RINGKASAN PENELITIAN

1

RINGKASAN PENELITIAN

Penelitian ini secara umum bertujuan melakukan preparasi dan karakterisasi sambungan p-n dalam merealisasikan piranti sel surya. Piranti sel surya direalisasikan dengan dua bahan lapisan tipis yang masing- masing polikristalin. Realisasi Sel surya tersebut dirancang menggunakan teknik sambungan dua semikonduktor lapisan tipis SnSe yang memiliki tipe p dan lapisan tipis kedua adalah SnS atau CdS yang memiliki jenis pembawa muatan tipe n. Pada penelitian tahun pertama ini target khusus penelitian ini adalah berupa preparasi dan karakterisasi lapisan tipis SnSe dan SnS dengan teknik evaporasi termal. Riset ini dilakukan atas dasar pengalaman riset sebelumnya yaitu telah berhasil melakukan hal yang sama pada lapisan tipis Cd(Se,S). Karakterisasi yang dilakukan pada penelitian ini meliputi sifat- sifat listrik, sifat- sifat optik, struktur Kristal yang terbentuk pada lapisan tipis dan komposisi kimia serta merfologi permukaan bahan. Sifat- sifat listrik dan optik tersebut menjadi informasi penting dalam terapan bahan pada teknologi yang sesuai misalnya pada sel surya.

Preparasi bahan semikonduktor lapisan tipis yang dihasilkan pertama- tama dari bentuk paduan SnSe dan SnS. Seperti telah disebutkan bahwa, penelitian ini lebih difokuskan pada studi material dalam bentuk lapisan tipis kedua bahan tersebut. Oleh karena itu sampel hasil preparasi selanjutnya dilakukan karakterisasi untuk mengetahui sifat fisis dari bahan tersebut. Pertama- tama Struktur kristal dan parameter kristal akan ditentukan menggunakan sinar-X yang dikenakan pada sampel, kemudian sinar mengalami difraksi sehingga teknik pengukuran ini dikenal dengan sebutan Difraksi Sinar- X (X - Ray Difraction (XRD). Selanjutnya sifat sifat optik yang dalam hal ini adalah lebar bandgap setiap sampel ditentukan dengan UV- VIS Spektroscopi dan sifat- sifat listrik kedua bahan yang dalam hal ini konduktivitas akan diketahui dengan teknik empat probe. Berikutnya komposisi kimia lapisan tipis akan ditentukan dengan teknik Energy Dispersive Analysis of X- Ray (EDAX) yang terintegrasi dengan teknik Scanning Electron Microscop (SEM) untuk menentukan bentuk morfologi permukaan sampel.

Hasil karakterisasi tersebut menunjukkan bahwa lapisan SnSe dan SnS berbentuk polikristalin mengikuti system ortorombik dengan parameter kisi masing- masing a= 11,47 Å, b= 4,152 Å dan c = 4,439 Å untuk SnSe dan a= 4,317 Å , b= 11,647 Å dan c = 3,981 Å untuk SnS. Selanjutnya bandgap (Eg) baik SnSe maupun SnS ditentukan dengan UV-VIS Spectroscopy memberikan hasil sebesar 2,58 eV untuk SnSe dan 2,9 eV untuk SnS. Komposisi Kimia yang telah ditentukan dengan Energy Dispersive analysis of X- Ray dan menghasilkan paduan non stoichiometri dengan komposiis kimia berturu- turut Sn : Se adalah 1;0,97 dan Sn : S adalah 1:0,85. Morfologi permukaan menggambarkan ukuran butir (grain) kristal pada lapisan tipis tersebut dan hasilnya tampak jelas berkisar antara 0,2 sampai 0,5 mikron. Temuan mengenai kuantitas fisis sangat diperlukan sehingga dapat diketahui bagaimana aplikasi bahan SnSe dan SnS pada teknologi khususnya pada sel surya berbasis selain silikon. Oleh karena itulah dapat dikatakan bahwa penelitian ini masih merupakan penelitian dasar yang membuthkan penelitian lanjutan untuk merealisasikan sel surya.

2

BAB 1. PENDAHULUAN

Dewasa ini kebutuhan manusia dalam hal energi listrik terus mengalami peningkatan karena tuntutan penggunaan piranti- piranti di era kemajuan teknologi. Dalam era kemajuan teknologi ini memungkinkan manusia dapat memilih sumber energi listrik mana yang akan dikembangkan sesuai dengan tuntutan kehidupannya. Sebagai gambaran dewasa ini riset mengenai energi terbarukan menjadi sangat intensif mengingat sumber daya konvensional terutama bahan bakar minyak yang sumber dayanya semakin menipis. Disamping itu sumber energi jenis ini menimbulkan problem polusi udara yang harus dihindari dalam kehidupan modern sekarang ini. Salah satu sumber energi terbarukan yang harus dikembangkan terutama di Indonesia adalah konversi energi surya menjadi energi listrik. Sudah sangat paham bahwa untuk itu diperlukan sebuah piranti yang disebut sel surya yang karena efek fotovoltaik sel surya tersebut dapat mengubah energi surya secara langsung menjadi energi listrik.

Sel surya merupakan sebuah piranti terdiri dari sambungan dua bahan semikonduktor dengan tipe konduktivitas berbeda. Jika dua buah semikonduktor tipe p dan tipe n disambungkan dalam rekayasa fisika dapat dihasilkan sel surya. Banyak bahan semikonduktor yang dapat dijadikan sebagai bahan sel surya. Namun dalam penelitian akan dilakukan studi bahan semikonduktor tipe p/n yaitu Sn(Se,S) yang sangat promotif menjadi bahan sel surya. Ketertarikan para peneliti untuk meneliti bahan ini disebabkan karena telah diketahui energi gap bahan sebesar 1,3 eV untuk SnS (O.E Ogah,2008) dan 1,92 eV untuk SnSe (N.Kumar, 2011), merupakan energi gap yang sesuai dengan spektrum energi surya, karena nilai tersebut diantara nilai energi dimana efisiensi konversi energi surya teoritis mencapai puncaknya yaitu pada 1,5 eV (A. Goetzberger, 2000).

Setelah melakukan riset ini dapat ditunjukkan bahwa riset ini tetap penting dilakukan karena pertimbangan berikut ini.

- Pertama, masih diperlukanya data- data semikonduktor untuk meningkatkan efisiensi konversi sel surya berbasis Sn(Se,S)/Cd(S,Se), yaitu bahan sel surya selain silikon.

