang lebih kompleks.
Rangkaian Driver
(Basis atau Gate)
• Interface (antar-muka) antara rangkaian kontrol (elektronika daya kecil) dan saklar elektronik (daya
tinggi), berfungsi untuk :
– Penguat sinyal kontrol ke nilai yang diinginkan untuk mengendalikan saklar
elektronika daya (power switch).
– Memberikan isolasi elektris antara rangkaian daya
(power switch) dengan rangkaian kontrol
Contoh-contoh rangakain driver
• MOSFET membutuhkan VGS = +15 V untuk penyalaan dan 0 V untuk pemadaman.
LM311 adalah sebuah
amplifier sederhana dengan keluaran open collector Qx.
• Ketika B1 tinggi Q1 konduksi, sehingga VGS tertarik ke
ground dan MOSFET akan padam.
• Ketikan B1 rendah Q1 akan padam, sehingga VGS tertarik ke VGG. Jika VGG di-set pada tegangan +15V, maka
MOSFET akan konduksi.
Rangakaian driver gate Thyristor
• Transformator pulsa
digunakan sebagai isolasi.
R1 digunakan untuk membatasi arus gate. • Pada umumnya lebar
pulsa 10µs dengan
amplitude 50 mA cukup untuk menyalakan
thyristor.
• Tetapi tidak mungkin memadamkan thyristor dengan rangkaian
Isolasi Elektris untuk Driver
• Isolasi elektris ini diperlukan untuk mencegah bahaya dari pensaklaran (switching)
komponen semikonduktor daya (high power switch) terhadap propagasi balik ke rangkaian kontrol elektronik.
• Pada umumnya opto-coupler
atau material magnetic frekuensi tinggi banyak digunakan sebagai isolasi. • Banyak rangkaian driver dan
isolasinya sudah menjadi satu chip, misalnya TLP 250 dari Toshiba, HP 3150 dari Hewlett-Packard menggunakan opto-coupling isolation.
Rugi-rugi pada Saklar Semikonduktor Daya
(Power Switch Losses)
• Adalah penting untuk mempertimbangkan
rugi-rugi pada
power switch
:
– Untuk meyakikan bahwa sistem beroperasi
secara handal dalam segala kondisi
lingkungan sekitar.
– Sehingga dengan menghilangkan sistem
pendingin pada divais (
heatsink, radiators,
coolant
) dapat meminimasi biaya dan ukuran.
– Rugi-rugi pada power switch akan
Rugi-rugi pada Saklar Semikonduktor Daya
(Power Switch Losses)
• Bila
power switch
tidak didinginkan, maka
kemampuan divais pada daya penuh tidak dapat
terealisir dan
dereting.
• Rugi-rugi utama yang akan terjadi pada power
switch adalah :
– Rugi-rugi konduksi (forward conduction losses)
– Rugi-rugi pada kondisi padam (blocking state losses).
– Rugi-rugi pensaklaran (switching losses).
Rugi-rugi konduksi
(
forward conduction losses)
• Pada saklar ideal mempunyai jatuh tegangan pada saat
konduksi nol (Von=0).
Walaupun arus maju yang mengalir besar tetapi rugi-rugi saklar nol.
• Akan tetapi pada saklar yang tidak ideal (BJT, IGBT, GTO, SCR dan GCT) mempunyai jatuh tegangan pada saat konduksi antara 1-3 Volt. MOSFET mempunyai jatuh tegangan konduksi tergantung pada nilai RDS(ON)
Rugi-rugi konduksi dan padam
(forward conduction and blocking state losses)
• Rugi-rugi diukur dengan hasil perkalian antara tegangan jatuh pada divais (Von) dengan arus konduksi, Ion, rata-rata dalam seluruh periode.
