80
KONSTRUKSI DAN un KARAKTERISTIK
SISTEM
RF-SPUTTERING UNTUK PREP ARASI LAPISAN TIPIS
Trimardji Atmono, Widdi Usada, Suryadi, Agus Purwadi
P3TM-BATAN. Kotak Pos 1008. Yogyakarta 55010
ABSTRAK
KONSTRVKS/ DAN VJ/ KARAKTER/ST/K S/STEM RF-SPUTTER/NG VNTVK PREPARAS/ LAP/SAN T/P/S. Telah berhasil dibuat suatu sistem RF-Sputtering yang bekerja padafrekuensi /3,56 MHz. Komponen utama dari sistem ini, RF-generator don matchbox. adalah buatan komersial Fa. Hut/inger-Germany. Dengan menggunakan kombinasi pompa rotary don pompa turbo, serra dengan pengetahuan teknologi vakum, bisa dicapai tekanan 10-7 mbar, sehingga bisa diperoleh thin films dengan impurity rendah. Sistem target yang dibuat "match" dengan generator dan menggunakan pendingin air memungkinkan preparasi thin films dari berbagai material target, baik konduktor maupun isolator. Parameter yang sangat penting adalah tegangan DC-selfbias yang timbul pada katoda. Pada sistem yang telah dibuat ini berhasil dicapai tegangan DC-self Vsb bias sampai dengan -2000 f-: Dilakukan pengukuran tegangan self bias sebagai fungsi tekanan Argon pada berbagai daya. Pada daya tetap diperoleh penurunan Vsb. menyerupai linier dengan sudut kemiringan kecil hila tekanan diperbesar. Tegangan ini akan naik dengan bertambahnya daya generator, besarnya disesuaikan dengan jenis material target.
ABSTRACT
CONSTRUCTION AND CHARACTERlZ4TION OF RF-SPUTTERING SYSTEM FOR THE PREPARATION OF THIN fiLMS. The construction and characterization of sputtering-system which is operated at frequency of 13.56 MHz has been done successfully. The main components of this system are RF-Generator and Matchbox. Using the combination of rotary and turbo pumps and also using the knowledge of the vacuum-technology, we get the pressure of 10-7 moor, low impurity thin films can be produced. Target-system is made in proper condition with the generator and by flowing water for cooling the target, so it is possible to sputter the particles from all kinds of target, conductor as well as isolator. The DC-self bias which is created in the cathode is very important parameter. The DC-selfbias of2 kV is acheived by this RF-Sputtering system. The measurement of the potential se/fbias as function of the argon-pressure with the variation of RF-power is carried out. When the power is keep constant, the DC-self bias is decreased by the increasing of argon pressure (almost linear with small tangential angle). On the other hand, this potential increases with
increasing the power of the generator, corresponding to the kind ofmaterial-target
isolator.
Proses RF-sputtering adalah sangat terkenal daD cepat berkembang karena sifatnya yang sangat tleksibel. Dari target yang bersifat konduktor, semi konduktor bahkan isolator memungkinkan orang membuat lapisan tipis yang komplex dengan menggunakan satu atau beberapa macam gas reaktif
(umpama Nitrogen) daD dengan persyaratan lain
Garak elektroda, tegangan bias, tekanan sputter gas
dll.).
Pembuatan lapisan di alas substrat mempunyai/berdasarkan bemacam-macam tujuan pada aplikasinya antara lain: Lapisan tipis daTi
logam (pelapisan plastik daTi logam, pelapisan kertas dan plastikfoil), lapisan tipis bahan ker~ untuk peralatan rumah tangga, pertanian, lapisan tipis dengan efek optik (cermin, filter jendela dll), thin films untuk datastorage, lapisan tipis sel surra dll. Pada pelapisan di alas permukaan plastik diinginkan efek optik yang sesuai dengan sifat-sifat logam yang melapisi. Juga imitasi daTi logam atau pembuatan manipulasi daTi berbagai corak wama.
PENDAHULUAN
S Puttering pada zat padat dengan cara penembakan ion-ion atau atom-atom telah lama teramati pada eksperimen pertama glow-discharge dalam bentuk erosi dari permukaan katoda /1/. Semua bentuk discharge baik buatan manusia maupun alamiah selalu berhubungan erat dengan timbulnya plasma. Barn pada akhir tabun lima-puluhan ditemukan perkembangan barn bahwa sputtering tersebut dapat diterapkan untuk pelapisan dan modifikasi permukaan bahan serta untuk memperoleh material barn dan juga thin films yang berbeda sifatnya dengan material katoda /21.