- Kedua, keberhasilan penelitian ini akan menjadi dasar penelitian lebih lanjut dalam merealisasikan peningkatan efisiensi konversi sel surya berbasis Sn(Se,S)/Cd(S,Se,Te) dengan teknik evaporasi.

- Ketiga, keberhasilan penelitian ini akan mendorong pada penelitian lanjutan yaitu realisasi sel surya berbasis Sn(Se,S)/Cd(S,Se,Te) yang selaras dengan RIP UNY dalam bidang energy baru dan terbarukan.

3

- Keempat, penelitian ini telah memberikan kontribusi kepada 2 (dua) mahasiswa tingkat sarjana (S1) dalam menyelesaikan tugas akhir studinya. Tidak menutup kemungkinan membantu mahasiswa program S2 bidang Fisika di seluruh Indonesia yang ingin membuat tugas akhir/skripsi dalam bidang Fisika Material khususnya semikonduktor sel surya.

BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA

Sesuai dengan tujuan penelitian ialah menentukan struktur Kristal, sifat- sifat optic dalam bentuk energi gap, serta sifat- sifat listrik dalam hal rapat pembawa muatan dan konduktivitas listrik bahan semikonduktor lapisan tipis SnSe dan SnS . Penelitian ini sangat penting dilakukan, oleh karena bahan tersebut sangat promotif dalam aplikasi material dalam teknologi sel surya (S.S. Hegde, 2011). Bahan SnS dan SnSe memiliki efisiensi konversi yang layak untuk diteliti mengingat besarnya absorbsi yang sesuai dengan celah energi yang dimiliki sebesar 1.3 eV- 1,92 eV. Disamping itu keunggulan yang dimiliki kedua bahan ini telah banyak diketahui merupakan bahan semikonduktor yang memiliki stabilitas yang sangat bagus, dan yang terpenting adalah proses pembuatannya dapat didanai dalam orde laboratorium..

Studi awal realissi sel surya berbasis SnS telah dilakukan oleh . A. Akkari, (2010) dan

SnSe oleh N.A Okereke (2010) yang menunjukkan bahwa material ini terus menjadi pusat perhatian para peneliti sebagaimana bahan promotif yang lain seperti Cu(In,Ga)Se2.

Sementara itu telah dipahami bahwa kualitas sel surya ditentukan oleh kemampuan sel surya tersebut menkonversi energi surya langsung menjadi energi listrik.

Sel surya tersebut merupakan persambungan (junction) yang kualitas persambungan ditentukan oleh kesesuaian konstanta kisi (

a a 

 0.01) ( G. Hanna, 2001), sedangkan efisiensi energi surya salah satunya tergantung pada energi gap (A. Goetzberger,2000). A. Goetzberger telah menemukan hubungan antara efisiensi konversi energi matahari sebagai fungsi dari energi gap bahan seperti ditunjukkan pada gambar 1.

4

Gambar 1. Efisiensi konversi energi surya sebagai fungsi dari energi gap (A. Goetzberger, 2000)

Studi tentang besarnya efisiensi konversi sebagai fungsi dari energi gap (gambar1), meyakinkan pada para peneliti bahwa semikonduktor Sn(Se,S) merupakan bahan yang sangat promotif untuk sel surya karena energy gap kedua material memiliki efisisensi konversi yang dekat dengan nilai efisiensi teoritis maksimal. Penelitian yang telah dilakukan sebatas pada bahan SnS lapisan tipis dengan teknik Close Spaced Vapor transpot (Yanuar, 2001), penentuan mikrostruktur pada SnS dan sifat- sifat listrik bahan SnSe (Katy

Hartman,2011), sedangkan pada system Sn(S,Se) dengan teknik evaporasi vakum belum

banyak informasi yang diperoleh dari para peneliti Fisika Material.

Penentuan Struktur Kristal

Bahan padat merupakan zat yang tersusun oleh atom-atom, ion-ion, atau molekul-molekul yang sangat berdekatan dan ikatannya membentuk padatan. Zat padat memiliki beberapa sifat antara lain memiliki volum dan bentuk tetap, jarak antar partikel sangat rapat, gerak partikel tetap dan gaya tarik antar partikel sangat kuat. Zat padat juga cenderung mempertahankan bentuknya ketika gaya luar mempengaruhinya. Dilihat dari struktur atom penyusunnya, zat padat dibedakan menjadi tiga yaitu kristal tunggal (monocrystal), polikristal (polycrystal), dan amorf. Kristal tunggal (monocrystal) merupakan suatu zat padat yang memiliki susunan atom atau molekul yang teratur, dimana



(

Energi gap ( eV)

5

keteraturannya dalam pola tiga dimensi dan berulang secara periodik dalam rentang yang panjang tak berhingga. Polikristal didefinisikan sebagai kumpulan dari kristal-kristal yang memiliki ukuran terbatas dan saling menumpuk yang membentuk benda padat. Amorf memiliki pola susunan atom-atom, ion-ion atau molekul-molekul yang tidak teratur dengan jangka yang pendek. Amorf bisa saja terbentuk karena proses pendinginan yang terlalu cepat sehingga atom-atom tidak dapat dengan tepat menempati lokasi kisinya.

Penentuan struktur krital di atas dapat dilakukan dengan difraksi sinar-X. Sinar-X monokromatis dengan panjang gelombang berorde beberapa angstrom yang dilewatkan pada suatu bahan maka akan terjadi beberapa fenomena yaitu penyerapan (absorbsi) dan penghamburan (scaterring) berkas sinar oleh atom-atom dalam bahan tersebut. Berkas sinar- X yang jatuh dihamburkan ke segala arah, akan tetapi karena keteraturan letak atom-atom, pada arah-arah tertentu gelombang hambur menjadi gelombang yang terdefraksikan dan akan mengalami interferensi konstruktif (penguatan), sedang yang lainnya akan mengalami interferensi deskruktif (saling menghilangkan).