• Selama periode padam, saklar akan memblok tegangan yang besar. Idealnya seharusnya tidak ada arus yang mengalir pada saklar. Akan tetapi pada power
semiconductor switch yang sebenarnya akan mengalir arus bocor yang kecil. Hal ini akan mengakibatkan rugi-rugi kondisi konduksi dan padam.
• Arus bocor selama periode padam biasanya kecil, sehingga biasanya rugi-rugi pada kondisi padam diabaikan.
Rugi-rugi pensaklaran
(
switching losses)
• Selama proses penyalaan dan pemadaman, saklar ideal
mempunyai waktu transisi (transition time) nol. Proses
pensaklaran tegangan dan arus dapat berlangsung dengan
cepat.
• Pada real switch, karena tidak idealnya power switch maka profil dari pensaklaran
ditunjukkan seperti pada gambar.
• Rugi-rugi pensaklaran terjadi secara simultan perubahan tegangan dan arus selama periode pensaklaran.
• Perkalian antara arus dan tegangan dari divais akan
memberikan daya sesaat yang didisipasikan pada divais.
Rugi-rugi pensaklaran
(
switching losses)
• Energi panas yang dihasilkan selama periode
pensaklaran adalah integrasi dari daya sesaat
seluruh waktu seperti yang ditunjukkan dengan
luasan yang diarsir pada kurve daya.
• Rugi daya rata-rata adalah jumlah energi
penyalaan dan pemadaman dikalikan dengan
frekuensi pensaklaran.
• Bila frekuensi pensaklaran naik, rugi-rugi
pensaklaran juga naik. Batasan ini merupakan
rentang (
range)
dari
power switch
tanpa
Daerah Operasi Aman
(
Safe Operation Area
-
SOA)
• Adalah merupakan
gambaran singkat dari
nilai-nilai maksimum
dari arus dan
tegangan suatu
power
switch.
• Divais berbeda
mempunyai SOA yang
berbeda pula. Contoh
dibawah ini adalah
SOA tipikal dari BJT
seperti pada gambar.
Rangkaian Snubber
• Dengan
menggunakan
hokum kirchoff
tegangan :
• Karena di/dt negatif (pada saat pemadaman)
• Dari persamaan tersebut terlihat bahwa tegangan pada saklar lebih besar dari pada tegangan catu (dalam waktu yang singkat).
• Tegangan spike dapat melebihi tegangan bloking nominal saklar dan menyebabkan kerusakan akibat adanya tegangan lebih (over voltage) tersebut.
• Untuk mencegah kejadian tersebut, maka dipasangkan rangkaian snubber pada saklar. Sebagai contoh
rangkaian snubber RCD ditunjukkan pada gambar
• Rangkaian snubber dapat memperhalus (smoothened)
proses transisi dan membuat kenaikan tegangan pada saklar lebih pelan (slowly).
Pengaruhnya akan meredam tegangan spike yang tinggi kenilai yang aman.
• Power switch dan diode pada umumnya memerlukan
rangkaian snubber. Akan tetapi, generasi baru IGBT, MOSFET dan GCT tidak memerlukan lagi rangkaian snubber.
• Secara umum rangkaian snubber digunakan
untuk :
– Penyalaan : untuk meminimasi arus yang berlebihan yang mengalir melalui divais pada saat penyalaan. – Pemadaman : untuk meminimasi tegangan yang
berlebihan diantara divais pada saat pemadaman.
– Stress reduction : untuk membuat/membentuk bentuk gelombang pensaklaran divais (seperti: tegangan dan arus) tidak menjadi tinggi secara simultan.
Related websites for further
readings/info/data sheet
•
Power Switches
– Power diodes (irf.com) (semikron.com) – Thyristors (irf.com) (semikron.com)
– IGBT (siemens.com) (irf.com) (semikron.com) – MOSFETS (irf.com)
– GTO (abb.com) – GCT (abb.com)
•
Drivers
– IGBT (Toshiba.com) (hp.com) (semikron.com)
•
Complete power electronics solution
– (abb.com)