PREPARASI MATERIAL TARGET CIS UNTUK PEMBUAT AN LAPISAN TIPIS CuInSe TYPE-P

74 _{ISSN 0216 - 3128}

Tri Mardji Almono, dkk.

PREPARASI MATERIAL TARGET CIS UNTUK

PEMBUAT-AN LAPISPEMBUAT-AN TIPIS CuInSe TYPE-P

Tri Mardji Atmono, Yunanto, Wiryoadi, Bambang Siswanto PTAPB - Badan Tenaga Nuklir Nasional

ABSTRAK

PREPARASI MATERIAL TARGET CIS UNTUK PEMBUATAN LAP/SAN TIP/S CulnSe TYPE-I'. Telah dilakukan penumbuhan kristal bahan semikonduktor CulnSe} dengan metode Bridgman. Faktor penting yang sangat mempengaruhi penumbuhan kristal yaitu suhu pada saat preparasi. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui suhu paling efektif pada penumbuhan kristal CulnSe} serta mengetahui struktur kristal. komposisi kimia dan morfologi massif hasil preparasi. Penumbuhan kristal dilakukan pada 3variasi suhu yaitu 500° C,6000C, dan lO0oC, menggunakanfurnace dengan menaikkan suhu secara pelan-pelan Untuk mengetahui sifat2 kristal, dilakukan karakterisasi dengan XRD. Morfologi dan komposisi kimia dengan SEM / EDAX Dari hasil XRD dapat diambil kesimpulan bahwa suhu paling efektif untuk penumbuhan kristal CulnSe} adalah 600 0C, diperoleh konstanta kisi a = 5.7857 A, c= 11,6036 A. Berdasarkan pengamatan dengan EDAX, kristal hasil preparasi pada suhu 600

°

Cmempunyai perbandingan molaritas 0,4: 0,6: 2 dan 0,4 : 0,5: 2. Dari hasil SEM dapat dilihat bahwa kristal yang dihasilkan telah cukup homogen.

Kala kunci : Metode Bridgman, semikonduktor, XRD, sel surya

ABSTRACT

THE PREPARATION OF THIN FILM CulnSe2 (P-TYPE) FOR THE APPLICATION AS SOLAR CELL. The preparation of crystal semiconductor Culnse} has been done by using the Bridgman method. The important factor which influenced the structure of the formed crystal were the temperature at time. This research aim

to obtain the temperature most effective at plant of crystal Culnse2 and also obtain the crystal structure, chemical composition and morphology. Crystal preparation were done at3variation of temperature 500 "c,

600

"c,

and 700 "c. by heating slowly, using furnace until the desired temperature. To obtain the behaviours of the crystal, the characterizations were done by using XRD. In order to analyze the composition and morphology, the measurement with SEM and EDAX were carried out. From XRD result can be taken the cone/usion that temperature, which is most effective for the preparation of crystal Culme} was 600 "c. resulting a=5,7857, c=11,6036. Based on the EDAX measurement, the crystal which was resulted by heating at temperature of 600

"c,

having comparison molarity 0,4 : 1.1 : 2 and also n,4 : I : 2. Resultingfrom SEM observation, it carl be cone/uded that the crystal is relatively homogenous.

Keyword: Bridgman Method, semiconduktor, XRD, solar cell

PENDAHULUAN

Penelitian

_{surya untuk}dan_sumberpengembangan_{tenaga alternatif}pembuatan_sangatsel intensif dikerjakan. Dari sekian banyak macam sel surya yang dikembangkan ada 2 macam jenis sel surya yang terkenal[lJ, yaitu sel surya silikon amorf dan sel surya CIS (CuInSe). Untuk sel surya silikon amorf pembuatannya lebih mudah, tetapi mem-punyai efisiensi yang lebih rendah dari sel surya CIS. Bahan yang digunakan untuk membuat sel surya silikon amorf barasal dari material dasar silikon serbuk yang dipadatkan dan dibuat lapisan tipis dengan metode evaporasi atau sputtering. Material Cu adalah bahan yang bersifat konduktor yang mempunyai konduktivitas yang tinggi, sedangkan bahan Se termasuk semikonduktor tipe P dengan konduktivitas yang juga tinggi. Indium