Seberkas sinar-X terarah jatuh pada kristal dengan sudut θ dan sebuah detektor diletakkan untuk mencatat sinar yang sudut defraksinya sebesar 2θ. Ketika 2θ diubah, detektor akan mencatat puncak intensitas yang bersesuaian dengan orde-n yang divisualisasikan dalam bentuk difraktogram. Menurut Bragg berkas yang terdifraksi oleh kristal terjadi jika pemantulan oleh bidang sejajar atom menghasilkan interferensi konstruktif. Pemantulan sinar-X oleh sekelompok bidang paralel dalam kristal pada hakekatnya merupakan gambaran dari difraksi atom-atom kristal, seperti terlihat pada Gambar 2. Arah difraksi sangat ditentukan oleh geometri kisi yang sangat bergantung pada orientasi dan jarak antar bidang Kristal. Seberkas sinar mengenai kisi pada atom A dan di atom B pada bidang

Selanjutnya seperti yang ditunjukkan pada gambar 2, bila Jarak antara bidang kisi adalah d, sedangkan sudut datang pada bidang kristal tertentu adalah  yaitu merupakan sudut difraksi. Berkas-berkas sinar x tersebut mempunyai panjang gelombang λ, maka detektor akan mencacah berkas difraksi sinar x yang maksimum ketika berkas- berkas sinar x itu memenuhi hukum Bragg, yaitu

6

Gambar 2. Difraksi sinar- X dalam penurunan Hukum Bragg

Sementara itu untuk struktur ortorombik jarak antar bidang kristal d memenuhi persamaan

(2)

Dari persamaan (1) dan (2) dapat ditentukan parameter kisi a, b, c, dengan cara

menyatukan dua persaman di atas dan diperoleh (disebut metode analitik): ( C. Suryanarayana and M. Grant Norton, 1998).

(3) dengan

Scanning Electron Microscopy (SEM)

Karakterisasi SEM digunakan untuk melihat struktur morfologi permukaan, ukuran butiran, cacat struktural, dan komposisi pencemaran suatu bahan. Hasil yang didapatkan dari karakterisasi ini dapat dilihat secara langsung pada hasil SEM yaitu berupa Scanning Electron Micrograph yang menyajikan gambar atau foto. SEM digunakan untuk mempelajari struktur permukaan objek, yang secara umum diperbesar antara 1.000-40.000 kali. SEM merupakan jenis mikroskop elektron yang gambar sampelnya diperoleh dari pembacaan menggunakan berkas electron datang yang kemudian menghasilkan elektron sekunder.

Seperti telah dijelaskan bahwa prinsip kerja SEM adalah munculnya elektrom sekunder ketika sampel ditumbuk oleh berkas elektron datang. Hasilnya berupa foto- foto yang merupakan citra yang terjadinya elektron sekunder tersebut. Scanning pada permukaan bahan yang dikehendaki dapat dilakukan dengan mengatur scanning generator dan scanning coils. Elektron sekunder hasil interaksi antara berkas electron datang dengan permukaan bahan ditangkap oleh detector kemudian diubah menjadi sinyal listrik. Sinyal listrik ini diperkuat oleh penguat (amplifier) yang kemudian divisualisasikan dalam monitor sinar katoda (CRT).

7

EDAX (Energy Dispersive of Analysis X-Ray)

Karakterisasi bahan semikonduktor untuk menentukan komposisi kimia suatu bahan dapat dilakukan menggunakan Energy Dispersive Analysis of X-Ray (EDAX). Sistem analisis EDAX bekerja sebagai fitur yang terintegrasi dengan SEM dan tidak dapat bekerja tanpa SEM (Scanning Electron Microscopy). Prinsip kerja dari alat ini adalah menangkap dan mengolah sinyal fluoresensi sinar-X yang keluar apabila berkas electron mengenai daerah tertentu pada bahan (specimen). Sinar-X tersebut dapat dideteksi dengan detektor zat padat, sehingga menghasilkan pulsa intensitas yang sebanding dengan panjang gelombang sinar-X.

Komposisi kimia suatu bahan dapat diketahui dengan melihat interaksi yang terjadi ketika specimen dikenai berkas electron datang. Berkas elektron yang mengenai specimen akan menghasilkan sejumlah energy dalam bentuk sinar-X yang akan diterima oleh detektor kemudian diproses melalui MCA (Multi Channel Analizer), ADC (Analog To Digital Converter), interface selanjutnya diproses dalam komputer yang menampilkan output dalam bentuk spektrum berupa plot yang menggambarkan seberapa intensitas sinar-X diterima untuk setiap level energi. Spektrum pada EDAX menunjukkan hubungan dengan puncak tingkat energi dari sinar-X yang diterima. Puncak energi adalah unik untuk setiap atom yang menunjukkan elemen tertentu, sehingga pada energy tertentu dimana menghasilkan intesitas maka dapat diketaui atom apa yang terdapat pada sampel. Sementara intu tinggi pulsa pada sinar x yang terjadi menggambarkan berapa konsentrasi atom tersebut pada sampel.

BAB 3. METODE PENELITIAN

Bahan yang diperlukan untuk preparasi paduan masif adalah Tin Sulfida (SnS) dan Tin Selenida (SnSe) masing- masing memiliki derajat kemurnian 99.99 %. Penelitian ini dibedakan dalam tiga langkah :

- Pertama, preparasi lapisan tipis dengan teknik vakum evaporasi, dengan skema preparasi seperti tampak pada gambar 3.

8

Gambar 3. Skema teknik Evaporasi

Sistem evaporasi terbuat dari tabung kuarsa diameter 30 cm ditempatkan di atas sistem vakum yang terdiri dari pompa primer dan pompa sekunder. Sumber adalah paduan SnS dan SnSe terlebih dulu digerus sehingga berbentuk serbuk. Serbuk ditempatkan pada cawan pemanasan sumber berbentuk perahu yang bisa dipanaskan sampai suhu diatas 1500o C terbuat dari bahan Molybdenum (Mo). Suhu cawan tersebut dapat diketahui menggunakan termokopel. Antara sumber dan substrat dipisahkan oleh suatu pemisah yang jaraknya dapat divariasi namun dalam penelitian ini dipilih pada nilai 15 cm. Sementara itu di sekitar substrat dipasang pemanas substrat karena kristalisasi lapisan tipis akan terjadi dengan suhu substrat di atas 300oC (A. Zouaoui, 1999). Variasi suhu substrat juga dilakukan pada peelitian ini yaitu pada kisaran antara tanpa pemanas substrat sampai suhu mencapai 500oC. Kelebihan teknik ini adalah bahwa hasil lapisan tipis memiliki komposisi dan struktur yang mirip/ sama dengan sumber target paduan masifnya dan tekanan kerja berorde 10-6 Torr, sehingga tekanan sebesar itu dapat dicapai dengan menggunakan pompa primer dan sekunder.

