「窒化物半導体デバイスプロセス講習会」のご案内
豊橋技術科学大学では、地域イノベーションクラスタープログラム（グローバル型）東海広域ナノテク ものづくりクラスターの事業の一環で整備された窒化物半導体プロセス設備の社会還元事業として、窒化 物半導体デバイスの応用・製品化を想定している皆様に、実際の現場で活かせるよう試作製造設備を使用 してデバイスプロセスの一連の流れを学習していただく実習形式の講習会を開催して参りました。
６回目の講習会となる今回は、昨年度までの「ＧａＮ系発光ダイオードの製作と評価」で実施してきた 内容に加えて、本学のデバイス試作製造設備を利用した試作、評価試料の作製ご検討頂いている方にも、
設備利用の講習会を兼ねた事業として実施させて頂きます。講習会受講者には、デバイス作製設備の学外 利用サービス制度を用いた試作や評価用試料作製を行って頂く事が可能となります。関心ある企業の皆様 の多数のご応募をお待ち致しております。
記
【日 時】 平成２７年９月７日（月）～８日（火）の２日間 午前９時～午後５時
【場 所】 国立大学法人 豊橋技術科学大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
〒441-8580 愛知県豊橋市天伯町雲雀ヶ丘1-1
【内 容】 テーマ「ＧａＮ系発光ダイオードの製作と評価」
主な工程 ①概要説明
②素子分離（ホトリソ、ICP-RIE）
③n型電極（ホトリソ、蒸着、リフトオフ、シンタ）
④p型電極（ホトリソ、蒸着、リフトオフ、シンタ）
⑤SiO2保護膜形成（プラズマCVD）
⑥コンタクトホール形成（ホトリソ、エッチング）
⑦特性チェック（I-V、L-I、スペクトル）
⑧機器利用サービスの概要および技術相談
【参加費】 ８万円（税込み）／名 ＊材料費、着衣貸出し等の費用を含みます。
【定 員】 １０名程度（未経験者でもご参加頂けます。）
＊申込者多数の場合には、選考の上、決定いたします。
【申込方法】指定の申込み用紙に、必要事項をご記入いただき、
窒化物半導体プロセス講習会事務局（[email protected]）まで、メールにてお申込 み下さい。
【締切日】 平成２７年８月３日（月）迄
主 催：科学技術交流財団、豊橋技術科学大学・ベンチャービジネスラボラトリー（VBL） 共 催：㈱豊橋キャンパス・イノベーション（とよはしTLO）
協 賛：(公)応用物理学会東海支部, (公)応用物理学会 集積化MEMS技術研究会, (公)電子情報通信学会東海支部, (公)電気学会東海支部
「窒化物半導体デバイスプロセス講習会」申込用紙
以下のフォームにご記入の上、
【[email protected]】までE-mailにてお申し込みください。
受講者氏名 会社名 住 所 所 属 役 職 E-mail 電 話 業務内容 (可能なら)
服のサイズ Ｓ ／ Ｍ ／ Ｌ ／ ＬＬ ／ ３Ｌ ／ ４Ｌ 靴のサイズ （ｃｍ）
講習会に期待 すること
参加費については、受講者決定後に、事務局指定の口座にお振込みいただきます。
なお、一度お振込みいただいた参加費は、ご返金できませんので予めご了承ください。
■窒化物半導体プロセス講習会事務局
豊橋技術科学大学 ベンチャービジネスラボラトリー （担当 ＊＊・＊＊）
〒441-8580 豊橋市天伯町雲雀ヶ丘１－１
TEL：0532-44-6746 FAX：0532-44-6757 URL：http://
E-mail：[email protected]
以 上
第６回「窒化物半導体デバイスプロセス講習会」