masuk dalam golongan bahan konduktor yang mempunyai valensi tiga, sehingga biasa digunakan untuk membuat tipe P pad a silikon. Ketiga bahan tersebut bila dipadu dengan syarat (parameter preparasi) tertentu maka akan terbentuk bahan CIS dengan tipe P. Fungsi utama dari Cu adalah untuk memperbesar konduktivitas, sedangkan InSe di-maksudkan untuk membentuk tipe P. Untuk mem-buat sel surya CIS dengan tipe P, dideposisikan CuInSe di atas Iapisan tipis elektroda belakang yang dibuat dari bahan Mo, dimana Mo ini direkatkanl dideposisikan di atas substrat kaca. Penggunaan bahan Mo dengan pertimbangan karena bahan ini hampir tidak meneruskan difusi CIS, sehingga diharapkan akan menjadi "pelindung" yang baik untuk lapisan CuInSe tersebu (bandingkan dengan Ag yang biasanya juga digunakan untuk elektroda, tetapi tidak bisa menahan laju difusi dari bahan

Prosidlng PPI - PDIPTN 2006

Pustek Akselerator dan Proses Bahan - BATAN Yogyakarta, 10 Juli 2006

Tri MardjiAlmono, dk1£. ISSN 0216-3128 75

tertentu). Untuk membuat sambungan P-N (PN-junction), diatas CuInSe-layer dideposisikan Japisan tipis dari bahan CdS untuk penyangga (buffer) dan kemudian dilapisi semikonduktor tipe N dari bahan ZnO. Lapisan tipis ZnO dan CdS tersebut sekaligus berfungsi sebagai jendela. Lapisan terluar (biasanya disebut TCO/Transparent Conducting Oxide) harus bersifat tranparan agar bisa meneruskan cahaya dengan pita panjang gelombang yang lebar, sekaligus berfungsi sebagi elektroda. ZnOAI-layer dengan metoda preparasi tertentu akan memiliki sifat terse but, sehingga akan bisa difungsikan sebagai lapisan TCCPJ. Bahan untuk sel surya CIS adalah CulnSe yang dipadukan dari ketiga serbuk bahan tersebut dan dibuat lapisan tip is menggunakan metode sputtering. Tetapi bisa juga dengan teknik evaporasi., dimana pembuatan paduan Culn dilaku-kan dengan menggunadilaku-kan teknik sputtering, diikuti proses selinisasi menggunakan teknik CVD. Dari bebrbagai metode, masing-masing mempunyai kelebihan dan kekurangan. Pad a penelitian yang akan dilakukan disini, digunakan metode paduan serbuk , diikuti pembuatan lapisan dengan teknik sputtering pada frekuensi radio 13,56 MHz.

Untuk memperoleh lapisan tip is sel surya dengan tingkat efisiensi yang tinggi, dapat dilakukan dengan berbagai cara, diantaranya adalah dengan mcngoptimalkan teknik penumbuhan kristal. Hal yang harus diperhatikan pada penumbuhan bahan CIS adalah kemurnian kristal, karena kemurnian ini sangat mempengaruhi sifat/karakter komponen atau senyawa yang dihasilkan. Produk yang diharapkan nantinya ac1alah kristal sempurna yaitu yang mempunyai tingkat kemurnian tinggi sehingga diharapkan tidak terhadi penyimpangan sifat di-harapkan dan juga dimaksudkan untuk menghindari

kerusakan(d~fect), cacat kristal. Metode yang paling sering digunakan untuk penumbuhan kristal adalah metode Bridgman, karena prinsip dari metode ini sederhana[3l.