- Kedua, karakterisasi massif dan lapisan tipis yang meliputi :

1. X-Ray Difraction (XRD), untuk menentukan struktur dan parameter kisi (a, b dan c). Penentuan parameter kisi dihitung dengan metode Analitis, sehingga dihasilkan perhitungan yang akurat. Prinsip metode analitis adalah perhitungan parameter kisi

Catu Daya Pompa Primer Pompa Sekunder Tabung vakum yang di dalamnya terdapat target dan substrat

9

dilakukan dengan melibatkan seluruh bidang (hkl) dari hasil difraksi sinar X, sehingga hasil perhitungan tersebut memenuhi seluruh puncak - puncak difraksi. Hal ini jelas memungkinkan interpretasi hasil XRD menggambarkan material yang riil terjadi dalam preparasi bahan.

2. Karakterisasi lainnya adalah Energy Dispersive Analysis of X- Ray (EDAX) dapat memastikan senyawa yang terbentuk pada lapisan tipis dengan komposisi yang direncanakan sesuai dengan bahan masifnya.

3. Sedangkan untuk mengetahui bagaimana ukuran grain yang terbentuk pada lapisan tipis digunakan Scanning Electronic Microscopy (SEM). SEM mampu memperbesar sampai 40.000 kali, sehingga dapat diketahui pula tingkat homogenitas sampel.

4. UV- VIS Spektroscopy yang hasilnya berupa Spektrum Absorbansi dan Transmitansi sebagai fungsi panjang gelombang (energi) foton yang dikenakan pada bahan khususnya lapisan tipis. Data ini dapat digunakan untuk menentukan bagaimana tanggap bahan terhadap energi foton yang dikenakan dan selanjutnya dengan data tersebut dapat ditentukan lebar bandgap bahan hasil preparasi penelitian.

5. Resistivitas atau konduktivitas ditentukan dengan menggunakan metode empat probe karakterisasi ini dapat dilakukan di BATAN Yogyakarta

BAB 4. HASIL DAN PEMBAHASAN

A. PREPARASI SAMPEL

Preparasi sampel telah selesai dilakukan dengan teknik Evaporasi vakum yaitu menyangkut pengambilan beberapa variable berikut ini. Variable kontrol meliputi tekanan vakum, massa bahan, dan temperature sumber (cawan) dan jarak antara cawan dan substrat. Sedangkan variabel bebas dalam penelitian ini yaitu variasi temperature substrat yaitu dengan memiilih empat variasi antara tanpa pemanas substrat sampai temperature 500oC . Perlakuan tersebut untuk menentukan variable terikat yaitu struktur dan kualitas kristalisasi lapisan tipis SnSe dan SnS.

10

B. KARAKTERISASI STRUKTUR

Hasil XRD Lapisan Tipis SnSe

Seperti telah disebutkan di atas XRD (X-Ray Diffraction) dapat digunakan untuk mengetahui parameter kisi dan struktur kristal lapisan tipis SnSe dan SnS. Karakterisasi XRD ini menggunakan sumber Cu yang memiliki panjang gelombang Cu (K) sebesar 1,54060 Å. Data yang diperoleh dari analisis XRD berupa difraktogram yaitu grafik hubungan antara intensitas (I) puncak spektrum dan sudut difraksi (2θ). Difraktogram menunjukkan puncak-puncak spektrum yang muncul pada sampel. Setelah menganalisis XRD maka dapat diketahui jarak antara bidang hkl (dhkl). Pola difraksi yang terbentuk dari

sampel penelitian selanjutnya dibandingkan dengan data pada JCPDS (Join Committee on Powder of Diffraction Standard) sehingga dapat ditentukan indeks miller pada puncak difraksi yang terbentuk. Perhitungan parameter secara manual juga dapat dilakukan setelah struktur kristal diketahui. Berikut beberapa gambar grafik yang merupakan difraktogram dari tiap sampel penelitian dengan bantuan software Microcal Origin. Sedangkan mesin XRD yang digunakan bermerk Miniflex 600 Rigaku.

Hasil-hasil empat sampel yang diperoleh dengan melakukan variasi suhu substrat ditunjukkan pada gambar 4 . berikut ini.

(a). SnSe, suhu substrat 250oC

Meas. data:Sampel I 250 C/Data 1 BG data:Sampel I 250 C/Data 1 Calc. data:Sampel I 250 C/Data 1

2-theta (deg) Inte ns ity ( cou nts ) 20 40 60 80 0 500 1000 1500 2000

11

(b). SnSe, pada suhu substrat 350oC

( c).SnSe, pada suhu substrat 500oC

Meas. data:Sampel sn seII 350C/Data 1 BG data:Sampel sn seII 350C/Data 1 Calc. data:Sampel sn seII 350C/Data 1

2-theta (deg) Inte ns ity ( cou nts ) 20 40 60 80 0 100 200 300 400 500 600

Meas. data:Sn se III 500C/Data 1 BG data:Sn se III 500C/Data 1 Calc. data:Sn se III 500C/Data 1

2-theta (deg) Inte ns ity ( c ou nts ) 20 40 60 80 0 500 1000 1500 2000 2500

12

( d) SnSe, pada tanpa pemanas substrat

Gambar 4.. Hasil XRD sampel SnSe dengan temperatut substrat berbeda Meas. data:Sn Se IV TP/Data 1

BG data:Sn Se IV TP/Data 1 Calc. data:Sn Se IV TP/Data 1

2-theta (deg) Inte ns ity ( c ou nts ) 20 40 60 80 0 500 1000 1500

13

Puncak- puncak difraksi SnSe dicocokkan dengan data JCPDS kemudian diperoleh puncak- puncak difrkasi dan dapat ditunjukkan dalam table 1 berikut ini. Tabel 1. Hasil XRD sampel Lapisan Tipis SnSe dengan variasi suhu substrat.

No. Sampel SnSe ke

I (250oC) II (350oC) 2 Int. hkl 2 Int. hkl 1. 29,40 21 011 - - - 2. 30,45 100 111 30,42 100 111 3. - - - 31,40 52 400 4. 37,71 6 311 - - - 5. 43,49 9 020 - - - 6. - - - 38,70 13 410 7. 47,11 2 112 44,34 5 501 III (500oC) IV (Kamar) 2 Int. hkl 2 Int. hkl 1 - - - 29,43 22 011 2 30,59 100 111 30,50 100 111 3 31,16 52 400 - - - 4 37,87 5 311 - - - 5 43,56 12 020 43,57 14 020

Parameter kisi Kristal dihitung dengan persamaan 3 dan diperoleh bahwa bahan SnSe lapisan tipis merupakan Kristal dengan mengikuti system orthorombik dengan parameter kisi Kristal masing- masing sampel ditunjukkan pada table berikut ini.

