• Tidak ada hasil yang ditemukan

PEMBUATAN SENSOR GAS H2S BERBASIS POLYANILINE FIELD EFFECT TRANSISTOR (PFETs) DENGAN METODE CASTING

N/A
N/A
Info
Unduh - Bebas
Protected

Academic year: 2017

Membagikan "PEMBUATAN SENSOR GAS H2S BERBASIS POLYANILINE FIELD EFFECT TRANSISTOR (PFETs) DENGAN METODE CASTING"

Copied!
7
0
0

Memuat.... (Lihat teks lengkap sekarang)

Unduh sekarang ( 7 Halaman )

Teks penuh

Gambar

Gambar 1 menunjukkan struktur divais sensor berbasis PFETs.
Gambar 3 Kandungan atom oksigen di SiO 2 dengan anilis EDAX.
Gambar 5 Pengaruh konsentrasi H2S terhadap sensor PFETs.

Referensi

Unduh sekarang ( PDF - 7 Halaman - 235.02 KB )

Dokumen terkait

PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) BERBASIS POLY 3-HEXYLTHIOPHENE (P3HT) UNTUK MENDETEKSI GAS AMONIA ANDRI GUNAWAN

Gambar 14 memperlihatkan arus drain- source terhadap konsentrasi gas amonia pada tegangan drain-source sebesar -10 volt dengan tegangan gate konstan sebesar -8 volt,

PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) BERBASIS ZINC OXIDE (ZnO) UNTUK SENSOR ULTRA VIOLET (UV) ZAINAL MUTAQIM

semikonduktor ini banyak digunakan sebagai bahan dasar untuk berbagai macam piranti optoelektronik antara lain fotodioda dan sel surya. a) Struktur kristal silikon

PEMBUATAN LAPISAN TIPIS S002 DENGAN METODE SPUTTERING DC UNTUK SENSOR GAS CO

Untuk mengetahui keberhasilan proses pem- buatan lapisan tip is SnOz dengan variasi waktu deposisi sputtering DC pada permukaan substrat kaca untuk bahan dasar sensor gas CO,