Pada penelitian ini dilakukan penumbuhan kristal CuInSez menggunakan metode Bridgman dengan tiga variasi suhu. Setelah dilakukan teknik penumbuhan kristal dengan metode Bridgman maka akan terbentuk ingot atau massif. Untuk mengetahui jenis kristal secara umum dari ingot yang terbentuk maka dilakukan karakterisasi dengan XRD. Untuk meneJiti ukuran butir dan ketebalan struktur morfologi dilakukan pengamatan visual dengan

Scanning Electron Microscopy (SEM).

TAT A KERJA

DAN PERCOBAAN

Penurnbuhan kristal CIS dilakukan dengan menggunakan metode Bridgman(l] pada tekanan yang sama tetapi dengan tiga temperatur berbeda,

masing-masing 500°C, 600 °c dan 700°C .. Mula-mula dilakukan penimbangan unsur-unsur Cu, In dan Se dengan perbandingan berat (mol) unsur Cu:ln:Se adalah I: 1:2 agar terbe'1tuk senyawa CuInSez, kemudian dilakukan pencampuran secara homogen. Campuran ini lalu dipanasi di dalan tungku pemanas

(furnace) pada tekanan 10'z mbar secara perlahan, hingga mencapai temperatur 500 °c. Mengacu pada diagram fase, dilakukan pula pemanasan pada suhu

°

°

600 C dan 700 C, dengan harapan agar terbentuk struktur yang ideal, Kristal yang terbentuk dalam penumbuhan tersebut disebut ingot atau massif. Setelah terbentuk ingot/massif CIS kemudian dilakukan pengamatan struktur dengan mengguna-kan XRD. Analisa komposisi dikerjakan dengan EDAX berdasarkan sinar X karakteristik yang dipancarkan oleh masing-masing unsur pembentuk CIS. Sedangkan pengamatan struktur permukaan

(surface structure) dilakukan dengan menggunakan

SEM (Scanning Electron Microscopy). Preparasi lapisan tipis dikerjakan dengan metode sputtering pada frekuensi radio 13,56 MHz. Teknik sputtering merupakan salah satu metode pembuatan thin film

melalui proses elektrik, berawal dari terjadinya ionisasi gas oleh adanya tegangan yang dipasang pada elektroda (sekitar 1000 volt) dalam tabung sputtering. Bahan target ingot CuInSez dipasang pada katoda dan berfungsi sebagai target material. Untuk preparasi CulnSez ini digunakan Argon dengan tekanan parsial di dalam tabung plasma dalam orde 10.3 - 10.2 mbar. Ion-ion Ar positif bergerak menuju katoda, menembaki material target, sehingga atom-atom individu target CIS memperoleh energi yang cukup tinggi untuk melepaskan diri dari permukaan target. Atom-atom yang ter-sputter dari permukaan CIS terhambur ke segala arah, kemudian difokuskan pada substrat untuk membentuk lapisan tipis. Energi dari partikel terpercik yang menumbuk permukaan substrat cukup besar yaitu sekitar 10 eV, demikian sehingga terbentuk lapisan tipis CIS di atas substra kaca.

Selanjutnya metoda Four point probe

digunakan untuk menentukan tipe konduksi. Karakterisasi lain meliputi pengamatan struktur, komposisi, tipe konduksi serta UV-Vis untuk menentukan sifat optik dari lapisan tipis CuInSez, terutama spektrum cahaya matahari yang terserap oleh lapisan ini. Hal ini berkaitan erat dengan aplikasi CIS sebagai lapisan tipis sel surya.

HASIL DAN PEMBAHASAN

Analisis dengan mempergunakan XRD dilakukan pada ketiga sampel yaitu masif hasil

pemanasan pad a suhu 500°C, 600 °c dan 700°C.

Prosiding PPI - PDIPTN 2006

76 ISSN 0216-3128 _{Tr; Marti}; Armol/o, dU.}

Data dari ketiga sampel hasil XRD merupakan

difraktogram seperti ditunjukkan pada Gambar I, 2 dan 3.