14

Tabel 2. Parameter kisis kristal SnSe hasil preparasi dengan beberapa temperatur substrat. Parameter kisi (Å) Sampel 1 250°C Sampel 2 350°C Sampel 3 500°C Sampel 4 Tanpa Pemanas Substrat JCPDS a 11,7 11,384 11,47 11,32 11,49 b 4,158 4,042 4,152 4,151 4,153 c 4,442 4,608 4,439 4,439 4,440

Berdasarkan perhitungan dan distribusi nilai sudut difraksi tampak bahwa bidang yang memberikan intensitas tertinggi pada bidang 111 untuk semua sampel dan nilai parameter kisi hampir sama. Namun demikian dalam riset berikutnya tentu akan dipilih variable preparasi bahan dengan suhu substrat 500oC mengingat hasil perhitungan sangat dekat dengan hasil pada JCPDS.

Identik dengan pengukuran pada SnSe, sampel SnS dikarakterisasi dengan XRD dengan peralatan yang sama hasilnya ditunjuukan pada gambar 5 berikut ini.

15

(b). SnS pada suhu substrat 300oC

16

(d). SnS pada tanpa pemanas

Gambar 5. Hasil XRD sampel SnS hasil preparasi dengan teknik evaporasi termal dengan temperature substrat berbeda- beda.

Seperti halnya SnSe, puncak- puncak difraksi SnS dapat dinyataakan daam table 2 berikut ini. Tabel 2. Hasil XRD SnS

No. Sampel SnSe ke

I (200oC) II (300oC) 2 Int. hkl 2 Int. hkl 1 27,36 100 021 26,76 5 120 2 30,52 53 101 28,08 69 021 3 31,49 87 111 31,14 63 111 4 38,89 15 131 32,18 100 040 5 45,26 34 002 39,62 9 131 6 51.02 40 211 49,29 3 211 7 53,01 67 122 51,75 9 151 8 56,47 43 042 53,78 19 160 9 63,97 11 202 57,30 16 042 10 75,07 32 113 64,60 7 251

17 No. Sampel SnS ke III (450oC) IV (Kamar) 2 Int. hkl 2 Int. hkl 1. 26,60 72 120 26,0 67 120 2. 28,24 100 021 27,46 70 021 3. 32,51 20 040 31,52 100 111 4. 39,78 13 131 31,97 69 040 5. 57,35 21 042 45,51 26 002 6. 59,94 7 250 48,53 27 211

Identik dengan perhitungan pada SnSe di atas, parameter kisi Kristal dihitung dengan persamaan 3 dan diperoleh bahwa bahan SnSe lapisan tipis merupakan Kristal dengan mengikuti system orthorombik dengan parameter kisi Kristal masing- masing sampel ditunjukkan pada table 3 berikut ini.

Tabel 3. Hasil perhitungan parameter kisi SnS klapisan tipis hasil preparasi teknik Evaporasi Vakum. Param eter kisi (A) Sampel I Suhu Substrat 200oC Sampel II Suhu Substrat 300oC Sampel III Suhu Substrat 450oC Sampel IV Tanpa Pemanas Substrat JCPDS a 4,317 4,226 4,321 4,203 4,334 b 11,647 11,165 11,007 11,070 11,200 c 3,981 4,870 3,064 4,169 3,987

18

Berdasarkan perhitungan dan distribusi nilai sudut difraksi tampak bahwa bidang yang memberikan intensitas tertinggi pada bidang 021 pada temperature substrat 200oC dan 450oc, namun berubah pada bidang 040 pada suhu substrat 300oC dan tanpa pemanas substrat. Semua sampel dan nilai parameter kisi hampir sama. Namun demikian dalam riset berikutnya tentu akan dipilih variable preaparsi bahan dengan suhu substrat antar 200oC dan 300oC mengingat hasil perhitungan sangat dekat dengan hasil pada JCPDS.

C. KARAKTERISASI SEM DAN EDAX

HASIL SEM dan EDAX PADA SAMPEL SnSe

Riset ini dilakukan dengan variasi temperature substrat pada variable kontrol tekanan operasi, massa bahan, temperature sumber (cawan), jarak antara sumebr dan substrat. Namun demikian mengingat keterbatasan yang ada karakterisasi SEM hanya dilakukan pada satu sampel yaitu atas pertimbangan hasil karakterisasi XRD.

Scanning Electron Microscopy (SEM) merupakan instrumen yang digunakan untuk mengetahui morfologi permukaan lapisan tipis SnSe. Bentuk morfologi dari permukaan lapisan tipis SnSe diperoleh dari penangkapan dan pengolahan electron sekunder yang dipancarkan oleh lapisan tipis tersebut. Hasil dari karakterisasi SEM berupa foto permukaan suatu kristal yang terbentuk. Pada karakterisasi dengan menggunakan SEM ini, sampel lapisan tipis yang dianalisis adalah sampel dengan suhu substrat 500°C. Pemilihan sampel ini karena sampel ini memiki tingkat keteraturan atom pada kristal yang paling baik dan nilai parameter kisinya yang paling mendekati dengan data standar JCPDS dibanding sampel lainnya. Morfologi permukaan hasil karakterisasi sampel SnSe dengan perbesaran 40.000 kali dan 10.000 kali serta komposisi kimia EDAX ditunjukkan pada Gambar 6 berikut ini.

19

(a) . SEM ( 40.000 x)

(b). SEM SnSe (30.000 x)

20

Gambar 6. Hasil SEM dan EDAX sampel SnSe

(a). Hasil SEM dengan perbesaran 40.000 kali. (b) Perbesaran 30.000 kali dan (c ). Hasil EDAX berupa Komposisi Kimia sampel SnSe

21

Berdasarkan foto yang dihasilkan dari karakterisasi SEM pada Gambar 6 dapat diketahui homogenitas dari kristal lapisan tipis SnSe yang terbentuk. Pada gambar terlihat bahwa struktur sampel berupa butiran butiran (grain) yang berbentuk balok dan bersiku yang tersebar secara teratur dan sesuai dengan struktur kristal orthorombik yang memiliki sumbu saling tegak lurus dan memiliki salah satu parameter yang panjang. Dari hasil karakterisasi SEM terlihat bahwa semakin diperbesar ukuran foto, maka semakin tampak butiran kristal yang terdapat dalam lapisan tipis SnSe yang terbentuk sehingga dapat diketahui ukuran grain (butiran) sekitar 0,1-0,5μm dengan homogenitas bahan yang ditandai dengan warna yang seragam pada permukaan lapisan.

