PDF 単層カーボンナノチューブのアルコール・気相触媒cvd法 による生成
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ような状態で金属表面にとりつく と，結合手があまった炭素原子と反 応して一酸化炭素気体として除去 してくれます．この結合手が余った 炭素原子がアモルファスカーボン などに成長する元凶なのです．結合 手が余っていない炭素原子がきれ いに並ぶと単層 CNT ができること になります． 並んだ単層 CNT 最近では，石英板の表面に触 媒金属を高密度で付着させて，
単層カーボンナノチューブからの発光 Photoemission from Single-Walled Carbon Nanotubes 丸山 茂夫，宮内雄平 Shigeo Maruyama and Yuhei Miyauchi 東京大学 工学系研究科 School of Engineering, The University of Tokyo
－ 6 － トに比例させた Kataura プロットと比較して示す． 励起光488 nm，2.54 eVに対して±0.1 eV 程度の範 囲の SWNT が共鳴すると考えると，個々のラマン ピークと Chiralityを直接的に対応させることは困難 であるが，図 11aのラマン散乱スペクトルでは金 属SWNTと半導体SWNTが半々程度，図11bでは より細い金属
カーボンナノチューブの CVD 生成 丸山 茂夫*1，村上陽一*2 Shigeo Maruyama, Yoichi Murakami *1東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻 教授 工学博士 *2 東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻 学振特別研究員PD 博士（工学） １．はじめに 単層カーボンナノチューブ（SWNT）の物性・応用に関
MWNTがあると SWNTよりも高温での燃焼が見られる 23,46．およそ 800℃以上までの TG の残留物は，ゼオライトと酸化金属と考えられる．SWNT の燃焼温度は，金属微粒 子の混入や SWNT の壁面の欠陥によって強く影響を受けることが知られており，例え ば HiPco で生成直後の試料では，450℃前後で燃焼してしまう．一方，精製済みのレー
ラマン散乱分光装置 共鳴ラマン散乱法は SWNT の評価に広く用い られている．ラマン散乱法を用いると，サンプル 中のSWNTの質や直径分布，また副生成物として 得られるアモルファスカーボンや多層カーボン ナノチューブの存在などを知ることができる． 図4に研究室のラマン散乱分光装置を示す．マク ロラマン分光，マイクロラマン分光およびSPM組