Setelah dibandingkan dengan JCPDS maka

dapat dihitung nilai-nilai indeb miller (hkl) pad a

puncak-puncak ditraksi yang terbentuk; Harga konstanta kisi dari kristal yang terbentuk dapat dicari dengan menggunakan metode Cohen.

Untuk suhu 500°C, seperti terlihat pada gambar I, pada puncak ke 12 dengan 2B = 26,7758,

hkl = 112 dan puncak ke 51 dengan 2B =81,3549, hkl =424 akan didapatkan harga a =5,8 I 37 A, c

=

11,3048 A serta cia = 1,9433. Pada pemanasan dengan suhu 500°C ini terdapat unsur-unsur lain yang ikut terbentuk. Setelah dicocokkan dengan data

JCPDS, unsur-unsur tersebut adalah adalah In2Se3 dan In6Se7. Sudut-sudut ditraksi yang terbentuk dari

hasil pengamatan sedikit mengalami pergescran dengan data JCPDS, hal ini disebabkan karena perbedaan dari penggunaan panjang gelombang yang dipakai dalam penelitian yaitu 0,15406 nm dengan panjang gelombang dari data JCPDS yaitu 0,15418 nm. Harga konstanta kisi dari data JCPDS untuk CulnSe2 adalah a= 5,782 A dan c= II ,619 A.

Apabila dibandingkan dengan hasil perhitungan metode Cohen diatas maka dapat diambil kesimpulan bahwa hasil dari preparasi bahan dengan menggunakan metode Bridgman ini adalah CulnSe2. Untuk pemanasan pad a suhu 500°C, Cu, In dan Se mulai bereaksi membentuk CulnSe2. tetapi masih terbentuk fase-fase lain yang cukup dominan.

Pad a pemanasan dengan suhu 600°C (Gambar 2) terdapat delapan puncak yang bersesuaian dengan data JCPDS dari bahan semikonduktor CulnSe2. 5000 I/) 4000 .:!! '- 3000 I/)

.s

2000

c

1000

o

o

10

20

30

40

50

60

70

80

2 Theta

Gambar l.

Difraktogram massif CulnSe2 hasil preparasi pada suhu 500 "C.

10000

8000

6000

4000

2000

o

o

10

20

30

40

50

2 Theta

60

70

80

Gambar

2.

Difraktogram massif CulnSe2 hasil preparasi pada suhu 600 "C.

Prosidlng PPI - PDIPTN 2006

Pustek Akselerator dan Proses Bahan - BATAN Yogyakarta, 10 Jull 2006

Tri Mardji Aj'mono, dkk. ISSN 0216-3128 77

Berdasarkan data tersebut terdapat harga hk/ yang mempllnyai nilai / sarna dengan nol yaitu pad a puneak ke 22 dengan harga hk/ 400, sehingga harga

a = 5.7857 A. Harga c dapat dieari dengan menggunakan persamaan 4.1.6, untuk puneak ke 4 dengan 2 (),= 26,6150 akan didapatkan harga c =

11,6036 A, sehingga perbandingan cia

=

2,0112. Pemanasan bahan CulnSe2 pada suhu 600°C ini ternyata telidapat unsur-unsur lain yang ikut terbentuk, setelah dieoeokkan dengan data JCPDS

lInsur-unsur lain yang ikut terbentuk dalam pemanasan tersebut yaitu CU9In4. Unsur-unsur ter-sebut mempunyai puneak-puneak yang bersesuaian dengan data CU9In4padaJCPDS.