Sistem peralatan sputtering yang pertama bekerja berdasarkan prinsip diode dan dengan menggunakan tegangan searah (DC-diode). Beberapa tabun kemudian diperkenalkan sistem sputtering yang juga berdasarkan prinsip diode tetapi dengan menggunakan tegangan frekuensi tinggi 13,56 MHz. (RF-diode) /3/. Dengan menggunakan frekuensi radio ini, orang bisa membuat lapisan tipis teristimewa dari material
katoda dengan tenaga yang mencukupi agar berlangsung proses sputtering, yaitu "melepaskan" atom-atom target dari katoda.
Pembuatan imitasi dengan permukaan emas merupakan hal yang istimewa/banyak dilakukan.
Hal ini bisa direalisasi dengan metode sputtering menggunakan target kuningan dengan komposisi yang sesuai. Permukaan logam yang lembek kemudian dilapisi dengan bahan yang transparan. Tujuan dari cara ini adalah untuk memperoleh emas tiruan pada keseluruhan permukaan. Oleh karena tidak ada batasan material target(isolator/konduktor) maka bermacam-macam lapisan dekoratif memungkinkan untuk dibuat dengan metode RF-sputtering.
Di dalam makalah ini dibahas pembuatan sistem RF-sputtering untuk tujuan preparasi thin films, parameter yang terlibat pada proses sputtering terutama tegangan self-bias, beserta teori yang mendasari proses preparasi lapisan tip is pada frekuensi radio.
Gambar I : Karakter yang harus dimiliki oleh RF-Sputtering, yaitu tegangan bias yang timbul pada katoda.
Apabila di dalam plasma kita pasang elektroda dari logam atau substrat dengan penahan dari logam yang dihubungkan dengan ground, maka arus elektron akan mengalir melewatinya daD menuju ground (selama setengab perioda). Ion-ion positip "melihat" hanya tegangan negatif pada target daD menembakinya (dengan tenaga dalam orde beberapa ratus eV) selama proses berlangsung secara kontinyu. Atom-atom target (dengan tenaga ikat lebih kecil dari 10 e V) yang terpental memiliki tenaga kinetik daD bergerak secara statistik ke segala arab. Mereka juga mencapai substrat daD membentuk lapisan tipis. Hal tersebut merupakan prinsip dari RF-sputtering daD dengan proses ini thin-fi/m dari segala bentuk material bisa dihasilkan/dibuat. Kita juga bisa memasang tegangan negatif pada substrat sehingga lapisan tipis yang sedang tumbuh ditembaki oleh ion-ion Argon. Dengan cara ini maka morphologi dari thin-film bisa dimanipulasi (umpama timbulnya magnetik anisotropie pada FeTb). Akhimya orang bisa memasang tegangan yang terbalik, dimana target terhubung dengan ground daD daerab di sekitar substrat diberikan tegangan RF. Cara ini dipergunakan dengan tujuan sputtercleaning pada substrat sehingga memperbesar daya tempel thin-film pada substrat. Sedangkan dengan menggunakan DC-sputtering proses tersebut tidak bisa berjalan untuk target yang bersifat isolator.
Ditinjau plasma tekanan rendab berada dalam kontak dengan 2 elektroda planar dari baban metal (katoda daD anoda). Kerapatan berkisar kira-kira
IOIO/cm3, tenaga kinetik rata-rata 3/2 kT jauh lebih besar daripada tenaga interal'3i antar partikel, sehingga tenaga interaksi (elektrostatik) ini bisa diabaikan dibanding tenaga kinetik. Akibatnya adalab babwa partikel plasma bisa dipandang sebagai gas ideal yang mengikuti distribusi Maxwell-Boltzmann. Bila perbedaan tegangan antara plasma daD elektroda negativ adalab sebesar
TEORI
Fase keempat dari materi, yaitu plasma, memegang reran sangat renting pada pembentukan lapisan tipis melalui metode sputtering. Pengertian secara umum plasma merupakan campuran dari tiga komponen yaitu elektron-elektron bebas, ion-ion positif clan atom-atom netral atau molekul-molekul. Jumlah muatan-muatan positif clan negatif adalah sarna, berarti plasma secara keseluruhan adalah netral. Meskipun demikian ditinjau secara mikroskopis bisa timbul medan listrik. Tenaga yang dimiliki plasma merupakan penjumlahan tenaga kinetik dari partikel-partikel bermuatan clan tenaga elektrostatik akibat dari interaksi diantara partikel-partikel bermuatan tersebut.
