• Tidak ada hasil yang ditemukan

Karakterisasi Lapisan Film Tipis GaAs Yang Ditumbuhkan Dengan Metode MOCVD Di Atas Substrate Ge

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2017

Membagikan "Karakterisasi Lapisan Film Tipis GaAs Yang Ditumbuhkan Dengan Metode MOCVD Di Atas Substrate Ge"

Copied!
24
0
0

Teks penuh

Loading

Gambar

Tabel 2.1 Daftar Material Semikonduktor Paduan III-V
Tabel 2.2 Properties of AlAs, GaAs, dan Ge
Gambar 2.1 GaAs dan Struktur Kristalnya
Gambar 2.4 Hasil TEM dari GaAs yang terdiri dari beberapa APDs yang
+7

Referensi

Dokumen terkait

Jika anda mengklik Ribbon tab Design, maka akan muncul Ribbon dengan beberapa tool group, antara lain : Page Setup, Themes, dan Background, berfungsi

Terakhir hal yang tak boleh dilupakan dalam membangun sistim ekonomi yang berkeadilan sosial, adalah bahwa ekonomi Islam atau ekonomi syariah tidak boleh

 Jangan menyalakan perangkat jika kabel steker atau bagian perangkat lainnya seperti selang bertekanan tinggi, pistol penyemprot, atau peralatan keamanan lainnya dalam

[r]

Macintosh System 9 yang berbasis arsitektur komputer RISC merupakan sistem operasi 32 bit yang mengimplementasikan teknik preemptive multitasking dan teknik virtual memory

Secara disadari atau tidak kita sebagai manusia yang berfikir maju secara tidak langsung merasakan manfaat dari perkembangan teknologi tersebut. Berdasarkan hal diatas maka

Teorema berikut menyatakan keistimewaan dari elemen primitif dalam modul atas daerah ideal utama dalam kaitannya dengan memperluas elemen menjadi suatu basis dalam

This chapter conveys education as the vertical social upward mobility channel and human capital and social status expectations. Some previous studies will also be shown in