Pad a gambar 3 ditunjukkan hasil XRD dari kristal untuk pemanasan pad a suhu 700°C . Terdapat tujuh puneak yang bersesuaian dengan data

JCPDS dari bahan semikonduktor CuInSe2'

Berdasarkan data tersebut terdapat harga hk/

yang mempunyai nilai / sarna dengan nol, yaitu pada puneak ke 36 dengan harga hk/ 220, harga a telah dihitung, menghasilkan harga a= 5.7751 A. Harga

c (untuk puneak ke 21 dengan 2() = 26,7488) adalah c = 11,5024 A ,sehingga perbandingan cia =

I ,9917. Untuk pemanasan bahan Cu InSe2 pad a suhu 700°C ini ternyata terdapat unsur-unsur lain yang ikut terbentuk, setelah dieoeokkan dengan data

JCPDS unsur-unsur lain yang ikut terbentuk dalam

pemanasan tersebut yaitu CU3Se2.

Pada suhu 600°C terjadi pemanasan paling efektif dibandingkan pada suhu lain, 500°C dan 700

0c. Dari difraktogram dapat dilihat bahwa pada suhu 600°C terbentuk puncak-puncak difraksi yang

bersesuaian dengan data JCPDS untuk CulnSe2 yang lebih banyak, dibandingkan dengan pemanasan pada suhu 500°C dan 700°C. Fase-fase lain yang ikut terbentuk jumlahnya lebih sedikit. Adanya fase-fase lain ini menunjukkan bahwa kristal yang terbentuk pada pemanasan tersebut bersifat tidak

monofase.

Setelah terbentuk bahan target CuInSe2, kemudian dilakukan deposisi lapisan tipis meng-gunakan metode Sputtering. Paremeter sputtering adalah ketebalan dengan eara mengubah waktu deposisi, sehingga diperoleh lapisan yang memiliki tahanan listrik rendah. Dengan tekanan argon standard 10.2 mbar, daya sputter 200 W, diperoleh

sputterrate 15 nm/menit. Pada variasi waktu depo-sisi 30 sid 70 men it, diperoleh resistansi terkecil 0,5 kO untuk waktu 60 menit. Hasil ini ekivalen dengan nilai resistivitas sebesar 6,2 Oem. Konduktivitas adalah tipe P, sehingga mengindikasikan aplikasi yang sesuai untuk absorber pada sistem layer sel surya.

Hasil pengujian dengan menggunakan spek-trofotometer UV-Vis untuk variasi waktu deposisi terhadap absorbansi ditunjukkan pad a Gambar 4.

Absorbansi diamati pada panjang gelombang 550-790 nm termasuk dalam gelombang eahaya tampak dan tak tampak. Dari Gambar 4 didapatkan bahwa absorbansi minimum sebesar 24,20% yang diperoleh pad a waktu deposisi 30 men it, sedangkan absorbansi maksimum sebesar 90,30% yang terjadi pada panjang gelombang 550 nm pad a waktu deposisi 60 men it, tekanan gas lOx 10.2 Torr, suhu substrat 200°C tegangan 4 kV dan arus 15 mA.

6000

5000

~

4000

~

3000

(I)

C

2000

1000

o

o

10

20

30

40

50

2 Theta

60

70

80

90

Gambar 3. Difraktogram massif CulnSe2 hasil preparasi pada suhu 700°C.

Prosiding PPI - PDIPTN 2006 Pustek Akselerator dan Proses Bahan - BATAN

78 ISSN 0216 - 3128 _{rr; MortlJ; Atmono, tlkk.}

-!II c: l'I:I

.c

_•..

o

!II

.c

<t 100 90 80 70 60 50

40

30 20 10 o

525

Waktu c1eposisi30 rnenit Waktu deposisi 40 menit Waktu deposisi 50 menit Waktu deposisi 60 rnenit Waktu deposisi 70 menit

575

625

675

725

775

panJang gelombang

(nm)

Gambar 4. Absorbansi sebagai fungsi panjang gelombang untuk vari-asi waktu deposisi dengan spektrofotometer UV-Vis.