Proses sputtering bermula dari terjadinya ionisasi gas (biasanya digunakan Argon, Helium atau gas mulia lainnya) dengan tekanan par~ial di dalam tabung plasma kira-kira 10-3 mbar.
Sputtering dengan menggunakan RF-glow discharge bekerja berdasarkan prinsip bahwa elektroda-elektroda kapasitif yang terkopel dengan plasma bermuatan negatifterhadap plasma.
Plasma yang terbentuk dinamakan plasma
tekanan rendah, karena tekanan dalam tabung
plasma lebih kecil dari 0.1 mbar.
Apabila kita menghubungkan target yang terisolasi oleh sebuah kondensator dengan sumber RF yang frekuensinya tinggi (biasanya 13,6 MHz) maka ion-ion tidak bisa mengikuti variasi tegangan clan lebih banyak elektron-elektron akan mencapai target (pada setengah gelombang negatit) dari pada ion-ion pada setengah gelombang posit if. Dengan demikian akan timbul tegangan negatif self-bias pada target yang besarnya bisa mencapai -2 kV (gambar I). Tegangan searah ini berfungsi untuk mempercepat ion-ion sputtergas agar menumbuk
Pro.viding Pertemuan don Presentasi llmiah P3TM-BATAN. Yogyakarta 14 -15 Ju/i /999 .Buku I
82
Us, maka akan terbentuk lapisan muatan positiv disekitar permukaan elektroda dengan kerapatan diberikan oleh persamaan Child-Langmuir /3/:
11. Besarnya aliran gas yang menuju tabung plasma 12. Cara pembersihan substrat
T AT A KERJA DAN PERCOBAAN
Komponen vital daTi sistem RF-Sputtering adalah Generator (menggunakan arus 3 phase), Matchbox clan sistem target yang meghasilkan impedansi plasma yang tepat. Dipergunakan pembangkit osilator pada frekuensi 13,56 MHz type HUttinger 600 PFG beserta HUttinger PFM 1500 A sebagai matchbox. Daya maksimal yang bisa dihasilkan adalah sebesar 600 W. Sistem target yang harns match dengan generator bertujuan untuk menghasilkan daya maksimal kepada plasma, daya refleksi = O. Bagan selengkapnya daTi sistem RF-sputtering ditunjukkan pada gambar 1.
d- {4 ( 2Iel )J i ..i
!---s 0 0 - 2 j -2U-',.
M;
dengan Mj adalah berat atom sputtergas dan ji arus ion jenuh.
Lapisan ini dikenal sebagai ruang gelap katoda. Ruang di antara plasma dengan ruang gelap tsb. terdapat daerah quasinetral, dimana terjadi penurunan potensial sebesar :
kT
i\U="2"j";"i
Sehingga akan terjadi penurunan kerapatan ion sebesar n° yang bisa dihitung daTi distribusi MB menghasilkan :
j
n '=nl el-2~ _O.6n
Sehingga besarnya arus jenuh elektron diberikan oleh
ion
Gambar 2 Blok sistem RF-Sputtering untuk preparasi thin films
Dengan kombinasi pompa Rotary clan Turbo berhasil dicapai vakum 10-7 mbar, dengan harapan diperoleh thin films dengan impurity rendah. Derajat
kevakuman diukur dengan High-pressure
Messrl)hren IMR-300 clan Pirani-MeBrl)hren TPR 010. Pompa turbo dari Pfeiffer langsung
digantungkan di bawah sputter-chamber dengan menggunakan O-ring clan klem dari bahan SS, agar effektif menghampakan chamber.. Sebagai pengatur
laju gas dipergunakan ventil Balzers yang memungkinkan pengaturan dosis Sputtergas. Sistem
target sebanyak 2 buah dibuat permanen dibawah untuk memberikan kemudahan pembuatan mosaik-target disamping kemudahan pengaturan sistem pendingin. Dengan posisi substrat di atas memungkinkan pemutaran substrat-holder dengan rotary-feedthrogh sesuai dengan posisi target di bawahnya. Sampai saat ini masih belum ditemukan
sistem yang paling baik untuk mendinginkan substrat. Dibuat 3 macam substrat-holder yang memungkinkan preparasi 1 thin film di tengah, 3 thin films atau sebanyak 16 lapisan tipis sekaligus.