Karakterisasi dengan menggunakan Energy Dispersive of Analysis X-Ray (EDAX) dilakukan untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis SnSe hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum. EDAX bekerja sebagai fitur yang terintegrasi dengan SEM dan tidak dapat bekerja tanpa SEM karena perangkat EDAX menjadi satu dengan perangkat SEM. Sampel yang dianalisi dengan menggunakan EDAX sama dengan sampel yang dianalisis menggunakan SEM yaitu sampel 3 dengan suhu 500°C. Pemilihan sampel 3 untuk di karakterisasi dengan EDAX karena sampel 3 mempunyai nilai parameter kisi yang paling mendekati dengan standar JCPDS dan mempunyai keteraturan atom yang paling baik. Hasil analisis EDAX berupa spektrum hubungan antara energi dengan intensitas yang dihasilkan dari penembakan berkas elektron pada sampel. Dari hasil pengujian EDAX terdapat dua hasil yang ditampilkan yaitu analisa kualitatif dan analisa kuantitatif. Analisa kualitatif digunakan untuk menentukan jenis unsur yang ada pada sampel. Pada analisa ini akan muncul puncak-puncak energi pada kurva yang telah dianalisis. Sedangkan analisa kuantitatif digunakan untuk mengetahui komposisi unsur-unsur penyusun material yang telah dianalisis. Dari analisa kuantitatif ini akan ditampilkan unsur-unsur yang teridentifikasi lengkap dengan persentase massa dan persentase atomik. Berdasarkan teori perbandingan presentase atomik Sn dan Se adalah 50% : 50%, dan perbandingan mol Sn dan Se adalah 1 : 1. Hasil karakterisasi EDAX lapisan tipis SnSe ditunjukkan pada gambar 6 di atas.. Berdasarkan hasil karakterisasi EDAX untuk lapisan tipis SnSe yang ditunjukkan dapat diketahui bahawa preparasi lapisan tipis SnSe mengandung unsur Tin (Sn) dan Selenium (Se). Adapun perbandingan presentase komposisi kimia bahan dasarnya, yaitu Sn dan dan Se adalah 50,82% : 49,18%. Persentase komposisi kimia dan mol suatu unsur merupakan perbandingan yang berdasarkan presentase atomiknya, karena nilai mol berkaitan dengan jumlah partikel atau atom pada suatu unsur.

Berdasarkan hasil penentuan EDAX, dapat dilihat bahwa komposisi unsur lapisan tipis SnSe memiliki perbandingan mol sebesar 1 : 0,97. Perbandingan mol unsur ini sedikit

22

menyimpang secara teori yaitu 1 :1. Hasil karakterisasi dengan EDAX menunjukkan bahwa komposisi kimia lapisan tipis SnSe yang terbentuk hasilnya hampir sama dengan teori.

SEM dan EDAX sampel SnS

Seperti telah disebutkan di atas bahwa SEM merupakan instrumen yang digunakan untuk mengetahui morfologi permukaan lapisan tipis SnS. Karakterisasi yang dihasilkan dari SEM berupa foto permukaan dari kristal yang terbentuk. Pada penelitian ini, lapisan tipis yang dianalisis dengan SEM adalah sampel 4 dengan suhu substrat 450˚C. Pemilihan sampel ini dikarenakan dilihat dari hasil perbandingan secara fisik dan hasil analisis data XRD pada suhu 450˚C memiliki suhu tertinggi dibanding dengan sampel yang lain. Dari foto yang dihasilkan dengan alat SEM dapat diketahui homogenitas dari lapisan tipis SnS yang terbentuk. Gambar 4 berikut menunjukkan hasil karakterisasi sampel dengan perbesaran 30.000x dan 40.000x.

Selanjutnya EDAX merupakan instrumen yang digunakan untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis SnS yang terbentuk. Hasil analisis EDAX berupa spektrum yang menunjukkan grafik hubungan antara intensitas dengan energi yang menyatakan hasil spektrum energi snar-X karakteristik dari bahan sampel yang dikarakterisasi. Pada penelitian ini, lapisan tipis SnS yang dianalisis dengan EDAX adalah sampel 4 dengan suhu substrat 450˚C karena perangkat EDAX bekerja secara terintegritas dengan SEM. Hasil EDAX berupa spektrum yang menunjukkan hubungan antara energi dan intensitas yang menyatakan hasil spektrum energi sinar-X karakteristik dari bahan yang dikarakterisasi. Berdasarkan hasil karakterisasi EDAX dapat berupa spektrum yang menunjukkan hubungan antara energi dan intensitas. Spektrum terjadi sebagai akibat dari penembakan berkas elektron pada target, sehingga atom-atom pada target mengalami ionisasi dan atau eksitasi. Hal tersebut menyebabkan atom-atom menjadi tidak stabil. Untuk menjadi kembali stabil, maka sejumlah energy dilepas agar elektron dapat kembali pada keadaan dasar atau groundstate. Elektron yang berada tingkat energi lebih tinggi akan melakukan transisi ke tingkat energi yang berada di bawahnya. Pada saat transisi elektron akan melepaskan energi dalam bentuk sinar-X yang akan ditangkap oleh detector dan ditampilkan dalam bentuk spektrum. Gambar 7 merupakan hasilkarakterisasi EDAX lapisan tipis SnS pada sampel 4 dengan suhu 450o_C.

23

(a). SEM SnS (40.000 x)

(b). SEM SnS

24

Gambar 7. Hasil SEM dan EDAX sampel SnS

(a). Hasil SEM dengan perbesaran 40.000 kali. (b) Perbesaran 10.000 kali dan (c ). Hasil EDAX berupa Komposisi Kimia sampel SnSe

25

Berdasarkan foto SEM pada Gambar 7, foto yang dihasilkan terlihat butiran (grain) yang berbentuk balok bersiku dengan ukuran 0,1-0,5 μm. Hal ini sesuai dengan struktur kristal orthorombik yaitu memiliki salah satu parameter kisi yang panjang dimana a≠b≠c. Terlihat juga homogenitas pada permukaan yang terbentuk. Homogenitas ini ditunjukkan dari bentuk dan warna kristal yang hampir seragam.