Gambar 5 menunjukkan hasil preparasi lapisan tipis CulnSez dengan menggunakan metode Bridgman. Dari gambar tampak bahwa sudah terjadi penumbuhan kristal dipermukaan substrat kaca. Menurut data JCPDS struktur kristal yang terbentuk adalah CulnSez, walaupun masih terbentuk fase lain dipermukaan lapisan tipis terse but. Terbentuknya fase lain dikarenakan tingkat pemvakuman yang kurang tinggi, sehingga kemungkinan masih banyak gas lain dalam tabung yang bereaksi dengan target ketika dilakukan proses deposisi lapisan tipis. Dari hasil preparasi lapisan tipis CulnSez dengan metode Bridgman untuk sam pel 2 (Gambar 5) diketahui 3

puncak tertinggi diperoleh pada sudut 28 masing-masing 26,9352° (112), 30,8547" (200) dan 44,6290° (220). Berdasarkan data JCPDS (Join Committe on Powder Diffraction Standar) diperoleh

bahwa lapisan tipis CulnSez berstruktur kristal dan memiliki orientasi bidang hkl (112), (200) dan (220). Dari data XRD dan bidang difraksi, dapat ditentukan besarnya kisi kristral CulnSez, menghasilkan a= 5,739 A dan c = 11,582 A, serta mempunyai struktur kristal tetragonal. Menurut data

JCPDS, konstanta kisi CulnSez adalah a

=

5,773 A dan c = 11,550A. 4500.,

N

.•..

•..

0

40001

I

N

IN

3500 3000 VI <II ~

-

.s

i

zsco2000 1500 1000 20 40 sudut 20 60 130

Gambar 5. Difraktogram lapisan tipis CulnSe2 untuk sampel 2 (Cu:25%, In:25%, Se:50%) dengan metode Bridgman.

Prosiding PPI • PDIPTN 2006

Pustek Akselerator dan Proses Bahan - BATAN Yogyakarta, 10 Juli 2006

Tri Mardji Almono, dkk. ISSN 0216 - 3128 79

-:-..

~

~,161)(r' IIIVI)-'

'.-0.

!

I~· 16<H).61)(r.•

_.

--~.

G-CI_ '.GO

:0-

E_

.a.oa

Elamam O\BV'!Compoundma55%pt% Error'% OK 0.5~5 8.~0 0.2031A5 CuL 0.930 33.32 0.1 B31.19 SeL 1.379 30.59 D.5123.0~ In L 3.2&5 2T.B~ 1.1214.32 To1al 1 DO.DD 1DO.DD ".oa ~.DG..E.oa

-'b::V _mOl&5% CationK 10.3031 B1.97~O3~.977137.9171 aao Io.,.aa.

Gambar 6. Hasil pengamatan EDAX pad a lapisan tipis CuInSe2'

Selisih perhitungan dari hasil XRD tidak menunjukkan perbedaan yang signifikan, hal ini menunjukkan bahwa pendeposisian yang dilakukan mendekati hasil pad a JCPDS. Untuk mengetahui komposisi unsur yang terdeposisi pada substrat kaca khususnya unsur Cu, In dan Se, maka digunakan SEM yang dikopel dengan EDS milik Laboratorium Pusat Penelitian dan Pengembangan Geologi (LP3G) Bandung.

Hasil karakterisasi dengan EDAX untuk lapisan tipis CuInSe2 dengan waktu deposisi 60 men it ditunjukkan pad a Gambar 6. Pengujian dengan EDS memberikan persentase komposisi kimia dalam lapisan tipis yang terbentuk yaitu Cu: 31,19%, In: 14,32% dan Se: 23,04% atau Cu : In : Se

=

2,7 : 1,2 : 2.