Dengan demikian tenaga
menumbuk katoda adalah sebesar
yang
lelu..+leIAU=lelu..+
-
kTe 21elHASIL DAN PEMBAHASAN
Parameter yang bisa diatur agar proses pembentukari lapisan tipis bisa berlangsung adalah:
I. Daya, yaitu power dari generator yang "diserap" oleh plasma
Oleh tumbukan ion-ion, maka partikel-partikel katoda akan "tersputter" keluar. Tenaga kinetik partikel tsb, yang merupakan selisih tenaga ion dengan tenaga ikat atom dalam target, akan memungkinkan partikel terhambur, sebagian besar menuju substrat untuk membentuk thin films. RF -sputtering clan juga lapisan tipis yang dihasilkan sangat dipengaruhi oleh banyak parameter, yaitu : 1. Daya generator
2. Tegangan self-bias
3. Frekuensi daTi medan elektromagnetik 4. Jarak antara elektroda
5. Perbandinganluas elektroda
6. Kekuatan medan magnet luar terutama untuk magentik thin films
7. Posisi substrat dalam plasma-chamber 8. Suhu substrat
9. Tekanan gas (Argon, Helium, Kripton, Nitrogen dU.)
Posisi 4 menunjukkan DC-bias yang telah mencapai harga yang diinginkan. Apabila setelah terjadi discharge, tegangan bias naik melebihi harga yang diinginkan (sesuai dengan jenis target) maka ini berarti bahwa PL tidak akan bisa naik, justeru kembali ke point 3, turun untuk menghasilkan DC-bias yang sesuai tsb. Bila sebaliknya terjadi penurunan tegangan bias (posisi 5), maka PL segera menyesuaikan diri, yaitu naik untuk mengembalikan harga DC-self bias sesuai dengan harga yang telah
diinginkan yang bergantung dari jenis katoda (point 6) /6, 7/.
2.
3.
4.
Delta-P (merupakan jumlahan daya masuk dan daya refleksi)
Tegangan self-bias
Tegangan RF-Peak, yang merupakan tegangan keluaran generator
Gambar 3 adalah hasil pengukuran daya keluaran generator (sumbu X) dan kelakuan signal (sumbu V). Pada titik 1 mula-mula daya pada posisi ON daD dinaikkan pelan-pelan, sid orde 50 W. Daya ini naik secara linier daD pada saat belum terjadi discharge maka sistem HF tidak terimbangi, sehingga refleksi PR sangat besar.
Gambar 4: Hasil pengamatan tegangan pacta variasi RF-Peak dan DC-bias
Beberapa parameter penting yang lain juga telah diuji, antara lain daya, tegangan self-bias, tekanan argon. Parameter penting dari matchbox adalah kapasitor beban (Lastkondensator) daD kapasitor pengepas (Abstimmkondensator). Telah dicoba beberapa jenis target, seperti Fe, Ti, TiO2 daD juga Si. Gambar 5 menunjukkan hubungan antara tegangan self-bias sebagai fungsi dari tekanan
argon.
u.
Gambar 3. Kelakuan sinyal keluaran pacta variasi daya delta-P
Pacta posisi 2 daya refleksi mencapai maksimum dan mencapai harga limit (orde 80-90 W), diikuti oleh discharge sehingga daya keluaran generator menja9i 2 bagian, yaitu daya PL diserap plasma dan refleksi PR /6,7/. Pacta point 3, plasma sudah menyala sehingga timbul DC-bias, kecil beberapa ratus V biasanya belum cukup untuk terjadinya proses pembentukan lapisan tipis. Daya PR kemudian turun mencapai minimal. Hal ini dikerjakan dengan pengaturan CL (Last-kondensator=kapasitor beban) dan CT (Abstimmkondensator=kapasitor pengepas) pacta matchbox. Pacta point 4 pacta terjadi kenaikan tegangan self-bias Usb. Dengan pengaturan secara halus daTi CT dan CL maka PR semakin kecil. Pacta titik 5, Usb mencapai harga batas dan konstan sesuai dengan limit yang diinginkan. Harga limit ini
tergantung daTi material katoda. Untuk aluminium
umpamanya diperlukan kira-kira 800 V, sedangkan Titanium membutuhkan 1000 V.