【内 容】
テーマ「ＧａＮ系発光ダイオードの製作と評価」
① 概要説明
② 素子分離
（ホトリソ、 ICP-RIE ）
③ n 型電極
（ ホ ト リ ソ 、 蒸 着 、 リ フ ト オ フ 、 シ ン タ）
④ p 型電極
（ ホ ト リ ソ 、 蒸 着 、 リ フ ト オ フ 、 シ ン タ）
⑤ SiO
2保護膜形成
（プラズマ CVD ）
⑥ コンタクトホール形成
（ホトリソ、エッチング）
⑦ 特性チェック
（ I-V 、 L-I 、スペクトル）
【日程概要】
平成 27 年 9 月 7 日（月）～9 月 8 日（ 火 ）の ２ 日間,午前 9 時～午後 6 時
集積回路プロセス 講義など
第 1 日目 素子分離
n 型用電極蒸着・リフトオフ n 型電極シンタリング
自己紹介
プロセス概要の講義
第２日目 p 型用電極蒸着・リフトオフ p 型電極シンタリング
保護膜堆積
コンタクトホール形成 特性評価
素子特性の評価結果に対 する議論
機器利用制度の説明およ び技術相談
反省会
作製するLEDチップのマスクレイアウト 図
左：ホトリソ工程 右：プラズマエッチング工程
講習会費：
科学技術交流財団からの講習会用ウエハ至急が無くなったことから、参加費で全てをまかな う。現在使用中の、LEDウエハは、2インチ1枚8万円。事前準備期間を含めて、原材料費 と消耗品アルバイト代を見込んで、10万円/人とする。
実施の概略：
時間短縮のため、2名一班とし、各工程毎に途中まで作製したチップを用意し、各工程毎 にプロセスを実体験してもらう。
最終工程は、各自1枚のプロセスを行う。作製したLEDチップの特性を評価し、データ とともに、完成したチップを持ち帰って頂く。
1 素子分離工程：
(ア) 洗浄
(イ) レジスト塗布 (ウ) プリベーク
(エ) マスク位置あわせ・露光 (オ) 現像
(カ) ポストベーク (キ) 顕微鏡観察
(ク) ICP-RIEにウエハ投入 (ケ) プラズマ点火まで見学
(コ) ICP-RIE済みのウエハを顕微鏡で観察。
(サ) レジスト除去 (シ) 顕微鏡観察 2 N型電極形成：
(ア) 洗浄
(イ) レジスト塗布 (ウ) プリベーク
(エ) マスク位置あわせ・露光 (オ) 現像
(カ) ポストベーク (キ) 顕微鏡観察
(ク) 酸化膜除去（HCl） (ケ) EB蒸着器にウエハ投入 (コ) 真空排気
(サ) AlTiAu蒸着（水晶振動子によるレートモニターで制御するところまで見学）。
※事前に電極蒸着したウエハを使用 (シ) リフトオフ
(ス) 洗浄・乾燥 (セ) 顕微鏡観察
(ソ) RTP装置へ投入
(タ) シンタ処理（800℃、1min） (チ) 顕微鏡観察
3 p型電極形成：
(ア) ホトリソ (イ) 酸化膜除去 (ウ) AgPd蒸着 (エ) リフトオフ
※基本的にn型電極と同じためRTPによるシンタ以前の工程は説明のみ。これ以降の工程は、
最終工程待ちのウエハを用いて各自実習する。
(オ) RTP装置へ投入（１枚/人）
(カ) シンタ処理（500℃、10min） (キ) 顕微鏡観察
4 SiO2保護膜形成 (ア) 洗浄
(イ) プラズマCVDにウエハ投入 (ウ) SiO2堆積（待ち時間VBL見学）
(エ) レジスト塗布 (オ) プリベーク
(カ) マスク位置あわせ・露光 (キ) 現像
(ク) ポストベーク (ケ) 顕微鏡観察
(コ) エッチング（BHF） (サ) 洗浄・乾燥
(シ) 顕微鏡観察 5 特性チェック
担当：若原、岡田、関口、山根 その他：学生アルバイト（３名）
