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5.1 ベクトル場の線積分 - 北海道大学

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Academic year: 2024

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物理数学I演習 16

5.1 ベクトル場の線積分

空間内の領域Dにおいて定義されたベクトル場

A=a1(x, y, z)e1+a2(x, y, z)e2+a3(x, y, z)e3

D内の無限小変移dr =dxe1+dye2 +dze3 との内積を,経路Cに沿って積分 したもの

C

A·dr =

C

a1(x, y, z)dx+a2(x, y, z)dy+a3(x, y, z)dz (5.1) をベクトルACに沿う線積分と呼ぶ.

(1) 以下が成り立つことを示せ.

(i)

C

(αA+βB)·dr =α

C

A·dr+β

C

B·dr.

(ii)

C

A·dr =

C

A·dr.

ここで経路−Cは経路C を逆向きにたどる経路である.

(2) スカラー場ϕの勾配ベクトル場∇ϕの空間内の点Aから点Bにいたる経路 C 沿った線積分は

C∇ϕ·dr =φ(B)−φ(A)

となることを示せ. ここでϕ(A)は点Aにおけるφの値を表す.

2010112(小高正嗣)

(2)

物理数学I演習 17

5.2 ベクトル場の面積分

空間内の領域D内の曲面S を含む領域において定義されたベクトル場 A=a1(x, y, z)e1+a2(x, y, z)e2+a3(x, y, z)e3

に対し,ベクトル場Aの面積分を以下のように定義する.

S

A·dS =

S

A·ndS =

S

a1n1(x, y, z) +a2n2(x, y, z) +a3n3(x, y, z)dS. (5.2) ここでdS, dSはそれぞれ曲面S上のベクトル面積素と面積素,nは面積素dSの 法線ベクトルで,ni はその各成分である.

(1) 以下が成り立つことを示せ.

(i)

S

(αA+βB)·dS =α

S

A·dS +β

S

B·dS.

(ii)

S

A·dS =

S

A·dS.

ここで−SS の法線ベクトルを逆向きにとることを示す.

(2) r を位置ベクトルとするとき,

S

r·ndS

を,S が以下の場合について求めよ. ただし法線ベクトルの向きはS の内側 から外側にとる.

(i) 単位球面x2 +y2+z2 = 1.

(ii) 平面x=±1, y =±1, z=±,1で囲まれる立方体の表面.

2010112(小高正嗣)

(3)

物理数学I演習 18

5.3 ガウスの定理

一階微分可能なベクトル場Aと,Aが存在する空間内の閉曲面SおよびS によっ て囲まれた領域V を考える. このとき,

S

A·ndS =

V ∇·AdV (5.3)

が成り立つ. これをガウスの定理と呼ぶ.

(1) 領域 V として xyz 直線直交座標系における微小体積を考えることにより,

(5.3)が成り立つことを示せ.

(2) 以下の関係が成り立つことを示せ. ただしf, gはスカラー関数, ∂n は面要素 dS の法線方向微分,左辺の面積分は閉曲面Sについて行うものとする.

(i)

S

∂ f

∂ndS =

V 2f dV (ii)

S

f∂ g

∂ndS =

V ∇·(f∇g)dV

(3) 密度ρ(x, y, z, t) である流体が速度v(x, y, z, t)で運動しているとする. 流体 のわきだしも吸い込みもないとすると,以下の方程式が成り立つことを示せ.

∂ ρ

∂t +∇·(ρv) = 0. (5.4)

2010112(小高正嗣)

(4)

物理数学I演習 19

5.4 ストークスの定理

一階微分可能なベクトル場Aと,Aが存在する空間内の閉曲線CおよびCによっ て囲まれた曲面Sを考える. このとき,

C

A·dr =

S

(∇×A)·ndS (5.5)

が成り立つ. これをストークスの定理 と呼ぶ. ただし法線ベクトルnの向きはC の正方向(Cに囲まれた領域を右側に見る向き)に進む右螺の進む向きにとる.

(1) 曲面Sとしてxyz直線直交座標系におけるxy平面に平行な面要素を考える ことにより, (5.5)が成り立つことを示せ.

(2) 閉曲線 C に沿って発生する電場をEとすると, ファラデーの電磁誘導の法 則から

C

E·dr =−dΦ dt

である. ここで Φ は C によって囲まれた曲面 S を貫く磁束である. Φ =

SB·ndSであることを用いて,微分形のファラデーの電磁誘導の法則

∇×E=−∂

∂tB (5.6)

を求めよ. ここでBは磁束密度である.

2010112(小高正嗣)

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