Pacta gambar 4 ditunjukkan hasil pengamatan tegangan hila parameter yang diatur adalah RF-P"ak atau DC-Bias. Pacta titik 1 generator dan matching-network dalam posisi ON dan kemudian dinaikkan pelan-pelan. Daya yang terserap dan daya refleksi naik secara tinier. Pacta point 2, PR mencapai harga limit sehingga membatasi besarnya PL. Pacta titik berikutnya (3) plasma menyala sehingga PL naik.
Gambar 5. Tegangan self-bias sebagai fungsi dari tekanan argon
Baik pada daya 200 maupun 500 watt teramati adanya kecenderungan penurunan tegangan
bias dengan naiknya tekanan sputtergas. Dengan bertambahnya tekanan argon berarti mean free path dari partikel-partikel penyusun plasma akan semakin pendek karena frekuensi tumbukan bertambah besar. lni berarti bahwa temperatur partikel termasuk elektron akan naik. Dengan naiknya suhu elektron maka tegangan negatif yang timbul pada katoda akan berkurang menurut persamaan berikut /4/:
U sb =-[ Uhf -ffiln(2.3~)J 2e M;
dengan parameter sputtering: daya 150 Watt, tegangan self bias 1000 Y, tekanan Argon 3x1O_2 mbar. Tampak puncak pada tenaga 4,51 keY, yang merupakan karakter unsur Ti, daD puncak hamburan Compton. '=' ,;
.
j
T- (bV)Gambar 7. Hasil pengamatan XRF dari lapisan tipis Titanium yang dihasilkan dengan metode RF -sputtering
KESIMPULAN
Salah satu metoda preparasi lapisan tipis yang terpenting adalah menggunakan RF-sputtering yang bekerja pacta frekuensi 13,56 MHz.
Komponen utama dari sistem ini, RF-generator daD matchbox, adalah buatan komersial Fa. HUttinger yang merupakan bantuan hibah pemerintah Jerman. Sebagian komponen mekanik dibuat di PPNY-BATAN. Sifat yang vital yang dimiliki oleh sistem ini adalah terbentuknya tegangan self bias pacta elektroda negatif yang bisa
mencapai -2 kV. Tegangan searah ini
memungkinkan arus ion menembaki target, sehingga atom-atom target akan tersputter. Merupakan keunggulan RF-sputtering dibanding DC-sputtering ialah bahwa material katoda/target tidak harus bersifat konduktor (DC-sputtering) melainkan juga material yang bersifat isolator. Karakter dari sistem sputtering pacta frekuensi radio ini telah berhasil dikerjakan, antara lain tegangan self bias sebagai fungsi daya, potensial self bias sebagai fungsi tekanan sputtergas. Pacta daya tetap diperoleh penurunan tegangan self bias menyerupai linier dengan sudut kemiringan kecil hila tekanan diperbesar. Tegangan ini akan naik dengan bertambahnya daya generator, besarnya sesuai dengan jenis material target. Beberapa thin films telah berhasil dibuat daD diuji, salah satunya dengan menggunakan XRF. Dari data basil karakterisasi sistem RF-sputering dan identifikasi lapisan tip is, maka bisa disimpulkan bahwa sistem ini telah berfungsi dengan baik daD bisa dimanfaatkan untuk tujuan utama yaitu pembuatan lapisan tipis, baik
bersifat konduktor maupun isolator. dengan Uhcadalah tegangan RF-generator.
Pada pengukuran Usb kadang-kadang terjadi fluktuasi meskipun daya generator telah dilewatkan matcbox untuk memperoleh daya refleksi o. Hal ini mungkin disebabkan karena proses yang sangat komplex yang melibatkan banyak parameter pada proses sputtering. Apabila salah satu besaran mengalami gangguan (faktor eksternal, umpama tekanan argon, tegangan PLN) daD menyebabkan fluktuasi, maka besaran "terukur (daya, tegangan bias) akan sangat terpengaruh.
Bahwa tegangan self-bias akan naik dengan bertambahnya daya generator, seperti ditunjukkan pada gambar 6, adalah sesuai dengan formula yang dipublikasikan oleh Oechsner /4/.