Dari hasil karakterisasi lapisan tipis CuInSe2 dengan EDAX tersebut, muneul unsur lain yaitu

0,

unsur

0

muneul dimungkinkan karena unsur Cu, In dan Se bereaksi dengan

0

di udara ketika dilakukan pembuatan bahan paduan CuInSe2 dengan metode Bridgman maupun ketika proses deposisi lapisan tipis. Unsur oksigen

(0)

mempunyai persentase yang eukup besar yaitu 31,45%, hal ini disebabkan mudahnya unsur Cu, In dan Se bereaksi dengan unsur

0

membentuk senyawa oksida. Proses oksidasi akan lebih cepat terjadi apabila suhu dalam substrat kaca semakin tinggi[4]. Dari Gambar 6

terlihat unsur-unsur yang terbentuk pada lapisan tipis CuInSe2' Tampak bahwa unsur Cu terlihat lebih dominan dibanding un sur In dan Se. Hal ini mungkin disebabkan karena efek preferential sputtering, dimana keboleh jadian partikel tersputter

tidak sarna antara material satu dengan material lain, bergantung pada tenaga ikat, temperatur, jenis sputtergas dll,!5J.

KESIMPULAN

Dengan metode Bridgmann telah berhasil ditumbuhkan bahan massif (ingot) CuInSe pada suhu 600°C berstruktur kristal. Massif yang kemudian dipasang pada elektroda negatif sebagai target pada proses sputtering, menghasilkan deposisi lapisan tip is CIS diatas substrat. Pengamatan dengan

four-point-probe menunjukkan bahwa lapisan tipis CuInSe pada penelitian ini merupakan semikonduk-tor tipe-p, tahanan Iistrik terendah 0,5 kO (resis-tivitas 6,2 Oem) Impurity oksigen mengindikasikan terjadinya reaksi lapisan CIS dengan udara. Karakterisasi secara kuantitatif menggunakan XRD dan EDX membuktikan struktur dan komposisi yang sesuai dan pengamatan dengan UV-Vis pada daerah sinar tampak menunjukkan sifat absorbsi yang signifikan, rata-rata diatas 40%.

Prosiding PPI • PDIPTN 2006

80

!!!!! ISSN 0216 - 3128 Tri Mard}i Atmono, dkk.

DCAP AN TERIMAKASIH

Diucapkan terimakasih kepada Sdr.Giri Slamet yang telah melaksanakan pembuatan target material CIS dan juga preparasi lapisan tipis CuInSe2.

DAFTAR PUSTAKA

1. K. TAKA HASH I, M. KONAGAI, Amorphous

Silicon Solar Cells, North Oxford Academic,

]986.

2. JONG WUN LIM, JAE HOON, IN HW AN

CHOI, Characteristics of CulnSe Thin Film Prepared by Sputtering of a Cuurln2Se/',

Journal of the Korean Physical Siciety, Vool. 30 2 April 1997

3. JAN STERNER; ALD Buffer Layer Growth Interface Formation on Cu(in, Ga)Se Solar Cell Absorber, Acta Universitatis Upsaliensis,

Upsala, 2004.

4. WILSON,WALLERY, WENAS, Teknologi Sel

Surya : Perkembangan Dewasa ini dan yang Akan Datang, Jurnal. www. £lektroindonesia. Com. 1996.

5. SHIGERU HAYAKAWA, et.al, Handbook of Sputtering deposition Technology, Noyes

Pub/ikation, 200 I.

TANYAJAWAB

Setyadi WS

- Mengapa target CIS hams dibuat sendiri, apakah tidak tersedia di pasaran.

- Agar nantinya· prototipe yang dihasilkan awetltahan terhadap lingkungan, apakah perIu "laminating", walaupun ada reduksi.

Tri Mardji Atmono

- Tidaklbelum tersedia, sudah pesan ke peru-sahaan-perusahaan material target (Good-fellows, Material Target Inc., Chempur), mereka sudah berusaha tetapi belum berhasil sehingga kita berusaha membuat dengan metode Bridgman.

- Lapisan ZnOAI merupakan TCO sekaligus sebagai pe/indung lapisan-lapisan dibawahnya agar tidak bereaksi dengan udara. Demikian pula lapisan Mo, merupakan pe/indung terhadap

efek difusi.

Prosiding PPI • PDIPTN 2006

Pustek Akselerator dan Proses Bahan· BATAN Yogyakarta, 10 Juli 2006