Berdasarkan gambar 7 tersebut juga dapat diketahui bahwa preparasi lapisan tipis SnS mengandung unsur Sn (Stannum/Tin) dan S (Sulfur). Adapun persentase komposisi kimia unsur penyusunnya, yaitu unsur Sn = 55% dan S = 45%. Perbandingan mol unsur Sn dan S dapat dilihat bahwa komposisi unsur lapisan tipis SnS memiliki perbandingan molaritas 1 : 0,8. Sedangkan perbandingan mol secara teori adalah 1 : 1. Hasil karakterisasi EDAX menunjukkan bahwa hasil komposisi kimia ada perbedaan dibandingkan dengan teori namun telah muncul fase SnS dengan penyimpangan yang tidak terlalu besar. Tetapi ada perbedaan perbandingan mol pada unsur S yang hanya 0,8 sedangkan secara teori yakni 1. Hal ini menunjukkan bahwa sampel hasil preparasi adalah non stoichiometry. Hal ini disebabkan diantaranya uap atom sulfur yang bergerak ke atas lebih cepat dibandingkan dengan uap atom Sn, sehingga sangat mungkin uap atom S tidak sampai menempel ke substrat, karena uap atom S memiliki kecepatan yang tinggi dan akhirnya terpental dari substrat dan tidak menempel pada substrat.

D. KARAKTERISASI OPTIK

Dalam hal karakterisasi optic riset ini menggunakan UV- VIS spektroskopi dengan renatng panjang gelombang dari 200 nm sampai dengan 900 nm. Sistem peralatan ini memang belum sempurna karena tidak bisa menjangkau sampai NIR yaitu panjang gelombang sekitar 4000 nm. Namun demikian khusus pada bahan SnSe dan SnS dapat dipergunakan mengingat lebar bandgap kedua material pada rentang panjang gelombang system peralatannya.

Pada pengukurannya peralatan disesuaikan sehingga panjang gelombang diatur dari Ultra Violet (UV) sampai dengan Visible (VIS). Pada rentang panjang gelombnag tersebut absorbs dapat terjadi ketika melewati lebar bandgap materialnya. Fenomena yang muncul adalah ketiga energy di bawah lebar bandgap, maka energy diteruskan sehingga absorbs sangat kecil. Ketika energy foton sama atau lebih besar dari lebar bandgap maka akan terjadi serapan sehingga absorbansi A akan naik secara signifikan. Hasil Spektrum Absorbansi sebagai fungsi energy foton dapat ditunjukkan pada gambar 8 berikut ini.

26

(a). Absorbansi Lapisan Tipis SnSe pada variasi suhu substrat sebagai fungsi energy foton

(b). ). Absorbansi Lapisan Tipis SnS pada variasi suhu substrat sebagai fungsi energy foton

Gambar 8. Absorbansi sebagai fungsi panjang gelombang foton (a). Untuk SnSe dan (b). SnS

27

Hasil eksperimen menunjukkan juga adanya efek interferensi pada lapisan tipis, namun karena panjang gelombang yang kurang menjangkau sampai panjang gelombang panjang di sekitar dekat infra merah (keterbatasan system peralatan) efek interferensi belum bisa sebagai data dalam perhitungan ketebalan lapisan tipis. Berdasarkan data Absorbasi dapat diturunkan fungsi koefisien serapan  dengan melakukan asumsi kontata bebas sehingga pada grafik dimasukkan sebagai satuan bebas. Oleh karena konstanta- konstanta tersebut tidak berpengaruh pada bentuk grafik ( hf)2 sebagai fungsi dari energy foton (hf). Hal ini dapat dijelaskan berikut ini.

Absorbansi A dapat dinyatakan dalam bentuk :

A = log (1/T) = log (exp d) =  .d log e = C , dengan C adalah konstanta yang diturunkan sehingga C= d. log (e ). Dari bentuk terakhir dapat dinyatakan bahwa

 sehingga dapat menyatakan keberlakukan persamaan 4 berikut ini. (H. Sakata, and H. Ogawa, 2000)

(hf )2 = B2 ( hf – Eg). (4)

Persamaan terkahir inilah yang dipakai untuk ektrapolasi fungsi dimana akhirnya dipeoleh lebar celah (band gap), yaitu dengan melakukan ektrapolasi dan memilih ketika ( . hf)2 = 0. Langkah ini akan memperoleh nilai lebar celah pita (Band Gap Eg), karena ketika itu berlaku Eg = hf, seperti ditampilkan pada gambar berikut ini.

Hasil penelitian ini disampaikan dengan keterbatasan pengukuran absorbansi dengan panjang gelombang tidak dimulai pada panjang gelombang 900 nm namun pada panjang gelombnag 800 nm (dengan energi foton sekitar 1,5 eV), sehingga respon spektral muncul pada panjang gelombang di sekitar 700 nm atau pada energo foton 1,7 eV. Pada material SnSe respon spektral menunjukkan bahwa serapan mulai naik secara cepat pada energi sekitar 2,3 eV dan mengalami konstanta pada energi sekitar 3,0 eV, sehingga bandgap bahan SnSe lapisan tipis nilainya diantara 2,3 eV dan 3,0 eV. Hasilnya tampak pada gambar 9.a yaitu sebesar antara 2,58 eV dan 2,93 eV. Begitu pula pada bahan SnS respon spektral mulai naik secara tajam pada energi 2,5 eV dan mencapai konstan energi foton sekitar 3,5 eV. Hasil ektrapolasi sesuia dengan rentang itu yaitu sebesar 2,9 eV. Meskipun bentuk kurva (.hf)2 terhadap energi foton hf berbeda namun memberikan nilai ektrapolasi yang sama yaitu pada energi 2,9 eV.

28 (a)

Gambar 9. Ektrapolasi untuk material Lapisan Tipis variasi temperatur substrat (a). Untuk sampel SnSe; dan (b) Sampel SnS

(b) .