Kurva ini memperkuat basil yang ditunjukkan oleh gambar 5, yaitu bahwa membesarnya tekanan sputtergas akan menghasilkan
Usb yang lebih kecil untuk suatu proses preparasi thin films pada daya konstan. Menurut Bunschach /5/, RF-peak yang timbul pada proses sputtering sangat dipengaruhi oleh faktor external, antara lain jarak elektroda, jenis material target dan tekanan argon. Oleh karena RF-peak sangat menentukan besamya tegangan self-bias, maka jelas bahwa tegangan ini dipengaruhi oleh faktor eksternal tsb.
Gambar 6: Tegangan bias sebagai fungsi daya keluaran generator.
Gambar 7 adalah basil pengamatan menggunakan XRF dari lapisan tipis Titanium
Prosiding Pertemuan don Presentasi llmiah
P3TM-BATAN, Yo¥}'akarta 14 -15 Juli 19~ Buku I 85 UCAP AN TERIMAKASIH
Penulis mengucapkan terimakasih kepada pemerintah Jerman lewat Yayasan Alexander von Humboldt yang telah memberikan peralatan hibah
berupa komponen utama RF-Sputtering. Kepada
para teknisi Sdr. Giri Slamet clan Sdr. Kasiyo, Sdr. Setyo Atmodjo clan Sdr. Akhmad Zaenuri penulis mengucapkan terimakasih alas bantuan dalam ide clan pembuatan komponen mekanik/listrik.
* Dapatkah pancaran target difokuskan/diarahkan sehingga dapat untuk menggambar dll.
Tri Mardji A.
* Alasan komunikasi, agar tidak menggangu frekuensi yang digunakan untuk komunikasi. Alasan yang lain adalah untuk memperoleh tegangan self-bias maksimum pada katoda berdasar efek perbedaan massa antara elektron don ion.
* Tergantung tenaga ion yang menembaki target, makin tinggi tegangan self bias maka makin tinggi pula suhu target, partikel-partikel target yang terpental akan pula memiliki tenaga kinetik yang tinggi untuk menuju substrat. * Terutama platik dengan titik leleh yang tinggi
untuk bisa disesuaikan dengan tenaga kinetik partikel yang berubah menjadi panas terkumpul di alas plastik tersebut.
* Untuk soot ini belum bisa, untuk waktu mendatang bisa dipikirkan perkembangan ke arah tersebut.
Wibisono
* Apakah alat ini telah dapat digunakan untuk pangsa pasar yang besar mengingat kegunaannya yang sangat luas.
* Apakah metode lain yang telah diterapkan bagaimana perbandingannya denga metode ini
dari segi pinansial khususnya ?
* Apakah kendala yang masih ada untuk pengembangan lebih lanjut
Tri Mardji A.
* Proses yang besar adalah skala industri, sedang sistem RF-sputtering yang komi bangun adalah skala laboratorium untuk penelitian. Meskipun demikian untuk pelapisan bahan dengan ukuran kecil (perhiasan, mota bar, dll.) bisa komi kerjakan dengan olaf tersebut * Metode evaporasi, keuntungannya bahwa
metode ini sederhana, merupakan proses thermal (sputtering adalah proses elektrik), sputtering masih lebih unggul karena 1 buah target katoda bisa bisa digunakanlebih dari 100 kali. Juga proses penempelan pada bahan jauh lebih kuat, mengakibatkan usia yang lebih lama (> 15 tahun)
* Bahan target yang sulit diperoleh harus dibeli di luar negeri, untuk memperoleh thin film permukaan luas yang homogen masih harus
dikaji. Kendala yang lain adalah karakterisasi, karena alar-alar karakterisasi belum kami miliki.
TANYAJAWAB
J. Karmadi
* Untuk mendapatkan (Iapisan tip is, jarak katode dan anode kira-kira berapa cm ?
* Apakah beda target jaraknya sam Tri Mardji A.
* 2 sid 4 cm tergantung dari besarnya tegangan self-bias, tekanan gas sputer don tegangan RF sertajenis material target.
* Berlainan lihar gombar, tetapi bisa juga soma, namun menimbulkan efek kerugian yang lain (antara lain sputter-rate lebih rendah, inhomogenitas). Jadi sebaiknya disesuaikan dengan parameter sputtering yang lain agar diperoleh efek sputter yang optimum.
Hero Susetyadi
* Apakah alasan dan tujuan memakai 13,56 MHz. * Berapa suhu reaksi RF-sputtering maksimum ? * Jenis plastik apa yang bisa dilapisi ?
