Karakterisasi Optik Film LiTaO3 yang ditumbuhkan di atas Substrat Silikon Tipe-P pada Variasi Suhu Annealing.
Teks penuh
Gambar
Dokumen terkait
Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh suhu annealing lapisan aktif polimer P3HT:PCBM terhadap unjuk kerja dari sel surya polimer yang ditumbuhkan
Hal ini menunjukkan bahwa film tipis ZnO yang dideposisi di atas substrat silikon memiliki orientasi bidang kristal tunggal. Alat
Dengan ini, saya menyatakan bahwa isi intelektual dari skripsi saya dengan judul “ KAJIAN VARIASI SUHU ANNEALING TERHADAP STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK PADA LAPISAN
Tujuan makalah ini adalah membuat film BST menggunakan metode CSD dengan variasi suhu annealing (800 o C, 850 o C, dan 900 o C) selama 15 jam, di atas substrat silikon tipe-p
Lapisan film tipis GaAs dengan variasi ketebalan 350 nm, 500 nm, dan 1 µ m yang ditumbuhkan di atas substrat Ge dengan teknik MOCVD telah dikarakterisasi menggunakan
Strain yang terjadi karena ketidak-sesuaian konstanta kisi antara film GaN dan substrat sapphire telah direduksi dengan memberikan lapisan penyangga (buffer layer) GaN
Dari hasil karakterisasi difraksi sinar-X pada film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas substrat sapphire dengan variasi ketebalan lapisan penyangga yang ditumbuhkan dengan
Hal ini menunjukkan bahwa film tipis ZnO yang dideposisi di atas substrat silikon memiliki orientasi bidang kristal tunggal. Alat