29

Berdasarkan data UV- VIS spektoscopy dapat diperoleh bagaimana bentuk spectrum absorbansi sebagai fungsi energy foton hf. Bentuk garfik memang sudah menunjukkan adanya perubahan serapan dari sangat rendah pada energy di bawah lebar bandgap, kemudian naik secara tajam pada panjang gelombang mendekati panjang gelombang yang sesuai dengan energy gap (lebar band gap) material yang bersangkutan. Berdasarkan data tersebut dapat dilakukan ekstrapolasi karena pada fungsi persamaan 4, apabila (. hf)2 = 0, maka memang Eg = hf.Teknik ekstrapolasi telah memberikan hasil yang berbeda dari peneliti lain yaitu bandgap SnSe dan SnS berturut- turut sebesar !,76 eV dan 1,3 eV tentu memerlukan analisa dengan karakterisasi lain yang lebih lengkap.

E. KARAKTERISASI SIFAT LISTRIK

Hasil karakterisasi dengan teknik empat probe ( Four Point Probe) sifat listrik diukur dengan FPP 5000 dan hasilnya seperti ditunjukkan pada table berikut ini.

Tabel 4. Hasil pengukuran FPP pada sampel SnSe dengan preparasi pada temperature berbeda.

a. Tempertur substrat 350oC dengan posisi Tegak

Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe

1 2,660 P

2 2,620 P

30

b. Suhu substrat 350oC dengan posisi Melintang

Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe

1 3,420 P

2 2,960 P

3 3,050 P

c. Suhu Substrat 500oC, dengan posisi Tegak

Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe

1 0,181 P

2 0,178 P

3 0,157 P

d. Suhu Substrat 500oC, dengan posisi melintang

Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe

1 0,023 P

2 0,169 P

31

Pengukuran FPP pada bahan Sn S untuk berbagai temperature substrat ditunjukkan pada table 5 berikut ini.

Tabel 5. Hasil PPP pada lapisan tipis SnS berbagai temperature substrat. (a ). Temperatur 300oC, dengan posisi melintang

Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe

1 1,267 N 2 1,537 N 3 1,585 N

b. Temperatur 300oC, dengan posisi tegak

Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe

1 1,899 N 2 1,825 N 3 1,821 N

Berdasarkan pengukuran sifat- sifat listrik dapat diketahui bahwa seluruh sampel SnSe memiliki tipe konduktivitas p dengan hambatan rata-rata sebesar 2,88. 105 ohm pada sampel dengan suhu substrat 350oC, dan turun menjadi sekitar sekitar 1,47 . 104 ohm pada suhu substrat 500oC.

Sedangkan pada SnS memiliki tipe konduktivitas n dengan hambatan rata- rata sebesar 1,65. 105 ohm pada preparasi dengan temperatur substrat sebesar 300oC.

32

F. KESIMPULAN

Setelah melakukan penelitian ini dapat disimpulkan berikut ini.

1. SnSe dan SnS keduanya tersusun oleh atom- atom dalam struktur kristal orthorombik dengan parameter kisi terbaik berturut- turut a= 11,47 A; b= 4,152 A dan c = 4,439 A untuk SnSe yaitu dengan preparasi pada temperatur substrat 500oC dan parameter kisi SnS adalah sebesari a= 4,314 A , b= 11,647 A dan c = 3,981 A yang diperoleh pada preparasi dengan temperatur sustrat 300oC.

2. Hasil SEM menunjukkan adanya butiran dengan warna homogen menunjukkan homogenitas lapisan tipis dengan komposisi kimia non stoichiometri masing- masin dengan perbandingan mole Sn dibanding Se sebesar 1:0,97 untuk SnSe dan Sn berbanding S sebesar 1: 0,8 untuk SnS

3. Kedua bahan dapat sesuai dengan terapannya pada sel surya oleh karena memiliki band-gap berturut- turut sebesar sekitar 2,58 eV untuk SnSe dan SnS sebesar 2,98 eV.

4. SnSe memiliki sifat kondutivitas tipe p dengan hambatan rata- rata sebesar 1,47 . 104 ohm

sedangkan SnS memiliki sifat konduktivitas tipe n dengan hambatan rata-rata sebesar 1,65. 105 ohm.

G. UCAPAN TERIMA KASIH

Peneliti menyampaikan terimakasih kepada UNY yang telah membiayai penelitian ini sehingga hasil- hasilnya dapat diperoleh dengan baik. Peneliti berharap dari hasil- hasil penelitian ini bisa dimuat pada jurnal Internasional sehingga menambah jumlah publikasi internasional sebagai tangungjawab peneliti pada institusi.

33

H. DAFTAR PUSTAKA

A. Akkari, C. Guasch, N. Kamoun-Turki, (2010), Journal of Alloys and Compounds 490 (2010) 180

C. Suryanarayana and M. Grant Norton. 1998. X- Ray Diffraction A Practical Approach. Plenum Press- New York and London, 1998.

Goetzberger, A; Hebling,C.(2000), Solar Energy Materials and solar cells, 62 (2000) p.1 Hanna, G; Jasenek, A. ; Rau, U and Schock,H.W. (2001), Thin Solid Films 387 (2001) p.71 H. Sakata, and H. Ogawa, Optical and electrical properties of flash- evaporated amorphous

CuInSe2 films. Solar Energy Materials and Solar Cells 63, 2000. P.259

Katy Hartman ,, J.L. Johnson , Mariana I. Bertoni , Daniel Recht , Michael J. Aziz , Michael A. Scarpulla, Tonio Buonassisi, (2011), Thin Solid Films 519 (2011) 7421–7424

O.E Ogah,G. Zoppi, I. Forbes, R.W Milles. 2008, Properties of Thin Films of Tin Sulphide Produced Using The Thermal Evaporation Method. 23rd European Photovoltac Solar Energy Conference, September 2008.

N. Kumar, V. Sharma, U.Parihar, R. Sachdewa, N.Padha, C.J. Panchal. Journal. of Nano Electron. Physics 3 (2011) p. 117-126

N.A. Okereke, A.J.Ekpunobi, Journal of Chalcogenide Letters, Vol.7, No.9 , 2010 p.531

S.S. Hegde, A.G. Kunjomana, K. Ramesh, K.A. Chandrasekharan, M. Prashantha, International

Journal of Soft Computing and Engineering (IJSCE) ISSN: 2231-2307, Volume-1, Issue-NCRAMT2011, July 2011

Yanuar, F.Guastavino, C. Llinares,(2001), Jurnal of Materials Sciences, 2001 Zouaoui, A; Lachab,M ; Hidalgo,M.L; Chaffa, A, Llinares,C; and Kesri,N, (1999)